JP2010010658A - 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】特性インピーダンスを大きくするために信号端子を固定する貫通孔を大きくしても気密不良が発生しない電子部品搭載用パッケージを提供する。
【解決手段】上面の外周領域に蓋体９を接合する蓋体接合部１ｃを有するとともに、その内側領域に、上面に電子部品６の搭載部１ａを、および上面から下面にかけて第１の貫通孔１ｂを有する第１の基体１と、外周部が第１の基体の下面に接合された、第１の貫通孔１ｂに対応して上面から下面にかけて第２の貫通孔２ｂを有する第２の基体２と、第２の貫通孔に充填された封止材３を貫通して固定され、一端が第１の貫通孔を通って第１の基体の上面から突出している信号端子５とを具備している電子部品搭載用パッケージである。第２の貫通孔を大きくしても、蓋体接合部から離れているので封止材が破損することがなく、気密性が損なわれることがない。
【選択図】図２

Description

本発明は、光通信分野等に用いられる光半導体素子等の電子部品を搭載して収納するための電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置に関する。

近年、40ｋｍ以下の伝送距離における高速通信に対する需要が急激に増加しており、高速大容量な情報伝送に関する研究開発が進められている。とりわけ、光通信装置を用いて光信号を受発信する半導体装置等の電子装置の高速化が注目されており、電子装置による光信号の高出力化と高速化が伝送容量を向上させるための課題であるとして研究開発されている。

従来の半導体装置に代表される電子装置の光出力は0.2〜0.5ｍＷ程度であり、電子部品として用いられる半導体素子の駆動電力は５ｍＷ程度であった。しかし、より大出力の半導体装置では、光出力が１ｍＷのレベルになってきており、また、半導体素子の駆動電力も10ｍＷ以上が要求されている。さらに、従来の半導体装置による伝送容量は2.5〜10Ｇｂｐｓ（Giga bit per second）程度であったが、近年では25〜40Ｇｂｐｓ程度まで向上してきており、半導体装置をより高出力化させ、高速化させることが要求されている。

従来の光通信装置に用いられているＬＤ（Laser Diode：レーザダイオード）やＰＤ（Photo Diode：フォトダイオ−ド）等の光半導体素子を含む電子部品を搭載する電子部品搭載用パッケージおよびこれを用いた電子装置を図11に断面図で示す。

従来の電子部品搭載用パッケージは、上面に電子部品26の搭載部21ａを有する鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や鉄（Ｆｅ）−マンガン（Ｍｎ）合金等の金属から成る円板状の基体21と、基体21の上面から下面に形成された直径が0.5〜２ｍｍの貫通孔21ｂの中心部に挿通されるとともに、少なくとも下端部が貫通孔21ｂから突出するように封止材23を介して固定された信号端子25とを具備しているものであった。信号端子25の固定はホウケイ酸等を主成分とする絶縁ガラスから成る封止材23を介して行なわれ、封止材23によって基体21と信号端子25とが電気的に絶縁されている。また、基体21の下面には、２つの貫通孔21ｂ・21ｂの間に接地端子29が接続されている。この電子部品搭載用パッケージの搭載部21ａに必要に応じて回路基板26ａを介して電子部品26を搭載し、電子部品搭載用パッケージの信号端子25の上端部と電子部品26の端子とを回路基板26ａを介して電気的に接続し、基体21の上面の外周領域に、電子部品26を覆うようにＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体29をＹＡＧレーザ溶接，シーム溶接等の溶接またはろう接により接合して気密封止することにより、電子装置としていた。また、この蓋体29の電子部品26と対向する部分に光ファイバを固定したり、電子部品26と対向する部分に光を透過させる窓を設けたりすることもある（例えば、特許文献１を参照。）。

また、伝送速度が10Ｇｂｐｓ以下の場合は、周辺部品のインピーダンスは25Ωで形成されていたが、高周波化が進むにつれ、周辺部品のインピーダンスが50Ωで形成されるようになっているため、高周波の通る信号端子25のインピーダンスを50Ωにマッチングさせようとすると、貫通孔21ｂの径が、インピーダンスを従来の25Ωで設計した場合に対してほぼ２倍となることがわかっている。

特開平８−130266号公報

しかしながら、25Ｇｂｐｓ以上の高周波信号で駆動される電子部品26を搭載し、インピーダンスを50Ωにマッチングさせるために信号端子25の通る貫通孔21ｂの径を大きくすると、蓋体29をＹＡＧレーザ溶接，シーム溶接またはろう付け等の接合方法で気密封着した場合に、気密不良が発生しやすくなるという問題点があった。

これは、貫通孔11ｃの径が大きくなることで蓋体接合部21ｃと貫通孔21ｂとの距離が近付いたので、例えばシーム溶接の場合は主に機械的衝撃が、ろう付けの場合は基体21と蓋体29との熱膨張係数の差による熱応力が蓋体接合部21ｃに加わり、これが貫通孔21ｂへ伝わることにより、貫通孔21ｂ内の封止材23にクラックが発生したり、貫通孔21ｂの内壁と封止材23との間や信号端子25と封止材23との間に剥がれが発生したりしてしまうためであると考えられる。また、シーム溶接やＹＡＧレーザ溶接の場合は急激に高温に加熱され、接合部21ｃから貫通孔21ｂまでの距離が短いとその間で熱が拡散しないので貫通孔21ｂの内面もすぐに高温になるのに対して、金属製の基体21に対して熱伝導率の小さいガラス製の封止材23は温度が上昇するのに時間がかかり、両者の間で熱膨張差が生じて、貫通孔21ｂの内壁と封止材23との間や信号端子25と封止材23との間に剥がれが発生してしまうと考えられる。

本発明はこのような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、特性インピーダンスを大きくして高周波信号を伝送するために信号端子を固定する貫通孔を大きくしても、気密不良が発生しない電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供することにある。

本発明の電子部品搭載用パッケージは、上面の外周領域に溶接またはろう接により蓋体を接合する蓋体接合部を有するとともに、該蓋体接合部の内側領域に、上面に電子部品の搭載部を、および上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔を有する第１の基体と、外周部が前記第１の基体の下面に接合された、前記第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、前記第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が前記第１の貫通孔を通って前記第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備することを特徴とするものである。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージは、上記構成において、前記第１の基体および前記第２の基体の少なくとも一方は、前記第１の基体と前記第２の基体との接合部に沿った溝を有することを特徴とするものである。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージは、上記各構成において、前記第１の基体は下面に凹部を有し、前記第２の基体は前記凹部内で前記第１の基体に接合されていることを特徴とするものである。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージは、上記各構成において、前記第１の貫通孔の内面と前記信号端子との間に絶縁性部材が配置されていることを特徴とするものである。

本発明の電子装置は、上記構成のいずれかの本発明の電子部品搭載用パッケージの前記搭載部に電子部品を搭載するとともに、前記蓋体接合部に蓋体を接合したことを特徴とするものである。

本発明の電子部品搭載用パッケージは、上面の外周領域に蓋体接合部を有する第１の基体と、外周部が第１の基体の下面に接合された、第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が第１の貫通孔を通って第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備することから、信号端子が固定される第２の貫通孔の径を大きくして蓋体を第１の基体の上面の外周領域の蓋体接合部に溶接またはろう接により接合したとしても、蓋体接合部で発生した熱は、主として蓋体接合部を有する第１の基体に拡散して外部に放出され、また、信号端子が固定される第２の貫通孔は、蓋体接合部を有する第１の基体とは別の第２の基体に形成され、蓋体接合部から離れているので、接合時の衝撃や接合後の熱応力が蓋体接合部と第２の貫通孔との間の基体によって緩和され、第２の貫通孔内の封止材にクラックが入ったり封止材と信号端子や第２の貫通孔の内壁面との間で剥がれが生じたりすることがなく、気密性が損なわれることのない高信頼性の電子装置を得ることができる電子部品搭載用パッケージとなる。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、上記構成において、第１の基体および第２の基体の少なくとも一方が、第１の基体と第２の基体との接合部に沿った溝を有する場合には、蓋体接合時の衝撃や接合後の熱応力が溝によって緩和されるとともに、蓋体接合部で発生した熱が放散しやすくなり、第２の貫通孔内の封止材にクラックが入ったり封止材と信号端子や第２の貫通孔の内壁面との間で剥がれが生じたりすることがなくなるので、より高信頼性の電子装置を得ることができる電子部品搭載用パッケージとなる。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、上記構成において、第１の基体が下面に凹部を有し、第２の基体が凹部内で第１の基体に接合されている場合には、電着機やシームウェルド装置等により蓋体接合部に電流を流して蓋体を接合する場合に、電流を第１の基体だけに流すことができるので、この電流により第１の基体と第２の基体との接合部を発熱させて接合材を再溶融させてしまうことがないため、電着機やシームウェルド装置等による、局所加熱が可能で生産性の高い接合方法を蓋体の接合に用いることができる、蓋体の接合方法の選択の自由度が大きい電子部品搭載用パッケージとなる。また、蓋体接合部と第２の貫通孔とがより離れることとなることで、蓋体接合時の衝撃や熱応力が第２の貫通孔内の封止材により加わり難くなるため、より高信頼性の半導体素子収納用パッケージとなる。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、上記構成において、第１の貫通孔の内面と信号端子との間に絶縁性部材が配置されている場合には、第１の基体と第２の基体との間の熱膨張係数の相違により、第２の基体の第２の貫通孔に固定された信号端子と第１の基体の第１の貫通孔との位置がずれたとしても、間に絶縁性部材が配置されていることによって信号端子と第１の基体とが接触することがなく、絶縁性が保たれるので、第１の基体および第２の基体のそれぞれに、求められる特性を有する材料を選択することができ、より高信頼性の半導体素子収納用パッケージとなる。

本発明の電子装置は、上記構成のいずれかの本発明の電子部品搭載用パッケージの搭載部に電子部品を搭載するとともに、蓋体接合部に蓋体を接合したことから、信号端子が固定される第２の貫通孔の径が大きい場合であっても、外部との気密性を保つ上で重要な第２の貫通孔および第２の貫通孔内の封止材が蓋体接合部から離れていることにより、蓋体を第１の基体の上面の外周部に溶接またはろう接により接合したときの衝撃や、接合後の熱応力によって気密性が損なわれることがないので、気密性に優れた、高信頼性の電子装置となる。

本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の一例を示す斜視図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、いずれも本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す下面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す断面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す断面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す断面図である。 （ａ）は図６の本発明の電子部品搭載用パッケージの第２の基体の例を示す下面図であり、（ｂ）は同様の第２の基体の他の例を示す下面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す断面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す断面図である。 本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す断面図である。 従来の電子部品搭載用パッケージの形態の一例を示す断面図である。

本発明の電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置について、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１は、本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の一例を示す斜視図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ線で切断した断面の一例を示す断面図であり、図３は本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す下面図であり、図４〜図６，図８〜図10は、本発明の電子部品搭載用パッケージの実施の形態の他の一例を示す断面図である。図７（ａ）は、図６の本発明の電子部品搭載用パッケージの第２の基体の下面図であり、図７（ｂ）は同様の第２の基体の他の例を示す下面図である。

図１〜図10において、１は第１の基体、１ａは搭載部、１ｂは第１の貫通孔、１ｃは蓋体接合部、１ｄは凹部、２は第２の基体、２ｂは第２の貫通孔、３は封止材、４は接合材、５は信号端子、６は電子部品、６ａは回路基板、７はボンディングワイヤ、８は接地端子、８ａは接地封止材、９は蓋体、10は溝、11は絶縁性部材である。

図１に示す例では、第１の基体１の上面から突出した突出部を搭載部１ａとして、その側面に回路基板６ａを介して電子部品６が搭載されている。電子部品６はボンディングワイヤ７で回路基板６ａ上の配線に電気的に接続されている。さらに、信号端子５・５の第１の基体１側の上端部と回路基板６ａ上の配線とは、ろう材等の接合材で電気的に接続されている。これによって、信号端子５は電子部品６と外部電気回路（図示せず）との間の入出力信号を伝送する伝送路として機能する。さらに、図２、図４〜図６，図８〜図10に示すように、破線で示すような蓋体９を溶接またはろう接により蓋体接合部１ｃに接合することにより、本発明の電子装置が基本的に構成される。なお、図１〜図10に示す例では、１個の電子部品６を、回路基板６ａを介して第１の基体１の搭載部１ａの上に搭載しているが、複数の電子部品６を搭載してもよいし、回路基板６ａを介さずに第１の基体１の搭載部１ａの上に直接搭載し、ボンディングワイヤ７で信号端子５・５に接続してもよい。また、信号端子５の数も、電子部品６の数や電子部品６の電極の数に応じて２本より多くても構わない。

本発明の電子部品搭載用パッケージは、上面の外周領域に溶接またはろう接により蓋体９を接合する蓋体接合部１ｃを有するとともに、この蓋体接合部１ｃの内側領域に、上面に電子部品６の搭載部１ａを有し、上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔１ｂを有する第１の基体１と、外周部が第１の基体１の下面に接合された、第１の貫通孔１ｂに対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔２ｂを有する第２の基体２と、第２の貫通孔２ｂに充填された封止材３を貫通して固定され、一端が第１の貫通孔１ｂを通って第１の基体１の上面から突出している信号端子５とを具備することを特徴とするものである。

このような構成により、信号端子５が固定される第２の貫通孔２ｂの径を大きくして蓋体９を第１の基体１の上面の外周領域の蓋体接合部１ｃに溶接またはろう接により接合したとしても、この接合で発生した熱は、主として蓋体接合部１ｃを有する第１の基体１に拡散して外部に放出される。また、信号端子５が固定される第２の貫通孔２ｂは、蓋体接合部１ｃを有する第１の基体１とは別の第２の基体２に形成されており、蓋体接合部１ｃから離れているので、第１の基体１への蓋体９の接合時の衝撃や接合後の熱応力が蓋体接合部１ｃと第２の貫通孔２ｂとの間の第１の基体１によって緩和され、第２の貫通孔２ｂ内の封止材３にクラックが入ったり、封止材３と信号端子５や第２の貫通孔２ｂの内壁面との間で剥がれが生じたりすることがない。これらの結果、気密性が損なわれることのない高信頼性の電子装置を得ることのできる電子部品搭載用パッケージとなる。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、図４〜図７に示す例のように、上記構成において、第１の基体１および第２の基体２の少なくとも一方が、第１の基体１と第２の基体２との接合部に沿った溝10を有する場合には、蓋体９の接合時の衝撃や接合後の熱応力が溝10によって緩和されるとともに、蓋体接合部１ｃで発生した熱が放散しやすくなり、第２の貫通孔２ｂ内の封止材３にクラックが入ったり封止材３と信号端子５や第２の貫通孔２ｂの内壁面との間で剥がれが生じたりすることがなくなるので、より高信頼性の電子装置を得ることのできる電子部品搭載用パッケージとなる。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、図６に示す例のように、上記構成において、第１の基体１が下面に凹部１ｄを有し、第２の基体２が凹部１ｄ内で第１の基体１に接合されている場合には、電着機やシームウェルド装置等により蓋体接合部１ｃに電流を流して第１の基体１に蓋体９を接合する場合に、電流を第１の基体１だけに流すことができるので、この電流により第１の基体１と第２の基体２との接合部を発熱させて接合材４を再溶融させてしまうことがないため、電着機やシームウェルド装置等による、局所加熱が可能で生産性の高い接合方法を蓋体９の接合に用いることができる、蓋体９の接合方法の選択の自由度が大きい電子部品搭載用パッケージとなる。また、図６に示す例のように第１の基体１の凹部１ｄの側面下側と第２の基体２の側面下側とを接合した場合には、蓋体接合部１ｃと第２の貫通孔２ｂとがより離れることとなることで、蓋体９の接合時の衝撃や熱応力が第２の貫通孔２ｂ内の封止材３に、より加わり難くなるため、より高信頼性の半導体素子収納用パッケージとなる。

また、本発明の電子部品搭載用パッケージによれば、図８〜図10に示す例のように、上記構成において、第１の貫通孔１ｂの内面と信号端子５との間に絶縁性部材11が配置されている場合には、第１の基体１と第２の基体２との間の熱膨張係数の相違により、第２の基体２の第２の貫通孔２ｂに固定された信号端子５と第１の基体１の第１の貫通孔１ｂとの位置がずれたとしても、これらの間に絶縁性部材11が配置されていることによって信号端子５と第１の基体１（の第１の貫通孔１ｂの内壁）とが接触することがなく、絶縁性が保たれるので、第１の基体１および第２の基体２のそれぞれに、求められる特性を有する材料を選択することができ、より高信頼性の半導体素子収納用パッケージとなる。

本発明の電子装置は、上記構成のいずれかの本発明の電子部品搭載用パッケージの搭載部１ａに電子部品６を搭載するとともに、蓋体接合部１ｃに蓋体９を接合したことから、信号端子５が固定される第２の貫通孔２ｂの径が大きい場合であっても、外部との気密性を保つ上で重要な第２の貫通孔２ｂおよび第２の貫通孔２ｂ内の封止材３が蓋体接合部１ｃから離れていることにより、蓋体９を第１の基体１の上面の外周部に溶接またはろう接により接合したときの衝撃や、接合後の熱応力により気密性が損なわれることがないので、気密性に優れた、高信頼性の電子装置となる。

第１の基体１は、上面の中央部に電子部品６の搭載部１ａを有するとともに、搭載された電子部品６が発生する熱をパッケージの外部に放散する機能を有する。このため、第１の基体１は、熱伝導性の良い金属から成るものであることが好ましく、搭載される電子部品６やセラミック製の回路基板６ａの熱膨張係数に近いものやコストの安いものとして、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｍｎ合金等の鉄系の合金や純鉄等の金属が選ばれる。より具体的には、Ｆｅ99.6質量％−Ｍｎ0.4質量％系のＳＰＣ（Steel Plate Cold）材がある。例えば基体１がＦｅ−Ｍｎ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作され、貫通孔１ｂはドリル加工や金型による打ち抜き加工により形成される。また、第１の基体１が搭載部１ａとして突出部を有する形状の場合は、切削加工やプレス加工することにより形成することができる。

第１の基体１は厚みが0.25〜１ｍｍの平板状であり、その形状には特に制限はないが、例えば直径が３〜６ｍｍの円板状，半径が1.5〜８ｍｍの円周の一部を切り取った半円板状，一辺が３〜15ｍｍの四角板状等である。

第１の基体１の厚みは0.5ｍｍ以上が好ましい。厚みが0.5ｍｍ未満の場合は、電子部品６を保護するための金属製の蓋体９を金属製の第１の基体１の上面に接合する際に、接合温度等の接合条件により第１の基体１が曲がったりして変形し易くなる。また、厚みが１ｍｍを超えると、第２の基体２と接合して得られる電子部品搭載用パッケージや電子装置の厚みが不要に厚いものとなり、小型化し難くなるので、第１の基体１の厚みは１ｍｍ以下であるのが好ましい。小型化のためには第１の基体１の厚みと第２の基体２の厚みとを加えて２ｍｍ以下であるのがよいので、図６に示す例のように、第１の基体１が凹部１ｄを有し、第２の基体２がこの凹部１ｄ内で第１の基体１に接合されている場合には、第１の基体１は１ｍｍを超えて２ｍｍ以下の厚みであってもよい。

搭載部１ａの周辺には第１の基体１の上面から下面にかけて形成された直径が0.23〜1.15ｍｍの貫通孔１ｂを複数有する。貫通孔１ｂの直径は、中心に信号端子５が貫通することで特性インピーダンスが50Ωのエアー同軸が形成されるような寸法とする。例えば、信号端子５の直径が0.2ｍｍの場合であれば、貫通孔１ｂの直径は0.46ｍｍとすればよい。図１〜図６に示す例では、２つの貫通孔１ｂを有する第１の基体１に１個の電子部品６を搭載しているが、複数の電子部品６を搭載したり、電子部品６の数や電子部品６の端子の数に応じて第１の貫通孔１ｂを２つ以上形成したりしても構わない。

また、第１の基体１の表面には、耐食性に優れ、ろう材との濡れ性に優れた厚さが0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さが0.5〜５μｍのＡｕ層とをめっき法により順次被着させておくのがよい。これにより、第１の基体１が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、電子部品６や回路基板６ａあるいは蓋体９を第１の基体１に良好にろう付けすることができる。

第２の基体２は、第２の貫通孔２ｂ内に封止材３を介して信号端子５を固定するだけでなく、蓋体９とともに、封止材３および接合材４により電子部品６を気密に封止する機能を有する。このため、第２の基体２は、第１の基体１と第２の基体２との接合部が第１の貫通孔１ｂを取り囲むように、外周部で第１の基体１と接合されている。

また、第２の基体２は、第１の基体１と同様の厚みが0.25〜１ｍｍの平板状であり、その形状には特に制限はないが、例えば直径が３〜６ｍｍの円板状，半径が1.5〜８ｍｍの円周の一部を切り取った半円板状，一辺が３〜15ｍｍの四角板状等である。第２の基体２の形状および大きさを第１の基体１のそれらと同じにすると、外辺を基準として両者を容易に位置合わせすることができるので好ましい。第２の基体２はその外周部が第１の基体１の下面に接合されるので、必要な大きさの第２の貫通孔２ｂが形成されるとともに、外周部が第１の貫通孔１ｂより大きいものであればよい。例えば、図３（ａ）に示す例のように、第１の貫通孔１ｂを１つだけ取り囲んで接合されるような形状としてもよいし、図３（ｂ）に示す例のように、複数の第１の貫通孔１ｂ・１ｂを取り囲んで接合されるような形状としてもよい。このように第２の基体２が小さいと、第１の基体１との熱膨張差がある場合には、発生する熱応力が小さくなるので好ましい。１つの第２の基体２に電子部品搭載用パッケージの全ての信号端子５が固定されていると、第１の基体１と第２の基体２とを接合する際に、信号端子５の相対位置が正確に位置決めできるとともに、複数の第１の貫通孔１ｂと複数の第２の貫通孔２ｂ（それら第２の貫通孔２ｂ内に固定された複数の信号端子５）との位置合わせが一括して行なえるので、組み立て精度の良い電子部品搭載用パッケージを効率良く得ることができる。

第２の基体２の厚みは0.5ｍｍ以上が好ましい。厚みが0.5ｍｍ未満の場合は、外部からの応力により変形しやすくなり、封止材３による気密性を保ち難くなる。また、厚みが１ｍｍを超えると、第１の基体１と接合して得られる電子部品搭載用パッケージや電子装置の厚みが不要に厚いものとなり、小型化し難くなるので、第２の基体２の厚みは１ｍｍ以下であるのが好ましい。

第２の基体２は、上面から下面にかけて形成された直径が0.53〜2.65ｍｍの第２の貫通孔２ｂを有する。第２の基体２の位置は、第２の貫通孔２ｂが第１の貫通孔１ｂと対応して同心円状に位置するように配置する。

このような第２の基体２は、封止材３の熱膨張係数に近いものやコストの安いものとして、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｍｎ合金等の金属から成るものが好ましい。例えば第２の基体２がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。その後または同時に、第２の貫通孔２ｂがドリル加工や金型による打ち抜き加工により形成される。

また、第２の基体２の表面には第１の基体１と同様に、耐食性に優れ、ろう材との濡れ性に優れた厚さが0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さが0.5〜５μｍのＡｕ層とをめっき法により順次被着させておくのがよい。これにより、第２の基体２が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、第２の基体２を第１の基体１にろう付けにより良好に接合することができる。

溝10は、蓋体９の接合時の衝撃や接合後の熱応力を緩和したり、蓋体接合部１ｃで発生した熱を放散しやすくしたりするためのものであるので、第１の基体１および第２の基体２の少なくとも一方に形成されていればよい。また、第２の貫通孔２ｂ内の信号端子５の封止性が損なわれないようにするためのものでもあるので、第２の基体２に溝10が形成される場合は、第２の基体２の溝10は、第１の基体１との接合部と第２の貫通孔２ｂとの間に形成するとよい。

図４に示す例においては、第１の基体１と第２の基体２との接合部の内側の、第１の基体１および第２の基体２それぞれの主面に垂直な溝10が形成されている。図５に示す例は、第２の基体２の外周部が第２の基体２の主面から突出しており、突出部の頂部（上面）が第１の基体１と第２の基体２との接合部となっている。この例では、第１の基体１の溝10は図４に示す例と同様に形成され、第２の基体２の溝10は、外周部の突出した部分の内側側面に垂直に（第２の基体２と平行に）形成されている。このように、第２の基体２が突出した部分で第１の基体１と接合していると、接合材４の幅を広く取ったとしても、封止材３と蓋体接合部１ｃとの距離を長く取ることができるので、封止材３に加わる応力を抑えることができ、信頼性をより高くすることができる。また、蓋体接合部１ｃで発生した熱が第２の基体２へ伝導する経路が長くなるので好ましい。図５に示す例のように、外周部の突出した部分の側面に第２の基体２の溝10を設けると、第２の基体２の主面に溝10を設けるスペースを空ける必要がないので、第２の貫通孔２ｂをより大きくすることができるので好ましい。また、第１の基体１の溝10は、いずれも、第１の基体１と第２の基体２との接合部の内側の主面に垂直に形成されているが、第１の基体１の側面に形成してもよい。第１の基体１の側面に垂直に形成した場合は、第１の基体１の外側に位置することとなり、蓋体接合部１ｃで発生した熱が第２の基体２へ伝導する経路に位置することとなるので、より放熱性が高まり、第２の基体２へ熱を伝導し難くなるという点で好ましい。

また、第１の基体１が下面に凹部１ｄを有し、第２の基体２が凹部１ｄ内（凹部１ｄの側面）で第１の基体１に接合されている場合には、図６に示す例のように、第１の基体１の溝10は、凹部１ｄの周囲の突出した部分に形成されるが、図６に示す例のように、突出した部分の主面（頂面）に形成してもよいし、突出した部分の内側面に形成してもよい。溝10を形成するのが突出した部分の主面であれば、プレス加工等により形成するのが容易であり、溝10を形成するのが突出した部分の内側面であれば、蓋体接合部１ｃで発生した熱が第２の基体２へ伝導する経路が長くなるので好ましい。

溝10は、蓋体９の接合時の熱衝撃や熱応力の緩和のために、第１の基体１と第２の基体２との接合部に沿って全周にわたって形成されているのが好ましい。ただし、図７（ａ）に示す例のように１本の連続した溝10でなくても、図７（ｂ）に示す例のように、第１の基体１と第２の基体２との接合部（図７（ｂ）では第２の基体２の側面）に沿って全周にわたって連続していない複数の溝10が形成され、接合部から溝10が形成されている方を見た場合に、１つの溝10の不連続な部分と他の溝10とが重なるように形成されていればよい。また、連続した溝10が２重以上に形成されていてもよいし、例えば第１の基体１と第２の基体２との接合部と第２の貫通孔２ｂとの距離が短い部分を２重（例えば、図７（ｂ）の内側の溝10が連続した形状であるような場合）にしてもよい。

溝10の幅や深さは、この部分で蓋体９の接合時の衝撃や接合後の熱応力を緩和したり、蓋体接合部１ｃで発生した熱を放散したりできるような寸法にすればよく、第１の基体１および第２の基体２の材質に応じて設定すればよい。第１の基体１および第２の基体２がＳＰＣ材やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であり、図４に示す例のように第１の基体１および第２の基体２の主面に対して垂直に形成される場合は、溝10の深さを第１の基体１および第２の基体２の厚みより0.1〜0.25ｍｍ小さい厚みとなるように、すなわち、溝10の底部の厚みが0.1〜0.25ｍｍとなるように形成すると、溝10の部分による応力緩和の効果が大きくなり、かつ気密性も高いので好ましい。溝10の底部の厚みが薄いほど応力緩和の効果は大きいが、溝10の底部の厚みが0.1ｍｍ未満となると、溝10の部分での変形が大きくなり、電子部品６を搭載して使用した際に、繰り返し熱応力が加わることで溝10の底部に亀裂が入って気密性が低くなりやすい。同様の理由から、溝10の断面形状は、底面と側面とがなす角部に丸みをつけた形状や、Ｕ字形状が好ましい。

信号端子５は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、例えば信号端子５がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって、長さが1.5〜22ｍｍ、直径が0.1〜0.5ｍｍの線状に製作される。

信号端子５は、少なくとも下端部が第２の基体２の第２の貫通孔２ｂから１〜20ｍｍ程度突出するように封止材３を介して固定され、上端部は第１の基体１の第１の貫通孔１ｂから０〜２ｍｍ程度突出させる。

接地端子８は、信号端子５と同様にして製作され、第２の基体２の下面にろう材等を用いて接続される。図２に示す例のように、位置決めの容易性と接合強度の向上のために、予め第２の基体２の下面に穴を形成しておき、その穴に接地端子４を挿入して接合してもよい。また、同様の理由で、図２に示す例のように、第２の基体２の下面に当接するように接地端子８に鍔をつけて、接合面積をより大きくしてもよい。このようにして第２の基体２に接地端子８を接合し、第１の基体１と第２の基体２とを導電性の接合材４により接合することで、接続端子８を外部電気回路に接続した際には、第１の基体１が接地導体としても機能する。

接地端子８は、図３（ａ）に示す例のような場合は、第１の基体１に図２に示す例と同様にして接合される。あるいは、図５に示す例のように、接地端子８を第１の基体１に同様にして接合し、接合されていない端部を第２の基体２に設けた孔に通して、この孔と接地端子８との間を接地封止材８ａで充填して封止すればよい。このようにすると、第１の基体１と第２の基体２との接合に、非導電性の接合材４を用いることができる。接地封止材８ａは、信号端子５を固定する封止材３と同じものを用いて、信号端子５の固定と同時に行なってもよい。この場合は、接地端子８の第１の基体１への接合を第１の基体１と第２の基体との接合と同時に行なってもよい。

封止材３は、ガラスやセラミックスなどの無機材料から成り、信号端子５と第２の基体２との絶縁間隔を確保するとともに、信号端子５を第２の貫通孔２ｂに固定する機能を有する。このような封止材３の例としては、ホウケイ酸ガラス，ソーダガラス等のガラスおよびこれらのガラスに封止材３の熱膨張係数や比誘電率を調整するためのセラミックフィラーを加えたものが挙げられ、インピーダンスマッチングのためにその比誘電率を適宜選択する。比誘電率を低下させるフィラーとしては、酸化リチウム等が挙げられる。例えば、特性インピーダンスを50Ωとするには、信号端子５の外径が0.2ｍｍの場合であれば、エアー同軸となる第１の貫通孔１ｂの内径を0.46ｍｍとし、第２の貫通孔２ｂの内径を1.75ｍｍとして、封止材３に比誘電率が6.8であるものを用いればよい。あるいは信号端子５の外径が0.25ｍｍの場合であれば、第１の貫通孔１ｂの内径を0.57ｍｍとし、第２の貫通孔２ｂの内径を2.2ｍｍとして、封止材３の比誘電率が6.8であるものを用いればよい。また、同じく信号端子５の外径が0.25ｍｍの場合であれば、第２の貫通孔２ｂの内径を1.65ｍｍとして、封止材３の比誘電率が５であるものを用いてもよい。

封止材３がガラスから成る場合は、内径が信号端子５の外径より大きく、外径が第２の貫通孔２ｂの内径より小さい筒状になるように粉体プレス法や押し出し成形法等で成形されたガラスの封止材３を第２の貫通孔２ｂに挿入し、信号端子５をこの封止材３に挿通し、しかる後、所定の温度に加熱して封止材３を溶融させることにより、信号端子５が同軸状とされて封止材３に埋め込まれるとともに第２の貫通孔２ｂに第２の基体２と絶縁されて気密に固定される。

封止材３の比誘電率が小さいほど、第２の貫通孔２ｂを小さくしてもインピーダンスを50Ωに整合することができるため、封止面積が小さく、蓋体接合部１ｃとの距離が大きくなることにより封止信頼性が高く、より小型の電子部品収納用パッケージとすることができる。例えば、信号端子５の外径が0.25ｍｍのものを用いて、封止材３に比誘電率５のホウケイ酸系ガラスを用いると、第２の貫通孔２ｂの内径を1.65ｍｍとすることができる。このホウケイ酸系ガラスは熱膨張係数が約６×10^−６／℃であるので、第２の基体２には封止材３との熱膨張差の小さいＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（熱膨張係数：約５×10^−６／℃）を用いて、両者の熱膨張差によって第２の貫通孔２ｂ内の封止材３にクラックが入ったり、封止材３と信号端子５や第２の貫通孔２ｂの内壁面との間で剥がれが生じたりすることがないようにする。一方、第１の基体１には放熱性のよいＦｅ99.6質量％−Ｍｎ0.4質量％系のＳＰＣ材を用いるのが好ましい。このＳＰＣ材の熱膨張係数は約12×10^−６／℃である。第１の基体１と第２の基体２との間の熱膨張係数の相違によって、第２の基体２の第２の貫通孔２ｂに固定された信号端子５と第１の基体１の第１の貫通孔１ｂとの位置がずれてしまい、信号端子５と第１の基体１（の第１の貫通孔１ｂの内面）とが接触する場合がある。このとき、上述したように、これらの間に絶縁性部材11が配置されていると、このような接触を防止できるので、さらに高放熱かつ封止信頼性に優れたものとすることができる。

絶縁性部材11の配置は、図８に示す例のように、第１の貫通孔１ｂの内面と信号端子５との間に充填して配置してもよいし、図９に示す例のように、第１の貫通孔１ｂの内面および信号端子５の第１の貫通孔１ｂ内に位置する部分の外面の少なくとも一方を被覆するように配置してもよい。あるいは、図10に示す例のように、第１の貫通孔１ｂの長さ方向の一部において（第１の基体１の厚みより小さい範囲で）第１の貫通孔１ｂの内面と信号端子５との間を充填しても、信号端子５と第１の基体１（の第１の貫通孔１ｂの内壁）とは接触することがなく、絶縁性が保たれるのでよい。第１の貫通孔１ｂの長さ方向の全域において信号端子５のインピーダンスを整合させるには、第１の貫通孔１ｂの長さ方向で第１の貫通孔１ｂの内面と信号端子５との間の静電容量が同じであるのがよいので、第１の貫通孔１ｂの内面と信号端子５との間に絶縁性部材11を充填して配置する場合は、図８に示す例のように、第１の貫通孔１ｂの長さ方向の全域で充填するのがよい。同様に、第１の貫通孔１ｂの内面や信号端子５の外面を絶縁性部材11で被覆する場合は、その厚みは第１の貫通孔１ｂ内で一定にするのがよい。また、第１の基体１と第２の基体２との間の熱膨張係数の相違によって、第２の基体２の第２の貫通孔２ｂに固定された信号端子５と第１の基体１の第１の貫通孔１ｂとの位置がずれてしまうと、インピーダンスもずれてしまうので、これらの間に絶縁性部材11が充填されているのがよい。

絶縁性部材11は、第１の基体１に蓋体９を接合する際の熱によって溶融したり分解したりしないようなものから選択される。第１の貫通孔１ｂの内面と信号端子５との間を絶縁性部材11で充填する場合は、その誘電率が大きいと第１の貫通孔１ｂの径を大きくしなければならず、第１の基体１と蓋体９との接合部からの距離が近くなって蓋体９を接合する際の熱の影響を受けるので、比誘電率の小さい、４フッ化エチレン樹脂（比誘電率：約2.0），ポリフェニルエーテル樹脂（比誘電率：約2.7），シクロオレフィン樹脂（比誘電率：約2.4）等の樹脂を用いる。絶縁性部材11を、第１の貫通孔１ｂの内面および信号端子５の第１の貫通孔１ｂ内に位置する部分の外面の少なくとも一方を被覆して配置する場合は、第１の貫通孔１ｂの内面と信号端子５との間には空間が形成されてその部分の比誘電率は小さいので、上述したような樹脂以外にも、それより比誘電率が大きい、封止材３と同様のものを用いることができる。

絶縁性部材11として比誘電率が2.0である４フッ化エチレン樹脂を用いて、第１の貫通孔１ｂの内面と信号端子５との間に絶縁性部材11を充填する場合は、信号端子５の外径が0.25ｍｍのものを用いると、特性インピーダンスを50Ωとするには、第１の貫通孔１ｂの径は0.8ｍｍとなる。同じ絶縁性部材11で第１の貫通孔１ｂの内面を被覆する場合は、その厚みを0.025ｍｍとして、信号端子５の外径が0.25ｍｍのものを用いると、第１の貫通孔１ｂの径は0.6ｍｍとなる。

絶縁性部材11を配置するには、絶縁性部材11がガラスから成る場合であれば、封止材３と同様にして、あるいはガラス粉末に適当な溶剤やバインダーを加えて作製したガラスペーストを第１の貫通孔１ｂの内面に塗布したり充填したりしてから加熱・冷却することによって溶融・凝固させればよい。絶縁性部材11が熱硬化性の樹脂から成る場合であれば、液状の樹脂を第１の貫通孔１ｂの内面に塗布したり充填したりしてから加熱することによって硬化させてもよいし、貫通孔１ｂの内径および信号端子５の外形に応じた形状に成型したものを第１の貫通孔１ｂに嵌め込み、必要に応じて接着剤で固定すればよい。

第１の基体１と第２の基体２との接合は、ろう材やはんだあるいはガラス等の、接合とともに気密に封止することが可能な接合材４を用いて行なえばよい。例えば、第１の基体１と第１の基体２それぞれの接合する面にメタライズ法や薄膜法で金属層を形成し、金（Ａｕ）80質量％−錫（Ｓｎ）20質量％（融点280℃）や、金（Ａｕ）88質量％−ゲルマニウム（Ｇｅ）12質量％（融点356℃）や錫（Ｓｎ）96.5質量％−銀（Ａｇ）3.5質量％（融点221℃）等の合金半田を用いた半田箔を接合面の形状に金型等で打ち抜いて作製した接合材４を第１の基体１と第２の基体２それぞれの金属層間に挟んで、窒素中で合金半田の融点以上に加熱して冷却することで、第１の基体１と第２の基体２とが接合される。

第１の基体１の熱伝導率は第２の基体２の熱伝導率より大きいことが好ましい。例えば、ＳＰＣ材から成る第１の基体１と、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２とを用いた場合は、ＳＰＣ材の熱伝導率が80Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱伝導率が30Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるので、蓋体接合部１ｃで発生した熱は熱伝導率の大きい第１の基体１内を伝導しやすく、熱伝導率の小さい第２の基体２へは伝導し難くなるので好ましい。また、熱伝導率の高い第１の基体１に電子部品６を搭載した電子装置は、その使用時に電子部品６が発する熱を熱伝導率の高い第１の基体１を通して外部に良好に放熱することができるので、信頼性の高い電子装置となる。

また、ＳＰＣ材から成る第１の基体１と、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２との組合せの場合は、比誘電率の小さいガラスを封止材３として用いることができ、それにより第２の貫通孔２ｂおよび第２の基体２を小さくし、電子部品搭載用パッケージを小型化することができる。比誘電率の小さいガラスは、一般的に熱膨張係数が２×10^−６〜５×10^−６／℃と小さいので、ＳＰＣ材のような高熱伝導性の金属が熱膨張係数が大きい（８×10^−６〜10×10^−６／℃）のに対して、比較的熱膨張係数の小さい（４×10^−６〜６×10^−６／℃）Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第２の基体２の第２の貫通孔２ｂ内に充填しても、第２の基体２との熱膨張差により剥がれたり、割れたりすることがないからである。このように、本発明の電子部品搭載用パッケージは、電子部品６が搭載される第１の基体１と信号端子５が封止材３により固定される第２の基体２とを、それぞれに必要な特性を有する別々の材質にすることで、信頼性に優れた電子装置が得られるものとなる。

このような本発明の電子部品搭載用パッケージの搭載部１ａに電子部品６を搭載するとともに、第１の基体１の蓋体接合部１ｃに蓋体９を接合することにより、本発明の電子装置となる。

電子部品６としては、ＬＤ（レーザーダイオード）やＰＤ（フォトダイオ−ド）等の光半導体素子、あるいは半導体集積回路素子を含む半導体素子、あるいは水晶振動子や弾性表面波素子等の圧電素子、あるいは圧力センサー素子，容量素子，抵抗器等が挙げられる。

回路基板６ａの絶縁基板は、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ_２Ｏ_３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体等のセラミックス絶縁材料等から成り、絶縁基板が例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、まずアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）やシリカ（ＳｉＯ_２），カルシア（ＣａＯ），マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに必要に応じて複数枚積層し、これを約1600℃の温度で焼成することにより製作される。また、その後、必要に応じて絶縁基板の主面に研磨加工を施す場合もある。

この絶縁基板の上面に配線導体を蒸着法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成することで、回路基板６ａとなる。なお、配線導体は、例えば密着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層から成る。

密着金属層は、セラミックス等から成る絶縁基板との密着性を良好とするという観点からは、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，窒化タンタル（Ｔａ_２Ｎ）等の熱膨張率がセラミックスと近い金属のうち少なくとも１種より成るのが好ましく、その厚みは0.01〜0.2μｍ程度が好ましい。密着金属層の厚みが0.01μｍ未満では、密着金属層を絶縁基板に強固に密着することが困難となる傾向があり、0.2μｍを超えると、成膜時の内部応力によって密着金属層が絶縁基板から剥離し易くなる傾向がある。

また、拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐという観点からは、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等の熱伝導性の良好な金属のうち少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは0.05〜１μｍ程度が好ましい。拡散防止層の厚みが0.05μｍ未満では、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たしにくくなる傾向があり、１μｍを超えると、成膜時の内部応力により拡散防止層が密着金属層から剥離し易く成る傾向がある。なお、拡散防止層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場合は、Ｎｉ−Ｃｒ合金は絶縁基板４との密着性が良好なため、密着金属層を省くことも可能である。

さらに、主導体層は、電気抵抗の小さい金（Ａｕ），Ｃｕ，Ｎｉ，銀（Ａｇ）の少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは0.1〜５μｍ程度が好ましい。主導体層の厚みが0.1μｍ未満では、電気抵抗が大きなものとなって回路基板６ａの配線導体に要求される電気抵抗を満足できなくなる傾向があり、５μｍを超えると、成膜時の内部応力により主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。なお、Ａｕは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。また、Ｃｕは酸化し易いので、その上にＮｉおよびＡｕからなる保護層を被覆してもよい。

また、回路基板６ａは、下面の接地導体層の表面に温度が200〜400℃に融点を有する半田や金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ろう材をスクリーン印刷法を用いて印刷したり、フォトリソグラフィ法によって低融点ろう材を形成したり、低融点ろう材のプレフォームを用いて200〜400℃の温度で加熱することにより第１の基体１に固定される。

電子部品６は、搭載部１ａに接合された回路基板６ａに200〜400℃の融点を有するＡｕ−Ｓｎ等のロウ材によりロウ付けされて固定され、しかる後、その電極をボンディングワイヤ７を介して回路基板６ａの配線導体に電気的に接続される。

電子部品６の電子部品搭載用パッケージや回路基板６ａへの搭載、あるいは回路基板６ａの電子部品搭載用パッケージへの搭載は、低融点ろう材により固定することにより行なえばよい。例えば、回路基板６ａを基体１上に搭載した後に電子部品６を回路基板６ａ上に搭載する場合は、回路基板６ａの固定には金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）合金や金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）合金をろう材として用い、電子部品６の固定には、これらより融点の低い錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）合金や錫−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）合金のろう材や、融点より低い温度で硬化可能なＡｇエポキシ等の樹脂製の接着剤を用いればよい。また、電子部品６を回路基板６ａ上に搭載した後に回路基板６ａを第１の基体１上に搭載してもよく、その場合は上記とは逆に、回路基板６ａを第１の基体１上に搭載する際に用いるろう材の融点の方を低くすればよい。いずれの場合であっても、回路基板６ａ上や第１の基体１の搭載部１ａ上にろう材ペーストを周知のスクリーン印刷法を用いて印刷したり、フォトリソグラフィ法によってろう材層を形成したり、低融点ろう材のプリフォームを載置するなどすればよい。

蓋体９は、平面視で第１の基体１の上面の外周領域の蓋体接合部１ｃの形状に沿った外形で、第１の基体１の上面の搭載部１ａに搭載された電子部品６を覆うような空間を有する形状のものである。電子部品６と対向する部分に光を透過させる窓を設けてもよいし、窓に換えて、または窓に加えて光ファイバおよび戻り光防止用の光アイソレータを接合したものでもよい。

蓋体９は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金等の金属から成り、これらの板材にプレス加工や打ち抜き加工等の周知の金属加工方法を施すことによって作製される。蓋体９は、第１の基体１の材料と同程度の熱膨張係数を有するものが好ましく、第１の基体１の材料と同じものを用いるのがより好ましい。蓋体９が窓を有する場合は、電子部品６と対向する部分に孔を設けたものに、平板状やレンズ状のガラス製の窓部材を低融点ガラスなどにより接合する。

蓋体９の第１の基体１の蓋体接合部１ｃへの接合は、シーム溶接やＹＡＧレーザ溶接等の溶接またはＡｕ−Ｓｎろう材等のろう材によるろう付け等のろう接により行なわれる。

１・・・・・第１の基体
１ａ・・・・搭載部
１ｂ・・・・第１の貫通孔
１ｃ・・・・蓋体接合部
１ｄ・・・・凹部
２・・・・・第２の基体
２ｂ・・・・第２の貫通孔
３・・・・・封止材
４・・・・・接合材
５・・・・・信号端子
６・・・・・電子部品
６ａ・・・・回路基板
７・・・・・ボンディングワイヤ
８・・・・・接地端子
８ａ・・・・接地封止材
９・・・・・蓋体
10・・・・・溝
11・・・・・絶縁性部材

Claims (5)

1. 上面の外周領域に溶接またはろう接により蓋体を接合する蓋体接合部を有するとともに、該蓋体接合部の内側領域に、上面に電子部品の搭載部を、および上面から下面にかけて貫通する第１の貫通孔を有する第１の基体と、外周部が前記第１の基体の下面に接合された、前記第１の貫通孔に対応して上面から下面にかけて貫通する第２の貫通孔を有する第２の基体と、前記第２の貫通孔に充填された封止材を貫通して固定され、一端が前記第１の貫通孔を通って前記第１の基体の上面から突出している信号端子とを具備することを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。
2. 前記第１の基体および前記第２の基体の少なくとも一方は、前記第１の基体と前記第２の基体との接合部に沿った溝を有することを特徴とする請求項１記載の電子部品搭載用パッケージ。
3. 前記第１の基体は下面に凹部を有し、前記第２の基体は前記凹部内で前記第１の基体に接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品搭載用パッケージ。
4. 前記第１の貫通孔の内面と前記信号端子との間に絶縁性部材が配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージの前記搭載部に電子部品を搭載するとともに、前記蓋体接合部に蓋体を接合したことを特徴とする電子装置。

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