JP5590981B2

JP5590981B2 - 半導体装置

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Publication number: JP5590981B2
Application number: JP2010135261A
Authority: JP
Inventors: 吾朗出田; 祥久内田; 辰則柳本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2010-06-14
Filing date: 2010-06-14
Publication date: 2014-09-17
Anticipated expiration: 2030-06-14
Also published as: JP2012004179A

Description

本発明は、半導体装置、半導体装置の実装方法、および実装用治具に関し、より特定的には、プリント配線板の表面に実装される半導体装置、プリント配線板の表面に半導体装置を実装するために使用される半導体装置の実装方法、および、この半導体装置の実装方法に用いられる実装用治具に関する。

ＳＯＰ（Small Outline Package）、またはＱＦＰ（Quad Flat Package）等の半導体装置は、電子部品としてプリント配線板の表面に実装される。プリント配線板にこれらの電子部品を実装するために、リフローはんだ付け法（以下、リフロー法とも称する）、またはフローはんだ付け法等が使用されている。

リフロー法では、電子部品の電極端子とプリント配線板の配線電極との間にソルダペーストが予め供給される。ソルダペーストは、はんだ粉とフラックスとを含んで構成されている。ソルダペーストを含む系全体が加熱されることによって、ソルダペーストが溶融する。その後系全体が冷却されることによって、ソルダペーストが凝固する。この凝固によって、電子部品の電極端子とプリント配線板の配線電極とが接合される。

フローはんだ付け法には、溶融はんだ液面を動かさない静止槽方式（ＤＩＰ方式）、および、溶融はんだ液面に波を立てる噴流方式（フロー方式）の２つの方式がある。フローはんだ付け法（上記の２つの方式を含む）では、プリント配線板における電子部品が仮固定された面を下方に向けた状態で、プリント配線板が溶融はんだに浸漬される。溶融はんだは、電子部品の電極端子およびプリント配線板の配線電極に接触する。この接触によって金属結合（「濡れ」と呼ばれる）が起こる。この濡れによって、溶融状態にあるはんだが、電子部品の電極端子とプリント配線板の配線電極との間に挟まれる。

溶融はんだから、プリント配線板および電子部品が引き抜かれる。プリント配線板の配線電極と電子部品の電極端子との間に余剰に供給された溶融はんだは、溶融はんだの自重または溶融はんだの表面張力によってはんだ槽に引き戻される。プリント配線板の配線電極と電子部品の電極端子との接合状態を維持するために必要な所定の量の溶融はんだは、上述の金属結合の作用によってプリント配線板の配線電極と電子部品の電極端子との間に残留する。溶融はんだの温度が低下することによって残留した溶融はんだは凝固する。この凝固によってプリント配線板の配線電極と電子部品の電極端子とが接合される。

上述の２つの方式を含むフローはんだ付け法では、プリント配線板に搭載された電子部品の全体が溶融はんだに浸漬される。電子部品における全ての電極端子は、これらの電極端子が溶融はんだに浸漬された状態では相互に短絡している。溶融はんだからプリント配線板が引き抜かれた後、隣り合う電極端子間を短絡している余剰に供給された溶融はんだが自重または表面張力により取り除かれることによって、短絡のない良好なはんだ接合を得ることができる。

ところが、隣り合う電極端子の間隔が狭い場合、特に電子部品が微細な半導体パッケージであって隣り合う電極端子の間隔がたとえば０．３ｍｍより小さい場合、隣り合う電極端子の間にはんだブリッジが発生することによって隣り合う電極端子が短絡するという問題が生じる。

このような問題点を解決する手法として、たとえば特開平１−２４８６５３号公報（特許文献１）では、電子部品の隣り合う電極端子間に絶縁性の障壁を設けるという手法が提案されている。同文献は、隣り合う電極端子間に溶融はんだが供給され難くなることによって、隣り合う電極端子が短絡することが抑制されると述べている。

特許文献１においてリフロー法を採用した場合、電子部品の隣り合う電極端子間に設置された絶縁性の障壁によって、溶融はんだの流動による隣り合う電極端子間における短絡の発生は抑制されることが推察される。

ここで、特許文献１においてフローはんだ付け法を採用した場合、溶融はんだは電子部品の電極端子間に設けられた絶縁性の障壁を乗り越えることが推察される。隣り合う電極端子間を溶融はんだがアーチ形状（膜状）に繋がることによって、ブリッジが発生してしまう。特許文献１に提案されている手法であっても、フローはんだ付け法を採用した場合においては、隣り合う電極端子同士が短絡するという問題が生じる。

特開平１−２４８６５３号公報

本発明は上述に鑑みてなされたものであり、その目的は、フローはんだ付け法によっても隣り合う電極端子間における短絡の発生を抑制することができる表面実装型の半導体装置、フローはんだ付け法によっても隣り合う電極端子間における短絡の発生を抑制することができる表面実装型の半導体装置の実装方法、および、この半導体装置の実装方法に用いられる実装用治具を提供することにある。

本発明の第１の局面に基づく半導体装置は、プリント配線板の表面に実装される半導体装置である。当該半導体装置は、本体と複数の電極端子とを備える。上記本体は、半導体素子を内部に封止する。複数の上記電極端子は、上記本体の側面から突出する突出部、上記突出部の先端から上記本体の下面側に向かって延びる延在部、および、上記延在部の先端から上記本体とは反対側に向かって延びる水平部を有する。

上記突出部の上面は、上記側面の高さ方向の中央部より上記下面側に位置している。上記水平部の下面と上記側面の上端との間の高さ方向の寸法は、上記水平部の先端と上記上端との間の幅方向の寸法以上である。

本発明の第２の局面に基づく半導体装置は、プリント配線板の表面に実装される半導体装置である。当該半導体装置は、本体と張出部と複数の電極端子とを備える。上記本体は、半導体素子を内部に封止する。複数の上記電極端子は、上記本体の側面から突出する突出部、上記突出部の先端から上記本体の下面側に向かって延びる延在部、および、上記延在部の先端から上記本体とは反対側に向かって延びる水平部を有する。上記張出部は、上記電極端子の上方に位置し、上記側面から幅方向外側に向かってフランジ状に張り出している。

上記張出部は、はんだに対して非濡れ性を有している。幅方向において、上記張出部の先端は上記水平部の先端よりも上記本体側に位置している。上記張出部は、上記張出部を厚さ方向に貫通する貫通孔を有している。上記貫通孔は、上記電極端子の上方を含んでいる。

本発明の第３の局面に基づく半導体装置の実装方法は、プリント配線板の表面に半導体装置を実装する半導体装置の実装方法であって、次の各工程を備えている。

上記半導体装置を準備する。上記半導体装置は、本体と複数の電極端子とを備えている。上記本体は、半導体素子を内部に封止する。複数の上記電極端子は、上記本体の側面から突出する突出部、上記突出部の先端から上記本体の下面側に向かって延びる延在部、および、上記延在部の先端から上記本体とは反対側に向かって延びる水平部を有する。

表面に配線電極を有する上記プリント配線板、溶融したはんだ、および、上記はんだに対して非濡れ性を有する実装用治具を準備する。上記実装用治具を上記本体に取り付ける。上記電極端子と上記配線電極とが近接するように、上記半導体装置を上記プリント配線板の上記表面に仮固定する。上記半導体装置の上面側から、上記半導体装置を上記実装用治具とともに溶融した上記はんだに浸漬する。上記半導体装置を上記実装用治具とともに溶融した上記はんだから引き抜く。

上記実装用治具が上記本体に取り付けられた状態においては、上記突出部の上面は、上記側面と上記実装用治具とを合わせた高さ方向の中央部より上記下面側に位置している。上記水平部の下面と上記実装用治具の側面における上端との間の高さ方向の寸法は、上記水平部の先端と上記上端との間の幅方向の寸法以上である。

本発明の第４の局面に基づく半導体装置の実装方法は、プリント配線板の表面に半導体装置を実装する半導体装置の実装方法であって、次の各工程を備えている。

上記実装用治具は、上記実装用治具が上記本体に取り付けられた状態において、上記電極端子の上方に位置し且つ幅方向外側に向かってフランジ状に張り出す張出部を有し、幅方向において、上記張出部の先端は上記水平部の先端よりも上記本体側に位置している。

本発明の第５の局面に基づく実装用治具は、本発明の上記第３の局面または本発明の上記第４に基づく半導体装置の実装方法に記載の半導体装置の実装方法に用いられる上記実装用治具であって、上記本体に取り付けられた状態で、上記半導体装置とともに溶融した上記はんだに浸漬される。

本発明によれば、フローはんだ付け法によっても隣り合う電極端子間における短絡の発生を抑制することができる表面実装型の半導体装置、フローはんだ付け法によっても隣り合う電極端子間における短絡の発生を抑制することができる表面実装型の半導体装置の実装方法、および、この半導体装置の実装方法に用いられる実装用治具を得ることができる。

実施の形態１における半導体装置を示す断面図である。実施の形態１における半導体装置の実装方法を示す第１断面図である。図２中の矢印ＩＩＩ方向から実施の形態１における半導体装置を見た平面図である。実施の形態１における半導体装置の実装方法を示す第２断面図である。実施の形態１における半導体装置の実装方法を示す第３断面図である。図５中のＶＩ線に囲まれる領域を拡大して示す断面図である。実施の形態１における半導体装置の実装方法を示す第４断面図である。実施の形態１における半導体装置の実装方法を示す第５断面図である。実施の形態１における半導体装置の実装方法を示す第６断面図である。実施の形態１に対する比較例における半導体装置の実装方法を示す断面図である。実施の形態１の他の形態における、半導体装置およびその実装方法に用いられる半導体装置を示す斜視図である。実施の形態２における半導体装置を示す断面図である。実施の形態２における半導体装置の実装方法を示す第１断面図である。実施の形態２における半導体装置の実装方法を示す第２断面図である。実施の形態２の他の形態における、半導体装置およびその実装方法に用いられる半導体装置を示す斜視図である。実施の形態３における、半導体装置およびその実装方法に用いられる半導体装置を示す平面図である。図１６におけるＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に関する矢視断面図である。実施の形態３の他の構成における半導体装置およびその実装方法に用いられる半導体装置を示す斜視図である。実施の形態３のさらに他の構成における半導体装置およびその実装方法に用いられる半導体装置を示す平面図である。実施の形態４における半導体装置を示す断面図である。実施の形態４における半導体装置の実装方法を示す第１断面図である。実施の形態４における半導体装置の実装方法を示す第２断面図である。実施の形態４の他の構成における半導体装置およびその実装方法に用いられる半導体装置を示す斜視図である。実施の形態５における半導体装置を示す断面図である。実施の形態５における半導体装置の実装方法を示す第１断面図である。実施の形態５における半導体装置の実装方法を示す第２断面図である。実施の形態５の他の構成における半導体装置およびその実装方法に用いられる半導体装置を示す斜視図である。

本発明に基づいた各実施の形態における半導体装置、半導体装置の実装方法、および実装用治具について、以下、図面を参照しながら説明する。各実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。各実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。

［実施の形態１］
図１〜図９を参照して、本実施の形態について説明する。

（半導体装置１１１Ａ）
図１を参照して、本実施の形態における半導体装置１１１Ａは、プリント配線板１００の表面に実装されるいわゆる表面実装型の半導体装置であり、たとえばプラスティックパッケージのＱＦＰである。

半導体装置１１１Ａは、本体１１２と複数の電極端子１１３とを備えている。本体１１２は、外周が略直方体に成型された絶縁性のモールド樹脂から構成されている。絶縁性のモールド樹脂とは、たとえばガラス粒が充填されたエポキシ樹脂である。本体１１２におけるモールド樹脂は、半導体素子（図示せず）、およびこの半導体素子と電極端子１１３（電極端子１１３におけるインナーリード部）とを接続するボンディングワイヤ（図示せず）等を内部に封止している。

本体１１２は、上面１１２Ａ、下面１１２Ｂ、および側面１１２Ｓを有している。側面１１２Ｓの高さ方向（紙面上下方向）の中心の位置には、中央部１１２ＣＡが規定されている。換言すると、中央部１１２ＣＡから側面１１２Ｓの上端１１２Ｔまでの寸法ＨＡと、中央部１１２ＣＡから側面１１２Ｓの下端１１２Ｕまでの寸法ＨＡとは等しくなっている。

各電極端子１１３は本体１１２の周囲（側面１１２Ｓに関する周囲）に並んで配設され、本体１１２の側面１１２Ｓから、本体１１２に対して外側に向かって突出している。各電極端子１１３はたとえば銅から構成されている。各電極端子１１３の表面には良好なはんだ付けを得るために錫めっき処理が施されているとよい。

各電極端子１１３は、突出部１１４、延在部１１５、および水平部１１６を有している。突出部１１４の一端（インナーリード部）は、本体１１２の内部に含まれており、ボンディングワイヤによって半導体素子と電気的に接続されている。突出部１１４の他端（先端側）は、本体１１２の側面１１２Ｓから、本体１１２の上面１１２Ａと平行な方向に突出している。

突出部１１４の先端から、本体１１２の下面１１２Ｂ側に向かって延在部１１５が垂れ下がるように延在している。延在部１１５は、突出部１１４の先端から垂れ下がりつつ、下面１１２Ｂの本体１１２に対する外側に向かって傾斜している。

延在部１１５の先端から、本体１１２とは反対側（本体１１２に対するさらに外側）に向かって水平部１１６が延びている。水平部１１６は、本体１１２の上面１１２Ａと平行な方向に延びている。水平部１１６の下面１１６Ｂは、本体１１２の下面１１２Ｂよりも下方側（紙面下側）に位置している。

本体１１２および電極端子１１３の各寸法等はたとえば次の通りである。本体１１２の図１紙面左右方向における幅は約２０ｍｍ〜約４０ｍｍである。本体１１２の高さ（図１における寸法ＨＡ＋寸法ＨＡの値）は約１ｍｍ〜約２ｍｍである。電極端子１１３の図１紙面上下方向における厚さは、約０．１ｍｍ〜約０．１５ｍｍである。電極端子１１３の図１紙面垂直方向における幅（図３における幅Ｒ１参照）は、約０．２ｍｍである。隣り合う電極端子１１３の間隔（図３における間隔Ｒ２参照）は、約０．２ｍｍである。

ここで、幅方向（図１紙面左右方向）において、水平部１１６の先端１１６Ｅと本体１１２の側面１１２Ｓにおける上端１１２Ｔとの間には、寸法Ｌ１Ａが規定されている。高さ方向（図１紙面上下方向）において、水平部１１６の下面１１６Ｂと側面１１２Ｓの上端１１２Ｔとの間には寸法Ｌ２Ａが規定されている。寸法Ｌ２Ａは、寸法Ｌ１Ａ以上となっている（Ｌ２Ａ≧Ｌ１Ａ）。

さらに、突出部１１４の上面１１４Ｔは、本体１１２の側面１１２Ｓにおける中央部１１２ＣＡよりも、本体１１２の下面１１２Ｂ側に位置している。

（半導体装置１１１Ａの実装方法）
図２〜図９を参照して、本実施の形態における半導体装置１１１Ａの実装方法について説明する。図２〜図９は、この実装方法における各工程を経時的に示している。この実装方法は、フローはんだ付け法であれば、静止槽方式（ＤＩＰ方式）および噴流方式（フロー方式）の２つの方式のいずれであってもよい。この実装方法について、ここでは静止槽方式（ＤＩＰ方式）に基づいて説明する。

図２および図３を参照して、この実装方法においては、プリント配線板１００と上述の半導体装置１１１Ａとが準備される。

プリント配線板１００は、たとえばガラスエポキシ性の配線基材１０１を有している。配線基材１０１における半導体装置１１１Ａが実装される表面には、配線導体１０２および配線電極１０４が形成されている。配線導体１０２および配線電極１０４の図２紙面上下方向における厚さは、たとえば約５０μｍである。

配線導体１０２および配線電極１０４は、銅箔等をエッチングすることによりパターニングされている。配線電極１０４は、配線導体１０２に電気的に繋がっている。プリント配線板１００の表面にはソルダレジスト１０３が形成されている。ソルダレジスト１０３は絶縁性を有する表面部材の一例であり、たとえばエポキシ樹脂から構成される。ソルダレジスト１０３は、余分なはんだが配線導体１０２に付着しないように配線導体１０２を覆っている。

ソルダレジスト１０３には、配線電極１０４が露出するように平面視矩形状（図３参照）の開口（開口部１０３ａ〜開口部１０３ｂ）が形成されている。平面視において、この開口（開口部１０３ａ〜開口部１０３ｂ）の形状は、半導体装置１１１Ａにおける電極端子１１３の水平部１１６（図１参照）の形状よりも大きい。平面視において、この開口は電極端子１１３の水平部１１６を含むことが可能となっている。矢印ＡＲ１に示すように、半導体装置１１１Ａはプリント配線板１００の表面に載置される。

図４を参照して、半導体装置１１１Ａは、プリント配線板１００の表面に載置された後、所定の接着材（図示せず）によってプリント配線板１００に仮固定される。開口部１０３ｂは、半導体装置１１１Ａがプリント配線板１００の表面に仮固定された状態において、電極端子１１３の先端１１６Ｅよりも幅方向（図４紙面左右方向）の外側に位置している。この状態においては、電極端子１１３の水平部１１６と配線電極１０４とは接触していてもよく（図４に示す状態）、わずかな隙間を空けて図４紙面上下方向に離間していてもよい。

図５を参照して、はんだ槽（図示せず）内に貯留された溶融はんだ１３１が準備される。溶融はんだ１３１は、たとえば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕの組成比を有する鉛フリーはんだ合金である。溶融はんだ１３１の溶融温度はたとえば約２５０℃である。

プリント配線板１００の半導体装置１１１Ａが仮固定されている側の表面を下方にした状態で、半導体装置１１１Ａはその上面側から溶融はんだ１３１に浸漬される。半導体装置１１１Ａは、溶融はんだ１３１の表面に対して垂直に浸漬されてもよく、溶融はんだ１３１の表面に対して斜めに浸漬されてもよい。

図６〜図８を参照して、半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１に浸漬されたときの、半導体装置１１１Ａの周囲に位置する溶融はんだ１３１の経時的な変化について説明する。

図６を参照して、半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１に浸漬された直後では、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、本体１１２に上方から押さえ付けられるようにして下方に下がる。

溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、図６に示すような曲率半径の小さな曲面形状（比較例と対比し、詳細は後述する）を呈する。溶融はんだ１３１の強い表面張力によって、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、半導体装置１１１Ａの外形形状に沿う（半導体装置１１１Ａの表面をなぞるように濡れ広がる）ことはない。

ここで、半導体装置１１１Ａにおいては上述のとおり（図１参照）、寸法Ｌ２Ａは寸法Ｌ１Ａ以上となっており、且つ突出部１１４の上面１１４Ｔは本体１１２の側面１１２Ｓにおける中央部１１２ＣＡよりも本体１１２の下面１１２Ｂ側に位置している。当該構成によって、半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触することはない。

溶融はんだ１３１は、電極端子１１３よりも外側に位置する配線電極１０４に、電極端子１１３よりも先に接触する（接触端１４１を参照）。溶融はんだ１３１と配線電極１０４との接触端１４１に濡れが生じる。この濡れにより、接触端１４１は本体１１２に徐々に近づく（矢印ＡＲ２方向）。

図７を参照して、接触端１４１の移動に伴って、溶融はんだ１３１は電極端子１１３の先端に接触する（接触端１４２を参照）。溶融はんだ１３１と電極端子１１３との接触端１４２にも濡れが生じる。この濡れにより、接触端１４２は本体１１２に近づく（矢印ＡＲ３方向）。

図８を参照して、接触端１４２が本体１１２に近づくことによって、電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に所定量の溶融はんだ１３１が供給される。この状態に到達した後、半導体装置１１１Ａおよびプリント配線板１００は溶融はんだ１３１から引き抜かれる。半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１に浸漬されてから、半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１から引き抜かれるまでの時間は、たとえば２秒〜３秒である。電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に供給された溶融はんだ１３１は、その温度が低下することによって凝固する。

図９を参照して、溶融はんだ１３１から引き抜かれたプリント配線板１００においては、電極端子１１３が、凝固したはんだ１３２によって配線電極１０４に接合されている。この接合により、半導体装置１１１Ａはプリント配線板１００に実装される。

（作用・効果）
半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触することがない（図６参照）。換言すると、浸漬直後においては、電極端子１１３には溶融はんだ１３１が供給されない。溶融はんだ１３１は、電極端子１１３よりも外側に位置する配線電極１０４に、電極端子１１３よりも先に接触する。電極端子１１３には、プリント配線板１００の配線電極１０４に生じる濡れを通して溶融はんだ１３１が徐々に供給される（図７から図８に示す状態）。

半導体装置１１１Ａにおいては、電極端子１１３への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されている（比較例と対比し、詳細は後述する）。隣り合う電極端子１１３同士の間への溶融はんだ１３１の供給量も少なくなる。電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に所定量の溶融はんだ１３１が供給された後、半導体装置１１１Ａおよびプリント配線板１００は溶融はんだ１３１から引き抜かれる。

隣り合う電極端子１１３同士の間への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されることによって、隣り合う電極端子１１３間におけるブリッジの発生が抑制される。結果として、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生も抑制されることが可能となる。

半導体装置１１１Ａが溶融はんだに浸漬されてから、半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１から引き抜かれるまでの時間については、半導体装置１１１Ａの本体１１２の大きさ、電極端子１１３の幅Ｒ１（図３参照）、または隣り合う電極端子１１３の間隔Ｒ２（図３参照）等に応じて、良好なはんだ付けが得られ、且つブリッジの発生が抑制されるように最適化されるとよい。

上述の各寸法Ｌ１Ａ，Ｌ２Ａ（図１参照）、および本体１１２および電極端子１１３の各寸法等についても、半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において溶融はんだ１３１が電極端子１１３に接触せず、且つ、配線電極１０４に電極端子１１３よりも先に接触した溶融はんだ１３１が電極端子１１３に向かって良好に濡れ広がるように最適化されるとよい。

以上述べたとおり、半導体装置１１１Ａによれば、フローはんだ付け法によっても、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生が抑制され、プリント配線板１００に良好に実装されることが可能となる。半導体装置１１１Ａの実装方法によれば、フローはんだ付け法によっても、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生が抑制され、半導体装置１１１Ａをプリント配線板１００に良好に実装することが可能となる。

［比較例］
図１０を参照して、半導体装置１１１Ｚについて説明する。半導体装置１１１Ｚは、上述の実施の形態１における半導体装置１１１Ａに対する比較例である。図１０は、半導体装置１１１Ｚを溶融はんだ１３１に浸漬した直後の様子を示す断面図である。

半導体装置１１１Ｚにおいては、幅方向（図１０紙面左右方向）において、水平部１１６の先端と本体１１２の側面における上端との間に寸法Ｌ１Ｚが規定されている。高さ方向（図１０紙面上下方向）において、水平部１１６の下面と側面の上端との間に寸法Ｌ２Ｚが規定されている。半導体装置１１１Ｚにおいては、寸法Ｌ２Ｚは、寸法Ｌ１Ｚ以上とはなっていない（Ｌ２Ｚ＜Ｌ１Ｚ）。

さらに、半導体装置１１１Ｚにおいては、突出部１１４の上面は、本体１１２の側面における中央部よりも、本体１１２の下面側（紙面上方側）には位置していない。

半導体装置１１１Ｚが溶融はんだ１３１に浸漬された直後では、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、本体１１２に上方から押さえられるようにして下方に下がる。

半導体装置１１１Ｚにおいては、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、図１０に示すような曲率半径の大きな曲面形状を呈する。比較例における表面１３１Ｓは、上述の実施の形態１における表面１３１Ｓ（図５参照）に比べてなだらかな曲面を呈している。

半導体装置１１１Ｚが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は、配線電極１０４だけでなく電極端子１１３にも既に接触している（接触端１４２を参照）。溶融はんだ１３１と電極端子１１３との接触端１４２に濡れが生じる。この濡れによって、電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）には、上述の実施の形態１に比べて多くの量の溶融はんだ１３１が浸漬直後において供給される。浸漬直後において既に電極端子１１３と配線電極１０４との間に溶融はんだ１３１が供給されているため、本比較例における半導体装置１１１Ｚにおいては、電極端子１１３への溶融はんだ１３１の供給量が調整されることはできない状態となっている。

半導体装置１１１Ｚが溶融はんだ１３１から引き抜かれたとき、隣り合う電極端子１１３間への溶融はんだ１３１の供給量が多いため、隣り合う電極端子１１３間における溶融はんだ１３１は、はんだ槽（図示せず）に戻らずに残留する。残留した溶融はんだ１３１によって、ブリッジが発生する。結果として、半導体装置１１１Ｚによれば、隣り合う電極端子１１３間における短絡が発生してしまう。

一方、上述の実施の形態１における半導体装置１１１Ａ（図５参照）によれば、寸法Ｌ１Ａ，Ｌ２Ａおよび電極端子１１３の突出部１１４の上面１１４Ｔの位置が上記のとおり設定されている。この考慮によって、半導体装置１１１Ａが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触しない状態が実現されている。

その結果、上述の実施の形態１における半導体装置１１１Ａによれば、電極端子１１３への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されることが可能とされている。電極端子１１３には、プリント配線板１００の配線電極１０４に生じる濡れを通して溶融はんだ１３１は徐々に供給される。隣り合う電極端子１１３同士の間への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されることによって、隣り合う電極端子１１３間におけるブリッジの発生が抑制される。結果として、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生も抑制されることが可能となる。

［実施の形態１の他の構成］
図１１を参照して、実施の形態１の他の構成における半導体装置１１１Ａａ、および半導体装置１１１Ａａの実装方法について説明する。ここでは上述の実施の形態１との相違点について説明する。

半導体装置１１１Ａａは、複数の仕切部１２０をさらに備えている。仕切部１２０は、隣り合う電極端子１１３同士の間を空間的に仕切るように配設され、絶縁性および溶融はんだ１３１（図５参照）に対して非濡れ性を有している。ここでいう非濡れ性とは、溶融はんだ１３１と金属的な結合反応を起こさない性質を意味する。

各仕切部１２０は、たとえばガラス粒が充填されたエポキシ樹脂によって平板状に構成される。各仕切部１２０は、本体１１２と一体的に成型されているとよい。各仕切部１２０は、本体１１２とは別体に成型され、成型後に本体１１２に接合されてもよい。

半導体装置１１１Ａａは、上述の実施の形態１と同様に、溶融はんだ１３１（図５参照）に浸漬された後、溶融はんだ１３１から引き抜かれる。仕切部１２０が隣り合う電極端子１１３同士の間を空間的に仕切っていることによって、溶融はんだ１３１の流動による隣り合う電極間における短絡の発生がより抑制されることが可能となる。

各仕切部１２０は、隣り合う電極端子１１３同士の間を完全に仕切るように構成されていても、隣り合う電極端子１１３同士の間を部分的に仕切るように構成されていてもよい。ここで言う部分的にとは、たとえば仕切部１２０の先端側の一部が、電極端子１１３の先端側から本体１１２側に向かって後退するように構成されていることである。

各仕切部１２０が隣り合う電極端子１１３同士の間を部分的に仕切っている場合であっても、半導体装置１１１Ａａが浸漬される溶融はんだ１３１の表面張力によって、隣り合う電極端子１１３同士の間には溶融はんだ１３１は供給されない。結果として、この場合であっても溶融はんだ１３１の流動による隣り合う電極間における短絡の発生がより抑制されることが可能となる。

各仕切部１２０は、絶縁性および溶融はんだ１３１に対して非濡れ性を有している材質であれば、ポリイミド等の樹脂であってもよく、アルミナ等のセラミックであってもよい。

［実施の形態２］
図１２〜図１４を参照して、本実施の形態について説明する。

（半導体装置１１１Ｂ）
図１２を参照して、本実施の形態における半導体装置１１１Ｂは、プリント配線板１００の表面に実装されるいわゆる表面実装型の半導体装置であり、たとえばプラスティックパッケージのＱＦＰである。

半導体装置１１１Ｂは、本体１１２と複数の電極端子１１３とを備えている。本体１１２は、（後述する張出部１１７が設けられている部分を除いて）外周が略直方体に成型された絶縁性のモールド樹脂から構成されている。

各電極端子１１３は、上述の実施の形態１における半導体装置１１１Ａの各電極端子１１３と同様に、本体１１２の周囲（側面１１２Ｓに関する周囲）に並んで配設され、本体１１２の側面１１２Ｓから、本体１１２に対して外側に向かって突出している。

半導体装置１１１Ｂにおいては、本体１１２の側面１１２Ｓから幅方向（図１２紙面左右方向）外側に向かってフランジ状に張り出す張出部１１７が本体１１２に設けられている。張出部１１７は平板状に構成され、その外形は平面視正方形となっている。張出部１１７は、電極端子１１３の上方を含むように位置している。

張出部１１７は、たとえばガラス粒が充填されたエポキシ樹脂から構成される。張出部１１７は、本体１１２と一体的に成型されているとよい。張出部１１７は、本体１１２とは別体に成型され、成型後に本体１１２に接合されてもよい。張出部１１７が本体１１２とは別体に成型される場合、張出部１１７は溶融はんだ１３１（図５参照）に対して非濡れ性を有している材質であれば、ポリイミド等の樹脂であってもよく、アルミナ等のセラミックであってもよい。

ここで、幅方向（図１２紙面左右方向）において、張出部１１７の先端１１７Ｔは、電極端子１１３の水平部１１６の先端１１６Ｅよりも本体１１２側に位置している。換言すると、幅方向（図１２紙面左右方向）において、側面１１２Ｓから水平部１１６の先端１１６Ｅまでの寸法１１３Ｒは、側面１１２Ｓから張出部１１７の先端１１７Ｔまでの寸法１１７Ｒより小さい（１１７Ｒ＜１１３Ｒ）。

好適には、張出部１１７の先端１１７Ｔを水平部１１６側（図１２紙面下側）に投影したときに得られる先端１１７Ｔに対応する投影像（投影点）の位置は、水平部１１６が設けられている領域１１６Ｒ内に含まれているとよい。

（半導体装置１１１Ｂの実装方法）
図１３および図１４を参照して、本実施の形態における半導体装置１１１Ｂの実装方法について説明する。図１３および図１４は、この実装方法における各工程の一部を経時的に示している。この実装方法は、フローはんだ付け法であれば、静止槽方式（ＤＩＰ方式）および噴流方式（フロー方式）の２つの方式のいずれであってもよい。この実装方法について、ここでは静止槽方式（ＤＩＰ方式）に基づいて説明する。

図１３を参照して、この実装方法においては、上述の実施の形態１と同様なプリント配線板１００と、上述の半導体装置１１１Ｂとが準備される。半導体装置１１１Ｂは、プリント配線板１００の表面に仮固定される。

図１４を参照して、上述の実施の形態１と同様な溶融はんだ１３１が準備される。プリント配線板１００の半導体装置１１１Ｂが仮固定されている側の表面を下方にした状態で、半導体装置１１１Ｂはその上面側から溶融はんだ１３１に浸漬される。

半導体装置１１１Ｂが溶融はんだ１３１に浸漬された直後では、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、本体１１２に上方から押さえ付けられるようにして下方に下がる。

溶融はんだ１３１の強い表面張力、およびフランジ状に張り出す張出部１１７が本体１１２に設けられていることによって、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、半導体装置１１１Ｂの外形形状に沿う（半導体装置１１１Ｂの表面をなぞるように濡れ広がる）ことはない。半導体装置１１１Ｂが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触することがない。

溶融はんだ１３１は、電極端子１１３よりも外側に位置する配線電極１０４に、電極端子１１３よりも先に接触する（接触端１４１を参照）。溶融はんだ１３１と配線電極１０４との接触端１４１に濡れが生じる。この濡れにより、接触端１４１は本体１１２に徐々に近づく（矢印ＡＲ４方向）。

接触端１４１の移動に伴って、溶融はんだ１３１は電極端子１１３の先端に接触する。この接触により、溶融はんだ１３１と電極端子１１３との間に濡れが生じる。この濡れにより、電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に所定量の溶融はんだ１３１が供給される。この状態に到達した後、半導体装置１１１Ｂおよびプリント配線板１００は溶融はんだ１３１から引き抜かれる。

電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に供給された溶融はんだ１３１は、その温度が低下することによって凝固する。こうして、半導体装置１１１Ｂはプリント配線板１００に実装される。

（作用・効果）
半導体装置１１１Ｂが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触することがない（図１４参照）。換言すると、浸漬直後においては、電極端子１１３には溶融はんだ１３１が供給されない。溶融はんだ１３１は、電極端子１１３よりも外側に位置する配線電極１０４に、電極端子１１３よりも先に接触する。電極端子１１３には、プリント配線板１００の配線電極１０４に生じる濡れを通して溶融はんだ１３１が徐々に供給される。

半導体装置１１１Ｂにおいては、電極端子１１３への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されている。隣り合う電極端子１１３同士の間への溶融はんだ１３１の供給量も少なくなる。電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に所定量の溶融はんだ１３１が供給された後、半導体装置１１１Ｂおよびプリント配線板１００は溶融はんだ１３１から引き抜かれる。

隣り合う電極端子１１３同士の間への溶融はんだ１３１の供給量も少なくなることによって、隣り合う電極端子１１３間におけるブリッジの発生が抑制される。結果として、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生も抑制されることが可能となる。

以上述べたとおり、半導体装置１１１Ｂによれば、フローはんだ付け法によっても、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生が抑制され、プリント配線板１００に良好に実装されることが可能となる。半導体装置１１１Ｂの実装方法によれば、フローはんだ付け法によっても、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生が抑制され、半導体装置１１１Ｂをプリント配線板１００に良好に実装することが可能となる。

［実施の形態２の他の構成］
図１５を参照して、実施の形態２の他の構成における半導体装置１１１Ｂａ、および半導体装置１１１Ｂａの実装方法について説明する。ここでは上述の実施の形態２との相違点について説明する。

半導体装置１１１Ｂａは、上述の実施の形態１の他の構成と同様な、複数の仕切部１２０をさらに備えている。

半導体装置１１１Ｂａは、上述の実施の形態２と同様に、溶融はんだ１３１（図１４参照）に浸漬された後、溶融はんだ１３１から引き抜かれる。仕切部１２０が隣り合う電極端子１１３同士の間を空間的に仕切っていることによって、溶融はんだ１３１の流動による隣り合う電極間における短絡の発生がより抑制されることが可能となる。

各仕切部１２０は、隣り合う電極端子１１３同士の間を完全に仕切るように構成されていても、隣り合う電極端子１１３同士の間を部分的に仕切るように構成されていてもよい。

［実施の形態３］
図１６および図１７を参照して、実施の形態３における半導体装置１１１Ｂｂ、および半導体装置１１１Ｂｂの実装方法について説明する。ここでは、上述の実施の形態２との相違点について説明する。

半導体装置１１１Ｂｂにおける張出部１１７には、張出部１１７を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１１７Ｈが設けられている。各貫通孔１１７Ｈの位置は、各電極端子１１３の位置に対応している。各貫通孔１１７Ｈは、各電極端子１１３の上方の一部を含んでいる。平面視において、各貫通孔１１７Ｈは各電極端子１１３の長手方向の一部を含んでいる。各貫通孔１１７Ｈの形状は、平面視矩形状であってもよく、平面視円形状等であってもよい。

半導体装置１１１Ｂｂの製造時において、細径のピン状部材（プレス治具）（図示せず）を貫通孔１１７Ｈの上方から下方に向かって通過させる。ピン状部材によるプレス加工によって、電極端子１１３を容易に曲げることが可能となる。

（実施の形態３の他の構成）
図１８を参照して、実施の形態３の他の構成としての半導体装置１１１Ｂｃのように、上述の実施の形態２の他の構成（図１５参照）と同様な複数の仕切部１２０が、隣り合う電極端子１１３同士の間を空間的に仕切るように配設されていてもよい。

（実施の形態３のさらに他の構成）
図１９を参照して、実施の形態３のさらに他の構成としての半導体装置１１１Ｂｄのように、貫通孔１１７Ｈは２以上の電極端子１１３を平面視において跨ぐように、長孔状に形成されていてもよい。図１９に示す態様において、図１８のような複数の仕切部１２０（図１９において図示せず）がさらに配設されていてもよい。

［実施の形態４］
図２０〜図２２を参照して、本実施の形態について説明する。

（半導体装置１１１Ｃ）
図２０を参照して、本実施の形態における半導体装置１１１Ｃは、プリント配線板１００の表面に実装されるいわゆる表面実装型の半導体装置であり、たとえばプラスティックパッケージのＱＦＰである。

半導体装置１１１Ｃは、本体１１２と複数の電極端子１１３とを備えている。本体１１２は、外周が略直方体に成型された絶縁性のモールド樹脂から構成されている。各電極端子１１３は、上述の実施の形態１における半導体装置１１１Ａの各電極端子１１３と同様に、本体１１２の周囲（側面１１２Ｓに関する周囲）に並んで配設され、本体１１２の側面１１２Ｓから、本体１１２に対して外側に向かって突出している。

（半導体装置１１１Ｃの実装方法）
本実施の形態における半導体装置１１１Ｃの実装方法について説明する。この実装方法は、フローはんだ付け法であれば、静止槽方式（ＤＩＰ方式）および噴流方式（フロー方式）の２つの方式のいずれであってもよい。この実装方法について、ここでは静止槽方式（ＤＩＰ方式）に基づいて説明する。

図２１を参照して、この実装方法においては、上述の実施の形態１と同様なプリント配線板１００と、上述の半導体装置１１１Ｃと、実装用治具１５０とが準備される。半導体装置１１１Ｃは、プリント配線板１００の表面に仮固定される。

実装用治具１５０は、上面１５０Ａおよび下面１５０Ｂを有する平板状のたとえば耐熱性を有するエポキシ樹脂であり、溶融はんだ１３１（図２２参照）に対して非濡れ性を有している。

実装用治具１５０は、本体１１２の上面１１２Ａ（図２０参照）と実装用治具１５０の下面１５０Ｂ（図２０参照）とが接するように、本体１１２にたとえば接着剤（図示せず）等によって取り付けられる。

図２０を再び参照して、実装用治具１５０が本体１１２に取り付けられた状態において、本体１１２の側面１１２Ｓおよび実装用治具１５０の側面１５０Ｓを合算した高さ寸法における高さ方向（紙面上下方向）の中心の位置には、中央部１１２ＣＢが規定されている。換言すると、中央部１１２ＣＢから実装用治具１５０の側面１５０Ｓの上端１５０Ｔまでの寸法ＨＢと、中央部１１２ＣＢから本体１１２の側面１１２Ｓの下端１１２Ｕまでの寸法ＨＢとは等しくなっている。

幅方向（図２０紙面左右方向）において、水平部１１６の先端１１６Ｅと実装用治具１５０の側面１５０Ｓにおける上端１５０Ｔとの間には、寸法Ｌ１Ｂが規定されている。高さ方向（図２０紙面上下方向）において、水平部１１６の下面１１６Ｂと実装用治具１５０の側面１５０Ｓの上端１５０Ｔとの間には寸法Ｌ２Ｂが規定されている。寸法Ｌ２Ｂは、寸法Ｌ１Ｂ以上となっている（Ｌ２Ｂ≧Ｌ１Ｂ）。

さらに、突出部１１４の上面１１４Ｔは、上述の中央部１１２ＣＢよりも、本体１１２の下面１１２Ｂ側に位置している。

図２２を参照して、上述の実施の形態１と同様な溶融はんだ１３１が準備される。プリント配線板１００の半導体装置１１１Ｃが仮固定されている側の表面を下方にした状態で、半導体装置１１１Ｃはその上面側（実装用治具１５０が取り付けられている側）から溶融はんだ１３１に浸漬される。

半導体装置１１１Ｃが溶融はんだ１３１に浸漬された直後では、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、実装用治具１５０に上方から押さえ付けられるようにして下方に下がる。

溶融はんだ１３１の強い表面張力、および実装用治具１５０が本体１１２に取り付けられていることによって、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、半導体装置１１１Ｃの外形形状に沿う（半導体装置１１１Ｃの表面をなぞるように濡れ広がる）ことはない。半導体装置１１１Ｃが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触することがない。

溶融はんだ１３１は、電極端子１１３よりも外側に位置する配線電極１０４に、電極端子１１３よりも先に接触する（接触端１４１を参照）。溶融はんだ１３１と配線電極１０４との接触端１４１に濡れが生じる。この濡れにより、接触端１４１は本体１１２に徐々に近づく（矢印ＡＲ５方向）。

接触端１４１の移動に伴って、溶融はんだ１３１は電極端子１１３の先端に接触する。この接触により、溶融はんだ１３１と電極端子１１３との間に濡れが生じる。この濡れにより、電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に所定量の溶融はんだ１３１が供給される。この状態に到達した後、半導体装置１１１Ｃおよびプリント配線板１００は、実装用治具１５０とともに溶融はんだ１３１から引き抜かれる。

電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に供給された溶融はんだ１３１は、その温度が低下することによって凝固する。こうして、半導体装置１１１Ｃはプリント配線板１００に実装される。この実装後、実装用治具１５０は本体１１２から取り外されるように構成してもよい。

（作用・効果）
半導体装置１１１Ｃが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触することがない（図２２参照）。換言すると、浸漬直後においては、電極端子１１３には溶融はんだ１３１が供給されない。溶融はんだ１３１は、電極端子１１３よりも外側に位置する配線電極１０４に、電極端子１１３よりも先に接触する。電極端子１１３には、プリント配線板１００の配線電極１０４に生じる濡れを通して溶融はんだ１３１が徐々に供給される。

半導体装置１１１Ｃにおいては、電極端子１１３への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されている。隣り合う電極端子１１３同士の間への溶融はんだ１３１の供給量も少なくなる。電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に所定量の溶融はんだ１３１が供給された後、半導体装置１１１Ｃおよびプリント配線板１００は実装用治具１５０とともに溶融はんだ１３１から引き抜かれる。

以上述べたとおり、実装用治具１５０を用いた半導体装置１１１Ｃの実装方法によれば、フローはんだ付け法によっても、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生が抑制され、半導体装置１１１Ｃをプリント配線板１００に良好に実装することが可能となる。半導体装置１１１Ｃの本体１１２の大きさに特別な寸法条件などを要求せずとも、実装用治具１５０によって上記の式（Ｌ２Ｂ≧Ｌ１Ｂ）などを満足するように構成するとよい。

（実施の形態４の他の構成）
図２３を参照して、実施の形態４の他の構成としての半導体装置１１１Ｃａのように、上述の実施の形態１の他の構成（図１１参照）と同様な複数の仕切部１２０が、隣り合う電極端子１１３同士の間を空間的に仕切るように配設されていてもよい。仕切部１２０は、本体１１２に一体的に設けられていてもよく、実装用治具１５０から垂れ下がるように実装用治具１５０に一体的に設けられていてもよい。

［実施の形態５］
図２４〜図２６を参照して、本実施の形態について説明する。

（半導体装置１１１Ｄ）
図２４を参照して、本実施の形態における半導体装置１１１Ｄは、プリント配線板１００の表面に実装されるいわゆる表面実装型の半導体装置であり、たとえばプラスティックパッケージのＱＦＰである。

半導体装置１１１Ｄは、本体１１２と複数の電極端子１１３とを備えている。本体１１２は、外周が略直方体に成型された絶縁性のモールド樹脂から構成されている。各電極端子１１３は、上述の実施の形態１における半導体装置１１１Ａの各電極端子１１３と同様に、本体１１２の周囲（側面１１２Ｓに関する周囲）に並んで配設され、本体１１２の側面１１２Ｓから、本体１１２に対して外側に向かって突出している。

（半導体装置１１１Ｄの実装方法）
本実施の形態における半導体装置１１１Ｄの実装方法について説明する。この実装方法は、フローはんだ付け法であれば、静止槽方式（ＤＩＰ方式）および噴流方式（フロー方式）の２つの方式のいずれであってもよい。この実装方法について、ここでは静止槽方式（ＤＩＰ方式）に基づいて説明する。

図２５を参照して、この実装方法においては、上述の実施の形態１と同様なプリント配線板１００と、上述の半導体装置１１１Ｄと、実装用治具１５０とが準備される。半導体装置１１１Ｄは、プリント配線板１００の表面に仮固定される。

実装用治具１５０は、上面１５０Ａおよび下面１５０Ｂを有する平板状のたとえば耐熱性を有するエポキシ樹脂であり、溶融はんだ１３１（図２６参照）に対して非濡れ性を有している。

実装用治具１５０は、本体１１２の上面１１２Ａ（図２４参照）と実装用治具１５０の下面１５０Ｂ（図２４参照）とが接するように、本体１１２にたとえば接着剤（図示せず）等によって取り付けられる。

図２４を再び参照して、実装用治具１５０は、張出部１１８を有している。実装用治具１５０が本体１１２に取り付けられた状態において、張出部１１８は、本体１１２の側面１１２Ｓ上方から幅方向（図２４紙面左右方向）外側に向かってフランジ状に張り出している。張出部１１８は平板状に構成され、その外形は平面視正方形となっている。張出部１１８は、電極端子１１３の上方を含むように位置している。

ここで、幅方向（図２４紙面左右方向）において、張出部１１８の先端１１８Ｔは、電極端子１１３の水平部１１６の先端１１６Ｅよりも本体１１２側に位置している。換言すると、幅方向（図２４紙面左右方向）において、側面１１２Ｓから水平部１１６の先端１１６Ｅまでの寸法１１３Ｒは、側面１１２Ｓから張出部１１８の先端１１８Ｔまでの寸法１１８Ｒより小さい（１１８Ｒ＜１１３Ｒ）。

好適には、張出部１１８の先端１１８Ｔを水平部１１６側（図２４紙面下側）に投影したときに得られる先端１１８Ｔに対応する投影像（投影点）の位置は、水平部１１６が設けられている領域１１６Ｒ内に含まれているとよい。

図２６を参照して、上述の実施の形態１と同様な溶融はんだ１３１が準備される。プリント配線板１００の半導体装置１１１Ｄが仮固定されている側の表面を下方にした状態で、半導体装置１１１Ｄはその上面側（実装用治具１５０が取り付けられている側）から溶融はんだ１３１に浸漬される。

半導体装置１１１Ｄが溶融はんだ１３１に浸漬された直後では、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、実装用治具１５０に上方から押さえ付けられるようにして下方に下がる。

溶融はんだ１３１の強い表面張力、および実装用治具１５０が本体１１２に取り付けられていることによって、溶融はんだ１３１の表面１３１Ｓは、半導体装置１１１Ｄの外形形状に沿う（半導体装置１１１Ｄの表面をなぞるように濡れ広がる）ことはない。半導体装置１１１Ｄが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触することがない。

溶融はんだ１３１は、電極端子１１３よりも外側に位置する配線電極１０４に、電極端子１１３よりも先に接触する（接触端１４１を参照）。溶融はんだ１３１と配線電極１０４との接触端１４１に濡れが生じる。この濡れにより、接触端１４１は本体１１２に徐々に近づく（矢印ＡＲ６方向）。

接触端１４１の移動に伴って、溶融はんだ１３１は電極端子１１３の先端に接触する。この接触により、溶融はんだ１３１と電極端子１１３との間に濡れが生じる。この濡れにより、電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に所定量の溶融はんだ１３１が供給される。この状態に到達した後、半導体装置１１１Ｄおよびプリント配線板１００は、実装用治具１５０とともに溶融はんだ１３１から引き抜かれる。

電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に供給された溶融はんだ１３１は、その温度が低下することによって凝固する。こうして、半導体装置１１１Ｄはプリント配線板１００に実装される。この実装後、実装用治具１５０は本体１１２から取り外されるように構成してもよい。

（作用・効果）
半導体装置１１１Ｄが溶融はんだ１３１に浸漬された直後において、溶融はんだ１３１は電極端子１１３に接触することがない（図２６参照）。換言すると、浸漬直後においては、電極端子１１３には溶融はんだ１３１が供給されない。溶融はんだ１３１は、電極端子１１３よりも外側に位置する配線電極１０４に、電極端子１１３よりも先に接触する。電極端子１１３には、プリント配線板１００の配線電極１０４に生じる濡れを通して溶融はんだ１３１が徐々に供給される。

半導体装置１１１Ｄにおいては、電極端子１１３への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されている。隣り合う電極端子１１３同士の間への溶融はんだ１３１の供給量も少なくなる。電極端子１１３と配線電極１０４との間（およびこれらの周辺）に所定量の溶融はんだ１３１が供給された後、半導体装置１１１Ｄおよびプリント配線板１００は実装用治具１５０とともに溶融はんだ１３１から引き抜かれる。

以上述べたとおり、実装用治具１５０を用いた半導体装置１１１Ｄの実装方法によれば、フローはんだ付け法によっても、隣り合う電極端子１１３間における短絡の発生が抑制され、半導体装置１１１Ｄをプリント配線板１００に良好に実装することが可能となる。半導体装置１１１Ｃの本体１１２の大きさに特別な寸法条件などを要求せずとも、実装用治具１５０によって上記の式（１１８Ｒ＜１１３Ｒ）などを満足するように構成するとよい。

（実施の形態５の他の構成）
図２７を参照して、実施の形態５の他の構成としての、半導体装置１１１Ｄａおよび実装用治具１５０のように、上述の実施の形態２の他の構成（図１５参照）と同様な複数の仕切部１２１が、隣り合う電極端子１１３同士の間を仕切るように配設されていてもよい。仕切部１２１は、本体１１２に設けられていてもよく、実装用治具１５０から垂れ下がるように実装用治具１５０に一体的に設けられていてもよい。

上述の実施の形態３における貫通孔１１７Ｈ（図１６〜図１８参照）と同様に、張出部１１８には複数の貫通孔１１８Ｈが設けられていてもよい。上述の実施の形態３における貫通孔１１７Ｈ（図１９参照）と同様に、貫通孔１１８Ｈは、２以上の電極端子１１３を平面視において跨ぐように、長孔状に形成されていてもよい。

以上、本発明に基づいた各実施の形態における半導体装置、半導体装置の実装方法、および実装用治具について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。

上述の各実施の形態においては、半導体装置がＱＦＰである場合について説明したが、表面実装型の半導体装置であれば、ＳＯＰ等であってもよい。上記の各実施の形態における半導体装置については、これらの半導体装置がフローはんだ付け方法によって実装されるという態様に基づき説明したが、上記の実施の形態１および実施の形態２（それぞれ他の構成を含む）における半導体装置としては、リフロー法によるはんだ付けによって実装されてもよい。

上述の各実施の形態においては、電極端子１１３への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されることによって、各半導体装置の溶融はんだ１３１への浸漬直後において、溶融はんだ１３１が電極端子１１３に接触しないという態様に基づいて説明した。電極端子１１３への溶融はんだ１３１の供給量が少なくなるように調整されることによって、各半導体装置の溶融はんだ１３１への浸漬直後において、溶融はんだ１３１が電極端子１１３にわずかに接触するように構成してもよい。この構成において、良好なはんだ付けが得られ、且つブリッジの発生が抑制されるように他の寸法等が最適化されるとよい。

半導体装置の本体がエポキシ樹脂から構成される場合について説明したが、絶縁性を有する材料であれば、ポリイミド等他の樹脂であってもよく、アルミナ等のセラミックであってもよい。

半導体装置の電極が銅から構成される場合について説明したが、４２アロイ等他の金属材料であってもよい。半導体装置の電極には錫めっき処理が施されるとよいと述べたが、Ｓｎ−Ｐｂ合金めっき、Ｓｎ−ＢｉまたはＳｎ−Ｃｕなどの錫系めっき、ＰｄまたはＡｇ等のめっきによる処理が施されていてもよく、ベンゾイミダゾール等の有機系の表面処理が施されていてもよい。

溶融はんだとしてＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕを用いる場合について説明したが、はんだであれば他の合金組成（スズ鉛はんだ）であってもよい。鉛フリーはんだの場合、溶融はんだの表面にはより強い表面張力を有する酸化膜が形成される。鉛フリーはんだを用いる場合の方が、スズ鉛はんだなどに比べて今回の発明の効果をより得ることができる。

実装用治具としては、耐熱性および溶融はんだに対して非濡れ性を有している材質であれば、ポリイミド等の樹脂であってもよく、アルミナ等のセラミックであってもよく、アルミニウム、ステンレスまたはチタンのように表面膜（不導体膜）を持つ金属であってもよい。ただし、アルミニウムなどのように熱伝導性が高い材質を採用すると、浸漬時に溶融はんだの熱が奪われるため熱伝導性が低いセラミック系、好ましくは樹脂系の材質が採用されるとよい。耐熱性の観点からは、樹脂系の中でもエポキシ系またはポリイミド系が好ましい。

したがって、本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、電子部品を溶融はんだに浸漬することによりプリント配線板にはんだ付けされる電子回路装置に有効に利用される。

１００プリント配線板、１０１配線基材、１０２配線導体、１０３ソルダレジスト、１０３ａ，１０３ｂ開口部、１０４配線電極、１１１Ａ，１１１Ａａ，１１１Ｂ，１１１Ｂａ，１１１Ｂｂ，１１１Ｂｃ，１１１Ｂｄ，１１１Ｃ，１１１Ｃａ，１１１Ｄ，１１１Ｄａ，１１１Ｚ半導体装置、１１２本体、１１２Ａ，１１４Ｔ，１５０Ａ上面、１１２Ｂ，１１６Ｂ，１５０Ｂ下面、１１２ＣＡ，１１２ＣＢ中央部、１１２Ｓ，１５０Ｓ側面、１１２Ｔ，１５０Ｔ上端、１１２Ｕ下端、１１３電極端子、１１３Ｒ，１１７Ｒ，１１８Ｒ，ＨＡ，ＨＢ，Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｚ，Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｚ寸法、１１４突出部、１１５延在部、１１６水平部、１１６Ｅ，１１７Ｔ，１１８Ｔ先端、１１６Ｒ領域、１１７，１１８張出部、１１７Ｈ，１１８Ｈ貫通孔、１２０，１２１仕切部、１３１溶融はんだ、１３１Ｓ表面、１３２はんだ、１４１，１４２接触端、１５０実装用治具、ＡＲ１〜ＡＲ６，ＩＩＩ矢印、Ｒ１幅、Ｒ２間隔。

Claims

プリント配線板の表面に実装される半導体装置であって、
半導体素子を内部に封止する本体と、
前記本体の側面から突出する突出部、前記突出部の先端から前記本体の下面側に向かって延びる延在部、および、前記延在部の先端から前記本体とは反対側に向かって延びる水平部を有する複数の電極端子と、
前記電極端子の上方に位置し、前記側面から幅方向外側に向かってフランジ状に張り出す張出部と、
を備え、
前記張出部は、はんだに対して非濡れ性を有し、
幅方向において、前記張出部の先端は前記水平部の先端よりも前記本体側に位置し、
前記張出部は、前記張出部を厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔は、前記電極端子の上方を含んでいる、
半導体装置。
隣り合う前記電極端子同士の間を仕切るように配設され、絶縁性およびはんだに対して非濡れ性を有する仕切部をさらに備える、
請求項１に記載の半導体装置。