JP5409456B2 - 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 - Google Patents

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Description

本発明は、光通信分野等に用いられる光半導体素子等の電子部品を搭載して収納するための電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置に関する。
近年、40ｋｍ以下の伝送距離における高速通信に対する需要が急激に増加しており、高速大容量な情報伝送に関する研究開発が進められている。とりわけ、光通信装置を用いて光信号を受発信する半導体装置等の電子装置の高速化が注目されており、電子装置による光信号の高出力化と高速化が伝送容量を向上させるための課題であるとして研究開発されている。
従来の半導体装置に代表される電子装置の光出力は0.2〜0.5ｍＷ程度であり、電子部品として用いられる半導体素子の駆動電力は５ｍＷ程度であった。しかし、より大出力の半導体装置では、光出力が１ｍＷのレベルになってきており、また、半導体素子の駆動電力も10ｍＷ以上が要求されている。さらに、従来の半導体装置による伝送容量は2.5〜10Ｇ
ｂｐｓ（Giga bit per second）程度であったが、近年では25〜40Ｇｂｐｓ程度まで向上
してきており、半導体装置をより高出力化させ、高速化させることが要求されている。
従来の光通信装置に用いられているＬＤ（Laser Diode:レーザーダイオード）やＰＤ（Photo Diode:フォトダイオ−ド）等の光半導体素子を含む電子部品を搭載する電子部品搭載用パッケージおよびこれを用いた電子装置を図11に断面図で示す。
従来の電子部品搭載用パッケージは、上面に電子部品26の搭載部21ａを有する鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や鉄（Ｆｅ）−マンガン（Ｍｎ）合金等の金属から成る円板状の基体21と、基体21の上面から下面に形成された直径が0.5〜２ｍｍ
の貫通孔21ｂの中心部に挿通されるとともに、少なくとも下端部が貫通孔21ｂから突出するように封止材23を介して固定された信号端子25とを具備しているものであった。信号端子25の固定はホウケイ酸等を主成分とする絶縁ガラスから成る封止材23を介して行なわれ、封止材23によって基体21と信号端子25とが電気的に絶縁されている。また、基体21の下面には、２つの貫通孔21ｂ・21ｂの間に接地端子29が接続されている。この電子部品搭載用パッケージの搭載部21ａに必要に応じて回路基板26ａを介して電子部品26を搭載し、電子部品搭載用パッケージの信号端子25の上端部と電子部品26の端子とを回路基板26ａを介して電気的に接続し、基体21の上面の外周領域に、電子部品26を覆うようにＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体29をＹＡＧレーザー溶接，シーム溶接等の溶接またはろう接で接合して気密封止することによって電子装置としていた。また、この蓋体29の電子部品26と対向する部分に光ファイバを固定したり、電子部品26と対向する部分に光を透過させる窓を設けたりすることもある（例えば、特許文献１を参照。）。
また、伝送速度が10Ｇｂｐｓ以下の場合は、周辺部品のインピーダンスは25Ωで形成されていたが、高周波化が進むにつれ、周辺部品のインピーダンスが50Ωで形成されるようになっているため、高周波の通る信号端子25のインピーダンスを50Ωにマッチングさせようとすると、貫通孔21ｂの径が、インピーダンスを従来の25Ωで設計した場合に対してほぼ２倍となることがわかっている。
特開平８−130266号公報
しかしながら、25Ｇｂｐｓ以上の高周波信号で駆動される電子部品26を搭載し、インピーダンスを50Ωにマッチングさせるために信号端子25の通る貫通孔21ｂの径を大きくすると、電子部品26からの発熱を効率的に外部に放出できないという問題があった。
これは、貫通孔21ｂの径が大きくなることで、基体21の上面に電子部品26を搭載するための搭載部21ａの面積が小さくなるからであり、ペルチェ素子等の温度制御素子を間に介して搭載したとしても、温度制御素子と基体21の上面との接合面積が小さいと、温度制御素子から基体21への熱伝導の効率が低くなって効率的な熱放散ができないためである。
また、インピーダンスを50Ωにマッチングさせつつ貫通孔21ｂの径を小さくするために誘電率の小さい封止材23を用いようとすると、これと熱膨張係数が近い材料で基体21を形成しなければならないが、そのためには熱伝導率の小さい材料で基体21を形成しなければならず、温度制御素子を用いても上述したような大出力の光半導体素子等の電子部品から発生する熱は十分に放散することができないという問題があった。そのため、大出力の電子部品は、冷却性能が高い、大型のペルチェ素子等の温度制御素子を介して大型のパッケージに搭載しなければならず、電子装置の小型化の要求に応えられないものであった。
本発明はこのような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、特性インピーダンスを大きくして高周波信号を伝送するために信号端子を固定する貫通孔を大きくしても、大出力の電子部品から発生する熱を効率的に放散できる、小型の電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供することにある。
本発明の電子部品搭載用パッケージは、上面に電子部品の搭載部を、および上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔を有する第１の基体と、外周部が前記第１の基体の下面に接合された、前記第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、前記第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が前記第１の貫通孔を通って前記第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備しており、前記第２の基体の熱伝導率よりも前記第１の基体の熱伝導率の方が大きいことを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品搭載用パッケージは、上記構成において、前記第２の基体の外形寸法よりも前記第１の基体の外形寸法の方が大きいことを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品搭載用パッケージは、上記構成において、前記第１の基体および前記第２の基体の少なくとも一方は、前記第１の基体と前記第２の基体との接合部に沿った溝を有することを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品搭載用パッケージは、上記各構成において、前記第１の基体は下面に凹部を有し、前記第２の基体は前記凹部内で前記第１の基体に接合されていることを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品搭載用パッケージは、上記各構成において、前記第１の基体の下面の前記搭載部に対向する部分から外周部にかけて前記第１の基体よりも熱伝導率が高い接合材が被着されており、前記第２の基体は、外周部の前記接合材で前記第１の基体に接合されていることを特徴とするものである。
本発明の電子装置は、上記構成のいずれかの本発明の電子部品搭載用パッケージの前記搭載部に電子部品を搭載するとともに、前記蓋体接合部に蓋体を接合したことを特徴とするものである。
本発明の電子装置は、上記構成において、前記電子部品は、温度制御素子を介して搭載されていることを特徴とするものである。
本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、上面に電子部品の搭載部を、および上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔を有する第１の基体と、外周部が第１の基体の下面に接合された、第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が第１の貫通孔を通って第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備していることから、信号端子は所定のインピーダンスに整合させて第２の基体の貫通孔２ｂに充填した封止材３で固定されるとともに、信号端子が通る第１の基体の第１の貫通孔は、信号端子とともにエアー同軸構造としてインピーダンスを整合させるためにその径を小さいものとすることができるので、電子部品の搭載部の面積を大きくすることができ、さらに、第２の基体の熱伝導率よりも第１の基体の熱伝導率の方が大きいことから、基体が小型であっても、電子部品から発生した熱を第１の基体を介して効率よく外部に放出することができる電子部品搭載用パッケージとなる。
また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、上記構成において、第２の基体の外形寸法よりも第１の基体の外形寸法の方が大きい場合には、第１の基体の側面に、例えば電子装置を収納する筐体等の放熱体となるものを密着させやすくなるので、電子部品から発生した熱を第１の基体を介して外部により放出しやすい電子部品搭載用パッケージとなる。
また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、上記構成において、第１の基体および第２の基体の少なくとも一方が、第１の基体と第２の基体との接合部に沿った溝を有する場合には、搭載される電子部品に熱が発生して第１の基体と第２の基体との熱膨張係数の差による熱応力が発生しても、この熱応力は溝によって緩和されて、第１の基体と第２の基体との接合部に加わる熱応力は小さいものとなるので、より気密信頼性に優れた高信頼性の電子装置を得ることができる電子部品搭載用パッケージとなる。
また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、上記構成において、第１の基体が下面に凹部を有し、第２の基体が凹部内で第１の基体に接合されている場合には、パッケージの厚みを変えずに第１の基体の側面の面積を増やすことができるため、基体の側面を介しての熱の放出がより効率よくできるようになり、より高放熱の半導体素子収納用パッケージとなる。
また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、上記各構成において、第１の基体の下面の搭載部に対向する部分から外周部にかけて第１の基体よりも熱伝導率が高い接合材が被着されており、第２の基体は、外周部の接合材で第１の基体に接合されている場合には、電子部品から発生した熱が第１の基体の下面の接合材を介して第１の基体の側面側に伝導しやすくなるので、より効率よく外部に放出することができる半導体素子収納用パッケージとなる。
本発明の電子装置は、上記構成のいずれかの本発明の電子部品搭載用パッケージの搭載部に電子部品を搭載するとともに、蓋体接合部に蓋体を接合したことから、電子部品から発生した熱を第１の基体を介して効率的に外部に放出できるので、小型で高出力の電子装
置となる。
本発明の電子装置は、上記構成において、電子部品が温度制御素子を介して搭載されている場合には、温度制御素子によって電子部品の温度を一定に保つことができるようになり、温度変化によって発生する電子部品の特性変化がなくなるので、より特性の安定した電子装置となる。
本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す斜視図である。 図１に示す電子装置のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。 （ａ）は図３に示す本発明の電子部品搭載用パッケージの下面の一例を示す下面図であり、（ｂ）は同様の本発明の電子部品搭載用パッケージの他の例を示す下面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の例を示す断面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の例を示す断面図である。 （ａ）は図６に示す本発明の電子部品搭載用パッケージの第２の基体の例を示す下面図であり、（ｂ）は同様の第２の基体の他の例を示す下面図である。 （ａ）は本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。 （ａ）は本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。 （ａ）は本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。 従来の電子部品搭載用パッケージの形態の一例を示す断面図である。
本発明の電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置について、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１〜図10において、１は第１の基体、１ａは搭載部、１ｂは第１の貫通孔、１ｃは蓋体接合部、１ｄは凹部、２は第２の基体、２ｂは第２の貫通孔、３は封止材、４は接合材、５は信号端子、６は電子部品、６ａは回路基板、６ｂは中継基板、７はボンディングワイヤ、８はＤＣ端子、９は蓋体、10は溝、11は温度制御素子、12はモニタＰＤ素子、13は反射鏡、14は温度モニタ素子である。
図１に示す例では、第１の基体１の上面の中央部を搭載部１ａとして、ペルチェ素子等の温度制御素子11および回路基板６ａを介して電子部品６が搭載されている。電子部品６の一方の端子はボンディングワイヤ７で回路基板６ａ上の配線に電気的に接続されている。信号端子５の第１の基体１側の上端部と中継基板６ｂの信号線路とがろう材等の接合材で電気的に接続され、中継基板６ｂの上面の信号線路と回路基板６ａの配線とがボンディングワイヤ７で電気的に接続されることで、電子部品６と信号端子５とが電気的に接続されている。また、電子部品６の他方の端子は、回路基板６の配線を介して、グラウンドとして機能するＤＣ端子８の一つに電気的に接続されている。これによって、信号端子５は電子部品６と外部電気回路（図示せず）との間の入出力信号を伝送する伝送路として機能する。
図１に示す例では、主となる電子部品６がＬＤ素子である例を示しており、回路基板６ａ上には、ＬＤ素子の発振状態をモニタするＰＤ素子12，ＬＤ素子から発振されたレーザー光を回路基板６（第１の基体１）の上面から垂直方向に反射させるための反射鏡13，および回路基板６ａ上の温度を測定して温度制御素子11へフィードバックするための温度モニタ素子14が搭載されている。そして、第２の基体２には、信号端子５を固定するための第２の貫通孔２ｂ以外に、３つの第２の貫通孔２ｂが形成され、それぞれに２本ずつのＤＣ端子８が封止材３によって固定され、第１の基体１に形成された、対応する第１の貫通孔１ｂからＤＣ端子８の端部が突出している。ＤＣ端子８は、上述したグラウンド用以外に、温度制御素子11，モニタＰＤ12，および温度モニタ素子14への電力供給用のもの等がある。
なお、図１に示す例では電子部品１等が搭載された状態がわかるように蓋体９を外した状態を示しているが、図２に示す例のように、破線で示すような蓋体９を溶接またはろう接で蓋体接合部１ｃに接合することによって、本発明の電子装置が基本的に構成される。図２に示す例の蓋体９は、反射鏡13によって第１の基体１の上面から垂直方向に反射されたレーザー光を通すための、透光性部材がはめられた窓部を設けた例を示している。
なお、図１および図２に示す例では、１個の電子部品６を、回路基板６ａおよび温度制御素子11を介して第１の基体１の搭載部１ａの上に搭載しているが、複数の電子部品６を搭載してもよいし、回路基板６ａおよび温度制御素子11を介さずに第１の基体１の搭載部１ａの上に直接搭載してもよいし、ボンディングワイヤ７で電子部品６と信号端子５とを直接接続してもよい。また、信号端子５の数も、電子部品６の数や電子部品６の電極の数に応じて複数であっても構わない。そして、ＤＣ端子８の数も、温度制御素子12、モニタＰＤ13、温度モニタ素子15等の数に応じて決まるものである。
本発明の電子部品搭載用パッケージは、上面に電子部品６の搭載部１ａを有し、上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔１ｂを有する第１の基体１と、外周部が第１の基体１の下面に接合された、第１の貫通孔１ｂに対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔２ｂを有する第２の基体２と、第２の貫通孔２ｂに充填された封止材３を貫通して固定され、一端が第１の貫通孔１ｂを通って第１の基体１の上面から突出している信号端子５とを具備しており、第２の基体２の熱伝導率よりも第１の基体１の熱伝導率の方が大きいことを特徴とするものである。
このような構成により、信号端子５は所定のインピーダンスに整合させて第２の基体２の貫通孔２ｂに充填した封止材３で固定されることから、信号端子５が通る第１の基体１の貫通孔１ｂは、信号端子５とともにエアー同軸構造としてインピーダンスを整合させるためにその径を小さいものとすることができるので、電子部品６の搭載部１ａの面積を大きくすることができ、さらに、第２の基体２の熱伝導率よりも第１の基体１の熱伝導率の方が大きいことから、基体１，２が小型であっても、電子部品６から発生した熱を第１の基体１を介して効率よく外部に放出することができる電子部品搭載用パッケージとなる。
また、図３〜図６に示す例のように、上記構成において、第２の基体２の外形寸法よりも第１の基体１の外形寸法の方が大きいときには、第１の基体１の側面に、例えば電子装置を収納する筐体等の放熱体となるものを密着させやすくなるので、電子部品６から発生した熱を第１の基体１を介して外部により放出しやすい電子部品搭載用パッケージとなる。
また、図５〜図７に示す例のように、上記構成において、第１の基体１および第２の基体２の少なくとも一方が、第１の基体１と第２の基体２との接合部に沿った溝10を有するときには、搭載される電子部品６に熱が発生して第１の基体１と第２の基体２との熱膨張
係数の差による熱応力が発生しても、この熱応力は溝によって緩和されて、第１の基体１と第２の基体２との接合部に加わる熱応力は小さいものとなるので、より気密信頼性に優れた高信頼性の電子装置を得ることのできる電子部品搭載用パッケージとなる。
また、図６に示す例のように、上記構成において、第１の基体１が下面に凹部１ｄを有し、第２の基体２が凹部１ｄ内で第１の基体１に接合されているときには、パッケージの厚みを変えずに第１の基体１の側面の面積を増やすことができるため、基体１の側面を介しての熱の放出がより効率よくできるようになり、より高放熱の電子部品搭載用パッケージとなる。
また、図８〜図10に示す例のように、上記各構成において、第１の基体１の下面の搭載部１ａに対向する部分から外周部にかけて第１の基体１よりも熱伝導率が高い接合材４が被着されており、第２の基体２は、外周部の接合材４で第１の基体１に接合されているとき合には、電子部品６から発生した熱が第１の基体１の下面の接合材４を介して第１の基体１の側面側に伝導しやすくなるので、より効率よく外部に放出することができる半導体素子収納用パッケージとなる。
本発明の電子装置は、上記構成のいずれかの本発明の電子部品搭載用パッケージの搭載部１ａに電子部品６を搭載するとともに、蓋体接合部１ｃに蓋体９を接合したものであることから、電子部品６から発生した熱を第１の基体１を介して効率的に外部に放出できるので、小型で高出力の電子装置となる。
本発明の電子装置は、上記構成において、電子部品６が温度制御素子11を介して搭載されているときには、温度制御素子11によって電子部品６の温度を一定に保つことができるようになり、温度変化によって発生する電子部品６の特性変化がなくなるので、より特性の安定した電子装置となる。
第１の基体１は、上面の中央部に電子部品６の搭載部１ａを有するとともに、搭載された電子部品６が発生する熱をパッケージの外部に放散する機能を有する。このため、第１の基体１は、熱伝導性の良い金属から成るものであることが好ましく、第２の基体の熱伝導率よりも熱伝導率が大きいものである。搭載される電子部品６やセラミック製の回路基板６ａの熱膨張係数に近いものが好ましく、またコストの安いものとして、例えば、Ｆｅ−Ｍｎ合金等の鉄系の合金や純鉄等の金属や、銅（Ｃｕ）や銅系の合金が選ばれる。より具体的には、Ｆｅ99.6質量％−Ｍｎ0.4質量％系のＳＰＣ（Steel Plate Cold）材がある
。例えば基体１がＦｅ−Ｍｎ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作され、貫通孔１ｂはドリル加工や金型による打ち抜き加工によって形成される。また、第１の基体１が搭載部１ａとして突出部を有する形状の場合は、切削加工やプレス加工することによって形成することができる。
第１の基体１は厚みが0.25〜１ｍｍの平板状であり、その形状には特に制限はないが、例えば直径が３〜６ｍｍの円板状，半径が1.5〜８ｍｍの円周の一部を切り取った半円板
状，一辺が３〜15ｍｍの四角板状等である。
第１の基体１の厚みは0.5ｍｍ以上が好ましい。厚みが0.5ｍｍ未満の場合は、電子部品６を保護するための金属製の蓋体９を金属製の第１の基体１の上面に接合する際に、接合温度等の接合条件によっては第１の基体１が曲がったりして変形し易くなる。また、厚みが１ｍｍを超えると、第２の基体２と接合して得られる電子部品搭載用パッケージや電子装置の厚みが不要に厚いものとなり、小型化し難くなるので、第１の基体１の厚みは１ｍｍ以下であるのが好ましい。小型化のためには第１の基体１の厚みと第２の基体２の厚み
とを加えて２ｍｍ以下であるのがよいので、図６に示す例のように、第１の基体１が凹部１ｄを有し、第２の基体２がこの凹部１ｄ内で第１の基体１に接合されている場合には、第１の基体１は１ｍｍを超えて２ｍｍ以下の厚みであってもよい。
搭載部１ａの周辺には第１の基体１の上面から下面にかけて形成された直径が0.23〜1.15ｍｍの貫通孔１ｂを複数有する。信号端子５が通る貫通孔１ｂの直径は、中心に信号端子５が貫通することで特性インピーダンスが50Ωのエアー同軸が形成されるような寸法とする。例えば、信号端子５の直径が0.2ｍｍの場合であれば、貫通孔１ｂの直径は0.46ｍ
ｍとすればよい。ＤＣ端子８が通る貫通孔１ｂについては、ＤＣ端子８は特性インピーダンスの影響を受けないので、ＤＣ端子８と第１の基体１とがショートしない程度に、上記寸法よりも小さくして搭載部１ａの面積を大きくするとよい。また、逆に貫通孔１ｂを上記寸法よりも大きくして、図１に示す例のように複数のＤＣ端子８を貫通させても構わない。この場合は、例えば図１に示す例のように、円形ではなく長円形とすることで搭載部１ａの面積を大きくすることができる。上述したように、電子部品６の数や電子部品６の端子の数に応じて信号端子５の数が、また電子部品５以外の他の素子等の数に応じてＤＣ端子８の数が決まるので、それに応じて第１の貫通孔１ｂも適宜形成すればよい。
また、第１の基体１の表面には、耐食性に優れ、ろう材との濡れ性に優れた厚さが0.5
〜９μｍのＮｉ層と厚さが0.5〜５μｍのＡｕ層とをめっき法によって順次被着させてお
くのがよい。これにより、第１の基体１が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、電子部品６や回路基板６ａあるいは蓋体９等を第１の基体１に良好にろう付けすることができる。
第２の基体２は、第２の貫通孔２ｂ内に封止材３を介して信号端子５やＤＣ端子８を固定するだけでなく、蓋体９とともに、封止材３および接合材４によって電子部品６を気密に封止する機能を有する。このため、第２の基体２は、第１の基体１と第２の基体２との接合部が第１の貫通孔１ｂを取り囲むように、外周部で第１の基体１と接合されている。少なくとも外周部で接合されていれば気密に封止することができ、図10に示す例のように、第２の基体２の上面の全面が接合材４によって第１の基体１の下面に接合されていてもかまわない。
また、第２の基体２は、第１の基体１と同様の厚みが0.25〜１ｍｍの平板状であり、その形状には特に制限はないが、例えば直径が３〜６ｍｍの円板状，半径が1.5〜８ｍｍの
円周の一部を切り取った半円板状，一辺が３〜15ｍｍの四角板状等である。第２の基体２はその外周部が第１の基体１の下面に接合されるので、必要な大きさの第２の貫通孔２ｂが形成されるとともに、外周部が第１の貫通孔１ｂよりも大きいものであればよい。例えば、図３および図４（ａ）に示す例のように、平面視の外形が第１の基体１より一回り小さい第２の基体２を第１の基体１の下面に接合することによって、複数の第１の貫通孔１ｂをまとめて封止してもよいし、図４（ｂ）に示す例のように、第２の基体２を複数の第１の貫通孔１ｂのそれぞれよりも一回り大きい複数個にして、複数の第１の貫通孔１ｂをそれぞれ封止するようにしてもよい。また、このように第２の基体２が小さいと、第１の基体１との間で熱膨張係数に差がある場合には、発生する熱応力が小さくなるので好ましい。１つの第２の基体２に電子部品搭載用パッケージの全ての信号端子５が固定されていると、第１の基体１と第２の基体２とを接合する際に、信号端子５の相対位置が正確に位置決めできるとともに、複数の第１の貫通孔１ｂと複数の第２の貫通孔２ｂ（およびそれら第２の貫通孔２ｂ内に固定された複数の信号端子５）との位置合わせが一括して行なえるので、組み立て精度の良い電子部品搭載用パッケージを効率よく得ることができる。
第２の基体２の厚みは0.5ｍｍ以上が好ましい。厚みが0.5ｍｍ未満の場合は、外部からの応力によって変形しやすくなり、封止材３による気密性を保ち難くなる。また、厚みが
１ｍｍを超えると、第１の基体１と接合して得られる電子部品搭載用パッケージや電子装置の厚みが不要に厚いものとなり、小型化し難くなるので、第２の基体２の厚みは１ｍｍ以下であるのが好ましい。
第２の基体２は、信号端子５の固定用として、上面から下面にかけて形成された直径が0.53〜2.65ｍｍの第２の貫通孔２ｂを有する。第２の基体２の位置は、信号端子５固定用の第２の貫通孔２ｂが、信号端子５が通る第１の貫通孔１ｂと対応して同心円状に位置するように配置する。また、ＤＣ端子８の固定用の第２の貫通孔２ｂは、第１の基体１と第２の基体２とを接合した際に、ＤＣ端子８が通る第１の貫通孔１ｂと平面視で重なる位置に、ＤＣ端子８と第２の貫通孔２ｂの内面との間に十分な厚み（0.2ｍｍ程度）の封止材
３が入る程度の大きさに形成すればよい。
このような第２の基体２は、封止材３の熱膨張係数に近いものやコストの安いものとして、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成るものが好ましい。例えば第２の基体２がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。その後または同時に、第２の貫通孔２ｂがドリル加工や金型による打ち抜き加工によって形成される。
また、第２の基体２の表面には第１の基体１と同様に、耐食性に優れ、ろう材との濡れ性に優れた厚さが0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さが0.5〜５μｍのＡｕ層とをめっき法によって順次被着させておくのがよい。これにより、第２の基体２が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、第２の基体２を第１の基体１にろう付けにより良好に接合することができる。
溝10の形成は、搭載される電子部品６で発生した熱による、第１の基体１と第２の基体２との間の熱応力を緩和するだけでなく、蓋体９の接合時の衝撃や接合後の熱応力を緩和したり、蓋体接合部１ｃで発生した熱を放散しやすくしたりするという効果もある。このような効果を奏するには、第１の基体１および第２の基体２の少なくとも一方に形成されていればよい。また、蓋体９の接合時の熱によって第２の貫通孔２ｂ内の信号端子５の封止性が損なわれないようにするためのものでもあるので、第２の基体２に溝10が形成される場合は、第２の基体２の溝10は、第１の基体１との接合部と第２の貫通孔２ｂとの間に形成するとよい。
図５に示す例においては、第１の基体１と第２の基体２との接合部の内側の、第２の基体２の主面だけに垂直な溝10が形成されているので、第１の基体１の搭載部１ａから側面（外部）への熱伝導を妨げることないので好ましい。第１の基体１と第２の基体２との間において熱膨張係数の差が大きい場合は、第１の基体１の下面の、第１の基体１と第２の基体２との接合部の内側に溝を形成してもよい。
また、図６に示す例のように、第１の基体１が下面に凹部１ｄを有し、第２の基体２が凹部１ｄ内（凹部１ｄの側面）で第１の基体１に接合されている場合には、第１の基体１の溝10は、凹部１ｄの周囲の突出した部分に形成されるが、図６に示す例のように、突出した部分の主面（頂面）に形成してもよいし、突出した部分の内側面に形成してもよい。溝10を形成するのが突出した部分の主面であれば、プレス加工等によって形成するのが容易であり、溝10を形成するのが突出した部分の内側面であれば、蓋体接合部１ｃで発生した熱が第２の基体２へ伝導する経路が長くなるので好ましい。
溝10は、第１の基体１と第２の基体２との間で熱膨張係数が異なることによる熱応力の緩和のために、第１の基体１と第２の基体２との接合部に沿って全周にわたって形成され
ているのが好ましい。例えば、図６に示す例のように第２の基体２がその側面で第１の基体１と接合され、第２の基体２の下面に溝を設ける場合は、図７（ａ）に示す例のように連続した溝10でなくても、図７（ｂ）に示す例のように、第１の基体１と第２の基体２との接合部に沿って全周にわたって連続していない複数の溝10が形成され、接合部から溝10が形成されている方を見た場合に、１つの溝10の不連続な部分と他の溝10とが重なるように形成されていれば、第２の基体２の全周にわたって応力を緩和できるのでよい。また、連続した溝10が２重以上に形成されていてもよいし、例えば第１の基体１と第２の基体２との接合部と第２の貫通孔２ｂとの距離が短い部分を２重（例えば、図７（ｂ）の内側の溝10が連続した形状であるような場合）にして封止材３に熱が伝わり難くしてもよい。
溝10の幅や深さは、この部分で熱応力を緩和したり、蓋体接合部１ｃで発生した熱を放散したりできるような寸法にすればよく、第１の基体１および第２の基体２の材質に応じて設定すればよい。第１の基体１がＳＰＣ材で第２の基体２がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であり、図５に示す例のように第２の基体２の主面に対して垂直に形成される場合は、溝10の深さを第１の基体１および第２の基体２の厚みよりも0.1〜0.25ｍｍ小さい厚みとなるよ
うに、すなわち、溝10の底部の厚みが0.1〜0.25ｍｍとなるように形成すると、溝10の部
分による応力緩和の効果が大きくなり、かつ気密性も高いので好ましい。溝10の底部の厚みが薄いほど応力緩和の効果は大きいが、溝10の底部の厚みが0.1ｍｍ未満となると、溝10の部分での変形が大きくなり、電子部品６を搭載して使用した際に、繰り返し熱応力が
加わることで溝10の底部に亀裂が入って気密性が低くなりやすい。同様の理由から、溝10の断面形状は、底面と側面とがなす角部に丸みをつけた形状や、Ｕ字形状が好ましい。
信号端子５およびＤＣ端子８は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、例えば信号端子５がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって、長さが1.5〜22
ｍｍ、直径が0.1〜0.5ｍｍの線状に製作される。
信号端子５およびＤＣ端子８は、少なくとも下端部が第２の基体２の第２の貫通孔２ｂから１〜20ｍｍ程度突出するように封止材３を介して固定され、上端部は第１の基体１の第１の貫通孔１ｂから０〜２ｍｍ程度突出させる。
ＤＣ端子８は、グラウンド用のものであれば第２の基体２の下面にろう材等を用いて接続してもよい。
封止材３は、ガラスやセラミックスなどの無機材料から成り、信号端子５およびＤＣ端子８と第２の基体２との絶縁間隔を確保するとともに、信号端子５およびＤＣ端子８を第２の貫通孔２ｂに固定する機能を有する。このような封止材３の例としては、ホウケイ酸ガラス，ソーダガラス等のガラスおよびこれらのガラスに封止材３の熱膨張係数や比誘電率を調整するためのセラミックフィラーを加えたものが挙げられ、インピーダンスマッチングのためにその比誘電率を適宜選択する。比誘電率を低下させるフィラーとしては、酸化リチウム等が挙げられる。例えば、特性インピーダンスを50Ωとするには、信号端子５の外径が0.2ｍｍの場合であれば、エアー同軸となる第１の貫通孔１ｂの内径を0.46ｍｍ
とし、第２の貫通孔２ｂの内径を1.75ｍｍとして、封止材３に比誘電率が6.8であるもの
を用いればよい。あるいは信号端子５の外径が0.25ｍｍの場合であれば、第１の貫通孔１ｂの内径を0.57ｍｍとし、第２の貫通孔２ｂの内径を2.2ｍｍとして、封止材３の比誘電
率が6.8であるものを用いればよい。また、同じく信号端子５の外径が0.25ｍｍの場合で
あれば、第２の貫通孔２ｂの内径を1.65ｍｍとして、封止材３の比誘電率が５であるものを用いてもよい。封止材３の比誘電率が４であれば、同じ外径0.25ｍｍの場合で、第２の貫通孔２ｂの内径を1.35ｍｍとすれば特性インピーダンスが50Ωとなる。
封止材３の比誘電率が小さいほど、第２の貫通孔２ｂを小さくしてもインピーダンスを50Ωに整合することができるため、結果として第２の基体２の上面に接合する第１の基体１の大きさの小型化に効果的であり、より小型の電子部品収納用パッケージとすることができる。
ＤＣ端子８を固定するための封止材３は、特にインピーダンスを考慮する必要はなく、気密に封止してＤＣ端子８を固定できるものであればよいので、信号端子５を固定するための封止材３と同じものでなくても構わない。信号端子５の固定と同時にＤＣ端子８の固定を行なうためには、信号端子５を固定するための封止材３と同じガラス、あるいは同程度の融点を有するガラスを用いるとよい。
封止材３がガラスから成る場合は、内径が信号端子５またはＤＣ端子８の外径よりも大きく、外径が第２の貫通孔２ｂの内径よりも小さい筒状になるように粉体プレス法や押し出し成形法等で成形されたガラスの封止材３を第２の貫通孔２ｂに挿入し、信号端子５またはＤＣ端子８をこの封止材３に挿通し、しかる後、所定の温度に加熱して封止材３を溶融させることによって、信号端子５またはＤＣ端子８が封止材３に埋め込まれるとともに第２の貫通孔２ｂに第２の基体２と絶縁されて気密に固定される。信号端子５は、第２の貫通孔２ｂの中心に固定されることで良好な同軸伝送路となり、高周波信号を良好に伝送することができる。
第１の基体１と第２の基体２との接合は、ろう材やはんだあるいはガラス等の、接合とともに気密に封止することが可能な接合材４を用いて行なえばよい。例えば、金（Ａｕ）80質量％−錫（Ｓｎ）20質量％や、金（Ａｕ）88質量％−ゲルマニウム（Ｇｅ）12質量％や錫（Ｓｎ）96.5質量％−銀（Ａｇ）3.5質量％等の合金はんだを用いたはんだ箔を接合
面の形状に金型等で打ち抜いて作製した接合材４を第１の基体１と第２の基体２それぞれの接合面間に挟んで、窒素中で合金はんだの融点以上に加熱して冷却することで、第１の基体１と第２の基体２とが接合される。ろう材としては例えば銀ろう材、ガラスとしては低融点ガラスを用いればよい。また、箔を用いる代わりに接合材４のペーストを接合面に塗布して加熱してもよい。
第１の基体１の熱伝導率は第２の基体２の熱伝導率よりも大きいので、例えば、ＳＰＣ材から成る第１の基体１と、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２とを用いた場合は、ＳＰＣ材の熱伝導率が80Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱伝導率が30Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるので、熱伝導率の高い第１の基体１に電子部品６を搭載した電子装置は、その使用時に電子部品６が発する熱を熱伝導率の高い第１の基体１を通して外部に良好に放熱することができるので、信頼性の高い電子装置となる。また、蓋体接合部１ｃで発生した熱は熱伝導率の大きい第１の基体１内を伝導しやすく、熱伝導率の小さい第２の基体２へは伝導し難くなり、この熱によって封止材３に割れや剥がれなどが生じることがなくなるので好ましい。図２，図３，図５，図６，図８および図９に示す例のように、第２の基体２が外周部だけで第１の基体１に接合されている場合は、このような熱の第２の基体２への伝導経路が小さいので、封止材３の割れや剥がれなどがより生じ難くなる。
また、ＳＰＣ材から成る第１の基体１と、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２との組合せの場合は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２の熱膨張係数は４×10−６〜６×10−６／℃であるので、例えば、比誘電率が４と小さく、熱膨張係数が３×10−６／℃とＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱膨張係数に近い、ＳｉＯ２が72質量％、Ｂ２Ｏ３が25質量％で残りはその他組成であるガラスが封止材３として好適である。封止材３の比誘電率が小さいので第２の貫通孔２ｂおよび第２の基体２を小さくすることができ、電子部品搭載用パッケージを小型化することができる。このとき、第１の基体１も小さいものと
なるが、第１の基体１に形成される第１の貫通孔１ｂは小さいものでよいので、搭載部１ａ面積の第１の基体１の上面全体の面積に占める割合を高くすることができ、電子部品６に発生した熱を第１の基体１に効率よく伝えることができる。また、比誘電率の小さいガラスは、一般的に熱膨張係数が２×10−６〜５×10−６／℃と小さいので、ＳＰＣ材のような高熱伝導性の金属（熱膨張係数：８×10−６〜10×10−６／℃）に対して、比較的熱膨張係数の小さい（４×10−６〜６×10−６／℃）Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を第２の基体２として用いれば、第２の貫通孔２ｂ内に充填しても、第２の基体２との熱膨張差によって剥がれたり、割れたりすることがない。本発明の電子部品搭載用パッケージは、電子部品６が搭載される第１の基体１と、信号端子５が封止材３によって固定される第２の基体２とを、それぞれに必要な特性を有する別々の材質にすることで、小型で信頼性に優れた電子装置が得られるものとなる。
第１の基体１の下面の搭載部１ａに対向する部分から外周部にかけて第１の基体１よりも熱伝導率が高い接合材４を被着する場合は、接合材４は、図９に示す例のように、搭載部１ａに対向する部分と外周部との間に複数の熱伝導経路を設けるようにして被着してもよいが、図８に示す例のように、第１の基体１の下面の全面に被着すると、搭載部１ａに対向する部分から外周部への熱伝導経路が最大になり、より効率よく放熱できるので好ましい。また、第２の基体２の上面と第１の基体１の下面とを全面で接合材４によって接合する場合には、図10に示す例のように、第２の基体２の貫通孔２ｂ、少なくとも信号端子５が固定される貫通孔２ｂと重なる部分を避けて第１の基体１の下面に接合材４を被着させ、封止材３と接合材４とが接しないようにするのが好ましい。このようにすると、接合材４が導電性のろう材である場合には第２の貫通孔２ｂ内の信号端子５と接合材４との間に浮遊容量が発生することを、また、接合材４がガラス等の誘電体である場合には第２の貫通孔２ｂ内の信号端子５と第１の基体１との間の浮遊容量が大きくなることを抑えることができるので、浮遊容量によって特性インピーダンスが変動して信号の伝送特性が低下してしまうことがない。
第１の基体１よりも熱伝導率が高い接合材４としては、例えば、第１の基体１がＳＰＣ材である場合には、熱伝導率の高い銀を主成分とする銀ろう、例えば、Ａｇ72質量％−Ｃｕ28質量％合金（熱伝導率：374Ｗ／（ｍ・Ｋ））が挙げられる。この銀ろうはＪＩＳ（
日本工業規格）のＢＡｇ−８であるが、これ以外の銀ろうでもよく、また、必要に応じて融点や、硬度を低下させるために１質量％〜10質量％程度のインジウム（Ｉｎ）を加えたものでもよい。
また、第１の基体１の下面に接合材４を被着させる場合は、図９に示す例のように、さらに第１の基体１の側面まで延ばして被着させるとよい。このようにすることで、外部への放熱性がより高まる。さらには、図10に示す例のように、第１の基体１の側面だけでなく第２の基体２の側面まで延ばして被着することによってさらに放熱面積を大きくして放熱性を高めてもよい。また、この場合に、接合材４として第１の基体１より軟らかいものを用いると、第１の基体１の側面に放熱体となるものを密着させた場合の密着性が高くなるので、より効率的に放熱体に熱を伝えることができる。
このような本発明の電子部品搭載用パッケージの搭載部１ａに電子部品６を搭載するとともに、第１の基体１の蓋体接合部１ｃに蓋体９を接合することにより、本発明の電子装置となる。
電子部品６としては、ＬＤ（レーザーダイオード）やＰＤ（フォトダイオ−ド）等の光半導体素子、あるいは半導体集積回路素子を含む半導体素子、あるいは水晶振動子や弾性表面波素子等の圧電素子、あるいは圧力センサー素子，容量素子，抵抗器等が挙げられる。
回路基板６ａおよび中継基板６ｂの絶縁基板は、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体等のセラミックス絶縁材料等から成り、絶縁基板が例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、まずアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２），カルシア（ＣａＯ），マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法やカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに必要に応じて複数枚積層し、これを約1600℃の温度で焼成することによって製作される。また、その後、必要に応じて絶縁基板の主面に研磨加工を施す場合もある。
この絶縁基板の上面に配線導体を蒸着法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成することで、回路基板６ａおよび中継基板６ｂとなる。なお、配線導体は、例えば密着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層から成る。また、回路基板６ａおよび中継基板６ｂに形成される高周波信号の通る配線導体については、信号端子５の第２の貫通孔２ｂ部分と同様に、例えば特性インピーダンスを50Ωに整合させた線路とする。
密着金属層は、セラミックス等から成る絶縁基板との密着性を良好とするという観点からは、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）等の熱膨張率がセラミックスと近い金属のうち少なくとも１種より成るのが好ましく、その厚みは0.01〜0.2μｍ程度が
好ましい。密着金属層の厚みが0.01μｍ未満では、密着金属層を絶縁基板に強固に密着することが困難となる傾向があり、0.2μｍを超えると、成膜時の内部応力によって密着金
属層が絶縁基板から剥離し易くなる傾向がある。
また、拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐという観点からは、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等の熱伝導性の良好な金属のうち少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは0.05〜１μｍ程度が好ましい。拡散防止層の厚みが0.05μｍ未満では、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たしにくくなる傾向があり、１μｍを超えると、成膜時の内部応力によって拡散防止層が密着金属層から剥離し易く成る傾向がある。なお、拡散防止層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場合は、Ｎｉ−Ｃｒ合金は絶縁基板４との密着性が良好なため、密着金属層を省くことも可能である。
さらに、主導体層は、電気抵抗の小さい金（Ａｕ），Ｃｕ，Ｎｉ，銀（Ａｇ）の少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは0.1〜５μｍ程度が好ましい。主導体層の
厚みが0.1μｍ未満では、電気抵抗が大きなものとなって回路基板６ａの配線導体に要求
される電気抵抗を満足できなくなる傾向があり、５μｍを超えると、成膜時の内部応力によって主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。なお、Ａｕは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。また、Ｃｕは酸化し易いので、その上にＮｉおよびＡｕからなる保護層を被覆してもよい。
図１に示す例のような場合は、例えば、回路基板６ａおよび中継基板６ｂは、下面の接地導体層の表面に、200〜400℃の融点を有する半田や金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ろう材を、スクリーン印刷法を用いてろう材ペーストを印刷したり、フォトリソグラフィ法によって低融点ろう材膜を形成したり、低融点ろう材のプリフォームを配置したりして、200〜400℃の温度で加熱することによって第１の基体１に固定される。そして、電子部品６は、搭載部１ａに接合された回路基板６ａに200〜400℃の融点を有するＡｕ−Ｓｎ等のろう材によってろう付けされて固定され、その電極をボンディングワイヤ７を介して回
路基板６ａの配線導体に接続してこの配線導体と信号端子５とをボンディングワイヤ７で接続することによって信号端子５に電気的に接続される。また、例えば、回路基板６ａを基体１上に搭載した後に電子部品６を回路基板６ａ上に搭載する場合は、回路基板６ａの固定には金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）合金や金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）合金をろう材として用い、電子部品６の固定には、これらより融点の低い錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）合金や錫−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）合金のろう材や、融点より低い温度で硬化可能なＡｇエポキシ等の樹脂製の接着剤を用いればよい。また、電子部品６を回路基板６ａ上に搭載した後に回路基板６ａを第１の基体１上に搭載してもよく、その場合は上記とは逆に、回路基板６ａを第１の基体１上に搭載する際に用いるろう材の融点の方を低くすればよい。いずれの場合であっても、回路基板６ａ上や第１の基体１の搭載部１ａ上にろう材ペーストを周知のスクリーン印刷法を用いて印刷したり、フォトリソグラフィ法によってろう材層を形成したり、低融点ろう材のプリフォームを載置するなどすればよい。
高出力のＬＤ素子を電子部品６として搭載する場合は、電子部品６をより効果的に冷却して、電子部品６の温度変化によって特性が変化しないように、図１および図２に示す例のように、温度制御素子11を電子部品搭載用パッケージの搭載部１ａ上に搭載して、その上に電子部品６を搭載すればよい。搭載の方法は、上記と同様に、低融点ろう材によって固定すればよい。
蓋体９は、平面視で第１の基体１の上面の外周領域の蓋体接合部１ｃの形状に沿った外形で、第１の基体１の上面の搭載部１ａに搭載された電子部品６を覆うような空間を有する形状のものである。電子部品６と対向する部分に光を透過させる窓を設けてもよいし、窓に換えて、または窓に加えて光ファイバおよび戻り光防止用の光アイソレータを接合したものでもよい。
蓋体９は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金等の金属から成り、これらの板材にプレス加工や打ち抜き加工等の周知の金属加工方法を施すことによって作製される。蓋体９は、第１の基体１の材料と同程度の熱膨張係数を有するものが好ましく、第１の基体１の材料と同じものを用いるのがより好ましい。蓋体９が窓を有する場合は、電子部品６と対向する部分に孔を設けたものに、平板状やレンズ状のガラス製の窓部材を低融点ガラスなどによって接合する。
蓋体９の第１の基体１の蓋体接合部１ｃへの接合は、シーム溶接やＹＡＧレーザー溶接等の溶接またはＡｕ−Ｓｎろう材等のろう材によるろう付け等のろう接によって行なわれる。
１・・・・・第１の基体
１ａ・・・・搭載部
１ｂ・・・・第１の貫通孔
１ｃ・・・・蓋体接合部
１ｄ・・・・凹部
２・・・・・第２の基体
２ｂ・・・・第２の貫通孔
３・・・・・封止材
４・・・・・接合材
５・・・・・信号端子
６・・・・・電子部品
６ａ・・・・回路基板
６ｂ・・・・中継基板
７・・・・・ボンディングワイヤ
８・・・・・ＤＣ端子
９・・・・・蓋体
10・・・・・溝
11・・・・・温度制御素子
12・・・・・モニタＰＤ
13・・・・・反射鏡
14・・・・・温度モニタ素子

Claims (6)

  1. 上面に電子部品の搭載部を、および上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔を有する第１の基体と、外周部が前記第１の基体の下面に接合された、前記第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、前記第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が前記第１の貫通孔を通って前記第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備しており、前記第２の基体の熱伝導率よりも前記第１の基体の熱伝導率の方が大きく、かつ前記第２の基体の外形寸法よりも前記第１の基体の外形寸法の方が大きいことを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。
  2. 上面に電子部品の搭載部を、および上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔を有する第１の基体と、外周部が前記第１の基体の下面に接合された、前記第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、前記第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が前記第１の貫通孔を通って前記第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備しており、前記第２の基体の熱伝導率よりも前記第１の基体の熱伝導率の方が大きく、前記第１の基体および前記第２の基体の少なくとも一方は、前記第１の基体と前記第２の基体との接合部に沿った溝を有することを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。
  3. 上面に電子部品の搭載部を、および上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔を有する第１の基体と、外周部が前記第１の基体の下面に接合された、前記第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、前記第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が前記第１の貫通孔を通って前記第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備しており、前記第２の基体の熱伝導率よりも前記第１の基体の熱伝導率の方が大きく、前記第１の基体は下面に凹部を有し、前記第２の基体は前記凹部内で前記第１の基体に接合されていることを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。
  4. 上面に電子部品の搭載部を、および上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔を有する第１の基体と、外周部が前記第１の基体の下面に接合された、前記第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、前記第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が前記第１の貫通孔を通って前記第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備しており、前記第２の基体の熱伝導率よりも前記第１の基体の熱伝導率の方が大きく、前記第１の基体の下面の前記搭載部に対向する
    部分から外周部にかけて前記第１の基体よりも熱伝導率が高い接合材が被着されており、前記第２の基体は、外周部の前記接合材で前記第１の基体に接合されていることを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージの前記搭載部に電子部品を搭載するとともに、前記第１の基体の上面に前記電子部品および前記第１の貫通孔を覆う蓋体を接合したことを特徴とする電子装置。
  6. 前記電子部品は、温度制御素子を介して搭載されていることを特徴とする請求項５記載の電子装置。
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