JPH08130266A

JPH08130266A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH08130266A
Application number: JP6269040A
Authority: JP
Inventors: Masaru Ogawa; 勝小川
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-11-01
Filing date: 1994-11-01
Publication date: 1996-05-21

Abstract

(57)【要約】【目的】レーザチップを静電破壊およびサージ破壊か
ら守ることができる半導体レーザ装置を提供する。【構成】半導体レーザ装置１１において、ステム１６
と一体的に形成された配置台１８に取付けられた半導体
レーザチップ２５に、駆動用の電流を供給する電流注入
端子２９が挿通する透孔２０部分にて、電流注入端子２
９とステム１６との間の空間を、誘電体材料から成る封
止部材３２によって封止する。そのため、電流注入端子
２９を経由して半導体レーザチップ２５へと侵入する静
電気および電流注入端子２９を流れる駆動電流に重畳さ
れたノイズ電流を吸収することができ、半導体レーザチ
ップ２５を静電破壊およびサージ破壊から保護すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置など
において好適に実施される静電気およびサージ電流に対
する対策を行った半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１０は従来例である半導体レーザ装置
８１の断面図であり、図１１は半導体レーザ装置８１に
設けられる半導体レーザチップ９１の両端の電流注入端
子９３とコモン端子８７との間の等価回路図である。半
導体レーザ装置８１は、後述する半導体部品が設けられ
るステム部８２と、半導体部品を覆うキャップ８３とを
含んで構成される。

【０００３】ステム部８２は、導体である円板状のステ
ム８６と、ステム８６の一方表面８６ａの周縁部からス
テム８６と一体となるように立設されるアース側のリー
ド端子であるコモン端子８７と、ステム８６における他
方表面８６ｂの中央部近傍にステム８６と一体となるよ
うに設置される配置台８８とを含んで構成される。ま
た、ステム８６における他方表面８６ｂの中央部付近に
は、周縁部側から中央部に向けて所定の傾斜をもつ傾斜
部８９が形成され、コモン端子８７と所定の距離だけ離
れたステム８６の周縁部に透孔９０が形成される。ステ
ム８６の中央部に位置するように配置台８８の側壁８８
ａにおける上面側に半導体レーザチップ９１を固着す
る。ステム８６の中央部近傍の傾斜部８９に光出力を検
出するためのフォトダイオード９２が配設される。図１
０においてフォトダイオード９２に対する配線は図示し
ていない。

【０００４】透孔９０には、透孔９０よりも径が小さ
く、半導体レーザチップ９１に駆動電流を供給するリー
ド端子である電流注入端子９３が、先端部９３ａをステ
ム８６の他方表面８６ｂから突出するように挿入され
る。透孔９０において、電流注入端子９３の周囲の空間
にはガラス製材料による封止部材９４が設置される。封
止部材９４によって、電流注入端子９３と前記半導体レ
ーザチップ９１が取付けられているステム８６とが電気
的に接触せず、かつ電流注入端子９３をステム８６に固
定することができ、さらにステム８６と後述するキャッ
プ８３とによって形成される空間を気密封止することが
できる。なお、図示しないフォトダイオード９２からの
出力用のリード端子である出力端子についても電流注入
端子９３と同様に形成される。

【０００５】電流注入端子９３の先端部９３ａと半導体
レーザチップ９１とは、導線９５によって電気的に接続
される。

【０００６】キャップ８３は、キャップ本体８４とガラ
ス板９６とによって構成される。キャップ本体８４は、
上面８４ａの中央部に所定の大きさである円形の透孔８
４ｂが形成される。ガラス板９６は透孔８４ｂよりも大
きく上面８４ａよりも小さく形成され、キャップ本体８
４の内側から透孔８４ｂを覆うようにキャップ本体８４
に固着される。キャップ８３は開口部をもち、該開口部
によってステム８６上に前述のように配設された半導体
レーザ装置８１の他の構成要素を覆うようにステム部８
２に対して固着される。

【０００７】上述のように構成された半導体レーザ装置
８１において、電流注入端子９３を介して半導体レーザ
チップ９１に駆動用の電流が供給されると、半導体レー
ザチップ９１はガラス板９６を介して半導体レーザ装置
８１の外部へとレーザ光を出射する。所定の物体によっ
て反射されたレーザ光は、ガラス板９６を介して半導体
レーザ装置８１の内部に入り、光出力を検出するための
フォトダイオード９２によって検出され、電気的な信号
へと変換されて図示しない出力端子を介して外部に接続
された装置へと信号が出力される。

【０００８】半導体レーザ装置８１においては、電流注
入端子９３を介して半導体レーザチップ９１に侵入する
静電気による静電破壊、および電流注入端子９３を流れ
る駆動電流に重畳されたノイズ電流などによるサージ破
壊が問題となる。静電破壊およびサージ破壊から半導体
レーザチップ９１を守るには、半導体レーザ装置８１の
スペースの都合上、外部において電流注入端子９３の近
傍にコンデンサなどの誘電体素子を設けて静電気および
ノイズ電流を除去しなければならない。

【０００９】図１２は、半導体レーザ装置８１を用いて
構成された半導体レーザ駆動装置９８の斜視図である。
半導体レーザ駆動装置９８は、基板７１と、駆動回路７
６と、半導体レーザ装置８１とを含んで構成される。基
板７１の一方表面７１ａには、所定のパターンに従って
配線７３，７４，７５が形成される。基板７１における
一方側部７１ｃにおいて配線７３，７４，７５とそれぞ
れ所定の端子が電気的に接続するように駆動回路７６が
配設される。

【００１０】配線７３，７４，７５のそれぞれの一方端
部７３ａ，７４ａ，７５ａの近傍に図示しない透孔がそ
れぞれ形成され、半導体レーザ装置８１は基板７１の他
方表面７１ｂ側からそれぞれリード端子である電流注入
端子９３、コモン端子８７、および出力端子７２の各先
端部９３ａ，８７ａ，７２ａがそれぞれ基板７１に設け
られた前記透孔に差し込まれ、各先端部が一方表面７１
ａから突出した位置で固着される。基板７１の一方表面
７１ａ側に突出した各リード端子の先端部７２ａ，８７
ａ，９３ａが、各配線７３，７４，７５とそれぞれ半田
７７，７８，７９によって半田付けされ、電気的に接続
される。電流注入端子９３が接続された配線７５と、出
力端子７２が接続された配線７４とに共通に接するよう
にコンデンサ８０が配設される。コンデンサ８０によっ
て、電流注入端子９３を流れる駆動電流に重畳されたノ
イズ電流、および各リード端子を介して半導体レーザチ
ップ９１に侵入する静電気を吸収することができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来例である半導体レ
ーザ装置８１では、サージ破壊、および静電破壊に対す
る対策として半導体レーザ装置８１の外部において電流
注入端子９３の近傍にコンデンサなどの誘電体素子を設
けなければならない。これは、一般的な半導体レーザ装
置の使用例である民生用、音楽用の光ピックアップなど
におけるサージ対策として最も多く行われている構成で
あり、サージ破壊対策のために部品点数が増加し、さら
に部品を配設するための作業工程が必要となる。

【００１２】本発明の目的は、半導体素子を静電破壊お
よびサージ破壊から守ることができる半導体装置を提供
することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、導体から成る
基台と、前記基台上に配置された半導体素子と、前記半
導体素子を覆うように設けられる被覆部材と、前記半導
体素子に駆動電流を供給する端子とを有し、前記端子を
基台に形成された透孔から基台に接触しないように、半
導体素子の近傍に突出させ、端子と半導体素子とを電気
的に接続し、前記透孔を誘電体材料で封止したことを特
徴とする半導体装置である。また本発明は、前記半導体
素子は光半導体素子であることを特徴とする。

【００１４】

【作用】本発明に従えば、半導体装置は、半導体素子を
配置した導体から成る基台に、前記半導体素子を覆うよ
うに被覆部材を設置し、さらに前記基台に前記半導体素
子と電気的に接続されて駆動電流を供給する端子を通す
透孔を形成し、当該基台と端子との間を誘電体材料によ
って封止する。したがって、基台と端子との間の空間に
存在する誘電体材料によって、端子を経由して半導体素
子へと侵入する静電気および端子を流れる駆動電流に重
畳されたノイズ電流を吸収することができる。

【００１５】また好ましくは、前記半導体装置に設けら
れる半導体素子は光半導体素子である。したがって、基
台と端子との間の空間に存在する誘電体材料によって端
子を経由して光半導体素子へと侵入する静電気および端
子を流れる駆動電流に重畳されたノイズ電流を吸収する
ことができる。

【００１６】

【実施例】図１は本発明の一実施例である半導体レーザ
装置１１の破断した斜視図であり、図２は半導体レーザ
装置１１の断面図である。半導体レーザ装置１１は、後
述する半導体部品が設けられるステム部１２と、半導体
部品を覆うキャップ１３とを含んで構成される。

【００１７】ステム部１２は、導体で形成され、円板状
の基台であるステム１６と、ステム１６の一方表面１６
ａから立設されるステム１６と一体的に形成されるアー
ス側のリード端子であるコモン端子１７と、ステム１６
の他方表面１６ｂにステム１６と一体的に形成される配
置台１８と、ステム１６の他方表面１６ｂにおける中央
部近傍に配置されステム１６と一体的に形成される所定
の傾斜をもつ載置台２１とを含んで構成される。さらに
ステム１６には、ステム１６の一方表面１６ａの直径線
上に所定の間隔をあけて中心点が位置する円形の透孔１
９，２０が形成される。透孔１９，２０の径の長さはた
とえば１．０ｍｍである。

【００１８】配置台１８は、側壁１８ａが前記直径線に
対して平行となるように配置される。レーザ光を放出す
る半導体レーザチップ２５は、ステム１６のほぼ中央部
に位置するように、配置台１８の側壁１８ａにおける他
方表面１６ｂ側とは反対側の端部に固着される。また載
置台２１は、傾斜面２１ａに光出力を検出するためのフ
ォトダイオード２６が配置される。

【００１９】透孔１９には、透孔１９よりも径が小さく
フォトダイオード２６からの出力信号を外部へと出力す
る導体から成る出力端子２８が挿入される。出力端子２
８は、一方端部２８ａをステム１６の他方表面１６ｂか
ら突出させ後述するようにして固定される。同様に、透
孔２０には透孔２０よりも径が小さく半導体レーザチッ
プ２５に駆動電流を供給する導体から成る電流注入端子
２９が挿入される。電流注入端子２９は、一方端部側に
板状の接続部２９ａが形成され接続部２９ａをステム１
６の他方表面１６ｂから突出させ後述するようにして固
定される。

【００２０】透孔１９において、出力端子２８を囲むよ
うに誘電体材料から成る封止部材３１が設置され、同様
に透孔２０では電流注入端子２９を囲むように誘電体材
料である封止部材３２が設置される。封止部材３１，３
２によって、電流注入端子２９と出力端子２８とが前記
半導体レーザチップ２５を取付けているステム１６に対
して電気的に接触せず、かつ電流注入端子２９および出
力端子２８をステム１６に固定することができ、さらに
ステム１６とキャップ１３とによって形成される空間を
気密封止することができる。

【００２１】電流注入端子２９の接続部２９ａと半導体
レーザチップ２５とは導線３４を介して電気的に接続さ
れ、出力端子２８の先端部２８ａとフォトダイオード２
６とは導線３５を介して電気的に接続される。

【００２２】被覆部材であるキャップ１３は、キャップ
本体１４とガラス板３７とによって構成される。キャッ
プ本体１４は、底面が開放された円筒形状であり、上面
１４ａの中央部に所定の大きさである円形の透孔１４ｂ
が形成される。透孔１４ｂよりも大きく上面１４ａより
は小さいガラス板３７は、キャップ本体１４の底面側か
ら透孔１４ｂを覆うようにキャップ本体１４に固着され
る。キャップ本体１４の下端部には、外方に向けて水平
に延設されるフランジ１４ｃが設けられ、当該フランジ
１４ｃがステム１６上に紫外線硬化樹脂等の接着剤、ス
ポット溶接などによって固着される。キャップ１３によ
ってステム１６上に設けられた各部品が覆われる。キャ
ップ１３およびステム部１２によって囲まれる空間内に
は窒素を充填し、半導体レーザチップ２５などが外気に
よる影響を受けないようにする。

【００２３】図３は、半導体レーザ装置１１における半
導体レーザチップ２５の両端である電流注入端子２９お
よびコモン端子１７間の等価回路図である。図３では、
電流注入端子２９と半導体レーザチップ２５との間に位
置する封止部材３２はコンデンサ部分として示される。
駆動電流は、電流注入端子２９を介して封止部材３２な
どによるコンデンサ部分を経て半導体レーザチップ２５
へと供給され、レーザ光が出射される。

【００２４】図４は、出力端子２８付近の拡大斜視図で
ある。図４において、ステム１６の厚さｗ３は、たとえ
ば１．５ｍｍであり、透孔１９の径ｗ２は、たとえば
１．０ｍｍである。透孔１９に挿入される出力端子２８
の径ｗ１は、たとえば０．４ｍｍである。出力端子２８
は、透孔１９の中央部に位置し、封止部材３２によって
固定される。同様に、電流注入端子２９は透孔２０に挿
入され封止部材３１によって固定される。

【００２５】封止部材３１，３２の材料としては静電容
量が数１０³〜数１０⁵ｐＦ程度となるような適当な材料
を選択する。本実施例においては、高誘電率系の材料で
あるチタン酸バリウム系セラミックを封止部材３１，３
２の材料として用いた。チタン酸バリウム系セラミック
による静電容量は約１０⁵ ｐＦとなる。本実施例では、
封止部材３１，３２の材料としてチタン酸バリウム系セ
ラミックを用いたが、他の高誘電率系の材料でもよく、
また高誘電率系の材料でなくても静電容量が充分な値を
得られる材料であればよい。なお、封止部材として用い
られる材料としては、前述したように半導体レーザ装置
１１を気密密閉することができ、かつ電流注入端子２９
および出力端子２８をステム１６に固定することができ
る材料が選ばれる。

【００２６】図５は、前述のように構成された半導体レ
ーザ装置１１において、電流注入端子２９を流れる駆動
用電流に含まれる静電気およびノイズ電流が封止部材３
２によって吸収される原理を示した図である。図５
（１）は、電流注入端子２９と封止部材３２とを示した
図である。図５（１）において、駆動電流は電流注入端
子２９を矢符３８方向へと流れる。

【００２７】図５（２）は、半導体レーザチップ２５の
駆動用に供給される電流に含まれる静電気成分を示す。
図５（２）における静電気成分は、電圧Ｖの急激なピー
クを示す。図５（３）は、同じく駆動用に供給されるノ
イズ成分を含む電流を示す。図５（３）における電流
は、ノイズ成分によって歪みが発生している。

【００２８】電流注入端子２９の他方端部２９ｂ側から
矢符３８方向に駆動電流が流れると、誘電体である封止
部材３２、電流注入端子２９、およびステム１６によっ
て形成されるコンデンサ部分によって、静電気およびノ
イズ成分による急激な電荷の変化がグランド電位へと吸
収される。図５（４）は前記コンデンサ部分によって静
電気成分が吸収された様子を示し、同様に図５（５）は
前記コンデンサ部分によってノイズ成分が除去された駆
動電流を示す。リード端子である電流注入端子２９と、
ステム１６と、封止部材３２とによって形成されるコン
デンサ部分であるので駆動電流の損失は発生しない。

【００２９】図６は、半導体レーザ装置１１を用いて構
成された半導体レーザ駆動装置４１の斜視図である。半
導体レーザ駆動装置４１は、基板４２と、駆動回路４３
と、半導体レーザ装置１１とを含んで構成される。基板
４２の一方表面４２ａには所定のパターンに従って配線
４４，４５，４６が形成される。基板４２の一方側部４
２ｃにおいて、配線４４，４５，４６とそれぞれ所定の
端子が電気的に接続するように駆動回路４３が配設され
る。配線４４，４５，４６において、駆動回路４３が設
けられたのとは反対側の端部近傍に図示しない透孔がそ
れぞれ形成される。

【００３０】半導体装置１１は、リード端子であるコモ
ン端子１７、出力端子２８、および電流注入端子２９の
それぞれの他方端部１７ａ，２８ｂ，２９ｂが基板４２
の他方表面４２ｂ側から前記透孔にそれぞれ挿入され、
他方端部１７ａ，２８ｂ，２９ｂが配線基板４２の一方
表面４２ａから突出する位置で固定される。コモン端子
１７は配線４５と接続され、出力端子２８は配線４４と
接続され、電流注入端子２９は配線４６と接続される。
コモン端子１７の他方端部１７ａと配線４５とが半田４
８によって半田付けされることで電気的に接続される。
また、出力端子２８の他方端部２８ｂと配線４４とが半
田４７によって半田付けされ電気的に接続される。さら
に、電流注入端子２９の他方端部２９ｂと配線４６とが
半田４９によって半田付けされ電気的に接続される。

【００３１】封止部材３１、出力端子２８、およびステ
ム部１２によって構成される部分と封止部材３２、電流
注入端子２９、およびステム部１２によって構成される
部分とがコンデンサとして作用するので、本実施例にお
ける半導体レーザ駆動装置４１には、前述の従来例に示
した半導体レーザ駆動装置９６に設けられていたコンデ
ンサ８０を設置しなくても、半導体レーザチップ２５お
よびフォトダイオード２６を静電破壊およびサージ破壊
から保護することができる。

【００３２】図７は、本件出願人によって行われた半導
体レーザ装置の静電破壊テストにおいて用いられたノイ
ズ発生器５１の測定等価回路を示した回路図である。図
７（１）は、従来例である半導体レーザ装置８１をノイ
ズ発生器５１に被測定物として取付けた場合の等価回路
図である。ノイズ発生器５１は、コンデンサＣと、スイ
ッチＳと、高電圧発生装置５４とを含んで構成される。
コンデンサＣは、たとえば２００ｐＦの容量を持つ。ス
イッチＳは、２つの端子Ｔ１，Ｔ２を備える。高電圧発
生装置５４は、被測定物に印加する電圧を発生する装置
であり、予め定める電圧までの所望する電圧を発生する
ことができる。ノイズ発生器５１における接続用端子５
２に電流注入端子９３を接続し、接続用端子５３にはコ
モン端子８７を接続する。

【００３３】ノイズ発生器５１を用いて静電破壊テスト
を行うには、まずスイッチＳを端子Ｔ１側に閉じ、高電
圧発生装置５４において実験を行う電圧を発生させ、コ
ンデンサＣを充電する。コンデンサＣに充分な電荷量の
充電が行われた後にスイッチＳを端子Ｔ２側に閉じ、充
電した電荷を被測定物である半導体レーザ装置８１に印
加する。同じ電圧で１０回連続して静電気を印加して半
導体レーザ装置の特性の劣化を調べる。図７（２）は、
本発明による半導体レーザ装置１１をノイズ発生器５１
に取付けた場合の等価回路図である。半導体レーザ装置
１１には、封止部材３２によるコンデンサ成分が図示さ
れる。

【００３４】図８は、前述のノイズ発生回路５１を用い
て行われた静電破壊テストの結果を示すグラフである。
図８（１）および図８（２）において、横軸はテストを
行ったそれぞれの半導体レーザ装置に流す電流の値を示
し、単位はｍＡである。また、縦軸は電力値を示し、単
位はｍＷである。図８（１）は、従来例の半導体レーザ
装置８１を用いて静電破壊テストを行った場合の結果を
示す図である。図８（１）において実線５５は、テスト
開始前に測定した半導体レーザ装置８１の特性であり、
実線５６，５７はそれぞれ１００Ｖと１５０Ｖの電圧を
印加した後の半導体レーザ装置の特性を示している。実
線５６，５７に特性が示される静電破壊テストを行った
後の半導体レーザ装置は、静電破壊テストによって特性
が劣化し破壊されていることが解る。

【００３５】図８（２）は、本発明の半導体レーザ装置
１１を用いて静電破壊テストを行った場合の結果を示す
図である。図８（２）において実線５８〜６５は、本発
明に従って製造された半導体レーザ装置１１にそれぞれ
０，１００，５００，６００，７００，８００，９０
０，１０００Ｖの電圧を印加した場合の特性を示す。図
８（２）においては、各電圧毎の特性曲線を横軸方向に
平行移動して表示しているが、実際にはそれぞれの状態
において半導体レーザ装置１１は静電破壊テストによる
特性の劣化がなく正常であるので特性曲線はすべて重な
る。

【００３６】図９は、半導体レーザの発光点付近の光強
度の分布であるＮＦＰ（Near FieldPattern）を示した
図である。図９（１）および図９（２）において、縦軸
は出力強度を示し、横軸はビームを横断する距離を示
す。また、各グラフの上部にはビームの断面を示した。
図９（１）は、静電破壊テスト実施前の従来例の半導体
レーザ装置８１および静電破壊テスト実施後の本発明の
半導体レーザ装置１１のＮＦＰを示した図である。参照
符６６で示される波形は、ビームの中心位置を示すピー
クもはっきりと出て波形に歪みがない。また、参照符６
７で示されるビームの断面は楕円形である。図９（２）
は、静電破壊テストを行った後の従来例の半導体レーザ
装置８１のＮＦＰを示した図である。参照符６８で示さ
れる波形においては、２つの高さの異なる歪んだピーク
が発生している。また、参照符６９で示されるビームの
断面は中央部に凹みがあるなど形が整っておらず、半導
体レーザ装置８１に異常が発生していることがわかる。

【００３７】以上のように本実施例によれば、封止部材
３１，３２を誘電体材料によって形成することで、各リ
ード端子を介して半導体レーザチップ２５に侵入する静
電気および電流注入端子２９を流れる駆動電流に重畳さ
れたノイズ電流が、誘電体である封止部材３１，３２
と、電流注入端子２９、出力端子２８と、ステム１６と
によって形成されるコンデンサ部分で吸収されるので、
半導体レーザチップが静電破壊およびサージ破壊される
のを防止することができる。

【００３８】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体装
置において半導体素子を配置する導体から成る基台に、
前記半導体素子を覆うように被覆部材を設置し、さらに
前記基台に半導体素子と電気的に接続されて駆動電流を
供給する端子を挿通する透孔を形成し、当該基台と端子
との間に誘電体材料を充填することによって半導体装置
を封止しているので、端子と、誘電体材料と、基台とに
よって形成される部分がコンデンサの役割を果すように
なり、端子を経由して半導体素子へと侵入する静電気お
よび端子を流れる駆動電流に重畳されたノイズ電流を吸
収することができ、半導体素子を静電破壊およびサージ
破壊から保護することができる。

【００３９】また本発明によれば、半導体装置に設けら
れる半導体素子は光半導体素子であるので、端子と、誘
電体材料と、基台とによって形成される部分がコンデン
サの役割を果すようになり、端子を経由して光半導体素
子へと侵入する静電気および端子を流れる駆動電流に重
畳されたノイズ電流を吸収することができ、光半導体素
子を静電破壊およびサージ破壊から保護することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体レーザ装置１１
の破断斜視図である。

【図２】半導体レーザ装置１１の断面図である。

【図３】半導体レーザ装置１１の等価回路図である。

【図４】半導体レーザ装置１１における出力端子２８付
近を示した拡大斜視図である。

【図５】半導体レーザ装置１１において静電気およびノ
イズ電流が封止部材３１，３２によって吸収される原理
を示した図である。

【図６】半導体レーザ装置１１を用いて構成された半導
体レーザ駆動装置４１の斜視図である。

【図７】静電破壊テストに用いられるノイズ発生器５１
の測定等価回路を示した回路図である。

【図８】ノイズ発生回路５１を用いて行われた静電破壊
テストの結果を示すグラフである。

【図９】半導体レーザのＮＦＰを示した図である。

【図１０】従来技術における半導体レーザ装置８１の断
面図である。

【図１１】半導体レーザ装置８１の等価回路図である。

【図１２】半導体レーザ装置８１を用いて構成された半
導体レーザ駆動装置９８の斜視図である。

【符号の説明】

１１半導体レーザ装置１２ステム部１３キャップ１６ステム１７コモン端子１８配置台１９，２０透孔２１載置台２５半導体レーザチップ２６フォトダイオード２８出力端子２９電流注入端子３１，３２封止部材３４，３５導線３７ガラス板４１半導体レーザ駆動装置５１ノイズ発生器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体から成る基台と、前記基台上に配置された半導体素子と、前記半導体素子を覆うように設けられる被覆部材と、前記半導体素子に駆動電流を供給する端子とを有し、前記端子を基台に形成された透孔から基台に接触しない
ように、半導体素子の近傍に突出させ、端子と半導体素
子とを電気的に接続し、前記透孔を誘電体材料で封止し
たことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記半導体素子は光半導体素子であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。