JP5526463B2 - 電子部品の無電解金めっき方法及び電子部品 - Google Patents
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1. 銅または銅合金系素材からなる被めっき部分を持った電子部品に、置換金めっき皮膜を形成し、更にその上に還元剤を含む無電解金めっき液により無電解金めっきを施す、電子部品の無電解金めっき方法において、前記無電解金めっき液の還元剤が、一般式(1)で表されるフェニル化合物系還元剤である、電子部品の無電解金めっき方法。
4. 項1から3のいずれかに記載の電子部品の無電解金めっき方法によって無電解金めっき皮膜が形成された電子部品。
本発明で使用する無電解金めっき液に使用可能な金塩としては特に限定されないが、シアン系金塩及び非シアン系金塩が挙げられる。シアン系金塩としては、シアン化第一金カリウムやシアン化第二金カリウムが例示でき、非シアン系金塩としては、塩化金酸塩、亜硫酸金塩、チオ硫酸金塩、チオリンゴ酸金塩が例示可能である。金塩は1種のみ用いてもよく、2種以上を組合せて用いてもよい。金塩としては、亜硫酸金塩及びチオ硫酸金塩が好ましく、その含有量は金として1〜10g/Lの範囲であることが好ましい。金の含有量が1g/L未満であると、金の析出反応が低下し、10g/Lを超えると、めっき液の安定性が低下すると共に、めっき液の持ち出しにより金消費量が多くなるため経済的に好ましくない。含有量は、2〜5g/Lにすることが好ましい。
本発明の無電解金めっき液において用いる還元剤は、下記一般式(1)で表されるフェニル化合物系還元剤である。
アルキル基としては直鎖又は分岐状の炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、直鎖又は分岐状の炭素数1〜4のアルキル基(メチル基、エチル基、t−ブチル基等)がより好ましい。
本発明の無電解めっき液には、錯化剤を含有させることが好ましく、当該成分を含有させることにより、金イオン(Au+)が安定的に錯体化されて、Au+の不均化反応(3Au+⇒Au3++2Au+)の発生を低下させ、液が安定に保たれるという効果が得られる。錯化剤は1種類のみを用いてもよく2種類以上を用いてもよい。好適は錯化剤としては、例えば、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム等のシアン系錯化剤や、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、チオリンゴ酸塩、チオシアン酸塩等の非シアン系錯化剤が挙げられる。
(添加剤1:水溶性アミン類)
本発明で使用できる無電解金めっき液には、析出速度向上を目的に水溶性アミン類を添加することができる。水溶性アミン類は特に限定されるものではないが、モノアルカノールアミン、ジアルカノールアミン、トリアルカノールアミン、エチレントリアミン、m−ヘキシルアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ペプタメチレンジアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ジメチルアミン、トリエタノールアミン、硫酸ヒドロキシルアミン、EDTA塩等を用いることができ、中でもエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトレミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミンが好ましく、更に、エチレンジアミンが最も好ましい。
本発明の無電解金めっき液は重金属塩も添加できる。析出速度の促進と皮膜外観を改善する観点から、重金属塩は、タリウム塩、鉛塩、砒素塩、アンチモン塩、テルル塩及びビスマス塩からなる群より選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。
本発明の無電解金めっき液には、pH緩衝剤を含有させることが好ましい。pH緩衝剤を含有させることにより、析出速度を所望の値に調整することができ、また、めっき液のpHを一定に保つことができる。pH緩衝剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。好適なpH緩衝剤としては、リン酸塩、酢酸塩、炭酸塩、硼酸塩、クエン酸塩、硫酸塩等が挙げられ、これらの中では硼酸及び又は硫酸塩が特に好ましい。pH緩衝剤の含有量は、めっき液の全容量を基準として1〜100g/Lであることが好ましい。pH緩衝剤の含有量が1g/L未満であると、pHの緩衝効果がなく、めっき液の状態が変化する場合があり、100g/Lを超えると、めっき液中で再結晶化が進行する傾向がある。pH緩衝剤の含有量は、20〜50g/Lの範囲とすることが好ましい。
本発明の無電解金めっき液には、金属イオン隠蔽剤を含有させることが好ましい。作業中に、めっき装置の錆や金属破片等の持込等による不純物の混入や、被めっき物の付き回り不足による下地金属のめっき液中への溶解などによって、銅、ニッケル、鉄などの不純物イオンが混入し、めっき液の異常反応が進行して、めっき液の分解が発生する場合があるが、めっき液中に金属イオン隠蔽剤を含有させることにより、このような異常反応を抑制することが可能となる。
本発明の無電解金めっき液には、各種めっき液の安定性を向上することのできる、安定剤を添加することもできる。選択できる安定剤としては大きく分類して、硫黄を一般式に持つ物質を挙げることができる。その例としては、大きく分類して硫化物塩、チオシアン酸塩、チオ尿素化合物、メルカプタン化合物、ジスルフィド化合物、チオケトン化合物、チアゾール化合物、チオフェン化合物等が挙げられる。個々の物質については詳しく説明はしないが、好ましくはチアゾール化合物類である。具体的には2−メルカプトベンゾチアゾール、6−エトキシ−2−メルカプトベンゾチアゾール、2−アミノチアゾール、2,1,3−ベンゾチアジゾール、1,2,3−ベンゾチアジゾール、(2−ベンゾチアゾリルチオ)酢酸、3−(2−ベンゾチアゾリルチオ)プロピオン酸等が好適である。
本発明の無電解金めっき液のpHは5〜10の範囲であることが好ましい。めっき液のpHが5未満である場合、めっき液の錯化剤である亜硫酸塩や、チオ硫酸塩が分解し、毒性の亜硫酸ガスが発生する恐れがある。pHが10を超える場合、めっき液の安定性が低下する傾向がある。還元剤の析出効率を向上させ、速い析出速度を得るために、無電解金めっき液のpHは6〜8の範囲とすることがより好ましい。
次に、本発明の無電解金めっき方法について説明する。本発明の無電解金めっき方法は、上述した本発明の無電解金めっき液中に被めっき体を浸漬して、この被めっき体表面に金皮膜を形成させることを特徴とするものである。かかる方法においては、無電解金めっき液のpHは5〜10が好ましく、6〜8がより好ましい。また、金皮膜の形成は液温50〜95℃の無電解金めっき液で行うことが好ましく、液温65〜70℃の無電解金めっき液で行うことがより好ましい。液温が50℃未満である場合は、析出速度が低いため効率が悪く、95℃を超えると液安定性が低下する傾向がある。
(実験方法)
「めっき方法」
評価用の被めっき物は圧延銅板(5cm×5cm×1mm)、MCL銅板(5cm×5cm×1mm)、FPC基板(ポリミドフィルムにCuの微細パターン形成した物)の3種類を一度にめっきして評価を行った。これらのサンプル基板を最初に酸性脱脂処理液(商品名:HCR−4101、日立化成工業株式会社製)中に液温40℃で3分間処理を行った。その後、余分な界面活性剤を除去するために純水による湯洗を40℃で3分行った。その後、更に流水洗を3分間行った。
「ファインパターン性・液安定性・保存安定性評価方法」
めっき評価方法は圧延銅板、MCL銅板上の外観とFPC基板のパターン性を評価した。ファインパターン性が良好な場合は○、若干パターン外析出がある場合は△、配線間が繋がってしまったような配線ショート(めっきブリッジ)が発生した場合は×とした。また、MCL銅板上の膜厚は蛍光X線膜厚計(製品名XDVM−W、株式会社フィッシャー・インストルメンツ製)で測定した。
はんだ濡れ性の評価は、めっきしたサンプル(銅板、MCL板、FPC基板)を150℃で6時間大気加熱した後に行った。サンプル表面にフラックス(商品名:ソルボンドK183/水溶性、日本アルファメタルズ株式会社製)を塗布した後、Φ0.6mmの鉛フリー(Sn−Ag系)はんだボール(商品名:エコソルダーボールS、千住金属工業株式会社製)を乗せて240℃でリフローを行った。はんだ濡れ性は、はんだボールの濡れ広がった面積から算出した(はんだ濡れ拡がり性の初期面積を0.2mm2として比較)。
ファインパターン性を評価したFPC基板上にある、ボールシェアー評価用のΦ0.5mmのボールパッドに、フラックス(商品名:ソルボンドK183/水溶性、日本アルファメタルズ株式会社製)を塗布した後、Φ0.6mmの鉛フリー(Sn−Ag系)はんだボール(商品名:エコソルダーボールS、千住金属工業株式会社製)を乗せて240℃でリフローを行った。その後、ボンドテスター(製品名:SERIES4000、デイジー社製)を用いて、シェアー速度0.3mm/min、シェアー高さ50μmの条件でボールシェアー試験を行った。試験ではシェアー強度と剥離モードを測定した。
(実施例1〜4)
実施例1〜4は還元剤にヒドロキノン、メチルヒドロキノンを使用し、析出速度促進剤にエチレンジアミン、ジエチレントリアミンを組み合わせて実験を行った結果である。表1に示す様に析出速度は約0.8〜0.92μm/時間であった。また、めっき外観は圧延銅板・MCL銅板共に下地の状態に関係なく、均一で良好な皮膜が形成できた。一方、ファインパターン性を評価したFPC基板でも、パターン間にめっきブリッジの発生がなく良好であった(図1参照)。
実施例5〜9は還元剤にヒドロキノン、メチルヒドロキノン、カテコール、ピロガロール、没食子酸を使用し、析出速度促進剤に重金属塩として硝酸タリウム(TI)、安定剤に2MBT(2−メルカプトベンゾチアゾール)を組み合わせて実験を行った結果である。表1に示す様に析出速度は約0.75〜1.05μm/時間であった。また、めっき外観は圧延銅板・MCL銅板共に下地の状態に関係なく、均一で良好な皮膜が形成できた。一方、ファインパターン性を評価したFPC基板でも、パターン間にめっきブリッジの発生がなく良好であった(図1参照)。
以下比較例について詳細に報告する。表2は比較例1〜4の実験結果を、表3は比較例5〜7の実験結果をまとめたものである。
(比較例1〜4)
比較例1〜4ではフェニル化合物類であるヒドロキノン、メチルヒドロキノンの代わりにアスコルビン酸ナトリウム、硫酸ヒドラジンを還元剤に使用した。また、析出速度促進剤に重金属塩として硝酸タリウム(TI)、安定剤に2MBT(2−メルカプトベンゾチアゾール)を組み合わせて実験を行った結果である。
比較例5〜7は、当社置換金めっき液(商品名:HGS−500、日立化成工業株式会社製)を銅上に直接行った結果である。めっき時間を10分、30分、60分の3水準で行った結果、金めっき厚はめっき時間と共に増加した。金めっき膜厚はそれぞれ0.03、0.05、0.15μmであった。
Claims (1)
- 銅または銅合金系素材からなる被めっき部分を持った電子部品の銅または銅合金系素材からなる被めっき部分に、直接置換金めっき皮膜を形成し、更にその上に還元剤及び水溶性アミンを含む無電解金めっき液により無電解金めっきを施す、電子部品の無電解金めっき方法において、
前記無電解金めっき液の還元剤が、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、カテコール、ピロガロール及び没食子酸から選ばれる1種又は2種以上の還元剤であり、
水溶性アミンがエチレンジアミン又はジエチレントリアミンである、電子部品の無電解金めっき方法。
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