JP5568204B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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(1)モードレジスタセットコマンド(Mo)
上記モードレジスタ30をセットするためのコマンドであり、/CS,/RAS,/CAS,/WE=ロウレベルによって当該コマンド指定され、セットすべきデータ(レジスタセットデータ)はA0〜A11を介して与えられる。レジスタセットデータは、特に制限されないが、バーストレングス、CASレイテンシイ、ライトモードなどとされる。特に制限されないが、設定可能なバーストレングスは、2,4,8とされ、設定可能なCASレイテンシイは2,2.5とされ、設定可能なライトモードは、バーストライトとシングルライトとされる。
これは、ロウアドレスストローブの指示とA12とA13によるメモリバンクの選択を有効にするコマンドであり、/CS,/RAS=ロウレベル、/CAS,/WE=ハイレベルによって指示され、このときA0〜A9に供給されるアドレスがロウアドレス信号として、A12とA13に供給される信号がメモリバンクの選択信号として取り込まれる。取り込み動作は上述のように内部クロック信号の立ち上がりエッジに同期して行われる。例えば、当該コマンドが指定されると、それによって指定されるメモリバンクにおけるワード線が選択され、当該ワード線に接続されたメモリセルがそれぞれ対応する相補データ線に導通される。
このコマンドは、バーストリード動作を開始するために必要なコマンドであると共に、カラムアドレスストローブの指示を与えるコマンドであり、/CS,/CAS=ロウレベル、/RAS,/WE=ハイレベルによって指示され、このときA0〜A9(×16ビット構成の場合)に供給されるカラムアドレスがカラムアドレス信号として取り込まれる。これによって取り込まれたカラムアドレス信号はバーストスタートアドレスとしてカラムアドレスカウンタ207に供給される。
当該コマンドは、/CS,/CAS,/WE=ロウレベル、/RAS=ハイレベルによって指示され、このときA0〜A9に供給されるアドレスがカラムアドレス信号として取り込まれる。これによって取り込まれたカラムアドレス信号はバーストライトにおいてはバーストスタートアドレスとしてカラムアドレスカウンタ207に供給される。これによって指示されたバーストライト動作の手順もバーストリード動作と同様に行われる。但し、ライト動作にはCASレイテンシイはなく、ライトデータの取り込みは当該カラムアドレス・ライトコマンドサイクルの1クロック後から開始される。
これはA12とA13によって選択されたメモリバンクに対するプリチャージ動作の開始コマンドとされ、/CS,/RAS,/WE=ロウレベル、/CAS=ハイレベルによって指示される。
このコマンドはオートリフレッシュを開始するために必要とされるコマンドであり、/CS,/RAS,/CAS=ロウレベル、/WE,CKE=ハイレベルによって指示される。
これは実質的な動作を行わないこと指示するコマンドであり、/CS=ロウレベル、/RAS,/CAS,/WEのハイレベルによって指示される。
(1) 書き込み動作のときに入力される第2のクロック信号を用い、それに対応してシリアルに入力された複数の書き込みデータを順次に複数からなる第1のラッチ回路に取り込み、上記第1のラッチ回路に取り込まれた書き込みデータを上記第1のクロック信号を用いて第2のラッチ回路に取り込んで入出力データバスに伝える入力回路を備え、上記第1のクロック信号と第2のクロック信号の論理により上記第2のクロック信号の終了時に発生するノイズに対してマクスをする論理回路を設けて第3のクロック信号を形成し、少なくとも上記第2のラッチ回路の入力に上記書き込みデータを出力する第1のラッチ回路に供給することにより、上記第2のクロック信号を形成する出力回路において上記ノイズの発生を防止するための格別の対策が不要となり、使い勝手がよく、かつ上記耐ノイズ性を向上させることができるという効果が得られる。
200A〜D…メモリアレイ、201A〜D…ロウデコーダ、202A〜D…センスアンプ、203A〜D…カラムデコーダ、204…アドレスバッファ、205…ロウアドレスバッファ、206…カラムアドレスバッファ、207…カラムアドレスカウンタ、208…リフレッシュカウンタ、209…コントロール回路、210…データ入力回路、211…データ出力回路、212…バンクセレクト回路、213…モードレジスタ、214…DLL、214…DQSバッファ
401…4分周回路、402…位相比較器、403…ステート制御回路、404…パルス発生回路、405…チャージポンプパルス発生回路、2091…クロック入力回路。
Claims (16)
- 第1クロック信号とデータストローブ信号である第2クロック信号とに応じて第3クロック信号を生成するクロック生成回路と、
前記第2クロック信号に応じて供給される書き込みデータを取り込み、前記第3クロック信号に応じて前記取り込まれた書き込みデータを出力するデータ入力回路と、を備え、
前記クロック生成回路は、前記第1クロック信号と第2クロック信号のうち、いずれか遅いタイミングで到来するクロック信号の変化に対応してセットされ、前記第2クロック信号を遅延したクロック信号の変化に対応してリセットされる論理回路を含み、
前記論理回路は、前記セット及びリセット動作で生成されたパルスを前記第3クロック信号として出力することを特徴とする半導体装置。
- 第1クロック信号とデータストローブ信号である第2クロック信号とに応じて第3クロック信号を生成するクロック生成回路と、
前記第2クロック信号に応じて供給される書き込みデータを取り込み、前記第3クロック信号に応じて前記取り込まれた書き込みデータを出力するデータ入力回路と、を備え、
前記クロック生成回路は、前記第1クロック信号と第2クロック信号のうち、いずれか遅いタイミングで到来するクロック信号の変化に対応してセットされ、前記第1クロック信号と第2クロック信号のうち、いずれか遅いタイミングで到来するクロック信号の変化に対応してリセットされる論理回路を含み、
前記論理回路は、前記セット及び前記リセット動作で生成されたパルスを前記第3クロック信号として出力することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記論理回路は、
前記書き込みデータに対する前記第1クロック信号の第1レベルから第2レベルヘの第1遷移が前記第2クロック信号の第1レベルから第2レベルヘの第2遷移より遅い場合、前記第1遷移の検出に基づいてセット動作を行い、
前記書き込みデータに対する前記第2クロック信号の前記第2遷移が前記第1クロック信号の前記第1遷移より遅い場合、前記第2遷移の検出に基づいてセット動作を行うことを特徴とする半導体装置。
- 請求項3において、前記論理回路は、
前記第1クロック信号が第1レベルの場合、前記第2クロック信号が第1レベルから第2レベルに遷移するのに対応してリセット状態を維持し、
前記第1クロック信号が第1レベルと異なる第2レベルの場合、前記第2クロック信号が第1レベルから第2レベルに遷移するのに対応してセットされ、
前記第2クロック信号が第2レベルから第1レベルに遷移するのに対応してリセットされる論理回路を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記データ入力回路は、前記書き込みデータが供給される入力端子を有する入力部と、前記入力部の出力ノードに接続する出力部とを含み、
前記入力部は、前記第2クロック信号を用いて前記取り込まれた書き込みデータを前記出力部へ出力し、
前記出力部は、前記入力部が出力した書き込みデータを前記第3クロック信号によって確定し、前記取り込まれた書き込みデータに関する信号として出力することを特徴とする半導体装置。
- 請求項5において、前記データ入力回路は、前記出力部の出力ノードに接続されるデータ取り込み部を含み、
前記データ取り込み部は、前記出力部から供給された書き込みデータを前記第1クロック信号によって確定し、前記データ入力回路の出力信号として内部回路へ出力すること特徴とする半導体装置。
- 請求項6において、
前記入力部は、
複数の前記出力ノードと、
前記第2クロック信号の立ち上がりに同期して、前記取り込んだ書き込みデータを前記複数の出力ノードの一方に出力する第1ラッチ回路と、
前記第2クロック信号の立ち下がりに同期して、前記取り込んだ書き込みデータを前記複数の出力ノードの他方に出力する第2ラッチ回路と、を含み、
前記出力部は、
前記第1ラッチ回路に対応する前記第3クロック信号で出力が制御される第3ラッチ回路と、
前記第2ラッチ回路に対応する前記第3クロック信号で出力が制御される第4ラッチ回路と、を含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項7において、
前記データ取り込み部は、第1及び第2の前記データ入力回路の出力信号を出力し、
前記データ取り込み部は、更に、前記第3ラッチ回路に対応する第5ラッチ回路と、
前記第4ラッチ回路に対応する第6ラッチ回路と、を含み、
前記第5ラッチ回路及び前記第6ラッチ回路は、それぞれ前記第1及び第2のデータ入力回路の出力信号を前記内部回路に供給する、ことを特徴とする半導体装置。
- 請求項5において、前記第2クロック信号は、書き込み及び読み出し動作以外のときには、ハイインピーダンス状態であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2において、前記データ入力回路は、前記書き込みデータが供給される入力端子を有する入力部と、前記入力部の出力ノードに接続する出力部とを含み、
前記入力部は、前記第2クロック信号を用いて前記取り込まれた書き込みデータを前記出力部へ出力し、
前記出力部は、前記入力部が出力した書き込みデータを前記第3クロック信号によって確定し、前記取り込まれた書き込みデータに関する信号として出力することを特徴とする半導体装置。
- 請求項10において、前記データ入力回路は、前記出力部の出力ノードに接続されるデータ取り込み部を含み、
前記データ取り込み部は、前記出力部から供給された書き込みデータを前記第1クロック信号によって確定し、前記データ入力回路の出力信号として内部回路へ出力すること特徴とする半導体装置。
- 請求項11において、
前記入力部は、
複数の前記出力ノードと、
前記第2クロック信号の立ち上がりに同期して、前記取り込んだ書き込みデータを前記複数の出力ノードの一方に出力する第1ラッチ回路と、
前記第2クロック信号の立ち下がりに同期して、前記取り込んだ書き込みデータを前記複数の出力ノードの他方に出力する第2ラッチ回路と、を含み、
前記出力部は、
前記第1ラッチ回路に対応する前記第3クロック信号で出力が制御される第3ラッチ回路と、
前記第2ラッチ回路に対応する前記第3クロック信号で出力が制御される第4ラッチ回路と、を含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項12において、
前記データ取り込み部は、第1及び第2の前記データ入力回路の出力信号を出力し、
前記データ取り込み部は、更に、前記第3ラッチ回路に対応する第5ラッチ回路と、
前記第4ラッチ回路に対応する第6ラッチ回路と、を含み、
前記第5ラッチ回路及び前記第6ラッチ回路は、それぞれ前記第1及び第2のデータ入力回路の出力信号を前記内部回路に供給する、ことを特徴とする半導体装置。
- 請求項10において、前記第2クロック信号は、書き込み及び読み出し動作以外のときには、ハイインピーダンス状態であることを特徴とする半導体装置。
- 第1クロック信号を受けて取り込んだ書き込みデータを内部回路へ出力するデータ取り込み部と、
前記第1クロック信号が入力される第1入力ノードと、第2クロック信号が入力される第2入力ノードと、前記第1クロック信号と前記第2クロック信号を受けて第3クロック信号を出力する出力ノードとを有するクロック生成回路と、
書き込みデータが入力される第3入力ノードと、前記出力ノードに接続される制御ノードとを有する入力回路とを具備し、
前記クロック生成回路は、書き込みデータに対する前記第1クロック信号の第1レベルから第2レベルヘの第1遷移が前記第2クロック信号の第1レベルから第2レベルヘの第2遷移より遅い場合、前記第1遷移を検出して前記第3クロック信号を第3レベルから第4レベルヘ遷移させる論理回路を含み、
前記入力回路は、前記第3入力ノードに接続される入力部と、前記入力部に接続される出力部とを更に含み、前記入力部は、前記第2クロック信号を用いて前記書き込みデータを前記出力部へ出力し、前記出力部は、前記第3クロック信号を用いて前記書き込みデータを前記データ取り込み部へ出力することを特徴とする半導体装置。
- 請求項15において、前記半導体装置は、ダブルデータレート(DDR)構成のシンクロナスDRAMであることを特徴とする半導体装置。
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