JP7004304B2

JP7004304B2 - 受光モジュールの製造方法

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Publication number: JP7004304B2
Application number: JP2018054404A
Authority: JP
Inventors: 享平前川
Original assignee: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Current assignee: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Priority date: 2018-03-22
Filing date: 2018-03-22
Publication date: 2022-02-04
Anticipated expiration: 2038-03-22
Also published as: JP2019169520A

Description

本発明は、受光モジュール及びその製造方法に関する。

特許文献１には、光ファイバに取り付けられる同軸タイプの受光モジュールが開示されている。この受光モジュールは、パッケージと、パッケージ上面に設けられたフォトダイオードと、パッケージ上面に設けられたプリアンプＩＣと、を備える。フォトダイオードおよびプリアンプＩＣは、パッケージに固定された電源端子および信号出力端子と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。

特許第３６２３１４４号公報

光ファイバの光軸と交差するステムの主面上にフォトダイオードを搭載する同軸タイプの受光モジュールが知られている（例えば特許文献１を参照）。このような受光モジュールにおいては、ステムの主面の面積の制限により、プリアンプなどの集積回路チップ及びフォトダイオードを自在に配置できない場合がある。特に、集積回路チップの寸法が高機能化等により大きくなると、このような問題が顕著となる。このような場合、フォトダイオードの位置が入射光の中心軸から大きく外れると、受光感度が低下してしまう。逆に、フォトダイオードの位置が入射光の中心軸に近すぎると、フォトダイオードの受光面の反射による戻り光が増し、光反射減衰量（OpticalReturn Loss；ＯＲＬ）が増大してしまう。

本発明は、ステムの主面上の適切な位置にフォトダイオードを配置することができる受光モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。

一実施形態に係る受光モジュールの製造方法は、ステムの主面上に、第１電極及び第２電極が設けられた集積回路チップ、並びに電子部品を搭載する第１工程と、第１電極及び電子部品をワイヤボンディングする第２工程と、集積回路チップ上に、受光素子が搭載されたキャリアを接着剤を介して搭載する第３工程と、第２電極、及びキャリア上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンをワイヤボンディングする第４工程と、をこの順に備える。

別の一実施形態に係る受光モジュールは、受光素子と、第１面及び第１面とは反対側の第２面を有し、第１面に前記受光素子を搭載するキャリアと、第２面に対向する第３面及び第３面とは反対側の第４面を有し、接着剤を介して第３面に前記キャリアを搭載する集積回路チップと、主面上に集積回路チップを搭載するステムと、受光素子と集積回路チップとを電気的に接続するワイヤと、を備え、集積回路チップの第３面上には、受光素子に電気的に接続される電極が設けられ、電極は、第３面上に設けられる電極パッドと、電極パッド上に設けられ、少なくともその頂面が接着剤から露出する導電部材とを有し、ワイヤは、導電部材と、キャリアの第１面上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンとにボンディングされている。

本発明による受光モジュール及びその製造方法によれば、ステムの主面上の適切な位置にフォトダイオードを配置することができる。

図１は、本発明の一実施形態による受光モジュールの構成を示す断面図である。図２は、受光部のフォトダイオード付近の構成を拡大して示す側面図である。図３は、パッケージおよびレンズを取り除いた受光部の平面図である。図４は、集積回路チップの第２面の平面図である。図５は、キャリアの第４面の平面図である。図６は、実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明するための図である。図７は、実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明するための図である。図８は、実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明するための図である。図９（ａ）は、図８のＩＸａ－ＩＸａ線に沿った断面図であり、図９（ｂ）は、図８のＩＸｂ－ＩＸｂ線に沿った断面図である。図１０は、実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明するための図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿った断面図である。図１２は、実施形態の第１変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１３は、実施形態の第２変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１４（ａ）は、実施形態の第３変形例に係る受光部の要部拡大断面図であり、図１４（ｂ）は、第３変形例の導電部材を示す概略斜視図であり、図１４（ｃ）は、第３変形例の導電部材を示す概略平面図である。図１５（ａ）は、実施形態の第４変形例に係る受光部の要部拡大断面図であり、図１５（ｂ）は、第４変形例の導電部材を示す概略斜視図である。

［本発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態は、ステムの主面上に、第１電極及び第２電極が設けられた集積回路チップ、並びに電子部品を搭載する第１工程と、第１電極及び電子部品をワイヤボンディングする第２工程と、集積回路チップ上に、受光素子が搭載されたキャリアを接着剤を介して搭載する第３工程と、第２電極、及びキャリア上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンをワイヤボンディングする第４工程と、をこの順に備える受光モジュールの製造方法である。

この受光モジュールの製造方法では、集積回路チップ上に、受光素子が搭載されたキャリアを搭載する。これにより、集積回路チップの寸法が大きい場合であっても、受光素子の配置の自由度を高めることができるので、ステムの主面上の適切な位置に受光素子を配置することができる。加えて、上記製造方法では、集積回路チップ上に接着剤を介してキャリアを搭載する前に、ステム上の電子部品と、集積回路チップの第１電極とをワイヤボンディングする。これにより、キャリアと集積回路チップとの間から押し出されて流動する接着剤によって第１電極が覆われることを回避できる。したがって、電子部品と第１電極とのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。

集積回路チップの長手方向に沿って第１電極が設けられると共に、集積回路チップの短手方向に沿って第２電極が設けられ、平面視にて、キャリアと第２電極との間隔は、キャリアと第１電極との間隔よりも大きてもよい。この場合、集積回路チップ上に接着剤を介してキャリアを搭載したとき、第１電極と比較して、当該接着剤が第２電極まで到達しにくくなる。このため、第２電極が接着剤によって覆われることを回避できる。したがって、第２電極と配線パターンとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。

キャリアにおいて第２電極に対向する側面は、傾斜面であり、傾斜面と、キャリアにおいて集積回路チップと対向する面とがなす角度は、鈍角であってもよい。この場合、上記側面と集積回路チップにおいて接着剤が設けられる面とがなす角度は、鋭角になる。このため、表面張力の影響によって、上記側面が垂直面であるときと比較して、接着剤が上記側面から離れにくくなる。したがって、流動する接着剤が第２電極まで到達しにくくなるので、第２電極が接着剤によって覆われることを回避できる。

第２電極は、集積回路チップにおいてキャリアが搭載される面上に設けられる電極パッドと、電極パッド上に設けられるバンプとを有し、第４工程では、バンプと配線パターンとをワイヤボンディングしてもよい。この場合、第２電極においては、電極パッドが接着剤に覆われたとしてもバンプの頂面は接着剤に覆われにくくなっている。このため、第２電極と配線パターンとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。

第２電極は、集積回路チップにおいてキャリアが搭載される面上に設けられる電極パッドと、電極パッド上に設けられる中継基板とを有し、第４工程では、中継基板の頂面に設けられると共に電極パッドに電気的に接続される導電部と、配線パターンとをワイヤボンディングしてもよい。この場合、第２電極においては、電極パッドが接着剤に覆われたとしても導電部は接着剤に覆われにくくなっている。このため、第２電極と配線パターンとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。

電極パッドと導電部とは、中継基板内に設けられるビア配線を介して電気的に接続されてもよい。この場合、ビア配線を中継基板によって保護できるので、電極パッドと導電部との導電状態を良好に保持できる。

電極パッドと導電部とは、中継基板の表面に設けられる中継配線を介して電気的に接続されてもよい。この場合、中継基板にビア配線が形成されるときと比較して、中継基板に中継配線を容易に形成できる。

本発明の他の一実施形態は、受光素子と、第１面及び第１面とは反対側の第２面を有し、第１面に前記受光素子を搭載するキャリアと、第２面に対向する第３面及び第３面とは反対側の第４面を有し、接着剤を介して第３面に前記キャリアを搭載する集積回路チップと、主面上に集積回路チップを搭載するステムと、受光素子と集積回路チップとを電気的に接続するワイヤと、を備え、集積回路チップの第３面上には、受光素子に電気的に接続される電極が設けられ、電極は、第３面上に設けられる電極パッドと、電極パッド上に設けられ、少なくともその頂面が接着剤から露出する導電部材とを有し、ワイヤは、導電部材と、キャリアの第１面上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンとにボンディングされている、受光モジュールである。

この受光モジュールでは、受光素子を搭載するキャリアが集積回路チップ上に搭載されている。これにより、集積回路チップの寸法が大きい場合であっても、受光素子の配置の自由度を高めることができるので、ステムの主面上の適切な位置に受光素子を配置することができる。また、集積回路チップの電極は、第３面上から露出する電極パッドと、電極パッド上に設けられ、少なくともその頂面が接着剤から露出する導電部材とを有する。加えて、ワイヤは、導電部材と、キャリアの第１面上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンとにボンディングされている。これにより、電極パッドが接着剤によって覆われたとしても、導電部材の頂面は接着剤から露出している。したがって、導電部材と配線パターンとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。

［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る受光モジュール及びその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明の一実施形態による受光モジュール１Ａの構成を示す断面図であって、入射光の光軸に沿った断面を示している。図１に示されるように、本実施形態の受光モジュール１Ａは、光ファイバに接続される光レセプタクル１０と、光レセプタクル１０に固定された受光部２０とを備える。また、光レセプタクル１０は、ファイバスタブ（スタブフェルール）１２と、金属部材１４と、スリーブ１６と、外郭部材（シェル）１８とを有する。ファイバスタブ１２は、フェルール１１と、光ファイバ１３とを有する。

フェルール１１は、円筒形状（または円柱形状）を有する部材である。フェルール１１の中心軸線は方向Ａ１に沿って延びており、フェルール１１の該中心軸線に垂直な断面は円形である。フェルール１１は、方向Ａ１において並ぶ基端面１１ａ及び先端面１１ｂを有する。先端面１１ｂは、光レセプタクル１０に接続される光コネクタのフェルールとフィジカルコンタクトを行う面であって、例えば球面状に研磨されている。基端面１１ａは、先端面１１ｂとは反対側の面であって、この光レセプタクル１０に取り付けられる受光部２０と対向する。基端面１１ａは、フェルール１１の中心軸線に垂直な面に対して僅かに（例えば８°程度）傾斜している。フェルール１１は、円柱面である外周面１１ｃを更に有する。

フェルール１１は、ファイバ保持孔１１ｄを更に有する。ファイバ保持孔１１ｄは、方向Ａ１に沿って延びており、フェルール１１の中心軸上に形成されている。ファイバ保持孔１１ｄの断面は円形状であり、その内径は光ファイバ１３の外径よりも僅かに大きい。ファイバ保持孔１１ｄの一方の開口は先端面１１ｂに含まれ、ファイバ保持孔１１ｄの他方の開口は基端面１１ａに含まれる。すなわち、ファイバ保持孔１１ｄは、フェルール１１の基端面１１ａと先端面１１ｂとの間を方向Ａ１に沿って貫通している。フェルール１１は、例えばジルコニア（ＺｒＯ₂）製である。靱性及びヤング率が高いジルコニアによってフェルール１１が構成されることにより、先端面１１ｂにおいてフィジカルコンタクトを好適に行うことができる。

光ファイバ１３は、例えばシングルモードファイバであって、樹脂被覆が除去された裸ファイバである。光ファイバ１３は、例えば石英製である。光ファイバ１３は、方向Ａ１を長手方向（光軸方向）として延びており、一端１３ａ及び他端１３ｂを有する。光ファイバ１３は、ファイバ保持孔１１ｄに挿入される。そして、先端面１１ｂ側のファイバ保持孔１１ｄの開口から一端１３ａが露出し、基端面１１ａ側のファイバ保持孔１１ｄの開口から他端１３ｂが露出する。一端１３ａは、光レセプタクル１０に接続される光コネクタ側の光ファイバの一端と接触する。他端１３ｂは、受光部２０のフォトダイオード２１（後述）と光学的に結合される。光ファイバ１３の外径は、例えば１２５μｍである。

金属部材１４は、方向Ａ１に延びる貫通孔１４ａを有し、貫通孔１４ａ内にファイバスタブ１２を保持する部材である。金属部材１４は、例えばステンレスといった金属材料からなる。金属部材１４は方向Ａ１に沿って延びる円筒形状を有する。金属部材１４は、基端面１４ｂ及び先端面１４ｃ、並びに外周面１４ｄを有する。基端面１４ｂ及び先端面１４ｃは方向Ａ１において並んでおり、貫通孔１４ａは基端面１４ｂと先端面１４ｃとの間を貫通している。方向Ａ１に垂直な貫通孔１４ａの断面は円形である。基端面１４ｂは、受光部２０のパッケージ２２（後述）と対向する。ファイバスタブ１２は、方向Ａ１に沿って、金属部材１４の貫通孔１４ａに圧入されている。すなわち、フェルール１１の外周面１１ｃは、貫通孔１４ａの内面と接しており、これによりファイバスタブ１２が金属部材１４に固定されている。

スリーブ１６は、方向Ａ１に沿って延びる円筒状の部材であり、例えばセラミック製である。一例では、スリーブ１６はフェルール１１と同じ材料（例えばジルコニア）からなる。スリーブ１６の内径は、ファイバスタブ１２の外径とほぼ等しい。スリーブ１６は、方向Ａ１において並ぶ基端１６ａ及び先端１６ｂを有する。また、スリーブ１６は、外周面１６ｃ及び内周面１６ｄを有する。スリーブ１６の基端１６ａ側の開口からは、ファイバスタブ１２が挿入されている。言い換えれば、スリーブ１６の基端１６ａ側の一部は、フェルール１１の外周面１１ｃと金属部材１４との隙間に挿入されている。従って、スリーブ１６の外周面１６ｃは金属部材１４と接しており、スリーブ１６の内周面１６ｄはフェルール１１の外周面１１ｃと接している。スリーブ１６の先端１６ｂ側の開口からは、光コネクタフェルールが挿入される。フェルール１１の先端面１１ｂと光コネクタフェルールの先端面とは、スリーブ１６内において互いに接触する。これにより、フェルール１１が保持する光ファイバ１３と、光コネクタフェルールが保持する光ファイバとが、高い結合効率でもって互いに光結合される。

外郭部材１８は、金属部材１４に固定されるとともに光コネクタと接続される部材である。外郭部材１８は、方向Ａ１に沿って延びる円筒状の部材であり、例えば金属製またはステンレス等の合金製である。外郭部材１８は、フランジ部１８ａと、方向Ａ１に沿って延びる貫通孔１８ｄとを有する。また、外郭部材１８は、方向Ａ１において並ぶ基端面１８ｂ及び先端部１８ｃを有する。フランジ部１８ａは、外郭部材１８の外側に向けて突出した円盤状の部分である。フランジ部１８ａは、外郭部材１８の基端面１８ｂ側に設けられており、本実施形態ではフランジ部１８ａの一方の面が基端面１８ｂを構成する。貫通孔１８ｄは、基端面１８ｂと先端部１８ｃとの間を貫通している。方向Ａ１に垂直な貫通孔１８ｄの断面は円形であり、その中心軸線は、ファイバスタブ１２及び金属部材１４の中心軸線と重なる。外郭部材１８は、貫通孔１８ｄの一部として、基端面１８ｂ側の第１の部分１８ｅと、先端部１８ｃ側の第２の部分１８ｆとを含む。第１の部分１８ｅは、基端面１８ｂから方向Ａ１に沿って第２の部分１８ｆまで延びている。第２の部分１８ｆは、先端部１８ｃから方向Ａ１に沿って第１の部分１８ｅまで延びている。そして、第１の部分１８ｅ及び第２の部分１８ｆは、スリーブ１６の先端１６ｂと先端部１８ｃとの間において相互に連結（連通）している。第１の部分１８ｅの内径は、スリーブ１６の外周面１６ｃの外径とほぼ等しいか、僅かに大きい。第２の部分１８ｆの内径は、スリーブ１６の内周面１６ｄの内径よりも僅かに大きい。このように、第１の部分１８ｅの内径は第２の部分１８ｆの内径よりも大きいので、第１の部分１８ｅと第２の部分１８ｆとの間には段差面１８ｇが形成されている。段差面１８ｇは、スリーブ１６の先端１６ｂと対向している。

受光部２０は、フォトダイオード２１（受光素子）、パッケージ２２、レンズ２３、ステム２４、キャリア２５、集積回路チップ２６、及び複数のリードピン２７を有する。

ステム２４は、略円形の平板状の絶縁性部材であり、平坦な主面２４ａを有する。主面２４ａは、光レセプタクル１０に接続される光ファイバの光軸（すなわち光ファイバ１３の光軸）と交差する。一例では、主面２４ａは、光レセプタクル１０に接続される光ファイバの光軸（光ファイバ１３の光軸）に対して垂直である。ステム２４は、例えばセラミックといった材料からなる。

パッケージ２２は、略円筒状の金属部材であり、その中心軸は光ファイバ１３の光軸に沿っている。光ファイバ１３の光軸方向におけるパッケージ２２の基端側の一端２２ａは、円環状の部材２９を介してステム２４の主面２４ａに固定されている。具体的には、円環状の部材２９は該光軸方向における一端面２９ａおよび他端面２９ｂを有する。パッケージ２２の基端側の一端２２ａは部材２９の一端面２９ａに固着されており、ステム２４の主面２４ａは部材２９の他端面２９ｂに固着されている。また、光ファイバ１３の光軸方向におけるパッケージ２２の先端側の一端２２ｂは、円筒状の部材１９を介して金属部材１４に固定されている。具体的には、部材１９の先端側の一端から金属部材１４が挿入され、金属部材１４の外周面と部材１９の内周面とが互いに固着されている。また、パッケージ２２の先端側の一端２２ｂが部材１９の基端側の面に固着されている。パッケージ２２は、例えば鉄ニッケル合金といった材料からなる。

複数のリードピン２７は、ステム２４の主面２４ａと交差する方向に延びる棒状の金属部材である。複数のリードピン２７は、ステム２４を貫通して設けられ、ステム２４に固定されている。複数のリードピン２７は、パッケージ２２およびステム２４によって画成される空間内に配置されるフォトダイオード２１及び集積回路チップ２６に対して電気信号および電源電力の授受を行う。

レンズ２３は、パッケージ２２の内側に保持され、パッケージ２２の内周面に対し樹脂２３ａを介して固定されている。レンズ２３は、光透過部材からなる集光レンズであり、光ファイバ１３の光軸上に配置されている。レンズ２３は、光ファイバ１３の他端１３ｂから出射された光をフォトダイオード２１付近に向けて集光する。フォトダイオード２１からの戻り光を防ぐ為、レンズ２３の光軸は、光ファイバ１３の光軸に対して僅かにオフセットされている。

フォトダイオード２１は、レンズ２３を介して光ファイバ１３の他端１３ｂと光学的に結合されており、光レセプタクル１０に接続される光ファイバからの光を受けて該光の強度に応じた大きさの電流信号を出力する。フォトダイオード２１は、絶縁性のキャリア２５上に搭載され、キャリア２５は集積回路チップ２６上に配置されている。すなわち、フォトダイオード２１は、キャリア２５を介して集積回路チップ２６上に搭載されている。集積回路チップ２６は、フォトダイオード２１からの電流信号を受けて、該電流信号を電圧信号に変換する半導体ＩＣである。

ここで、図２は、受光部２０のフォトダイオード２１付近の構成を拡大して示す側面図である。図２に示されるように、集積回路チップ２６は、第３面２６ｂ及び第３面２６ｂとは反対側の第４面２６ａを有する。第４面２６ａ及び第３面２６ｂは、光ファイバ１３の光軸方向に並んでおり、該光軸方向と交差する（例えば直交する）平面に沿って延びている。集積回路チップ２６は、第４面２６ａにおいてステム２４の主面２４ａと対向する。キャリア２５は、第１面２５ｂ及び第１面２５ｂとは反対側の第２面２５ａを有する。キャリア２５は、第２面２５ａにおいて集積回路チップ２６の第３面２６ｂと対向する。また、フォトダイオード２１は、主面２１ａ及び主面２１ａとは反対側の反対面２１ｂを有し、主面２１ａから光を受ける。キャリア２５は、第１面２５ｂとフォトダイオード２１の反対面２１ｂとが対向するように、第１面２５ｂ上にフォトダイオード２１を搭載する。

図３は、パッケージ２２およびレンズ２３を取り除いた受光部２０の平面図である。図４は、集積回路チップ２６の第３面２６ｂの平面図である。図５は、キャリア２５の第１面２５ｂの平面図である。図３に示されるように、ステム２４の主面２４ａ上には、基準電位（グランド電位）に規定されるＧＮＤパターン２４ｂが設けられている。ＧＮＤパターン２４ｂは、例えばビアホール（図示せず）を介してステム本体と接続されている。また、ステム２４の周縁部には、複数のリードピン２７ａ～２７ｆが設けられている。

図４に示されるように、集積回路チップ２６の第３面２６ｂは、短手方向に沿って延びる一対の辺２６ｃ，２６ｄと、長手方向に沿って延びる一対の辺２６ｅ，２６ｆとを有する長方形状を呈している。集積回路チップ２６は、複数の電極２８を第３面２６ｂ上に有する。本実施形態では、各電極２８は電極パッドである。複数の電極２８のうち、第３面２６ｂの辺２６ｃ（すなわち、集積回路チップ２６の短手方向）に沿って並ぶ３つの電極２８ａ～２８ｃは、フォトダイオード２１と電気的に接続される。具体的には、２つの電極２８ａ，２８ｃはフォトダイオード２１のカソード電極に接続され、バイアス電圧をフォトダイオード２１に印加する。電極２８ｂはフォトダイオード２１のアノード電極に接続され、フォトダイオード２１から出力された電流信号を受ける。

また、第３面２６ｂの辺２６ｅ寄りに位置する電極２８ｄは、フォトダイオード２１へのバイアス電圧を受光モジュール１Ａの外部から入力する。図３に示されるように、電極２８ｄは、ＧＮＤパターン２４ｂ上に実装された電子部品であるキャパシタ（チップコンデンサ）４１の一方の電極と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。キャパシタ４１の該一方の電極は、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ｄと電気的に接続されている。キャパシタ４１の他方の電極は、ＧＮＤパターン２４ｂに導電性接着剤（例えばはんだ等）を介して電気的に接続されている。

また、第３面２６ｂの辺２６ｆに沿って並ぶ電極２８ｅ，２８ｆは、集積回路チップ２６への電源電圧を受光モジュール１Ａの外部から入力する。図３に示されるように、電極２８ｅ，２８ｆは、ＧＮＤパターン２４ｂ上に実装されたキャパシタ（チップコンデンサ）４２の一方の電極と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。キャパシタ４２の該一方の電極は、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ａと電気的に接続されている。キャパシタ４２の他方の電極は、ＧＮＤパターン２４ｂに導電性接着剤を介して電気的に接続されている。

また、第３面２６ｂの辺２６ｅ寄りに位置する電極２８ｇは、ＧＮＤパターン２４ｂ上に実装されたキャパシタ（チップコンデンサ）４４の一方の電極と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。キャパシタ４４の該一方の電極は、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ｂと電気的に接続されている。キャパシタ４４の他方の電極は、ＧＮＤパターン２４ｂに導電性接着剤を介して電気的に接続されている。

また、電極２８ｅ，２８ｆの間に位置し、電極２８ｅ，２８ｆと共に第３面２６ｂの辺２６ｆに沿って並ぶ電極２８ｈは、ＧＮＤパターン２４ｂ上に実装されたキャパシタ（チップコンデンサ）４５の一方の電極と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。キャパシタ４５の該一方の電極は、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ｃと電気的に接続されている。キャパシタ４５の他方の電極は、ＧＮＤパターン２４ｂに導電性接着剤を介して電気的に接続されている。

また、第３面２６ｂの辺２６ｄに沿って並ぶ電極２８ｉ，２８ｊは、フォトダイオード２１からの電流信号に基づいて生成された電圧信号を受光モジュール１Ａの外部へ出力する。図３に示されるように、一方の電極２８ｉは、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ｅと電気的に接続されている。また、他方の電極２８ｊは、ボンディングワイヤを介して別のリードピン２７ｆと電気的に接続されている。

なお、複数の電極２８には、集積回路チップ２６の基準電位（グランド電位）を規定する複数の電極２８ｋ～２８ｏが含まれている。これらの電極２８ｋ～２８ｏは、ボンディングワイヤ及び導電性のＧＮＤブロック４３（図３参照）を介してＧＮＤパターン２４ｂと電気的に接続される。また、他の電極２８には、電流モニタ用の電極パッド、及びゲイン調整用の電極パッド等が含まれている。

図５に示されるように、キャリア２５の第１面２５ｂは、短手方向に沿って延びる一対の辺２５ｃ，２５ｄと、長手方向に沿って延びる一対の辺２５ｅ，２５ｆとを有する長方形状を呈している。図３に示されるように、キャリア２５の長手方向は、集積回路チップ２６の長手方向と一致する。キャリア２５の第１面２５ｂの面積は、集積回路チップ２６の第３面２６ｂの面積の半分以上である。なお、図５に示される正方形の枠Ｃ１は、フォトダイオード２１の搭載領域を示している。

キャリア２５は、フォトダイオード２１と電気的に接続される配線パターン３１～３３を第１面２５ｂ上に有する。配線パターン３１～３３は、第１面２５ｂの長手方向に沿って延びており、短手方向においてこの順に並んでいる。配線パターン３１～３３は、それらの延在方向の一端に、パッド３１ｂ～３３ｂをそれぞれ含む。配線パターン３２のパッド３２ｂは、フォトダイオード２１の反対面２１ｂに設けられた一方の電極パッドに、配線パターン３１及び３３のパッド３１ｂ，３３ｂは、フォトダイオード２１の反対面２１ｂに設けられた他方の電極パッドに、それぞれ導電性接着剤を介して電気的に接続される。また、配線パターン３１～３３は、それらの延在方向の他端に、ボンディングパッド３１ａ～３３ａをそれぞれ含む。ボンディングパッド３１ａ～３３ａは、第１面２５ｂの辺２５ｃに沿って並んでいる。ボンディングパッド３１ａ～３３ａの間隔は、例えば５０μｍである。図３に示されるように、ボンディングパッド３１ａ～３３ａは、個別のボンディングワイヤを介して電極２８ａ～２８ｃにそれぞれ接続される。こうして、配線パターン３１～３３は、電極２８ｂとフォトダイオード２１の一方の電極とを電気的に接続し、電極２８ａ，２８ｃとフォトダイオード２１の他方の電極とを電気的に接続する。

キャリア２５の第１面２５ｂ上には、配線パターン３４が更に設けられている。配線パターン３４は、配線パターン３１～３３と辺２５ｄとの間に配置されている。配線パターン３４は、導電性接着剤の流れ止め領域３５を介して配線パターン３１，３３と電気的に接続されている。流れ止め領域３５の一部は、フォトダイオード２１と重なる。配線パターン３４上には、キャパシタ（チップコンデンサ）が実装される。なお、図５に示される正方形の枠Ｃ２は、キャパシタの搭載領域を示している。このキャパシタの一方の電極は配線パターン３４と電気的に接続され、他方の電極はボンディングワイヤを介して集積回路チップ２６の電極２８ｋ～２８ｏのいずれかと電気的に接続される。

ここで、図５には、入射光の中心軸ＡＸが示されている。この中心軸ＡＸは、パッケージ２２およびステム２４の中心軸線に対して僅かにオフセットされている。そして、本実施形態では、電極２８ａ～２８ｃ及びボンディングパッド３１ａ～３３ａが、中心軸ＡＸを挟んでフォトダイオード２１の中心Ｏとは反対側に配置されている。言い換えると、中心軸ＡＸは、電極２８ａ～２８ｃ及びボンディングパッド３１ａ～３３ａと、フォトダイオード２１の中心Ｏとの間に位置する。したがって、フォトダイオード２１の中心Ｏは、中心軸ＡＸと一致しておらず、中心軸ＡＸから外れている。第１面２５ｂの長手方向におけるフォトダイオード２１の受光面の中心Ｏと中心軸ＡＸとの距離Ｄ１は、例えば２００μｍである。パッド３１ｂ～３３ｂとボンディングパッド３１ａ～３３ａとを結ぶ方向（すなわち第１面２５ｂの長手方向）における配線パターン３１～３３の長さＬ１は、同方向における第１面２５ｂの長さＬ２の１／４以上であり、より好適には１／２以上である。

次に、本実施形態に係る受光モジュール１Ａの製造方法の一例について説明する。以下では、図６～図１１を参照しながら、ステム２４上にフォトダイオード２１を搭載する方法の一例を具体的に説明する。図６～８，１０は、本実施形態に係る受光モジュール１Ａの製造方法を説明するための図である。図９（ａ）は、図８のＩＸａ－ＩＸａ線に沿った断面図であり、図９（ｂ）は、図８のＩＸｂ－ＩＸｂ線に沿った断面図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿った断面図である。

まず、図６に示されるように、ステム２４の主面２４ａ上に、複数の電極２８が設けられた集積回路チップ２６と、キャパシタ４１，４２等の電子部品とを搭載する（第１工程）。第１工程では、集積回路チップ２６の第４面２６ａがステム２４の主面２４ａと対向するように、集積回路チップ２６をステム２４に搭載する。これにより、集積回路チップ２６の第３面２６ｂ及び複数の電極２８が露出する。なお第１工程では、ステム２４の主面２４ａ上には、集積回路チップ２６を搭載した後にキャパシタ４１，４２等を搭載してもよいし、キャパシタ４１，４２等を搭載した後に集積回路チップ２６を搭載してもよい。

次に、図７に示されるように、複数の電極２８の一部と、上記電子部品とをワイヤボンディングする（第２工程）。第２工程では、複数の電極２８において集積回路チップ２６の長手方向に沿って並ぶ電極（第１電極）と、上記電子部品とをワイヤボンディングする。本実施形態では、電極２８ｄとキャパシタ４１とをワイヤボンディングし、電極２８ｅ，２８ｆとキャパシタ４２とをワイヤボンディングし、電極２８ｇとキャパシタ４４とをワイヤボンディングし、電極２８ｈとキャパシタ４５とをワイヤボンディングする。例えば、電極２８ｈとキャパシタ４５とは、ワイヤＷ１を介して電気的に接続されている。また、第２工程では、電極２８ｉとリードピン２７ｅとをワイヤボンディングし、電極２８ｊとリードピン２７ｆとをワイヤボンディングする。また、電極２８ｋ～２８ｏと、対応するＧＮＤブロック４３とをワイヤボンディングする。加えて第２工程では、キャパシタ４１とリードピン２７ｄとをワイヤボンディングし、キャパシタ４２とリードピン２７ａとをワイヤボンディングし、キャパシタ４４とリードピン２７ｂとをワイヤボンディングし、キャパシタ４５とリードピン２７ｃとをワイヤボンディングする。各ワイヤボンディングは、公知の方法にて実施される。

次に、図８に示されるように、集積回路チップ２６上に、フォトダイオード２１が搭載されたキャリア２５を搭載する（第３工程）。第３工程では、キャリア２５の第２面２５ａが集積回路チップ２６の第３面２６ｂと対向するように、キャリア２５を集積回路チップ２６に搭載する。このとき、各電極２８は、キャリア２５から露出している。平面視にてキャリア２５と各電極２８との間隔は、異なっている。例えば、電極２８において後にフォトダイオード２１にワイヤボンディングされる電極２８ａ～２８ｃ（第２電極）とキャリア２５との間隔は、ステム２４に搭載された電子部品にワイヤボンディングされる電極２８ｄ～２８ｈ（第１電極）とキャリア２５との間隔よりも大きくなっている。具体例としては、図９（ａ），（ｂ）に示されるように、キャリア２５において電極２８ｈに対向する側面２５ｇと、電極２８ｈとの間隔Ｓ１は、キャリア２５において電極２８ａに対向する側面２５ｈと、電極２８ａとの間隔Ｓ２よりも小さくなっている。間隔Ｓ２は、例えば間隔Ｓ１の２倍以上である。本実施形態では、間隔Ｓ１は５０μｍ以上９０μｍ以下であり、間隔Ｓ２は２００μｍ以上２４０μｍ以下である。なお、側面２５ｇは、キャリア２５において辺２５ｆを含み且つ第１面２５ｂと異なる面であり、側面２５ｈは、キャリア２５において第１面２５ｂの辺２５ｃを含み且つ第１面２５ｂと異なる面である。

図９（ａ），（ｂ）に示されるように、第３工程では、キャリア２５を接着剤５１を介して集積回路チップ２６上に搭載している。接着剤５１は、例えば紫外線硬化性樹脂等を含んでおり、その硬化前には流動性を示す。このため、例えばキャリア２５の第２面２５ａに接着剤５１を付着させた後、接着剤５１を介して集積回路チップ２６にキャリア２５を搭載したとき、接着剤５１の一部がキャリア２５と集積回路チップ２６との間から押し出されて流動する。本実施形態では、上述した間隔Ｓ１，Ｓ２の関係から、流動した接着剤５１は、電極２８ｈには到達しやすくなっているが、電極２８ａには到達しにくくなっている。このため、電極２８ａの表面は、電極２８ｈよりも接着剤５１によって覆われにくくなっている。

次に、図１０に示されるように、電極２８ａ～２８ｃと、キャリア２５上に設けられると共にフォトダイオード２１に接続される配線パターン３１～３３をそれぞれワイヤボンディングする（第４工程）。第４工程では、例えば図１１に示されるように、電極２８ａと配線パターン３１とにワイヤＷ２をボンディングする。同様に、電極２８ｂ，２８ｃと配線パターン３２，３３とをそれぞれ異なるワイヤにて電気的に接続する。以上の第１工程～第４工程を順に実施することによって、ステム２４上にフォトダイオード２１を搭載する。続いて、ステム２４にパッケージ２２及びレンズ２３を取り付けて受光部２０を形成する。この受光部２０を光レセプタクル１０に固定することによって、受光モジュール１Ａを製造する。

以上に説明した、本実施形態に係る製造方法によって製造された受光モジュール１Ａによれば、フォトダイオード２１を搭載するキャリア２５の第２面２５ａと、集積回路チップ２６の第３面２６ｂとは、対向している。すなわち、フォトダイオード２１を搭載するキャリア２５が、集積回路チップ２６上に搭載されている。これにより、集積回路チップ２６の寸法が大きい場合であっても、フォトダイオード２１の配置の自由度を高めることができるので、フォトダイオード２１を入射光の中心軸の近くに配置することができ、受光感度の低下を抑制できる。加えて、本実施形態に係る製造方法では、集積回路チップ２６上に接着剤５１を介してキャリア２５を搭載する前に、ステム２４上のキャパシタ４１等の電子部品と、集積回路チップ２６の電極２８ｄ～２８ｈとをワイヤボンディングする。これにより、キャリア２５と集積回路チップ２６との間から押し出されて流動する接着剤５１によって電極２８ｄ～２８ｈが覆われることを回避できる。したがって、上記電子部品と電極２８ｄ～２８ｈとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。

更には、本実施形態の受光モジュール１Ａでは、長く延びる配線パターン３１～３３がキャリア２５の第１面２５ｂに設けられている。これにより、集積回路チップ２６の電極２８ａ～２８ｃとフォトダイオード２１との距離を長くすることが可能となり、電極２８ａ～２８ｃの位置によらずフォトダイオード２１を自在に配置することができる。さらに、この受光モジュール１Ａでは、電極２８ａ～２８ｃ及びボンディングパッド３１ａ～３３ａが、入射光の中心軸ＡＸを挟んでフォトダイオード２１の中心Ｏとは反対側に配置される。これにより、ステム２４の主面２４ａに占める集積回路チップ２６の割合が大きい場合でも、フォトダイオード２１を入射光の中心軸ＡＸから適度に離間させてＯＲＬを低減することができる。

本実施形態では、平面視にて、キャリア２５と集積回路チップ２６の短手方向に沿って設けられる電極２８ａとの間隔Ｓ２は、キャリア２５と集積回路チップ２６の長手方向に沿って設けられる電極２８ｈとの間隔Ｓ１よりも大きい。このため、集積回路チップ２６上に接着剤５１を介してキャリア２５を搭載したとき、電極２８ｈと比較して、接着剤５１が電極２８ａまで到達しにくくなる。このため、電極２８ａが接着剤５１によって覆われることを回避できる。したがって、電極２８ａと配線パターン３１とのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。

以下では、上記実施形態の第１～第４変形例について説明する。各変形例においては、重複した説明は省略される。

（第１変形例）
図１２は、上記実施形態の第１変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１２に示されるように、キャリア２５Ａにおいて電極２８ａに対向する側面２５ｈは、傾斜面になっている。また、側面２５ｈと第１面２５ｂとがなす角度θ１は鋭角になっており、側面２５ｈと第２面２５ａとがなす角度θ２は鈍角になっている。このため、側面２５ｈは、方向Ａ１において第１面２５ｂに近づくにつれて、外側に位置するように傾斜している。側面２５ｈにおいて第１面２５ｂと共有する辺２５ｉは、平面視にて電極２８ａから最も離れている。辺２５ｉと電極２８ａとの間隔Ｓ３は、間隔Ｓ１以上であってもよいし、間隔Ｓ１未満であってもよい。このような第１変形例では、上記実施形態のように側面２５ｈが垂直面であるときと比較して、接着剤５１の表面張力の影響によって、接着剤５１が側面２５ｈから離れにくくなる。したがって、上述したように間隔Ｓ３が設定された場合であっても、接着剤５１が電極２８ａまで到達しにくくなる。このため、第１変形例においても、電極２８ａと配線パターン３１とのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。

（第２変形例）
図１３は、上記実施形態の第２変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１３に示されるように、電極２８ａは、第３面２６ｂ上に設けられる電極パッド６１と、電極パッド６１上に設けられる導電部材６２とを有する。第２変形例における導電部材６２は、方向Ａ１に沿って電極パッド６１から突出する導電性のバンプ（突起）である。導電部材６２は、例えばボールボンダーを用いて形成する。導電部材６２の方向Ａ１に沿った長さ（高さ）は、例えば２０μｍ以上５０μｍ以下である。導電部材６２は、例えば、集積回路チップ２６がステム２４の主面２４ａ上に搭載される前に、電極パッド６１上に設けられる。第２変形例では、少なくとも電極２８ｂ，２８ｃが、電極２８ａと同様に導電部材であるバンプを有している。少なくとも導電部材６２の頂面６２ａは、接着剤５１から露出している。第２変形例では、上記第４工程にて頂面６２ａと配線パターン３１とをワイヤボンディングする。このため、ワイヤＷ２は、頂面６２ａと配線パターン３１とにボンディングされる。以上に説明した第２変形例では、例えば電極２８ａの電極パッド６１が接着剤５１に覆われたとしても、導電部材６２であるバンプの頂面６２ａは接着剤５１に覆われにくくなっている。このため第２変形例では、上記実施形態及び上記第１変形例と同様の作用効果が奏される。なお、平面視におけるキャリア２５と電極２８ａとの最短距離は、間隔Ｓ１以上であってもよいし、間隔Ｓ１未満であってもよい。

（第３変形例）
図１４（ａ）は、上記実施形態の第３変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１４（ａ）に示されるように、電極２８ａは、電極パッド６１と、電極パッド６１上に設けられる導電部材６２Ａとを有する。第３変形例における導電部材６２Ａは、中継基板であり、例えばフリップチップボンディングによって電極パッド６１上に実装される。導電部材６２Ａは、略直方体形状を呈する基材７１と、基材７１内に設けられるビア配線７２と、基材７１の頂面７１ａに設けられると共にビア配線７２を介して電極パッド６１に電気的に接続される導電部７３とを有する。ビア配線７２の両端は基材７１から露出しており、その一端は電極パッド６１に接触しており、その他端は導電部７３に接触している。導電部７３は、導電部材６２Ａにおける端子として機能し、平面視にて略矩形状を呈する。第３変形例では、上記第４工程にて、導電部７３と配線パターン３１とをワイヤボンディングする。このため、ワイヤＷ２は、導電部７３と配線パターン３１とにボンディングされている。以上に説明した第３変形例においても、上記第２変形例と同様の作用効果が奏される。加えて、ビア配線７２を中継基板である導電部材６２Ａの基材７１によって保護できるので、電極パッド６１と導電部７３との導電状態を良好に保持できる。なお、平面視におけるキャリア２５と電極２８ａとの最短距離は、間隔Ｓ１以上であってもよいし、間隔Ｓ１未満であってもよい。

図１４（ｂ）は、中継基板を示す概略斜視図であり、図１４（ｃ）は、中継基板の概略平面図である。図１４（ｂ），（ｃ）に示されるように、基材７１には、ビア配線７２及び導電部７３は、それぞれ複数設けられている。第３変形例では、各ビア配線７２は、電極２８ａ～２８ｃの電極パッド６１にそれぞれ接触する。このため、電極２８ａ～２８ｃは、共通する導電部材６２Ａを備える。なお第３変形例では、基材７１の方向Ａ１に沿った長さ（高さ）は０．２ｍｍであり、頂面７１ａの短辺の長さは０．３ｍｍであり、頂面７１ａの長辺の長さは０．７ｍｍであってもよい。また、平面視におけるビア配線７２は円形状を呈しており、その直径は０．１ｍｍであってもよい。平面視におけるビア配線７２同士の距離は０．１ｍｍであってもよい。平面視における導電部７３は矩形形状を呈しており、その一辺は０．１５ｍｍであってもよい。

上記第３変形例において、電極２８ａは、基材７１を有しているので、上記実施形態及び上記第１変形例の電極２８よりも高い。このため、ワイヤＷ２の長さを上記実施形態及び上記第１変形例よりも短くできるので、ワイヤＷ２による信号損失を低減できる。基材７１の高さがキャリア２５と同程度である場合、ワイヤＷ２の長さをさらに短くできる。

（第４変形例）
図１５（ａ）は、上記実施形態の第４変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１５（ｂ）は、第４変形例の導電部材を示す概略斜視図である。図１５（ａ），（ｂ）に示されるように、電極２８ａは、電極パッド６１と、電極パッド６１上に設けられる導電部材６２Ｂとを有する。導電部材６２Ｂは、基材７１Ａと、基材７１Ａの表面に設けられる中継配線７２Ａと、基材７１Ａの頂面７１ａに設けられると共に中継配線７２Ａを介して電極パッド６１に電気的に接続される導電部７３とを有する。中継配線７２Ａの全体は基材７１Ａから露出しており、その一端は電極パッド６１に接触しており、その他端は導電部７３に接触している。中継配線７２Ａは、例えば基材７１の表面をメタライズすることによって形成される。中継配線７２Ａの幅は、例えば０．１ｍｍである。第４変形例では、上記第３変形例と同様に、上記第４工程にて導電部７３と配線パターン３１とをワイヤボンディングする。このため、導電部７３と配線パターン３１とはワイヤＷ２を介して電気的に接続されている。以上に説明した第４変形例においても、上記第２変形例及び第３変形例と同様の作用効果が奏される。加えて、第３変形例と比較すると、中継配線７２Ａを容易に形成できる。

本発明による受光モジュール及びその製造方法は、上述した実施形態及び変形例に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態および各変形例を、必要な目的及び効果に応じて互いに組み合わせてもよい。例えば、上記実施形態と上記第１変形例を組み合わせて、側面２５ｈを傾斜面にすると共に、辺２５ｃと電極２８ａとの間隔を間隔Ｓ２に合わせてもよい。この場合、接着剤５１が電極２８ａにさらに到達しにくくなる。上記第１変形例に対して、上記第２変形例～上記第４変形例のいずれかを組み合わせてもよい。

１Ａ…受光モジュール、１０…光レセプタクル、１１…フェルール、１１ａ…基端面、１１ｂ…先端面、１１ｃ…外周面、１１ｄ…ファイバ保持孔、１２…ファイバスタブ、１３…光ファイバ、１３ａ…一端、１３ｂ…他端、１４…金属部材、１４ａ…貫通孔、１４ｂ…基端面、１４ｃ…先端面、１４ｄ…外周面、１６…スリーブ、１６ａ…基端、１６ｂ…先端、１６ｃ…外周面、１６ｄ…内周面、１８…外郭部材、１８ａ…フランジ部、１８ｂ…基端面、１８ｃ…先端部、１８ｄ…貫通孔、１８ｅ…第１の部分、１８ｆ…第２の部分、１８ｇ…段差面、１９…部材、２０…受光部、２１…フォトダイオード（受光素子）、２１ａ…主面、２１ｂ…反対面、２２…パッケージ、２３…レンズ、２３ａ…樹脂、２４…ステム、２４ａ…主面、２４ｂ…ＧＮＤパターン、２５，２５Ａ…キャリア、２５ａ…第２面、２５ｂ…第１面、２５ｃ～２５ｆ…辺、２６…集積回路チップ、２６ａ…第４面、２６ｂ…第３面、２６ｃ～２６ｆ…辺、２７ａ～２７ｆ…リードピン、２８，２８ａ～２８ｏ…電極、２９…部材、３１～３４…配線パターン、３１ａ～３３ａ…ボンディングパッド、３１ｂ～３３ｂ…パッド、３５…流れ止め領域、４１，４２…キャパシタ、４３…ＧＮＤブロック、５１…接着剤、６１…電極パッド、６２，６２Ａ，６２Ｂ…導電部材、７１…基材、７２…ビア配線、７２Ａ…中継配線、７３…導電部、ＡＸ…入射光の中心軸。

Claims

ステムの主面上に、第１電極及び第２電極が設けられた集積回路チップ、並びに電子部品を搭載する第１工程と、
前記第１電極及び前記電子部品をワイヤボンディングする第２工程と、
前記集積回路チップ上に、受光素子が搭載されたキャリアを接着剤を介して搭載する第３工程と、
前記第２電極、及び前記キャリア上に設けられると共に前記受光素子に接続される配線パターンをワイヤボンディングする第４工程と、
をこの順に備える受光モジュールの製造方法。
前記集積回路チップの長手方向に沿って前記第１電極が設けられると共に、前記集積回路チップの短手方向に沿って前記第２電極が設けられ、
平面視にて、前記キャリアと前記第２電極との間隔は、前記キャリアと前記第１電極との間隔よりも大きい、請求項１に記載の受光モジュールの製造方法。
前記キャリアにおいて前記第２電極に対向する側面は、傾斜面であり、
前記傾斜面と、前記キャリアにおいて前記集積回路チップに対向する面とがなす角度は、鈍角である、請求項１又は２に記載の受光モジュールの製造方法。
前記第２電極は、前記集積回路チップにおいて前記キャリアが搭載される面上に設けられる電極パッドと、前記電極パッド上に設けられるバンプとを有し、
前記第４工程では、前記バンプと前記配線パターンとをワイヤボンディングする、請求項１～３のいずれか一項に記載の受光モジュールの製造方法。
前記第２電極は、前記集積回路チップにおいて前記キャリアが搭載される面上に設けられる電極パッドと、前記電極パッド上に設けられる中継基板とを有し、
前記第４工程では、前記中継基板の頂面に設けられると共に前記電極パッドに電気的に接続される導電部と、前記配線パターンとをワイヤボンディングする、請求項１～３のいずれか一項に記載の受光モジュールの製造方法。
前記電極パッドと前記導電部とは、前記中継基板内に設けられるビア配線を介して電気的に接続される、請求項５に記載の受光モジュールの製造方法。
前記電極パッドと前記導電部とは、前記中継基板の表面に設けられる中継配線を介して電気的に接続される、請求項５に記載の受光モジュールの製造方法。