JP4287255B2 - 基板検査装置及び基板検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、被検査基板の表面に形成された配線パターンに紫外レーザ光などの電磁波を照射して当該配線パターンの断線、短絡等を検査する基板検査装置及び基板検査方法に関する。尚、この発明は、プリント配線基板に限らず、例えば、フレキシブル基板、多層配線基板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板における電気的配線の検査に適用でき、この明細書では、それら種々の配線基板を総称して「基板」と称する。

従来、基板の表面に形成された配線パターンにレーザー光を照射した場合に、光電効果（コンプトン効果）によって、レーザー光が照射された配線パターンから電子が放出されることを利用して、配線パターンの検査を行う基板検査装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１に記載された基板検査装置においては、検査対象となる基板が周囲と絶縁された状態で保持されており、予めその基板に所定の電荷を予備帯電させることによって、その基板と対向して配置された電極との間に電位差を生じさせるようになっている。そして、その基板上の配線パターンにレーザー光を照射した場合に、光電効果によってレーザー光が照射された配線パターンから放出された電子が、基板と電極との間の電位差によって電極に引き寄せられ、電極に捕捉されることにより流れる電流に基づいて、当該配線パターンの良否を判定するようにされている。
米国特許第６，３６９，５９０ Ｂ１号公報

ところで、上述のように、周囲と絶縁状態で保持されている基板に予め所定の電荷を帯電させることによって、その基板と対向して配置された電極との間に電位差を生じさせる場合には、基板の電位のレベルが固定されないため、電極との間の電位差が不安定になる結果、その基板上の配線パターンにレーザー光を照射した場合に配線パターンから放出された電子が、その電位差によって電極に引き寄せられ、電極に捕捉されることにより流れる電流もまた不安定になり、その電流に基づく当該配線パターンの良否判定精度が低下するという不都合があった。

本発明は、このような問題に鑑みて為された発明であり、被検査基板の表面に形成された配線パターンに電磁波を照射して当該配線パターンを検査する場合に、配線パターンの良否判定精度を向上させることができる基板検査装置及び基板検査方法を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するために、本発明の第１の手段に係る基板検査装置は、検査位置に保持され、一方表面に複数の第１の配線パターンが、他方表面に複数の第２の配線パターンが形成され、第１配線パターンの一部は第１配線パターン間でのみの間で接続されている基板の、前記第１の配線パターンにおける検査点に、電磁波を照射することによって放出される電子に起因する電気信号を検出することにより、前記配線パターンの検査を行う基板検査装置において、前記電磁波を前記検査点に収斂させて照射する電磁波照射部と、前記第２の配線パターンのそれぞれに同時に接触する多針状の接触子と、前記電磁波照射部から照射された電磁波によって前記検査点から放出された電子を捕捉する電極部と、前記多針状の接触子と前記電極部との間に電位差を生じさせる電源部と、前記多針状の接触子と前記電源部の負極側との間の接続をオンオフする切替部と、前記電極部により捕捉された電子に起因する電気信号を検出する検出部と、前記切替部をオンさせて多針状接触子全てを電源部の負極に接続すると共に、前記第１の配線パターンのうち第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンにおける検査点に対して、電磁波照射部によって電磁波を照射させることにより当該検査点を充電した場合に、前記検出部によって検出された電気信号に基づいて、当該第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンの良否を判定する良否判定制御を行う制御部と、電流値を測定する放電電流検出部を介して前記電源部の負極側に接続される放電用電極部とを備え、前記制御部は、前記良否判定制御の実行後、さらに前記電磁波照射部によって電磁波を前記放電用電極部へ照射させることによって前記第１配線パターン間でのみの間で接続されていると共に前記良否判定制御の実行により充電された配線パターンを放電させる放電制御を実行し、当該放電制御を実行する過程において前記放電電流検出部によって検出される電流値に基づいて、当該良否判定制御を実行した対象である配線パターンについての良否を再度判定することを特徴としている。

また、上述の基板検査装置において、前記検出部は、前記電極部により捕捉された電子に起因して流れる電流値を測定するものであり、前記制御部は、前記良否判定制御において、第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンにおける検査点に対して、前記検出部によって検出される電流値が零になるまで前記電磁波照射部により電磁波を照射させ、前記電磁波が照射された時間が、予め定められた基準値の範囲内である場合に当該配線パターンを良と判定し、予め定められた基準値の範囲を超える場合に当該第配線パターンが他の配線パターンと短絡している短絡不良と判定し、予め定められた基準値の範囲に満たない場合に当該配線パターンが断線している断線不良と判定するものであることを特徴としている。

さらに、上述の基板検査装置において、前記検出部は、前記電極部と前記電源部の正極側との間に介設されることを特徴としている。

さらに、上述の基板検査装置において、前記制御部は、前記放電制御を実行する場合に、前記切替部をオフさせて全ての接触子を電源から切り離すことを特徴としている。

また、上述の基板検査装置において、前記放電用電極部の代わりに、前記第１の配線パターンのうち前記第２の配線パターンと導通されている配線パターンであって、前記切替部によって前記電源部の負極側に接続されている配線パターンを用いることを特徴としている。

そして、上述の基板検査装置において、前記切替部は、前記多針状の接触子各々について、前記電源部の負極側との間の接続をオンオフするものであり、前記制御部は、前記放電制御を実行する場合に、前記第１の配線パターンと導通されている第２の配線パターンに接触している接触子以外の接触子について、前記切替部により前記接続をオフさせることを特徴としている。

さらに、本発明の第２の手段に係る基板検査方法は、検査位置に保持され、一方表面に複数の第１の配線パターンが、他方表面に複数の第２の配線パターンが形成され、第１配線パターンの一部は第１配線パターン間でのみの間で接続されている基板の、前記第１の配線パターンにおける検査点に、電磁波を照射することによって放出される電子に起因する電気信号を検出することにより、前記配線パターンの検査を行う基板検査方法において、電磁波照射部が、前記電磁波を前記検査点に収斂させて照射する工程と、多針状の接触子を、前記第２の配線パターンのそれぞれに同時に接触させる工程と、電極部が、前記電磁波照射部から照射された電磁波によって前記検査点から放出された電子を捕捉する工程と、電源部が、前記多針状の接触子と前記電極部との間に電位差を生じさせる工程と、切替部が、前記多針状の接触子と前記電源部の負極側との間の接続をオンオフする工程と、検出部が、前記電極部により捕捉された電子に起因する電気信号を検出する工程と、制御部が、前記切替部をオンさせて多針状接触子全てを電源部の負極に接続すると共に、前記第１の配線パターンのうち第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンにおける検査点に対して、電磁波照射部によって電磁波を照射させることにより当該検査点を充電した場合に、前記検出部によって検出された電気信号に基づいて、当該第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンの良否を判定する良否判定制御を行う工程と、放電用電極部を、電流値を測定する放電電流検出部を介して前記電源部の負極側に接続する工程と、前記制御部が、前記良否判定制御の実行後、さらに前記電磁波照射部によって電磁波を前記放電用電極部へ照射させることによって前記第１配線パターン間でのみの間で接続されていると共に前記良否判定制御の実行により充電された配線パターンを放電させる放電制御を実行し、当該放電制御を実行する過程において前記放電電流検出部によって検出される電流値に基づいて、当該良否判定制御を実行した対象である配線パターンについての良否を再度判定する工程とを含むことを特徴としている。

このような構成の基板検査装置及び基板検査方法は、第２の配線パターンが電源部の負極側に接続されることにより、第２の配線パターンと浮遊容量によって容量結合される第３の配線パターンの電位が安定化されるので、第３の配線パターンにおける検査点に電磁波を照射することによって放出される電子に起因する電気信号が安定化され、配線パターンの良否判定精度を向上させることができる。

以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態による基板検査装置１の構成の一例を説明するための概念図である。図１に示す基板２は、基板検査装置１の検査対象となる基板、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージに用いられるパッケージ基板で、図１に示す基板２は、その断面を模式的に示している。そして、基板２の、半導体チップが取り付けられる側の表面２１に、配線２１２によって導体部２０２と導体部２０３とが互いに接続されてなる配線パターン２１６と、配線２１３によって導体部２０４と導体部２０５とが互いに接続されてなる配線パターン２１７とが形成されている。また、基板２の裏面２２に、配線２１４によって互いに接続されたパッド２０８とパッド２０９、及び例えば内層のベタ導体パターン等の配線２１５と接続されたパッド２０７が形成されている。さらに、基板２の表面２１に形成された導体部２０１は、基板２の厚み方向に形成された配線２１１を介して基板２の表面２２に形成されたパッド２０６と接続されている。

また、基板２の表面２１上に形成された導体部２０１，２０２，２０３，２０４，２０５は、例えばフリップチップボンディングやワイヤボンディングによって半導体チップを接続するための導体部であり、微細なピッチで形成されている。そして、基板２の裏面２２上に形成されたパッド２０６，２０７，２０８，２０９は、例えばはんだボールの端子をはんだ付けするためのパッドであり、はんだ付けを容易にするように、導体部２０１，２０２，２０３，２０４，２０５よりもピッチが大きくされている。配線２１１，２１２，２１３，２１４，２１５は、基板２の表裏面層に形成された配線パターンや、内部ビア、内層配線パターン等の接続配線である。

また、図１に示す基板検査装置１は、レーザー装置３、ガルバノミラー４、チャンバー室５、多針状プローブ６、スイッチ７１，７２，７３，７４、直流電源７５、制御部８、表示部９、及び操作部１０を備える。レーザー装置３は、収斂光学系を含み、制御部８からの制御信号に応じて、波長２６６ｎｍの紫外線レーザー光（電磁波）をガルバノミラー４へ収斂しながら出力する。ガルバノミラー４は、二枚のミラーを用いて構成された偏向器であり、制御部８からの制御信号に応じてミラーの角度を変更し、レーザー装置３から出力されたレーザー光を、チャンバー室５を介して基板２上の検査点に例えばビーム径１０μｍで収斂照射する。尚、図示しないが、ガルバノミラー４の下にはｆθレンズが介挿され、レーザ光の照射角度に関わらず、各検査点にレーザ光が収斂されるようになっている。

チャンバー室５は、例えば筒状の側壁と、側壁の上部開口を閉鎖する例えばガラス等の透明な板状部材のチャンバー室５内の表面に透明な電極が形成された透明電極板５１と、側壁の下部開口端部に取り付けられた例えばゴム等の弾性部材からなるパッキン５２とを備える。また、透明電極板５１の電極は、チャンバー室５内に設けられた電流計５３を介して直流電源７５の正極に接続されている。電流計５３は、透明電極板５１により捕捉された電子に起因して流れる電流値Ｉを測定し、その測定した電流値Ｉを示すデータを、制御部８へ出力する。直流電源７５は、直流電圧Ｅを出力する直流電圧源であり、電圧Ｅは、例えば２５０Ｖにされ、正極が電流計５３を介して透明電極板５１の電極に接続されている。

そして、チャンバー室５が図略の昇降機構により下降され、さらに基板２に圧接されることにより、チャンバー室５と基板２によって取り囲まれる気密閉空間ＳＰが形成されるようになっている。また、チャンバー室５には、図略の真空ポンプが接続されており、光電効果により発生した電子を透明電極板５１で捕捉可能とする観点から、気密閉空間ＳＰを所定の気圧（１０^-2気圧程度が望ましい）の真空状態にすることができるようになっている。さらに、透明電極板５１は、電流計５３を介して直流電源７５の正極に接続されている。なお、例えばチャンバー室５の側壁を金属で構成し、これを電流計５３を介して直流電源７５の正極に接続することにより、この金属を透明電極板５１の電極の代わりに用いても良い。

多針状プローブ６は、検査用の接触子６１，６２，６３，６４を一体に保持して多針状に構成されている。また、多針状プローブ６は、図略の昇降装置によって昇降可能にされている。そして、基板２が図略の基板ホルダーによって検査位置に保持された状態で、昇降装置によって多針状プローブ６が上昇されると、接触子６１，６２，６３，６４が、それぞれパッド２０６，２０７，２０８，２０９と接触する。なお、多針状プローブ６によって一体に保持される接触子は、基板２の裏面に形成されたパッドの数及び配置に応じて適宜増減・配置されるものであり、例えば、実用装置においては、数千本程度設けられている。スイッチ７１，７２，７３，７４は、制御部８からの制御信号に応じて接触子６１，６２，６３，６４と、直流電源７５の負極側（グラウンド）との間の接続をオンオフする。

また、接触子６１，６２，６３，６４は、図略の切替スイッチによって、それぞれ制御部８からの制御信号に応じて図略の抵抗測定器に接続され、各接触子間の抵抗値が測定されるようになっている。

表示部９は、例えば液晶表示器等からなる表示装置であり、制御部８からの制御信号に応じて検査装置の動作状態や検査結果等を表示する。操作部１０は、例えばキーボード等から構成されており、ユーザーが操作部１０を操作して入力した動作指示等を制御部８へ出力する。

制御部８は、基板検査装置１全体の動作を司るもので、例えば基板データ記憶部８１、基準データ記憶部８２、及びタイマー８３を備える。また、制御部８は、例えば基板検査装置１の動作を制御するための制御プログラム等を記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）、プログラムの実行中や実行後に生じるデータを一時的に保管するＲＡＭ（Random Access Memory）、及び制御プログラム等をＲＯＭから読み出して実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）等から構成される。タイマー８３は、電流計５３によって測定される電流値が実質的に零、すなわち零に対して誤差範囲以内になるまでの、導体部へのレーザー光の照射時間Ｔを計測するタイマーである。

基板データ記憶部８１及び基準データ記憶部８２は、例えばハードディスク装置や半導体メモリ等からなる記憶部である。そして、基板データ記憶部８１は、基板２の表面２１上に形成された導体部２０１，２０２，２０３，２０４，２０５の位置座標データ、および検査箇所とその検査方法を制御部８に指示するために検査指示データを記憶している。また、基準データ記憶部８２は、例えば、表面２１上の配線パターンであって、裏面２２側に導通していない配線パターン２１６，２１７それぞれについて、電流計５３により測定された電流値から検査対象となる配線パターンの良否判定を行うための基準データを記憶している。

例えば、配線パターン２１６の導通を検査する場合の基準データは、例えば複数の良品の基板２において、例えば導体部２０２にレーザー光を照射することによって放出された電子が透明電極板５１の電極により捕捉されることにより流れる電流値を、電流計５３によって予め測定し、その測定値から、配線パターン２１６が良品であると判断するための基準データを取得し、基準データ記憶部８２へ記憶しておく。

この場合、基準データは、例えば、タイマー８３によって計測された、良品の基板２において電流計５３によって測定される電流値が実質的に零になるまでの導体部２０２へのレーザー光の照射時間Ｔｐ±αが用いられる。αは、基板バラツキ等を考慮した、良品判定のための許容範囲である。なお、基準データとしては、例えば、レーザー光の照射を一定時間幅のパルス状に行った場合に、レーザー光の照射を開始してから電流計５３によって測定される電流値が実質的に零になるまでにレーザー装置３から出力されたパルス出力の回数（パルス出力の回数とパルスの時間幅の積は、照射時間Ｔｐに相当）等、照射時間Ｔｐと相関関係にある他のパラメータを用いても良い。

次に、図１に示す基板検査装置１の動作を説明する。図２は、図１に示す基板検査装置１の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ステップＳ１において、ユーザーが基板検査装置１の基板装着部(不図示)に検査対象となる基板２をセットすることにより、図略の基板ホルダーに保持され、図略の搬送機構により基板２が搬送され、検査位置に位置決めされる。そして、制御部８からの制御信号に応じてチャンバー室５が下降されてその下端が基板２に圧接され、気密閉空間ＳＰが形成された後、真空ポンプが作動して気密閉空間ＳＰ内が所定の真空状態にされる。一方、制御部８からの制御信号に応じて多針状プローブ６が上昇され、接触子６１，６２，６３，６４が、それぞれパッド２０６，２０７，２０８，２０９と接触する。

次に、ステップＳ２において、制御部８によって、基板データ記憶部８１に記憶されている検査指示データに応じて、基板２の裏面２２上で互いに導通している配線パターン、例えばパッド２０８から配線２１４を介してパッド２０９に至る配線パターンの導通検査が行われる。表面２２上のパッド２０８及びパッド２０９は、ピッチが大きいため接触子を接触させることが容易であり、パッド２０８，２０９にはそれぞれ接触子６３，６４が接触している。この場合、接触子６３，６４間の抵抗値が公知の抵抗測定器（図略）によって測定され、その抵抗値を示すデータが制御部８へ出力される。そして、制御部８によって、接触子６３，６４間の抵抗値データに基づいて、パッド２０８から配線２１４を介してパッド２０９に至る配線パターンの良否判定が行われる。

次に、ステップＳ３において、制御部８によって、基板データ記憶部８１に記憶されている検査指示データに応じて、基板２の表面２１上と裏面２２上とで導通している配線パターン、例えば導体部２０１から配線２１１を介してパッド２０６に至る配線パターンの導通検査が行われる。この場合、パッド２０６は、ピッチが大きいため接触子を接触させることが容易である一方、導体部２０１は、微細なピッチで形成されているため、接触子を接触させることが困難である。

そこで、パッド２０６に接触子６１を接触させ、直流電源７５によって接触子６１と透明電極板５１の電極との間に電圧Ｅ、例えば２５０Ｖの電圧を印加する。そして、制御部８からの制御信号に応じて、レーザー装置３から出力されたレーザー光がガルバノミラー４を介して導体部２０１へ収斂照射される。そうすると、導体部２０１から配線２１１を介してパッド２０６に至る配線パターンが導通している場合には、導体部２０１から光電効果により電子が放出され、直流電源７５によって導体部２０１と透明電極板５１との間に印加された電圧Ｅによってその電子が透明電極板５１の電極に捕捉される。透明電極板５１の電極に捕捉された電子は、電流計５３、直流電源７５、スイッチ７１、接触子６１、配線２１１を経由して導体部２０１に流れるので、レーザー光を照射することによって導体部２０１から放出される電子に起因する電流値が、電流計５３によって検出される。そして、電流計５３によって電流が検出されると、制御部８によって、導体部２０１から配線２１１を介してパッド２０６に至る配線パターンが良と判定される。

一方、導体部２０１から配線２１１を介してパッド２０６に至る配線パターンが断線している場合には、配線２１１を電流が流れない。従って、電流計５３により電流が検出されない。そして、電流計５３によって電流が検出されない場合、制御部８によって、導体部２０１から配線２１１を介してパッド２０６に至る配線パターンが不良と判定される。

このようにして、ステップＳ３において、接触子を接触させることが困難な導体部２０１について非接触で、導体部２０１から配線２１１を介してパッド２０６に至る配線パターンの検査を行うことができる。

次に、ステップＳ４において、制御部８によって、基板データ記憶部８１に記憶されている検査指示データに応じて、基板２の表面２１上でのみ互いに導通している配線パターン、例えば配線パターン２１６の検査が行われる。この場合、配線パターン２１６上の検査点である導体部２０２，２０３は、微細なピッチで形成されているため、接触子を接触させることがいずれも困難である。そこで、以下に説明するように、導体部２０２，２０３のいずれについても非接触で、配線パターン２１６の検査を行う。

図３は、ステップＳ４における配線パターン２１６の検査を行う場合の基板検査装置１の動作を示すフローチャートである。ステップＳ１０１において、制御部８からの制御信号に応じて、まず、接触子６１，６２，６３，６４に接続されている全てのスイッチ７１，７２，７３，７４がオンされる。これにより、接触子６１，６２，６３，６４と導通しているパッド２０６，２０７，２０８，２０９と、配線２１１，２１４，２１５と、導体部２０１とが直流電源７５の負極側に接続され、グラウンド電位に安定化される。そして、電位が安定化されたこれらのパッドや配線等と、浮遊容量２１８，２１９，２２０によって容量結合している、配線パターン２１６，２１７の電位もまた、グラウンド電位に安定化される。

次に、ステップＳ１０２において、基板データ記憶部８１に記憶されている導体部２０２の位置座標データに基づく制御部８からの制御信号に応じて、レーザー装置３から出力されたレーザー光がガルバノミラー４を介して導体部２０２へ収斂照射され、導体部２０２から光電効果により電子が放出される。そうすると、導体部２０２はグラウンド電位にされているので、導体部２０２と透明電極板５１との間に直流電源７５による電圧Ｅが印加され、その電圧Ｅによって導体部２０２から放出された電子が透明電極板５１に引き寄せられ、捕捉される。透明電極板５１に捕捉された電子は電流計５３を経由して直流電源７５の正極側に流れるので、レーザー光を照射することによって導体部２０２から放出される電子に起因する電流値Ｉが、電流計５３によって測定される。

図４（ａ）は、導体部２０２にレーザー光が照射された場合に電流計５３によって測定される電流値Ｉの変化の一例を示すグラフである。図４（ａ）のグラフにおいて、縦軸は電流値Ｉを示し、横軸はレーザー光の照射時間Ｔを示している。また、グラフ４０１は配線パターン２１６が良品である場合、グラフ４０２は配線パターン２１６が断線不良である場合、グラフ４０３は配線パターン２１６が他の配線パターンと短絡している短絡不良である場合の一例を示している。また、図４（ａ）に破線で示すグラフ４０７，４０８，４０９，４１０については後述する。

まず、配線パターン２１６が良品である場合、グラフ４０１を参照して、レーザー光が導体部２０２へ照射されると、導体部２０２から放出される電子に起因する電流値Ｉが電流計５３によって測定されると共に、導体部２０２に生じるプラス電荷によって、配線パターン２１６と他の配線パターンとの間の浮遊容量２１８，２１９，２２０が充電される。すなわち、電流値Ｉは、透明電極板５１により捕捉された単位時間あたりの電荷量に相当する一方、この電荷量に相当するプラス電荷によって、浮遊容量２１８，２１９，２２０が充電され、導体部２０２の電位が上昇すると共に導体部２０２と透明電極板５１との間の電位差が小さくなる結果、透明電極板５１により捕捉される単位時間あたりの電荷量、すなわち電流値Ｉが減少する。

従って、電流値Ｉは、レーザー光の照射時間Ｔの経過に伴い減少する。そして、導体部２０２と透明電極板５１との間の電位差がほぼ零になったとき、すなわち浮遊容量２１８，２１９，２２０の充電電圧が、直流電源７５の出力電圧Ｅとほぼ等しくなったとき、導体部２０２から放出される電子が透明電極板５１により捕捉されなくなるために、電流Ｉが零になる。

次に、ステップＳ１０３において、タイマー８３によって、電流計５３により測定される電流Ｉが実質的に零、すなわち零に対して誤差範囲以内になるまでの、導体部２０３へのレーザー光の照射時間Ｔが計測される。

次に、ステップＳ１０４において、制御部８によって、タイマー８３により計測された照射時間Ｔと、基準データ記憶部８２に記憶されている配線パターン２１６の基準データの下限値（Ｔｐ−α）とが比較され、照射時間Ｔが（Ｔｐ−α）に満たない場合、配線パターン２１６は断線不良と判定され（ステップＳ１０４でＹＥＳ）、表示部９によりその旨表示される（ステップＳ１０５）一方、照射時間Ｔが（Ｔｐ−α）以上の場合（ステップＳ１０４でＮＯ）、短絡検査を行うべくステップＳ１０６へ移行する。

次に、ステップＳ１０６において、制御部８によって、タイマー８３により計測された照射時間Ｔと、基準データ記憶部８２に記憶されている配線パターン２１６の基準データの上限値（Ｔｐ＋α）とが比較され、照射時間Ｔが（Ｔｐ＋α）を超えている場合、配線パターン２１６は短絡不良と判定され（ステップＳ１０６でＹＥＳ）、表示部９によりその旨表示される（ステップＳ１０７）一方、照射時間Ｔが（Ｔｐ＋α）を超えない場合（ステップＳ１０６でＮＯ）、照射時間Ｔは基準値の範囲内であるので、配線パターン２１６は良品と判定され、表示部９によりその旨表示される（ステップＳ１０８）。

また、配線パターン２１７についても、ステップＳ１０１〜Ｓ１０８と同様にして良否判定が行われる。

ステップＳ１０４〜Ｓ１０８について詳述すると、まず、図４（ａ）において、グラフ４０１が零、すなわち配線パターン２１６が良品の場合に電流値Ｉが零になるレーザー光の照射時間Ｔは、時間Ｔｐとなる。時間Ｔｐは、レーザー光が照射されたことにより、導体部２０２から電子が放出されることにより生じたプラス電荷によって、浮遊容量２１８，２１９，２２０を電圧Ｅまで充電するための時間であるから、レーザー光が一定の強度で連続照射されていれば、時間Ｔｐと浮遊容量２１８，２１９，２２０の大きさとは相関する。そうすると、配線パターン２１６が良品であれば、浮遊容量２１８，２１９，２２０の大きさはほぼ一定であるので、時間Ｔｐもまたほぼ一定の値となる。

従って、ステップＳ１０３においてタイマー８３によって計測された照射時間Ｔが、基準データ記憶部８２に記憶されている基準データの範囲内であれば、配線パターン２１６について、基準データの元となった良品基板と浮遊容量２１８，２１９，２２０の大きさが等しいこととなり、ステップＳ１０８において、配線パターン２１６を良品と判断することができる。

また、浮遊容量２１８，２１９，２２０は、配線パターン２１６と他の配線パターンとの間に生じる浮遊容量であるから、配線パターン２１６が断線している場合には、配線パターン２１６のうち導体部２０２と導通している部分が他の配線パターンと対向する面積が減少する結果、浮遊容量２１８，２１９，２２０が小さくなる。従って、ステップＳ１０４において、浮遊容量２１８，２１９，２２０と相関している照射時間Ｔが（Ｔｐ−α）に満たない場合、配線パターン２１６は断線不良と判定することができる。

また、配線パターン２１６が他の配線パターンとの間で短絡している場合には、導体部２０２と導通している配線パターンが他の配線パターンと対向する面積が増加する結果、浮遊容量２１８，２１９，２２０が大きくなる。これにより、ステップＳ１０６において、浮遊容量２１８，２１９，２２０と相関している照射時間Ｔが（Ｔｐ＋α）を超える場合、配線パターン２１６は短絡不良と判定することができる。

また、この場合、配線パターン２１６との間で浮遊容量２１８，２１９，２２０を生じる他の配線パターンがグラウンド電位に接続されているので、浮遊容量２１８，２１９，２２０の充電電圧の基準がグラウンド電位により固定され、良否判定精度を安定させることができる。

また、直流電源７５は、例えば商用電源等に接続されるため、直流電源７５と商用電源や接地線との間に生じる浮遊容量７６が、電源出力ラインと結合していると考えられる。そうすると、例えば電流計５３を直流電源７５の負極側に設けた場合には、透明電極板５１によって捕捉された電子が、浮遊容量７６をバイパスしてしまい、電流Ｉが正確に測定できないおそれがある。特に、電流Ｉに相当するプラス電荷で充電されるべき浮遊容量２１８，２１９，２２０の容量は、例えば５０ｆＦ程度の微少容量であるため、浮遊容量７６の影響は顕著である。

一方、図１に示す基板検査装置１では、電流計５３は、透明電極板５１と直流電源７５の正極側との間に介設されているので、透明電極板５１によって捕捉された電子が浮遊容量７６をバイパスしたとしても、浮遊容量７６をバイパスした電子の流れをも含めて電流計５３により電流測定されるので、電流Ｉの測定精度を向上させることができる。また、電流計５３は、チャンバー室５内に設けられているので、電流計５３と周囲環境との間に生じる浮遊容量が低減され、電流計５３による電流Ｉの測定精度を向上させることができる。

なお、タイマー８３によって計測された、電流計５３により測定される電流Ｉが実質的に零になるまでの、導体部２０３へのレーザー光の照射時間Ｔに基づいて配線パターン２１６の良否判定を行う例を示したが、例えば、レーザー光の照射を一定時間幅のパルス状に行った場合に、レーザー光の照射を開始してから電流計５３によって測定される電流値が実質的に零になるまでにレーザー装置３から出力させたパルス出力の回数に基づいて、配線パターン２１６の良否判定を行う構成としても良い。この場合、パルス出力の回数を、照射時間Ｔに相当するパラメータとして用いることができる。また、タイマー８３を備えない構成であっても良い。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２の実施の形態による基板検査装置について説明する。図５は、本発明の第２の実施形態による基板検査装置の構成の一例を説明するための概念図である。図５に示す基板検査装置１ａと図１に示す基板検査装置１とでは、下記の点で異なる。すなわち、図５に示す基板検査装置１ａの制御部８ａは、基準データ記憶部８２及びタイマー８３を備えない。また、制御部８ａは、図１に示す制御部８とは、図３のフローチャートにおける動作が異なる。その他の構成は図１に示す基板検査装置１と同様であるのでその説明を省略し、以下、図５に示す基板検査装置１ａの動作について説明する。

図５に示す基板検査装置１ａは、図２に示すステップＳ１〜Ｓ３と同様に動作するので、その説明を省略し、ステップＳ４に相当するステップＳ４’における動作の詳細について、説明する。図６は、図５に示す基板検査装置１ａの、ステップＳ４’における配線パターン２１６の検査を行う場合における動作の一例を示すフローチャートである。

まず、ステップＳ２０１，Ｓ２０２の動作は、図３におけるステップＳ１０１，１０２と同様であるので、その説明を省略する。次に、ステップＳ２０３において、基板データ記憶部８１に記憶されている導体部２０３の位置座標データに基づく制御部８からの制御信号に応じて、レーザー装置３から出力されたレーザー光がガルバノミラー４を介して導体部２０３へ収斂照射され、導体部２０３から光電効果により電子が放出される。

次に、ステップＳ２０４において、制御部８によって、電流計５３によって検出された電流Ｉが実質的に零であるか否かが確認され、実質的に零であった場合、配線パターン２１６は良と判定され（ステップＳ２０４でＹＥＳ）、表示部９によりその旨表示される（ステップＳ２０５）一方、実質的に零ではなかった場合、配線パターン２１６は導体部２０２と導体部２０３の間で断線している断線不良と判定され（ステップＳ２０４でＮＯ）、表示部９によりその旨表示される（ステップＳ２０６）。また、配線パターン２１７についても、ステップＳ２０１〜Ｓ２０６と同様にして断線検査が行われる。

以下、ステップＳ２０３，Ｓ２０４の動作について詳述する。図４（ｂ）は、導体部２０３にレーザー光が照射された場合に電流計５３によって測定される電流値Ｉの変化の一例を示すグラフである。図４（ｂ）のグラフにおいて、縦軸は電流値Ｉを示し、横軸はレーザー光の照射時間Ｔを示している。また、グラフ４０４は配線パターン２１６が良品である場合、グラフ４０５は配線パターン２１６が断線不良である場合、グラフ４０６は配線パターン２１６が他の配線パターンと短絡している短絡不良である場合の一例を示している。

まず、ステップＳ２０２において、導体部２０２は、電流計５３によって測定される電流値Ｉが零になるまでレーザー光が照射され、浮遊容量２１８，２１９，２２０が充電されることによって、透明電極板５１の電極とほぼ同電位にされている。そして、配線パターン２１６が良、すなわち導体部２０２と導体部２０３が導通していれば、導体部２０３もまた透明電極板５１とほぼ同電位にされる。そうすると、ステップＳ２０３において導体部２０３から放出された電子は、導体部２０３との間の電位差によって透明電極板５１へ引き寄せられることがなく、透明電極板５１により捕捉されない結果、グラフ４０４に示すように、電流Ｉが流れない。

これにより、ステップＳ２０４において、電流Ｉが実質的に零であった場合、導体部２０２と導体部２０３とが導通していると判断することができ、配線パターン２１６は良と判定される。

一方、配線パターン２１６が断線不良、すなわち導体部２０２と導体部２０３が導通していない場合、導体部２０３は透明電極板５１とほぼ同電位にされることがなく、ステップＳ２０３において導体部２０３から放出された電子は、導体部２０３との間の電位差によって透明電極板５１へ引き寄せられ、透明電極板５１の電極により捕捉される結果、グラフ４０５に示すように、電流Ｉが流れる。

これにより、ステップＳ２０４において、電流Ｉが実質的に零でない場合、導体部２０２と導体部２０３とが断線していると判断することができ、配線パターン２１６は断線不良と判定される。

以上、ステップＳ２０１〜Ｓ２０６の動作により、配線パターン２１６，２１７の断線検査を実行することができる。

この場合、検査対象となる配線パターン２１６，２１７の良否を判定するために、予め良品の基板２を用いて基準データを取得して基準データ記憶部８２に記憶させておく必要がなく、簡便に配線パターン２１６，２１７の断線検査を行うことができる。また、ステップＳ２０４において、電流Ｉが実質的に零であるかないかを確認することにより、配線パターン２１６，２１７の断線の有無を判断することができるので、電流値Ｉが零になるレーザー光の照射時間Ｔを計測する必要がなく、基準データ記憶部８２及びタイマー８３を備えない簡素な構成にすることができる。

なお、配線パターン２１６が他の配線パターンと短絡している短絡不良である場合には、ステップＳ２０３において、配線パターン２１６が良品である場合と同様に、導体部２０３から放出された電子は、導体部２０３との間の電位差によって透明電極板５１へ引き寄せられることがなく、透明電極板５１により捕捉されない結果、グラフ４０６に示すように、電流Ｉが流れない。そのため、図５に示す基板検査装置１ａは、配線パターン２１６が良品である場合と短絡不良である場合とを判別することができないので、断線不良を検出するための基板検査装置として用いられる。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３の実施の形態による基板検査装置について説明する。図７は、本発明の第３の実施の形態による基板検査装置の構成の一例を説明するための概念図である。図７に示す基板検査装置１ｂと図１に示す基板検査装置１とでは、下記の点で異なる。すなわち、図７に示す基板検査装置１ｂは、チャンバー室５内に、電子放出用の金属からなる電極５４と、電流計５５とを備え、電極５４は電流計５５を介して電源グラウンドに接続されている。そして、電流計５５は、電極５４にレーザー光が照射されることによって、電極５４から放出された電子に起因して流れる電流値を測定し、その測定した電流値を示すデータを制御部８へ出力する。また、図７に示す基板検査装置１ｂの制御部８ｂは、例えばＲＯＭに記憶された放電制御を実行するための放電制御プログラムを実行することにより、放電制御部８４として機能する。

その他の構成は図１に示す基板検査装置１と同様であるのでその説明を省略し、以下、図７に示す基板検査装置１ｂの動作について説明する。

図７に示す基板検査装置１ｂは、まず、図１に示す基板検査装置１と同様にして、図２に示すステップＳ１〜Ｓ４、図３に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０８の動作を実行することにより、検査対象となる配線パターンの検査を行う。そして、ステップＳ１０１〜Ｓ１０８による検査の過程で検査対象配線パターンの不良が検出された場合等、検査の確実を期すため再検査を実行する。

この場合、ステップＳ１０１〜Ｓ１０８による検査の実行後は、検査対象の配線パターン、例えば配線パターン２１６の電位が透明電極板５１の電極とほぼ等しくなるまで浮遊容量２１８，２１９，２２０が充電された状態となっているため、引き続きステップＳ１０１〜Ｓ１０８による検査を実行することができない。そこで、基板検査装置１ｂは、下記のように、検査対象の配線パターン、例えば配線パターン２１６を放電させつつ再検査を実行する。

図８は、図７に示す基板検査装置１ｂによって配線パターン２１６の再検査を行う場合の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ステップＳ３０１において、放電制御部８４からの制御信号に応じて、スイッチ７２，７３，７４がオフされる。これにより、スイッチ７２，７３，７４によって生じる浮遊容量７７，７８，７９が、配線パターン２１６との間の浮遊容量２１８，２１９から切り離される。

次に、ステップＳ３０２において、例えば予めＲＯＭに記憶されている位置座標データに基づいて、放電制御部８４からの制御信号に応じて、レーザー装置３から出力されたレーザー光がガルバノミラー４を介して電極５４へ照射され、電極５４から光電効果により電子が放出される。そうすると、電極５４はグラウンド電位にされている一方、配線パターン２１６は電圧Ｅが印加された透明電極板５１の電極とほぼ等しい電位に充電されており、電極５４と配線パターン２１６との間にほぼ電圧Ｅの電位差が生じているので、この電位差によって電極５４から放出された電子が導体部２０２，２０３に引き寄せられ、捕捉されるこれにより、浮遊容量２１８，２１９，２２０に充電されているプラス電荷が放電される。

また、電極５４から放出された電子に起因する電流値Ｉｄが、電流計５５によって測定される。この場合、スイッチ７２，７３，７４がオフされていることにより、浮遊容量７７，７８，７９が、配線パターン２１６との間の浮遊容量２１８，２１９から切り離されているので、電流値Ｉｄの測定精度を向上させることができる。なお、スイッチ７２，７３，７４は、必ずしもオフされている必要はなく、検査対象となる基板２や、検査対象配線パターンの特性に応じてスイッチ７２，７３，７４をオンさせても良い。

図４（ａ）の破線で示すグラフは、電極５４にレーザー光が照射された場合に電流計５５によって測定される電流値Ｉｄの変化の一例を示すグラフである。図４（ａ）において、グラフ４０７は配線パターン２１６が良品である場合、グラフ４０８は配線パターン２１６が断線不良である場合、グラフ４１０は配線パターン２１６が他の配線パターンと短絡している短絡不良である場合の一例を示している。

まず、配線パターン２１６が良品である場合、グラフ４０７を参照して、レーザー光が電極５４へ照射されると、電極５４から導体部２０２，２０３へ放出される電子に起因する電流値Ｉｄが電流計５５によって測定されると共に、導体部２０２，２０３により捕捉された電子によって、浮遊容量２１８，２１９，２２０に充電されているプラス電荷が放電される。すなわち、電流値Ｉｄは、導体部２０２，２０３により捕捉された単位時間あたりの電荷量に相当する一方、この電荷量に相当する電子によって、浮遊容量２１８，２１９，２２０が放電され、導体部２０２，２０３の電位が下降すると共に導体部２０２，２０３と電極５４との間の電位差が小さくなる結果、電極５４から放出される単位時間あたりの電荷量、すなわち電流値Ｉｄが減少する。

従って、電流値Ｉｄは、レーザー光の照射時間Ｔの経過に伴い減少する。そして、導体部２０２，２０３と電極５４との間の電位差が略零になったとき、電極５４から導体部２０２，２０３へ電子が放出されなくなるために、電流Ｉｄが零になる。

次に、ステップＳ３０３において、タイマー８３によって、電流計５５によって測定される電流Ｉｄが実質的に零、すなわち零に対して誤差範囲以内になるまでの、電極５４へのレーザー光の照射時間Ｔが計測される。この場合、電流Ｉｄが実質的に零になるまでの照射時間Ｔは、レーザー光が照射された電極５４から放出された電子によって、浮遊容量２１８，２１９，２２０を放電させるのに必要な時間であり、ステップＳ１０３におけるレーザー光が照射された導体部２０２から電子が放出されることによって浮遊容量２１８，２１９，２２０が充電される時間Ｔ、すなわち電流Ｉが実質的に零になるまでの照射時間Ｔとほぼ等しくなる。

従って、図４（ａ）を参照して、配線パターン２１６が良品である場合、グラフ４０７はグラフ４０１と近似した電流値Ｉｄの変化を示し、照射時間Ｔはほぼ時間Ｔｐとなる。また、配線パターン２１６が断線不良である場合、グラフ４０８はグラフ４０２と近似し、照射時間Ｔはほぼ時間Ｔｏ１となる。また、配線パターン２１６が他の配線パターンと短絡している短絡不良である場合、グラフ４１０はグラフ４０３と近似し、照射時間Ｔはほぼ時間Ｔｓとなる。なお、配線パターン２１６が断線不良である場合に、導体部２０２，２０３の両方に対してそれぞれ電流Ｉが実質的に零になるまでレーザー光を照射して浮遊容量２１８，２１９，２２０が充電されていた場合には、導体部２０２と導通している範囲の配線パターンが生じる浮遊容量及び導体部２０３と導通している範囲の配線パターンが生じる浮遊容量を合わせた浮遊容量に充電されている電荷を放電させることになるため、電流値Ｉｄは、グラフ４０９で示すように変化し、照射時間Ｔは時間Ｔｏ１よりも長くなる。

そこで、以下のステップにおいて、タイマー８３により計測された照射時間Ｔと、基準データ記憶部８２に記憶されている配線パターン２１６の基準データに基づいて、配線パターン２１６の良否判定が行われる。

すなわち、ステップＳ３０４において、制御部８によって、タイマー８３により計測された照射時間Ｔと、基準データ記憶部８２に記憶されている配線パターン２１６の基準データの下限値（Ｔｐ−α）とが比較され、照射時間Ｔが（Ｔｐ−α）に満たない場合、配線パターン２１６は断線不良と判定され（ステップＳ３０４でＹＥＳ）、表示部９によりその旨表示される（ステップＳ３０５）一方、照射時間Ｔが（Ｔｐ−α）以上の場合（ステップＳ３０４でＮＯ）、短絡検査を行うべくステップＳ３０６へ移行する。

次に、ステップＳ３０６において、制御部８によって、タイマー８３により計測された照射時間Ｔと、基準データ記憶部８２に記憶されている配線パターン２１６の基準データの上限値（Ｔｐ＋α）とが比較され、照射時間Ｔが（Ｔｐ＋α）を超えている場合、配線パターン２１６は短絡不良と判定され（ステップＳ３０６でＹＥＳ）、表示部９によりその旨表示される（ステップＳ３０７）一方、照射時間Ｔが（Ｔｐ＋α）を超えない場合（ステップＳ３０６でＮＯ）、照射時間Ｔは基準値の範囲内であるので、配線パターン２１６は良品と判定され、表示部９によりその旨表示される（ステップＳ３０８）。

以上、ステップＳ３０１〜Ｓ３０８の動作によって、配線パターン２１６の再検査を行うことができる。

なお、レーザー光が照射された電極５４から放出された電子によって、配線パターン２１６の浮遊容量２１８，２１９，２２０に充電された電荷を放電させる例を示したが、例えば、接触子６１とスイッチ７１の間に電流値Ｉｄ測定用の電流計を介設すると共にスイッチ７１をオンさせることにより、電極５４の代わりに導体部２０１を用いて、配線２１１、パッド２０６、接触子６１、当該電流計、及びスイッチ７１を介して直流電源７５の負極側に導体部２０１を接続すると共に、導体部２０１にレーザー光を照射することにより、導体部２０１から放出された電子によって、配線パターン２１６の浮遊容量２１８，２１９，２２０に充電された電荷を放電させる構成としても良い。

これにより、電極５４を用いる必要がなく、基板検査装置１ｂの構成を簡素化することができる。また、スイッチ７２，７３，７４をオフさせた状態で、導体部２０１にレーザー光を照射するようにすれば、浮遊容量７７，７８，７９が、配線パターン２１６との間の浮遊容量２１８，２１９から切り離されているので、電流値Ｉｄの測定精度を向上させることができる。

また、ステップＳ３０３〜Ｓ３０８において、配線パターン２１６の浮遊容量２１８，２１９，２２０に充電された電荷を放電させる際の、電流値Ｉｄが零になる照射時間Ｔに基づいて配線パターン２１６の再検査を行う例を示したが、ステップＳ３０２において、浮遊容量２１８，２１９，２２０に充電されているプラス電荷が放電された後、再びステップＳ１０１〜Ｓ１０８の動作を行うことにより、配線パターン２１６の再検査を行う構成としても良い。これにより、ステップＳ３０２において、浮遊容量２１８，２１９，２２０に充電されているプラス電荷を放電させることができるので、再びステップＳ１０１〜Ｓ１０８の動作を行うことにより、配線パターン２１６の再検査を行うことができる。

本発明の第１の実施形態による基板検査装置の構成の一例を説明するための概念図である。 図１に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図１に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 （ａ）は、図１及び図７に示す基板検査装置の動作を説明するための図であり、（ｂ）は、図５に示す基板検査装置の動作を説明するための図である。 本発明の第２の実施の形態による基板検査装置の構成の一例を説明するための概念図である。 図５に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 本発明の第３の実施の形態による基板検査装置の構成の一例を説明するための概念図である。 図７に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ 基板検査装置
２ 基板
３ レーザー装置（電磁波照射部）
４ ガルバノミラー
５ チャンバー室
６ 多針状プローブ
８，８ａ，８ｂ 制御部
２１，２２ 表面
５１ 透明電極板（電極部）
５２ パッキン
５３ 電流計（検出部）
５４ 電極（放電用電極部）
５５ 電流計（放電電流検出部）
６１，６２，６３，６４ 接触子
７１，７２，７３，７４ スイッチ（切替部）
７５ 直流電源（電源部）
７６，７７，７８，７９ 浮遊容量
８１ 基板データ記憶部
８２ 基準データ記憶部
８３ タイマー
８４ 放電制御部
２０１ 導体部（第１の配線パターン）
２０２ 導体部（第１の配線パターン、第１の検査点）
２０３ 導体部（第１の配線パターン、第２の検査点）
２０４，２０５ 導体部（第１の配線パターン）
２０６，２０７，２０８，２０９ パッド（第２の配線パターン）
２１１，２１２，２１３，２１４，２１５ 配線
２１６，２１７ 配線パターン（第１の配線パターン）

Claims (7)

1. 検査位置に保持され、一方表面に複数の第１の配線パターンが、他方表面に複数の第２の配線パターンが形成され、第１配線パターンの一部は第１配線パターン間でのみの間で接続されている基板の、前記第１の配線パターンにおける検査点に、電磁波を照射することによって放出される電子に起因する電気信号を検出することにより、前記配線パターンの検査を行う基板検査装置において、
   前記電磁波を前記検査点に収斂させて照射する電磁波照射部と、
   前記第２の配線パターンのそれぞれに同時に接触する多針状の接触子と、
   前記電磁波照射部から照射された電磁波によって前記検査点から放出された電子を捕捉する電極部と、
   前記多針状の接触子と前記電極部との間に電位差を生じさせる電源部と、
   前記多針状の接触子と前記電源部の負極側との間の接続をオンオフする切替部と、
   前記電極部により捕捉された電子に起因する電気信号を検出する検出部と、
   前記切替部をオンさせて多針状接触子全てを電源部の負極に接続すると共に、前記第１の配線パターンのうち第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンにおける検査点に対して、電磁波照射部によって電磁波を照射させることにより当該検査点を充電した場合に、前記検出部によって検出された電気信号に基づいて、当該第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンの良否を判定する良否判定制御を行う制御部と、
   電流値を測定する放電電流検出部を介して前記電源部の負極側に接続される放電用電極部とを備え、
   前記制御部は、前記良否判定制御の実行後、さらに前記電磁波照射部によって電磁波を前記放電用電極部へ照射させることによって前記第１配線パターン間でのみの間で接続されていると共に前記良否判定制御の実行により充電された配線パターンを放電させる放電制御を実行し、当該放電制御を実行する過程において前記放電電流検出部によって検出される電流値に基づいて、当該良否判定制御を実行した対象である配線パターンについての良否を再度判定すること
   を特徴とする基板検査装置。
2. 前記検出部は、前記電極部により捕捉された電子に起因して流れる電流値を測定するものであり、
   前記制御部は、前記良否判定制御において、第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンにおける検査点に対して、前記検出部によって検出される電流値が零になるまで前記電磁波照射部により電磁波を照射させ、前記電磁波が照射された時間が、予め定められた基準値の範囲内である場合に当該配線パターンを良と判定し、予め定められた基準値の範囲を超える場合に当該第配線パターンが他の配線パターンと短絡している短絡不良と判定し、予め定められた基準値の範囲に満たない場合に当該配線パターンが断線している断線不良と判定するものであることを特徴とする請求項１記載の基板検査装置。
3. 前記検出部は、前記電極部と前記電源部の正極側との間に介設されることを特徴とする請求項１又は２記載の基板検査装置。
4. 前記制御部は、前記放電制御を実行する場合に、前記切替部をオフさせて全ての接触子を電源から切り離すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板検査装置。
5. 前記放電用電極部の代わりに、前記第１の配線パターンのうち前記第２の配線パターンと導通されている配線パターンであって、前記切替部によって前記電源部の負極側に接続されている配線パターンを用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板検査装置。
6. 前記切替部は、前記多針状の接触子各々について、前記電源部の負極側との間の接続をオンオフするものであり、
   前記制御部は、前記放電制御を実行する場合に、前記第１の配線パターンと導通されている第２の配線パターンに接触している接触子以外の接触子について、前記切替部により前記接続をオフさせることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板検査装置。
7. 検査位置に保持され、一方表面に複数の第１の配線パターンが、他方表面に複数の第２の配線パターンが形成され、第１配線パターンの一部は第１配線パターン間でのみの間で接続されている基板の、前記第１の配線パターンにおける検査点に、電磁波を照射することによって放出される電子に起因する電気信号を検出することにより、前記配線パターンの検査を行う基板検査方法において、
   電磁波照射部が、前記電磁波を前記検査点に収斂させて照射する工程と、
   多針状の接触子を、前記第２の配線パターンのそれぞれに同時に接触させる工程と、
   電極部が、前記電磁波照射部から照射された電磁波によって前記検査点から放出された電子を捕捉する工程と、
   電源部が、前記多針状の接触子と前記電極部との間に電位差を生じさせる工程と、
   切替部が、前記多針状の接触子と前記電源部の負極側との間の接続をオンオフする工程と、
   検出部が、前記電極部により捕捉された電子に起因する電気信号を検出する工程と、
   制御部が、前記切替部をオンさせて多針状接触子全てを電源部の負極に接続すると共に、前記第１の配線パターンのうち第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンにおける検査点に対して、電磁波照射部によって電磁波を照射させることにより当該検査点を充電した場合に、前記検出部によって検出された電気信号に基づいて、当該第１配線パターン間でのみの間で接続されている配線パターンの良否を判定する良否判定制御を行う工程と、
   放電用電極部を、電流値を測定する放電電流検出部を介して前記電源部の負極側に接続する工程と、
   前記制御部が、前記良否判定制御の実行後、さらに前記電磁波照射部によって電磁波を前記放電用電極部へ照射させることによって前記第１配線パターン間でのみの間で接続されていると共に前記良否判定制御の実行により充電された配線パターンを放電させる放電制御を実行し、当該放電制御を実行する過程において前記放電電流検出部によって検出される電流値に基づいて、当該良否判定制御を実行した対象である配線パターンについての良否を再度判定する工程とを含むこと
   を特徴とする基板検査方法。

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