JP5537673B2 - 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 - Google Patents

電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5537673B2
JP5537673B2 JP2012546889A JP2012546889A JP5537673B2 JP 5537673 B2 JP5537673 B2 JP 5537673B2 JP 2012546889 A JP2012546889 A JP 2012546889A JP 2012546889 A JP2012546889 A JP 2012546889A JP 5537673 B2 JP5537673 B2 JP 5537673B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base
electronic component
substrate
metal member
component mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012546889A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012073963A1 (ja
Inventor
雅彦 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2012546889A priority Critical patent/JP5537673B2/ja
Publication of JPWO2012073963A1 publication Critical patent/JPWO2012073963A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5537673B2 publication Critical patent/JP5537673B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F21/00—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials
    • F28F21/08—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials of metal
    • F28F21/089—Coatings, claddings or bonding layers made from metals or metal alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Description

本発明は、光通信分野等に用いられる光半導体素子等の電子部品を搭載して収納するための電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置に関する。
従来の電子装置に用いられる電子部品搭載用パッケージは、上面に電子部品の搭載部を有する基体と、基体に設けられた信号端子とを含んでいるものであり、例えば、基体は貫通孔を有しており、封止材が貫通孔に充填されており、信号端子は封止材を貫通して基体に固定されている。電子部品は、基体の上面に搭載され、例えば蓋体によって覆われる。
特開平８−130266号公報
しかしながら、より大出力で駆動されるような光半導体素子等の電子部品から発生する熱を十分に放散するために、基体と電子部品との間に熱伝導率の高い例えば銅からなる放熱部材を配置することが考えられるが、電子部品と放熱部材との熱膨張係数の差が大きく、電子部品と放熱部材との接合強度が不十分な場合もあり、電子部品の実装信頼性に乏しいものとなってしまう可能性があった。
本発明は上記従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、電子部品から発生する熱を効率的に放散することが可能となる電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供する。
本発明の一つの態様による電子部品搭載用パッケージは、第１の基体と、第２の基体と、封止材と、信号端子とを含んでいる。第１の基体は、上面と上下方向に設けられた第１の貫通孔とを有している。第１の基体は、複数の第１の金属部材と第２の金属部材とを含んでいる。第２の金属部材は、複数の第１の金属部材によって上下方向から挟まれている。第２の基体は、第１の基体の下面に接合されており、上下方向に設けられ第１の貫通孔に重なるように配置されている。封止材は、第２の貫通孔に充填されている。信号端子は、封止材を貫通するように第２の基体に固定され第１の貫通孔内を通っている。信号端子は、第１の基体の上面よりも上方へ突出している上端部を有している。第１の金属部材は、その熱膨張係数が第２の基体の熱膨張係数より大きくなっている。第２の金属部材は、その熱伝導率が第１の金属部材の熱伝導率よりも高くなっている。
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の電子部品搭載用パッケージと、電子部品搭載用パッケージに搭載された電子部品と、第１の基体の上面に接合した蓋体とを含んでいる。
本発明の一つの態様による電子部品搭載用パッケージにおいて、第１の金属部材は、その熱膨張係数が第２の基体の熱膨張係数より大きいことから、第２の基体と第２の基体より熱膨張係数が大きい電子部品との熱膨張差を第１の金属部材によって緩和できるため、電子部品と電子部品搭載用パッケージとの接合強度が強固なものとなって、電子部品の実装信頼性が高いものとすることができる。また、第２の金属部材は、その熱伝導率が第１の金属部材の熱伝導率よりも高いことから、電子部品から発生する熱を第２の金属部材を介して効率よく放散することが可能となり、大出力の光半導体素子等の電子部品を安定して駆動することが可能となる。
本発明の実施の形態の電子装置の一例を示す斜視図である。 図１に示す電子装置のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。 本発明の実施の形態の電子部品搭載用パッケージの一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態の電子部品搭載用パッケージの他の例を示す断面図である。 （ａ）は図３に示す本発明の電子部品搭載用パッケージの下面の一例を示す下面図であり、（ｂ）は同様の本発明の電子部品搭載用パッケージの他の例を示す下面図である。 本発明の実施の形態の電子部品搭載用パッケージの他の例を示す断面図である。 本発明の実施の形態の電子部品搭載用パッケージの他の例を示す断面図である。 （ａ）は図７に示す本発明の電子部品搭載用パッケージの第２の基体の例を示す下面図であり、（ｂ）は同様の第２の基体の他の例を示す下面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態の電子部品搭載用パッケージの他の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態の電子部品搭載用パッケージの他の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態の電子部品搭載用パッケージの他の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。
本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
本発明の実施形態における電子装置は、図１、図２に示されているように、電子部品搭載用パッケージ15と、電子部品搭載用パッケージ15に搭載された電子部品６と、回路基板６ａと、温度制御素子11と、ＰＤ素子12と、反射鏡13と温度モニタ素子14と、第１の基体１の上面に接合した蓋体９とを含んでいる。なお、図１において、電子装置は仮想のｘｙｚ空間内に設けられており、以下、便宜的に「上方向」とは仮想のｚ軸の正方向のことをいう。
電子部品搭載用パッケージ15は、第１の基体１と、第１の基体１の下面に接合された第２の基体２と、第１の基体１と第２の基体２とを貫通するように第２の基体２に固定された信号端子５と、中継基板６ｂと、ＤＣ端子８とを含んでいる。第１の基体１は、上面と上下方向に設けられた第１の貫通孔１ｄとを有している。第１の基体１は、複数の第１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂとを含んでいる。第１の金属部材１ａは、その熱膨張係数が第２の基体２の熱膨張係数より大きくなっている。第２の金属部材１ｂは、複数の第１の金属部材１ａによって上下方向から挟まれている。第２の金属部材１ｂは、その熱伝導率が第１の金属部材１ａの熱伝導率よりも高くなっている。第２の基体２は、第１の基体１の下面に接合されており、上下方向に設けられ第１の貫通孔１ｄに重なるように配置されている。信号端子５は、第２の貫通孔２ｂに充填された封止材３を貫通するように第２の基体２に固定され第１の貫通孔１ｄ内を通っている。信号端子５は、第１の基体１の上面よりも上方へ突出している上端部を有している。
図１に示された例では、第１の基体１の上面の中央部を搭載部１ｃとして、ペルチェ素子等の温度制御素子11および回路基板６ａを介して電子部品６が搭載されている。電子部品６の端子はボンディングワイヤ７で回路基板６ａ上の配線に電気的に接続されている。中継基板６ｂは、回路基板６ａと信号端子５との電気的な接続を中継している。信号端子５の第１の基体１側の上端部と中継基板６ｂの信号線路とがろう材等の接合材で電気的に接続され、中継基板６ｂの上面の信号線路と回路基板６ａの配線とがボンディングワイヤ７で電気的に接続されることで、電子部品６と信号端子５とが電気的に接続されている。第２の基体２は、信号端子５を固定するための第２の貫通孔２ｂ以外に、３つの第２の貫通孔２ｂが形成されている。ＤＣ端子８は、グラウンドとして機能する端子であり、３つの第２の貫通孔２ｂのそれぞれに２本ずつが封止材３によって固定され、第１の基体１に形成された、対応する第１の貫通孔１ｄからＤＣ端子８の端部が突出している。また、電子部品６の端子は、回路基板６ａの配線を介して、ＤＣ端子８の一つに電気的に接続されている。これによって、信号端子５は電子部品６と外部電気回路（図示せず）との間の入出力信号を伝送する伝送路として機能する。
図１に示された例では、主となる電子部品６がＬＤ素子である例を示しており、ＰＤ素子12はＬＤ素子の発振状態をモニタし、反射鏡13はＬＤ素子から発振されたレーザー光を回路基板６ａ（第１の基体１）の上面から垂直方向に反射させており、温度モニタ素子14は、回路基板６ａ上の温度を測定して温度制御素子11へフィードバックしている。回路基板６ａ上には、ＰＤ素子12，反射鏡13および温度モニタ素子14が搭載されている。そして、ＤＣ端子８は、上述したグラウンド用以外に、温度制御素子11，ＰＤ素子12，および温度モニタ素子14への電力供給用のもの等がある。
なお、図１に示された例では電子部品６等が搭載された状態がわかるように蓋体９を外した状態を示しているが、図２に示された例のように、破線で示されたような蓋体９を溶接またはろう接で蓋体接合部１ｅに接合することによって、本発明の実施形態における電子装置が基本的に構成される。図２に示された例の蓋体９は、反射鏡13によって第１の基体１の上面から垂直方向に反射されたレーザー光を通すための、透光性部材がはめられた窓部を設けた例を示している。
なお、図１および図２に示された例では、１個の電子部品６を、回路基板６ａおよび温度制御素子11を介して第１の基体１の搭載部１ｃの上に搭載しているが、複数の電子部品６を搭載してもよいし、回路基板６ａおよび温度制御素子11を介さずに第１の基体１の搭載部１ｃの上に直接搭載してもよいし、ボンディングワイヤ７で電子部品６と信号端子５とを直接接続してもよい。また、信号端子５の数も、電子部品６の数および電子部品６の電極の数に応じて複数であっても構わない。そして、ＤＣ端子８の数も、温度制御素子11、ＰＤ素子12、温度モニタ素子14等の数に応じて決まるものである。なお、中継基板６ｂを介して信号端子５と電子部品６をボンディングワイヤ７で接続することで、ボンディングワイヤ７の長さを短くすることができるようになるので、インピーダンスの不整合をより良く抑制することができ好ましい。
本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15は、電子部品６の搭載部を含む上面と上下方向に設けられた第１の貫通孔１ｄとを有する第１の基体１と、第１の基体１の下面の外周部に接合されており、上下方向に設けられているとともに平面視において第１の貫通孔１ｄに重なるように配置された第２の貫通孔２ｂを有する第２の基体２と、第２の貫通孔２ｂに充填された封止材３と、封止材３を貫通するように第２の基体２に固定されているとともに第１の貫通孔１ｄ内を通っており、第１の基体１の上面よりも上方へ突出している上端部を有している信号端子５とを有しており、第１の基体１は、複数の第１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂとを含んでおり、第２の金属部材１ｂが複数の第１の金属部材１ａによって上下方向から挟まれているとともに、第１の金属部材１ａの熱膨張係数が第２の基体２の熱膨張係数より大きく、第２の金属部材１ｂの熱伝導率が第１の金属部材１ａの熱伝導率よりも高いものである。
電子部品搭載用パッケージ15はこのような構成により、第１の金属部材１ａの熱膨張係数が第２の基体２の熱膨張係数より大きく、第２の金属部材１ｂの熱伝導率が第１の金属部材１ａの熱伝導率よりも高いことから、第２の基体２と第２の基体２より熱膨張係数が大きい電子部品６との熱膨張差を第１の金属部材１ａによって緩和できるため、電子部品６と電子部品搭載用パッケージ15との接合強度が強固なものとなる。さらに、電子部品６の実装信頼性が高いものとすることができ、且つ電子部品６から発生する熱を第２の金属部材１ｂを介して効率よく外部に放散することができる電子部品搭載用パッケージ15となる。また、信号端子５は所定のインピーダンスに整合されて第２の基体２の貫通孔２ｂに充填した封止材３で固定されることから、信号端子５が通る第１の基体１の貫通孔１ｂは、信号端子５とともにエアー同軸構造としてインピーダンスを整合させるためにその径を小さいものとすることができるので、電子部品６の搭載部１ｃの面積を大きくすることができる。
また、本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15は、上記構成において、第１の金属部材１ａの熱伝導率は、第２の基体２の熱伝導率より高いことから、電子部品６から発生した熱を効率的に第２の金属部材１ｂに伝導することができ、第２の金属部材１ｂの熱伝導率が高いことで、より効率よく第１の基体１の側面から外部に放出することができる電子部品搭載用パッケージ15となる。
また、本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15は、上記構成において、第２の金属部材１ｂの端部が第１の基体１の側面において第１の金属部材から露出すなわち達していることから、第２の金属部材１ｂに伝わった熱を、より効率よく第１の基体１の側面から外部に放出することができる電子部品搭載用パッケージ15となる。
また、図３〜図７に示された例のように、上記構成において、第２の基体２の外形寸法よりも第１の基体１の外形寸法の方が大きいときには、第１の基体１の側面に、例えば電子装置を収納する筐体等の放熱体となるものを密着させやすくなるので、電子部品６から発生した熱を第１の基体１を介して外部により放出しやすい電子部品搭載用パッケージ15となる。
また、図６〜図８に示された例のように、上記構成において、第１の基体１および第２の基体２の少なくとも一方が、第１の基体１と第２の基体２との接合部に沿った溝10を有するときには、搭載される電子部品６に熱が発生して第１の基体１と第２の基体２との熱膨張係数の差による熱応力が発生しても、この熱応力は溝10によって緩和されて、第１の基体１と第２の基体２との接合部に加わる熱応力は小さいものとなるので、より気密信頼性に優れた高信頼性の電子装置を得ることのできる電子部品搭載用パッケージ15となる。
また、図７に示された例のように、上記構成において、第１の基体１が下面に凹部１ｆを有し、第２の基体２が凹部１ｆ内で第１の基体１に接合されているときには、パッケージの厚みを変えずに第１の基体１の側面の面積を増やすことができるため、第１の基体１の側面を介しての熱の放出がより効率よくできるようになり、より高放熱の電子部品搭載用パッケージ15となる。
また、図９〜図11に示された例のように、上記各構成において、第１の基体１の下面の搭載部１ｃに対向する部分から外周部にかけて第１の金属部材１ａよりも熱伝導率が高い接合材４が被着されており、第２の基体２は、外周部の接合材４で第１の基体１に接合されているときには、電子部品６から発生した熱が第１の基体１の下面の接合材４を介して第１の基体１の側面側に伝導しやすくなるので、より効率よく外部に放出することができる半導体素子収納用パッケージとなる。なお、第１の基体１と第２の基体２の対向している表面と側面とのコーナー部にＲ部もしくはＣ面を形成すると、第１の基体１と第２の基体２の接合部分の側面に接合材４を溜まるように形成することができるので、より接合材４を介して第１の基体１の側面側に伝導しやすくなるので、より効率よく外部に放出することができる電子部品搭載用パッケージ15となる。
本発明の実施形態における電子装置は、上記構成のいずれかの本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15と、該電子部品搭載用パッケージ15の前記搭載部１ｃに搭載された電子部品６と、前記第１の基体１の上面に接合された蓋体９とを備えることから、電子部品６から発生した熱を熱伝導率の大きい第１の基体１の第２の金属部材１ｂを介して効率よく第１の基体１の側面から外部に放出できるので、小型で高出力の電子装置となる。
本発明の実施形態における電子装置は、上記構成において、電子部品６と搭載部１ｃとの間に温度制御素子11を備えているときには、放熱性が向上しているので、温度制御素子11によってより発熱の大きい電子部品６の温度を一定に保つことができるようになり、温度変化によって発生する電子部品６の特性変化がなくなるので、より特性の安定した電子装置となる。
第１の基体１は、第１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂとから成り、第２の金属部材１ｂが第１の金属部材１ａに挟まれている。第１の金属部材１ａは搭載される電子部品６またはセラミック製の回路基板６ａの熱膨張係数に近いものが好ましく、またコストの安いものとして、例えば、Ｆｅ−Ｍｎ合金等の鉄系の合金または純鉄等の金属、銅（Ｃｕ）または銅系の合金が選ばれる。より具体的には、Ｆｅ99.6質量％−Ｍｎ0.4質量％系のＳＰＣ（Steel Plate Cold）材がある。また、第２の金属部材１ｂは熱伝導率の高いものが好ましい。例えば、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）等のヤング率の小さい金属、タングステン（Ｗ）またはモリブデン(Ｍｏ)のように熱膨張係数の小さい金属が好ましい。第１の基体１は第１の金属部材１ａと第２の金属部材１ｂを接合して形成するが、接合の方法としては、部材同士を重ねて圧延することで接合するクラッド法を用いても良いし、銀ろう等熱伝導率の高い接合材を用いて接合しても良い。こうして接合した接合材に圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作され、貫通孔１ｂはドリル加工または金型による打ち抜き加工によって形成される。また、第１の基体１が搭載部１ｃとして突出部を有する形状の場合は、切削加工またはプレス加工することによって形成することができる。
第１の基体１は厚みが0.25〜１ｍｍの平板状であり、その形状には特に制限はないが、例えば直径が３〜６ｍｍの円板状，半径が1.5〜８ｍｍの円周の一部を切り取った半円板状，一辺が３〜15ｍｍの四角板状等である。
第１の基体１の厚みは0.5ｍｍ以上が好ましい。厚みが0.5ｍｍ未満の場合は、電子部品６を保護するための金属製の蓋体９を金属製の第１の基体１の上面に接合する際に、接合温度等の接合条件によっては第１の基体１が曲がったりして変形し易くなる。また、厚みが１ｍｍを超えると、第２の基体２と接合して得られる電子部品搭載用パッケージ15および電子装置の厚みが不要に厚いものとなり、小型化し難くなるので、第１の基体１の厚みは１ｍｍ以下であるのが好ましい。小型化のためには第１の基体１の厚みと第２の基体２の厚みとを加えて２ｍｍ以下であるのがよいので、図７に示された例のように、第１の基体１が凹部１ｆを有し、第２の基体２がこの凹部１ｆ内で第１の基体１に接合されている場合には、第１の基体１は１ｍｍを超えて２ｍｍ以下の厚みであってもよい。
第１の金属部材１ａがＳＰＣ材であり、第２の金属部材１ｂが銅の場合には、搭載部１ｃ側の第１の金属部材１ａの厚みは0.05ｍｍ以上が好ましい。搭載部１ｃ側の第１の金属部材１ａの厚みが0.05ｍｍ未満であると、蓋体接合を電着にて行う場合に熱が第２の金属部材１ｂに伝わり温度が低下しやすいことで、蓋体接合の効率が低下しやすくなる傾向がある。そして第２の金属部材１ｂの厚みは0.05ｍｍ以上が好ましい。第２の金属部材１ｂの厚みは0.05ｍｍ未満であると、ＳＰＣ材単体で第１の基体１を作成した場合に比べ、熱を側面側に伝導する効果が顕著とならない傾向がある。
また、第１の基体１は、搭載部１ｃ部分では図４に示された例のように第１の金属部材１ａを取り除いていると、第１の基体１の熱膨張係数を抑えながら、電子部品６から発生した熱を第１の金属部材１ａを介すことなく熱伝導率の大きい第２の金属部材１ｂに伝導でき、第１の基体１の側面への熱放散性を高めることができるので好ましい。搭載部１ｃ部分で第１の金属部材１ａを取り除いた構成とするには、第２の金属部材１ｂが第１の金属部材１ａに挟まれている第１の基体１の搭載部１ｃに従来周知の切削加工等を用いて第１の金属部材１ａを切除したり、第２の金属部材１ｂを挟む様に接合する第１の金属部材１ａの搭載部１ｃにあたる部分を予め打ち抜いて接合すればよい。
搭載部１ｃの周辺には第１の基体１の上面から下面にかけて形成された直径が0.23〜1.15ｍｍの第１の貫通孔１ｄを複数有する。信号端子５が通る第１の貫通孔１ｄの直径は、中心に信号端子５が貫通することで特性インピーダンスが50Ωのエアー同軸が形成されるような寸法とする。例えば、信号端子５の直径が0.2ｍｍの場合であれば、第１の貫通孔１ｄの直径は0.46ｍｍとすればよい。ＤＣ端子８が通る第１の貫通孔１ｄについては、ＤＣ端子８は特性インピーダンスの影響を受けないので、ＤＣ端子８と第１の基体１とがショートしない程度に、上記寸法よりも小さくして搭載部１ｃの面積を大きくするとよい。また、逆に第１の貫通孔１ｄを上記寸法よりも大きくして、図１に示された例のように複数のＤＣ端子８を貫通させても構わない。この場合は、例えば図１に示された例のように、円形ではなく長円形とすることで搭載部１ｃの面積を大きくすることができる。上述したように、電子部品６の数および電子部品６の端子の数に応じて信号端子５の数が、また電子部品６以外の他の素子等の数に応じてＤＣ端子８の数が決まるので、それに応じて第１の貫通孔１ｄも適宜形成すればよい。
また、第１の基体１の表面には、耐食性に優れ、ろう材との濡れ性に優れた厚さが0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さが0.5〜５μｍのＡｕ層とをめっき法によって順次被着させておくのがよい。これにより、第１の基体１が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、電子部品６または回路基板６ａあるいは蓋体９等を第１の基体１に良好にろう付けすることができる。
第２の基体２は、第２の貫通孔２ｂ内に封止材３を介して信号端子５およびＤＣ端子８を固定するだけでなく、蓋体９とともに、封止材３および接合材４によって電子部品６を気密に封止する機能を有する。このため、第２の基体２は、第１の基体１と第２の基体２との接合部が第１の貫通孔１ｄを取り囲むように、外周部で第１の基体１と接合されている。少なくとも外周部で接合されていれば気密に封止することができ、図11に示された例のように、第２の基体２の上面の全面が接合材４によって第１の基体１の下面に接合されていてもかまわない。
また、第２の基体２は、第１の基体１と同様の厚みが0.25〜１ｍｍの平板状であり、その形状には特に制限はないが、例えば直径が３〜６ｍｍの円板状，半径が1.5〜８ｍｍの円周の一部を切り取った半円板状，一辺が３〜15ｍｍの四角板状等である。第２の基体２はその外周部が第１の基体１の下面に接合されるので、必要な大きさの第２の貫通孔２ｂが形成されるとともに、外周部が第１の貫通孔１ｄよりも大きいものであればよい。例えば、図３および図５（ａ）に示された例のように、平面視の外形が第１の基体１より一回り小さい第２の基体２を第１の基体１の下面に接合することによって、複数の第１の貫通孔１ｄをまとめて封止してもよいし、図５（ｂ）に示された例のように、第２の基体２を複数の第１の貫通孔１ｄのそれぞれよりも一回り大きい複数個にして、複数の第１の貫通孔１ｄをそれぞれ封止するようにしてもよい。また、このように第２の基体２が小さいと、第１の基体１との間で熱膨張係数に差がある場合には、発生する熱応力が小さくなるので好ましい。１つの第２の基体２に電子部品搭載用パッケージ15の全ての信号端子５が固定されていると、第１の基体１と第２の基体２とを接合する際に、信号端子５の相対位置が正確に位置決めできるとともに、複数の第１の貫通孔１ｄと複数の第２の貫通孔２ｂ（およびそれら第２の貫通孔２ｂ内に固定された複数の信号端子５）との位置合わせが一括して行なえるので、組み立て精度の良い電子部品搭載用パッケージ15を効率よく得ることができる。
第２の基体２の厚みは0.5ｍｍ以上が好ましい。厚みが0.5ｍｍ未満の場合は、外部からの応力によって変形しやすくなり、封止材３による気密性を保ち難くなる。また、厚みが１ｍｍを超えると、第１の基体１と接合して得られる電子部品搭載用パッケージ15および電子装置の厚みが不要に厚いものとなり、小型化し難くなるので、第２の基体２の厚みは１ｍｍ以下であるのが好ましい。
第２の基体２は、信号端子５の固定用として、上面から下面にかけて形成された直径が0.53〜2.65ｍｍの第２の貫通孔２ｂを有する。第２の基体２の位置は、信号端子５固定用の第２の貫通孔２ｂが、信号端子５が通る第１の貫通孔１ｄと対応して同心円状に位置するように配置する。また、ＤＣ端子８の固定用の第２の貫通孔２ｂは、第１の基体１と第２の基体２とを接合した際に、ＤＣ端子８が通る第１の貫通孔１ｄと平面視で重なる位置に、ＤＣ端子８と第２の貫通孔２ｂの内面との間に十分な厚み（0.2ｍｍ程度）の封止材３が入る程度の大きさに形成すればよい。
このような第２の基体２は、封止材３の熱膨張係数に近いものまたはコストの安いものとして、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金またはＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成るものが好ましい。例えば第２の基体２がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。その後または同時に、第２の貫通孔２ｂがドリル加工または金型による打ち抜き加工によって形成される。
また、第２の基体２の表面には第１の基体１と同様に、耐食性に優れ、ろう材との濡れ性に優れた厚さが0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さが0.5〜５μｍのＡｕ層とをめっき法によって順次被着させておくのがよい。これにより、第２の基体２が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、第２の基体２を第１の基体１にろう付けにより良好に接合することができる。
溝10の形成は、搭載される電子部品６で発生した熱による、第１の基体１と第２の基体２との間の熱応力を緩和するだけでなく、蓋体９の接合時の衝撃または接合後の熱応力を緩和したり、蓋体接合部１ｅで発生した熱を放散しやすくしたりするという効果もある。このような効果を奏するには、第１の基体１および第２の基体２の少なくとも一方に形成されていればよい。また、蓋体９の接合時の熱によって第２の貫通孔２ｂ内の信号端子５の封止性が損なわれないようにするためのものでもあるので、第２の基体２に溝10が形成される場合は、第２の基体２の溝10は、第１の基体１との接合部と第２の貫通孔２ｂとの間に形成するとよい。
図６に示された例においては、第１の基体１と第２の基体２との接合部の内側の、第２の基体２の主面だけに垂直な溝10が形成されているので、第１の基体１の搭載部１ｃから側面（外部）への熱伝導を妨げることがないので好ましい。第１の基体１と第２の基体２との間において熱膨張係数の差が大きい場合は、第１の基体１の下面の、第１の基体１と第２の基体２との接合部の内側に溝を形成してもよい。
また、図７に示された例のように、第１の基体１が下面に凹部１ｆを有し、第２の基体２が凹部１ｆ内（凹部１ｆの側面）で第１の基体１に接合されている場合には、第１の基体１の溝10は、凹部１ｆの周囲の突出した部分に形成されるが、図７に示された例のように、突出した部分の主面（頂面）に形成してもよいし、突出した部分の内側面に形成してもよい。溝10を形成するのが突出した部分の主面であれば、プレス加工等によって形成するのが容易であり、溝10を形成するのが突出した部分の内側面であれば、蓋体接合部１ｅで発生した熱が第２の基体２へ伝導する経路が長くなるので好ましい。
溝10は、第１の基体１と第２の基体２との間で熱膨張係数が異なることによる熱応力の緩和のために、第１の基体１と第２の基体２との接合部に沿って全周にわたって形成されているのが好ましい。例えば、図７に示された例のように第２の基体２がその側面で第１の基体１と接合され、第２の基体２の下面に溝を設ける場合は、図８（ａ）に示された例のように連続した溝10でなくても、図８（ｂ）に示された例のように、第１の基体１と第２の基体２との接合部に沿って全周にわたって連続していない複数の溝10が形成され、接合部から溝10が形成されている方を見た場合に、１つの溝10の不連続な部分と他の溝10とが重なるように形成されていれば、第２の基体２の全周にわたって応力を緩和できるのでよい。また、連続した溝10が２重以上に形成されていてもよいし、例えば第１の基体１と第２の基体２との接合部と第２の貫通孔２ｂとの距離が短い部分を２重（例えば、図８（ｂ）の内側の溝10が連続した形状であるような場合）にして封止材３に熱が伝わり難くしてもよい。
溝10の幅および深さは、この部分で熱応力を緩和したり、蓋体接合部１ｅで発生した熱を放散したりできるような寸法にすればよく、第１の基体１および第２の基体２の材質に応じて設定すればよい。第１の金属部材１ａが0.2ｍｍ厚みのＳＰＣ材で第２の金属部材１ｂが0.2ｍｍ厚みの銅であり、第１の金属部材１ａで第２の金属部材１ｂを上下からクラッドした第１の基体１の熱膨張係数は、第１の金属部材１ａのＳＰＣ材の熱膨張係数に比べて20％以下の増加に収まるので、第１の基体１がＳＰＣ材の場合と大きく異ならず、第２の基体２がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であって、図６に示された例のように第２の基体２の主面に対して垂直に形成される場合は、溝10の深さを第１の基体１および第２の基体２の厚みよりも0.1〜0.25ｍｍ小さい厚みとなるように、すなわち、溝10の底部の厚みが0.1〜0.25ｍｍとなるように形成すると、溝10の部分による応力緩和の効果が大きくなり、かつ気密性も高いので好ましい。溝10の底部の厚みが薄いほど応力緩和の効果は大きいが、溝10の底部の厚みが0.1ｍｍ未満となると、溝10の部分での変形が大きくなり、電子部品６を搭載して使用した際に、繰り返し熱応力が加わることで溝10の底部に亀裂が入って気密性が低くなりやすい。同様の理由から、溝10の断面形状は、底面と側面とがなす角部に丸みをつけた形状、またはＵ字形状が好ましい。
信号端子５およびＤＣ端子８は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金またはＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、例えば信号端子５がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって、長さが1.5〜22ｍｍ、直径が0.1〜0.5ｍｍの線状に製作される。
信号端子５およびＤＣ端子８は、少なくとも下端部が第２の基体２の第２の貫通孔２ｂから１〜20ｍｍ程度突出するように封止材３を介して固定され、上端部は第１の基体１の第１の貫通孔１ｄから０〜２ｍｍ程度突出させる。
ＤＣ端子８は、グラウンド用のものであれば第２の基体２の下面にろう材等を用いて接続してもよい。
封止材３は、ガラスおよびセラミックスなどの無機材料から成り、信号端子５およびＤＣ端子８と第２の基体２との絶縁間隔を確保するとともに、信号端子５およびＤＣ端子８を第２の貫通孔２ｂに固定する機能を有する。このような封止材３の例としては、ホウケイ酸ガラス，ソーダガラス等のガラスおよびこれらのガラスに封止材３の熱膨張係数および比誘電率を調整するためのセラミックフィラーを加えたものが挙げられ、インピーダンスマッチングのためにその比誘電率を適宜選択する。比誘電率を低下させるフィラーとしては、酸化リチウム等が挙げられる。例えば、特性インピーダンスを50Ωとするには、信号端子５の外径が0.2ｍｍの場合であれば、エアー同軸となる第１の貫通孔１ｄの内径を0.46ｍｍとし、第２の貫通孔２ｂの内径を1.75ｍｍとして、封止材３に比誘電率が6.8であるものを用いればよい。あるいは信号端子５の外径が0.25ｍｍの場合であれば、第１の貫通孔１ｄの内径を0.57ｍｍとし、第２の貫通孔２ｂの内径を2.2ｍｍとして、封止材３の比誘電率が6.8であるものを用いればよい。また、同じく信号端子５の外径が0.25ｍｍの場合であれば、第２の貫通孔２ｂの内径を1.65ｍｍとして、封止材３の比誘電率が５であるものを用いてもよい。封止材３の比誘電率が４であれば、同じ外径0.25ｍｍの場合で、第２の貫通孔２ｂの内径を1.35ｍｍとすれば特性インピーダンスが50Ωとなる。
封止材３の比誘電率が小さいほど、第２の貫通孔２ｂを小さくしてもインピーダンスを50Ωに整合することができるため、結果として第２の基体２の上面に接合する第１の基体１の大きさの小型化に効果的であり、より小型の電子部品収納用パッケージとすることができる。
ＤＣ端子８を固定するための封止材３は、特にインピーダンスを考慮する必要はなく、気密に封止してＤＣ端子８を固定できるものであればよいので、信号端子５を固定するための封止材３と同じものでなくても構わない。信号端子５の固定と同時にＤＣ端子８の固定を行なうためには、信号端子５を固定するための封止材３と同じガラス、あるいは同程度の融点を有するガラスを用いるとよい。
封止材３がガラスから成る場合は、内径が信号端子５またはＤＣ端子８の外径よりも大きく、外径が第２の貫通孔２ｂの内径よりも小さい筒状になるように粉体プレス法または押し出し成形法等で成形されたガラスの封止材３を第２の貫通孔２ｂに挿入し、信号端子５またはＤＣ端子８をこの封止材３に挿通し、しかる後、所定の温度に加熱して封止材３を溶融させることによって、信号端子５またはＤＣ端子８が封止材３に埋め込まれるとともに第２の貫通孔２ｂに第２の基体２と絶縁されて気密に固定される。信号端子５は、第２の貫通孔２ｂの中心に固定されることで良好な同軸伝送路となり、高周波信号を良好に伝送することができる。
第１の基体１と第２の基体２との接合は、ろう材またははんだあるいはガラス等の、接合とともに気密に封止することが可能な接合材４を用いて行なえばよい。例えば、金（Ａｕ）80質量％−錫（Ｓｎ）20質量％、金（Ａｕ）88質量％−ゲルマニウム（Ｇｅ）12質量％または錫（Ｓｎ）96.5質量％−銀（Ａｇ）3.5質量％等の合金はんだを用いたはんだ箔を接合面の形状に金型等で打ち抜いて作製した接合材４を第１の基体１と第２の基体２それぞれの接合面間に挟んで、窒素中で合金はんだの融点以上に加熱して冷却することで、第１の基体１と第２の基体２とが接合される。ろう材としては例えば銀ろう材、ガラスとしては低融点ガラスを用いればよい。また、箔を用いる代わりに接合材４のペーストを接合面に塗布して加熱してもよい。
第１の基体１の熱伝導率は第２の基体２の熱伝導率よりも高いので、例えば、各々0.2ｍｍ厚みのＳＰＣ材から成る第１の金属部材１ａで0.2ｍｍ厚みの銅から成る第２の金属部材１ｂを上下から挟んでいる構造の第１の基体１と、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２とを用いた場合は、ＳＰＣ材の熱伝導率が80Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、銅の熱伝導率が393Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるので、第１の基体１の側面方向の熱伝導率は約130Ｗ／（ｍ・Ｋ）となり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱伝導率が30Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるので、熱伝導率の高い第１の基体１に電子部品６を搭載した電子装置は、その使用時に電子部品６が発する熱を熱伝導率の高い第１の基体１を通して外部に良好に放熱することができるので、信頼性の高い電子装置となる。また、蓋体接合部１ｅで発生した熱は熱伝導率の大きい第１の基体１内を伝導しやすく、熱伝導率の小さい第２の基体２へは伝導し難くなり、この熱によって封止材３に割れまたは剥がれなどが生じることがなくなるので好ましい。図２，図３，図６，図７，図９および図10に示された例のように、第２の基体２が外周部だけで第１の基体１に接合されている場合は、このような熱の第２の基体２への伝導経路が小さいので、封止材３の割れまたは剥がれなどがより生じ難くなる。
また、第１の基体１は、各々0.2ｍｍ厚みのＳＰＣ材から成る第１の金属部材１ａで0.2ｍｍ厚みの銅から成る第２の金属部材１ｂを上下から挟んでいる構造の第１の基体１を用いた場合において、搭載部１ｃ部分では図４に示された例のようにＳＰＣ材から成る第１の金属部材１ａを取り除いている場合には、ＳＰＣ材から成る第１の金属部材１ａを介すことなく銅から成る第２の金属部材１ｂに直接的に熱が伝わることで、第１の基体１の側面方向の熱伝導率は約230Ｗ／（ｍ・Ｋ）となり、側面への熱放散性をより高めることができるので好ましい。
また、各層が0.2ｍｍ厚みの、ＳＰＣ材から成る第１の金属部材１ａで銅から成る第２の金属部材１ｂを上下から挟んだクラッド材から成る第１の基体１と、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２との組合せの場合は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２の熱膨張係数は４×10−６〜６×10−６／℃であるので、例えば、比誘電率が４と小さく、熱膨張係数が３×10−６／℃とＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱膨張係数に近い、ＳｉＯ２が72質量％、Ｂ２Ｏ３が25質量％で残りはその他組成であるガラスが封止材３として好適である。封止材３の比誘電率が小さいので第２の貫通孔２ｂおよび第２の基体２を小さくすることができ、電子部品搭載用パッケージ15を小型化することができる。このとき、第１の基体１も小さいものとなるが、第１の基体１に形成される第１の貫通孔１ｄは小さいものでよいので、搭載部１ｃ面積の第１の基体１の上面全体の面積に占める割合を高くすることができ、電子部品６に発生した熱を第１の基体１に効率よく伝えることができる。また、比誘電率の小さいガラスは、一般的に熱膨張係数が２×10−６〜５×10−６／℃と小さいので、ＳＰＣ材で銅を上下から挟んだ高熱伝導性クラッド材（横方向の熱膨張係数：10×10−６〜12×10−６／℃）に対して、比較的熱膨張係数の小さい（４×10−６〜６×10−６／℃）Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を第２の基体２として用いれば、第２の貫通孔２ｂ内に充填しても、第２の基体２との熱膨張差によって剥がれたり、割れたりすることがない。本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15は、電子部品６が搭載される第１の基体１と、信号端子５が封止材３によって固定される第２の基体２とを、それぞれに必要な特性を有する別々の材質にすることで、小型で信頼性に優れた電子装置が得られるものとなる。
第１の基体１の下面の搭載部１ｃに対向する部分から外周部にかけて第１の金属部材１ａよりも熱伝導率が高い接合材４を被着する場合は、接合材４は、図10に示された例のように、搭載部１ｃに対向する部分と外周部との間に複数の熱伝導経路を設けるようにして被着してもよいが、図９に示された例のように、第１の基体１の下面の全面に被着すると、搭載部１ｃに対向する部分から外周部への熱伝導経路が最大になり、より効率よく放熱できるので好ましい。また、第２の基体２の上面と第１の基体１の下面とを全面で接合材４によって接合する場合には、図11に示された例のように、第２の基体２の貫通孔２ｂ、少なくとも信号端子５が固定される貫通孔２ｂと重なる部分を避けて第１の基体１の下面に接合材４を被着させ、封止材３と接合材４とが接しないようにするのが好ましい。このようにすると、接合材４が導電性のろう材である場合には第２の貫通孔２ｂ内の信号端子５と接合材４との間に浮遊容量が発生することを、また、接合材４がガラス等の誘電体である場合には第２の貫通孔２ｂ内の信号端子５と第１の基体１との間の浮遊容量が大きくなることを抑えることができるので、浮遊容量によって特性インピーダンスが変動して信号の伝送特性が低下してしまうことがない。
第１の金属部材１ａよりも熱伝導率が高い接合材４としては、例えば、第１の金属部材１ａがＳＰＣ材である場合には、熱伝導率の高い銀を主成分とする銀ろう、例えば、Ａｇ72質量％−Ｃｕ28質量％合金（熱伝導率：374Ｗ／（ｍ・Ｋ））が挙げられる。この銀ろうはＪＩＳ（日本工業規格）のＢＡｇ−８であるが、これ以外の銀ろうでもよく、また、必要に応じて融点および硬度を低下させるために１質量％〜10質量％程度のインジウム（Ｉｎ）を加えたものでもよい。なお、接合材４の熱膨張率は、市販のＴＭＡ（Thermo Mechanical Analysis）装置を用いてＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により、接合材４をＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準ずる形状に加工して測定される。
また、第１の基体１の下面に接合材４を被着させる場合は、図10に示された例のように、さらに第１の基体１の側面まで延ばして被着させるとよい。このようにすることで、外部への放熱性がより高まる。さらには、図11に示された例のように、第１の基体１の側面だけでなく第２の基体２の側面まで延ばして被着することによってさらに放熱面積を大きくして放熱性を高めてもよい。そして、図11に示された例のように、第１の基体１と第２の基体２の対向している表面と側面とのコーナー部にＲ部もしくはＣ面を形成すると、第１の基体１と第２の基体２の接合部分の側面に接合材４を溜まるように形成することができるので、より接合材４を介して第１の基体１の側面側に伝導しやすくなるので、より効率よく外部に放出することができるので好ましい。また、この場合に、接合材４として第１の基体１より軟らかいものを用いると、第１の基体１の側面に放熱体となるものを密着させた場合の密着性が高くなるので、より効率的に放熱体に熱を伝えることができる。
このような本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15の搭載部１ｃに電子部品６を搭載するとともに、第１の基体１の蓋体接合部１ｅに蓋体９を接合することにより、本発明の実施形態における電子装置となる。
電子部品６としては、ＬＤ（レーザーダイオード）またはＰＤ（フォトダイオ−ド）等の光半導体素子、あるいは半導体集積回路素子を含む半導体素子、あるいは水晶振動子または弾性表面波素子等の圧電素子、あるいは圧力センサー素子，容量素子，抵抗器等が挙げられる。
回路基板６ａおよび中継基板６ｂの絶縁基板は、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体等のセラミックス絶縁材料等から成り、絶縁基板が例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、まずアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）またはシリカ（ＳｉＯ２），カルシア（ＣａＯ），マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法またはカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに必要に応じて複数枚積層し、これを約1600℃の温度で焼成することによって製作される。また、その後、必要に応じて絶縁基板の主面に研磨加工を施す場合もある。
この絶縁基板の上面に配線導体を蒸着法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成することで、回路基板６ａおよび中継基板６ｂとなる。なお、配線導体は、例えば密着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層から成る。また、回路基板６ａおよび中継基板６ｂに形成される高周波信号の通る配線導体については、信号端子５の第２の貫通孔２ｂ部分と同様に、例えば特性インピーダンスを50Ωに整合させた線路とする。
密着金属層は、セラミックス等から成る絶縁基板との密着性を良好とするという観点からは、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）等の熱膨張率がセラミックスと近い金属のうち少なくとも１種より成るのが好ましく、その厚みは0.01〜0.2μｍ程度が好ましい。密着金属層の厚みが0.01μｍ未満では、密着金属層を絶縁基板に強固に密着することが困難となる傾向があり、0.2μｍを超えると、成膜時の内部応力によって密着金属層が絶縁基板から剥離し易くなる傾向がある。
また、拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐという観点からは、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等の熱伝導性の良好な金属のうち少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは0.05〜１μｍ程度が好ましい。拡散防止層の厚みが0.05μｍ未満では、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たしにくくなる傾向があり、１μｍを超えると、成膜時の内部応力によって拡散防止層が密着金属層から剥離し易く成る傾向がある。なお、拡散防止層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場合は、Ｎｉ−Ｃｒ合金は絶縁基板４との密着性が良好なため、密着金属層を省くことも可能である。
さらに、主導体層は、電気抵抗の小さい金（Ａｕ），Ｃｕ，Ｎｉ，銀（Ａｇ）の少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは0.1〜５μｍ程度が好ましい。主導体層の厚みが0.1μｍ未満では、電気抵抗が大きなものとなって回路基板６ａの配線導体に要求される電気抵抗を満足できなくなる傾向があり、５μｍを超えると、成膜時の内部応力によって主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。なお、Ａｕは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。また、Ｃｕは酸化し易いので、その上にＮｉおよびＡｕからなる保護層を被覆してもよい。
図１に示された例のような場合は、例えば、回路基板６ａおよび中継基板６ｂは、下面の接地導体層の表面に、200〜400℃の融点を有する半田または金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ろう材を、スクリーン印刷法を用いてろう材ペーストを印刷したり、フォトリソグラフィ法によって低融点ろう材膜を形成したり、低融点ろう材のプリフォームを配置したりして、200〜400℃の温度で加熱することによって第１の基体１に固定される。そして、電子部品６は、搭載部１ｃに接合された回路基板６ａに200〜400℃の融点を有するＡｕ−Ｓｎ等のろう材によってろう付けされて固定され、その電極をボンディングワイヤ７を介して回路基板６ａの配線導体に接続してこの配線導体と信号端子５とをボンディングワイヤ７で接続することによって信号端子５に電気的に接続される。また、例えば、回路基板６ａを第１の基体１上に搭載した後に電子部品６を回路基板６ａ上に搭載する場合は、回路基板６ａの固定には金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）合金または金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）合金をろう材として用い、電子部品６の固定には、これらより融点の低い錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）合金または錫−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）合金のろう材、または融点より低い温度で硬化可能なＡｇエポキシ等の樹脂製の接着剤を用いればよい。また、電子部品６を回路基板６ａ上に搭載した後に回路基板６ａを第１の基体１上に搭載してもよく、その場合は上記とは逆に、回路基板６ａを第１の基体１上に搭載する際に用いるろう材の融点の方を低くすればよい。いずれの場合であっても、回路基板６ａ上または第１の基体１の搭載部１ｃ上にろう材ペーストを周知のスクリーン印刷法を用いて印刷したり、フォトリソグラフィ法によってろう材層を形成したり、低融点ろう材のプリフォームを載置するなどすればよい。
高出力のＬＤ素子を電子部品６として搭載する場合は、電子部品６をより効果的に冷却して、電子部品６の温度変化によって特性が変化しないように、図１および図２に示された例のように、温度制御素子11を電子部品搭載用パッケージ15の搭載部１ｃ上に搭載して、その上に電子部品６を搭載すればよい。搭載の方法は、上記と同様に、低融点ろう材によって固定すればよい。なお、図１、図２ではＬＤ素子からの出力を反射鏡13で上方に反射させる例を示したが、温度制御素子11上にＬ型の台座を形成し、ＬＤ素子から直接上方に出力させてもかまわない。
蓋体９は、平面視で第１の基体１の上面の外周領域の蓋体接合部１ｅの形状に沿った外形で、第１の基体１の上面の搭載部１ｃに搭載された電子部品６を覆うような空間を有する形状のものである。電子部品６と対向する部分に光を透過させる窓を設けてもよいし、窓に換えて、または窓に加えて光ファイバおよび戻り光防止用の光アイソレータを接合したものでもよい。
蓋体９は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金またはＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金等の金属から成り、これらの板材にプレス加工または打ち抜き加工等の周知の金属加工方法を施すことによって作製される。蓋体９は、第１の基体１の材料と同程度の熱膨張係数を有するものが好ましく、第１の基体１の材料と同じものを用いるのがより好ましい。蓋体９が窓を有する場合は、電子部品６と対向する部分に孔を設けたものに、平板状またはレンズ状のガラス製の窓部材を低融点ガラスなどによって接合する。
蓋体９の第１の基体１の蓋体接合部１ｅへの接合は、シーム溶接またはＹＡＧレーザー溶接等の溶接またはＡｕ−Ｓｎろう材等のろう材によるろう付け等のろう接によって行なわれる。
１・・・・・第１の基体
１ａ・・・・第１の金属部材
１ｂ・・・・第２の金属部材
１ｃ・・・・搭載部
１ｄ・・・・第１の貫通孔
１ｅ・・・・蓋体接合部
１ｆ・・・・凹部
２・・・・・第２の基体
２ｂ・・・・第２の貫通孔
３・・・・・封止材
４・・・・・接合材
５・・・・・信号端子
６・・・・・電子部品
６ａ・・・・回路基板
６ｂ・・・・中継基板
７・・・・・ボンディングワイヤ
８・・・・・ＤＣ端子
９・・・・・蓋体
10・・・・・溝
11・・・・・温度制御素子
12・・・・・ＰＤ素子
13・・・・・反射鏡
14・・・・・温度モニタ素子
15・・・・・電子部品搭載用パッケージ

Claims (9)

  1. 電子部品の搭載部を含む上面と上下方向に設けられた第１の貫通孔とを有する第１の基体と、
    該第１の基体の下面の外周部に接合されており、上下方向に設けられているとともに平面視において前記第１の貫通孔に重なるように配置された第２の貫通孔を有する第２の基体と、
    前記第２の貫通孔に充填された封止材と、
    該封止材を貫通するように前記第２の基体に固定されているとともに前記第１の貫通孔内を通っており、前記第１の基体の上面よりも上方へ突出している上端部を有している信号端子とを具備しており、
    前記第１の基体は、複数の第１の金属部材と第２の金属部材とを含んでおり、前記第２の金属部材が前記複数の第１の金属部材によって上下方向から挟まれているとともに、
    前記第１の金属部材の熱膨張係数が前記第２の基体の熱膨張係数より大きく、前記第２の金属部材の熱伝導率が前記第１の金属部材の熱伝導率よりも高いことを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。
  2. 前記複数の第１の金属部材の熱伝導率は、前記第２の基体の熱伝導率より高いことを特徴とする請求項１記載の電子部品搭載用パッケージ。
  3. 前記第２の金属部材の端部が前記第１の基体の側面において第１の金属部材から露出されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子部品搭載用パッケージ。
  4. 前記第１の基体の外形寸法の方が前記第２の基体の外形寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。
  5. 前記第１の基体および前記第２の基体の少なくとも一方は、前記第１の基体と前記第２の基体との接合部に沿った溝を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。
  6. 前記第１の基体は下面に凹部を有し、前記第２の基体は前記凹部内で前記第１の基体に接合されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。
  7. 前記第１の基体の下面の前記搭載部に対向する部分から外周部にかけて前記複数の第１の金属部材よりも熱伝導率が高い接合材が被着されており、前記第２の基体は、外周部の前記接合材で前記第１の基体に接合されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージと、該電子部品搭載用パッケージの前記搭載部に搭載された電子部品と、前記第１の基体の上面に接合され、前記電子部品および前記第１の貫通孔を覆う蓋体とを備えることを特徴とする電子装置。
  9. 前記電子部品と前記搭載部との間に温度制御素子を備えることを特徴とする請求項８記載の電子装置。
JP2012546889A 2010-11-29 2011-11-29 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 Expired - Fee Related JP5537673B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012546889A JP5537673B2 (ja) 2010-11-29 2011-11-29 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010265358 2010-11-29
JP2010265358 2010-11-29
JP2012546889A JP5537673B2 (ja) 2010-11-29 2011-11-29 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
PCT/JP2011/077549 WO2012073963A1 (ja) 2010-11-29 2011-11-29 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012073963A1 JPWO2012073963A1 (ja) 2014-05-19
JP5537673B2 true JP5537673B2 (ja) 2014-07-02

Family

ID=46171892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012546889A Expired - Fee Related JP5537673B2 (ja) 2010-11-29 2011-11-29 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9273914B2 (ja)
JP (1) JP5537673B2 (ja)
CN (1) CN103222045B (ja)
WO (1) WO2012073963A1 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6155551B2 (ja) * 2012-04-10 2017-07-05 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および電子デバイスの製造方法
US10392959B2 (en) * 2012-06-05 2019-08-27 General Electric Company High temperature flame sensor
JP6247006B2 (ja) * 2013-01-23 2017-12-13 セイコーインスツル株式会社 電子デバイス、発振器及び電子デバイスの製造方法
JP6251739B2 (ja) * 2013-05-22 2017-12-20 株式会社カネカ 放熱構造体
JP6614811B2 (ja) * 2015-05-29 2019-12-04 新光電気工業株式会社 半導体装置用ステム及び半導体装置
KR102046347B1 (ko) * 2015-08-24 2019-11-19 쿄세라 코포레이션 전자 부품 탑재용 패키지 및 그것을 사용한 전자 장치
WO2017183638A1 (ja) * 2016-04-18 2017-10-26 京セラ株式会社 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置
JP6272576B1 (ja) * 2017-01-20 2018-01-31 三菱電機株式会社 光モジュール及びｃａｎパッケージ
US11153985B2 (en) * 2017-06-29 2021-10-19 Rosemount Inc. Modular hybrid circuit packaging
JP6924641B2 (ja) * 2017-07-17 2021-08-25 日本特殊陶業株式会社 発光素子搭載用パッケージおよびその製造方法
CN109560062B (zh) * 2017-09-26 2023-08-22 京瓷株式会社 接合构造及半导体封装
JP7004304B2 (ja) * 2018-03-22 2022-02-04 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 受光モジュールの製造方法
US10319654B1 (en) * 2017-12-01 2019-06-11 Cubic Corporation Integrated chip scale packages
CN111971860B (zh) * 2018-04-11 2022-02-15 三菱电机株式会社 光模块
US11018651B2 (en) * 2018-04-19 2021-05-25 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonators having doped piezoelectric material and an adhesion and diffusion barrier layer
CN112313794A (zh) * 2018-06-27 2021-02-02 京瓷株式会社 电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块
WO2020004566A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 京セラ株式会社 基体および半導体装置
KR20200046265A (ko) * 2018-10-24 2020-05-07 삼성전자주식회사 캐리어 기판 및 이를 이용한 패키징 방법
JP7027578B2 (ja) * 2018-12-26 2022-03-01 京セラ株式会社 配線基体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2021027136A (ja) * 2019-08-02 2021-02-22 ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 光モジュール
DE102020120167A1 (de) 2020-07-30 2022-02-03 Schott Ag Gehäuse, vorzugsweise TO-Gehäuse, Sockel für Gehäuse und Baugruppe mit einem solchen Gehäuse und/oder Sockel
JP2022103963A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ用ステム
CN113764971B (zh) * 2021-06-30 2022-11-18 武汉敏芯半导体股份有限公司 电吸收调制激光器制冷封装结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135745A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ用アイレット、及び半導体パッケージ用アイレットの製造方法
JP2010010658A (ja) * 2008-05-27 2010-01-14 Kyocera Corp 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2011009574A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置及び半導体モジュール
JP2011049523A (ja) * 2009-07-28 2011-03-10 Kyocera Corp 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08130266A (ja) 1994-11-01 1996-05-21 Sharp Corp 半導体装置
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7308008B2 (en) * 2002-11-08 2007-12-11 Finisar Corporation Magnetically controlled heat sink
JP4550386B2 (ja) * 2003-03-27 2010-09-22 三菱電機株式会社 光半導体素子用パッケージ
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
JP2006100640A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Hitachi Metals Ltd セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール
US8661660B2 (en) * 2005-09-22 2014-03-04 The Artak Ter-Hovhanissian Patent Trust Process for manufacturing LED lighting with integrated heat sink
US20100072511A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-25 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with copper/aluminum post/base heat spreader
US20110249406A1 (en) * 2009-06-20 2011-10-13 LEDAdventures LLC Heat dissipation system for electrical components
US20110085304A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-14 Irvine Sensors Corporation Thermal management device comprising thermally conductive heat spreader with electrically isolated through-hole vias

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135745A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ用アイレット、及び半導体パッケージ用アイレットの製造方法
JP2010010658A (ja) * 2008-05-27 2010-01-14 Kyocera Corp 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2011009574A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置及び半導体モジュール
JP2011049523A (ja) * 2009-07-28 2011-03-10 Kyocera Corp 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9273914B2 (en) 2016-03-01
CN103222045A (zh) 2013-07-24
CN103222045B (zh) 2016-04-27
JPWO2012073963A1 (ja) 2014-05-19
WO2012073963A1 (ja) 2012-06-07
US20130250520A1 (en) 2013-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5537673B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP5473583B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP5409432B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2010062512A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2016189431A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP4874298B2 (ja) 信号端子と信号線路導体との接続構造および電子部品搭載用パッケージならびに電子装置
JP2009152520A (ja) 信号端子と信号線路導体との接続構造および電子部品搭載用パッケージならびに電子装置
JP5004824B2 (ja) 信号端子と信号線路導体との接続構造および電子部品搭載用パッケージならびに電子装置
JP5616178B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよび通信用モジュール
CN107534021B (zh) 电子部件搭载用封装体以及使用其的电子装置
JP2010245507A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP5312358B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP6431441B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2009054982A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP5361609B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置
JP5705491B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP5409456B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2014146756A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP5460089B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP5404484B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP5361637B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2011114104A (ja) サブマウントおよびそれを用いた電子装置
JP2014003076A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2012227482A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2009054750A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140401

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140425

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5537673

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees