JP2003293147A - 金めっき皮膜の後処理方法 - Google Patents
金めっき皮膜の後処理方法Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
Abstract
(57)【要約】
【課題】金めっき皮膜が形成された物品において、金め
っき皮膜の膜厚が薄い場合であっても、ハンダ接合性、
ワイヤーボンディング性等の経時劣化を防止できる方法
を提供する。 【解決手段】酸化還元電位が銀より低い金属からなる下
地金属上に金めっき皮膜が形成された被処理物を、置換
析出型銀めっき液中に浸漬することを特徴とする金めっ
き皮膜の後処理方法。
っき皮膜の膜厚が薄い場合であっても、ハンダ接合性、
ワイヤーボンディング性等の経時劣化を防止できる方法
を提供する。 【解決手段】酸化還元電位が銀より低い金属からなる下
地金属上に金めっき皮膜が形成された被処理物を、置換
析出型銀めっき液中に浸漬することを特徴とする金めっ
き皮膜の後処理方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金めっき皮膜の後
処理方法、該方法によって後処理された物品、及び金め
っき皮膜の後処理剤に関する。
処理方法、該方法によって後処理された物品、及び金め
っき皮膜の後処理剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板、電子部品等において、
ハンダ接合、ワイヤーボンディング等を行う部分、例え
ば、導体回路、スルーホール、ランド、端子部分などの
各種接合部の表面には、金めっき皮膜を形成することが
多い。これは、主として、金めっき皮膜は酸化皮膜を形
成し難いために、その性質を利用して、ハンダ接合性、
ワイヤーボンディング性等の経時劣化を防止することを
目的とするものである。
ハンダ接合、ワイヤーボンディング等を行う部分、例え
ば、導体回路、スルーホール、ランド、端子部分などの
各種接合部の表面には、金めっき皮膜を形成することが
多い。これは、主として、金めっき皮膜は酸化皮膜を形
成し難いために、その性質を利用して、ハンダ接合性、
ワイヤーボンディング性等の経時劣化を防止することを
目的とするものである。
【０００３】しかしながら、近年、コストダウンを目的
に金めっき厚さが低減され、そのためしばしばハンダ接
合不良が発生している。特に、金めっきは膜厚が１μｍ
程度以下ではめっき皮膜のピンホールを完全に無くすこ
とができず、ピンホールから下地金属が経時的に金表面
に拡散して酸化物を形成し、これがハンダ接合不良、ワ
イヤーボンディング性低下等の大きな要因となってい
る。この様な現象は、金めっきからハンダ付けまでの時
間が長い場合や、高温にさらされた場合に顕著となっ
て、ハンダぬれ不良等が発生しやすくなる。
に金めっき厚さが低減され、そのためしばしばハンダ接
合不良が発生している。特に、金めっきは膜厚が１μｍ
程度以下ではめっき皮膜のピンホールを完全に無くすこ
とができず、ピンホールから下地金属が経時的に金表面
に拡散して酸化物を形成し、これがハンダ接合不良、ワ
イヤーボンディング性低下等の大きな要因となってい
る。この様な現象は、金めっきからハンダ付けまでの時
間が長い場合や、高温にさらされた場合に顕著となっ
て、ハンダぬれ不良等が発生しやすくなる。
【０００４】さらに、近年、伝送ロスの低減やフレキシ
ブル基板の屈曲性の向上等を目的に、金めっき下地であ
るニッケルめっきを省くことが検討されているが、下地
銅に直接置換金めっきしたプリント基板では、金めっき
後の経時変化の影響が非常に強く現れて、ピンホールが
原因となるハンダ接合不良やワイヤーボンディング不良
の発生が顕著となる。
ブル基板の屈曲性の向上等を目的に、金めっき下地であ
るニッケルめっきを省くことが検討されているが、下地
銅に直接置換金めっきしたプリント基板では、金めっき
後の経時変化の影響が非常に強く現れて、ピンホールが
原因となるハンダ接合不良やワイヤーボンディング不良
の発生が顕著となる。
【０００５】置換金めっきのピンホールを抑制するため
の方法としては、特開平８−２６０１９３号公報に、金
めっきの後処理として、ベンゾトリアゾール系化合物な
どを含有する水溶液中で電解し、その後、特定の脂肪酸
等を含む液を塗布して封孔処理を行う方法が開示されて
いる。しかしながら、近年、プリント基板は独立回路が
主流であるため、この様な基板に対しては電解処理を行
うことができず、上記方法を適用することができない。
の方法としては、特開平８−２６０１９３号公報に、金
めっきの後処理として、ベンゾトリアゾール系化合物な
どを含有する水溶液中で電解し、その後、特定の脂肪酸
等を含む液を塗布して封孔処理を行う方法が開示されて
いる。しかしながら、近年、プリント基板は独立回路が
主流であるため、この様な基板に対しては電解処理を行
うことができず、上記方法を適用することができない。
【０００６】また、特開平５−９８４５７号公報、特開
平５−２２２５４２号公報等には、下地金属の腐食抑制
剤を含む無電解金めっき液を用いて金めっき被膜を形成
することによって、下地金属の溶出を防止する方法が記
載されている。しかしながら、これらの無電解金めっき
液は、いずれも還元剤を含有するものであり、浴安定性
の問題から長期間使用できず、更に、低膜厚ではピンホ
ールを抑制できないという欠点がある。
平５−２２２５４２号公報等には、下地金属の腐食抑制
剤を含む無電解金めっき液を用いて金めっき被膜を形成
することによって、下地金属の溶出を防止する方法が記
載されている。しかしながら、これらの無電解金めっき
液は、いずれも還元剤を含有するものであり、浴安定性
の問題から長期間使用できず、更に、低膜厚ではピンホ
ールを抑制できないという欠点がある。
【０００７】特開平１０−１６８５７８号公報、特開平
６−２２８７６２号公報、特開平１０−８２６２号公
報、特開平１−２５９１７８号公報等には、金めっきと
下地金属との間に、両者の中間の酸化還元電位の金属を
めっきする方法が開示されている。しかしながら、これ
らの方法でも、下地に達するピンホールは少なからず発
生し、特に銅下地の場合はピンホールが原因となる熱処
理後のハンダ接合性の低下、ワイヤーボンディング性の
低下等を引き起こし易いという欠点がある。
６−２２８７６２号公報、特開平１０−８２６２号公
報、特開平１−２５９１７８号公報等には、金めっきと
下地金属との間に、両者の中間の酸化還元電位の金属を
めっきする方法が開示されている。しかしながら、これ
らの方法でも、下地に達するピンホールは少なからず発
生し、特に銅下地の場合はピンホールが原因となる熱処
理後のハンダ接合性の低下、ワイヤーボンディング性の
低下等を引き起こし易いという欠点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の現状に鑑みてなされたものであり、その主な目
的は、金めっき皮膜が形成された物品において、金めっ
き皮膜の膜厚が薄い場合であっても、ハンダ接合性、ワ
イヤーボンディング性等の経時劣化を防止できる方法を
提供することである。
来技術の現状に鑑みてなされたものであり、その主な目
的は、金めっき皮膜が形成された物品において、金めっ
き皮膜の膜厚が薄い場合であっても、ハンダ接合性、ワ
イヤーボンディング性等の経時劣化を防止できる方法を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した目
的を達成すべく鋭意研究を重ねてきた。その結果、金め
っき皮膜を形成した被処理物を、置換析出型の銀めっき
液中に浸漬することによって、金めっき皮膜のピンホー
ル部分にのみ銀が析出して、ハンダ接合性等に影響を及
ぼすことなく、金めっきのピンホールを封孔でき、ピン
ホールに起因するハンダ接合不良、ワイヤーボンディン
グ性低下等の経時劣化を防止することが可能となること
を見出し、ここに本発明を完成するに至った。
的を達成すべく鋭意研究を重ねてきた。その結果、金め
っき皮膜を形成した被処理物を、置換析出型の銀めっき
液中に浸漬することによって、金めっき皮膜のピンホー
ル部分にのみ銀が析出して、ハンダ接合性等に影響を及
ぼすことなく、金めっきのピンホールを封孔でき、ピン
ホールに起因するハンダ接合不良、ワイヤーボンディン
グ性低下等の経時劣化を防止することが可能となること
を見出し、ここに本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち、本発明は、下記の金めっき皮膜の後
処理方法、該方法によって後処理された物品、及び金め
っき皮膜の後処理剤を提供するものである。 １． 酸化還元電位が銀より低い金属からなる下地金属
上に金めっき皮膜が形成された被処理物を、置換析出型
銀めっき液中に浸漬することを特徴とする金めっき皮膜
の後処理方法。 ２． 置換析出型銀めっき液が、（１）銀化合物、並び
に（２）アミノ酸類及びアミン化合物からなる群から選
ばれた少なくとも一種の成分、を含有する水溶液である
上記項１に記載の金めっき皮膜の後処理方法。 ３． 上記項１又は２の方法によって金めっき皮膜の後
処理が行われた物品。 ４． （１）銀化合物、並びに（２）アミノ酸類及びア
ミン化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の成
分、を含有する水溶液からなる金めっき皮膜の後処理
剤。
処理方法、該方法によって後処理された物品、及び金め
っき皮膜の後処理剤を提供するものである。 １． 酸化還元電位が銀より低い金属からなる下地金属
上に金めっき皮膜が形成された被処理物を、置換析出型
銀めっき液中に浸漬することを特徴とする金めっき皮膜
の後処理方法。 ２． 置換析出型銀めっき液が、（１）銀化合物、並び
に（２）アミノ酸類及びアミン化合物からなる群から選
ばれた少なくとも一種の成分、を含有する水溶液である
上記項１に記載の金めっき皮膜の後処理方法。 ３． 上記項１又は２の方法によって金めっき皮膜の後
処理が行われた物品。 ４． （１）銀化合物、並びに（２）アミノ酸類及びア
ミン化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の成
分、を含有する水溶液からなる金めっき皮膜の後処理
剤。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明では、被処理物としては、
酸化還元電位が銀より低い金属からなる下地金属上に金
めっき皮膜が形成された物品であれば、特に限定なく用
いることができる。
酸化還元電位が銀より低い金属からなる下地金属上に金
めっき皮膜が形成された物品であれば、特に限定なく用
いることができる。
【００１２】この様な下地金属としては、銅、銅合金、
ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などを例示で
きる。これらの下地金属の形成方法については、特に限
定はなく、金属材料をそのまま下地金属としても良く、
あるいは、電気めっき法、無電解めっき法、気相めっき
法等の方法でめっき皮膜として形成しても良い。
ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などを例示で
きる。これらの下地金属の形成方法については、特に限
定はなく、金属材料をそのまま下地金属としても良く、
あるいは、電気めっき法、無電解めっき法、気相めっき
法等の方法でめっき皮膜として形成しても良い。
【００１３】上記した金属の内で、銅合金、ニッケル合
金、スズ合金などの種類については特に限定はなく、酸
化還元電位が銀より低い合金であればよい。これらの合
金の具体例としては、銅−亜鉛、銅−錫、ニッケル−リ
ン、ニッケル−ホウ素、ニッケル−錫−リン等を挙げる
ことができる。これらの内で、例えば、ニッケル−リ
ン、ニッケル−ホウ素等は、無電解ニッケルめっきによ
って形成することができる。
金、スズ合金などの種類については特に限定はなく、酸
化還元電位が銀より低い合金であればよい。これらの合
金の具体例としては、銅−亜鉛、銅−錫、ニッケル−リ
ン、ニッケル−ホウ素、ニッケル−錫−リン等を挙げる
ことができる。これらの内で、例えば、ニッケル−リ
ン、ニッケル−ホウ素等は、無電解ニッケルめっきによ
って形成することができる。
【００１４】上記した下地金属上に形成される金めっき
皮膜の種類については特に限定はなく、電気めっき法に
よる金めっき皮膜、置換析出型無電解金めっきによる金
めっき皮膜、自己触媒型の無電解金めっきによる金めっ
き皮膜など各種の金めっき皮膜に対して本発明方法を適
用できる。これらの金めっき皮膜を形成するための、め
っき液、めっき条件などについても特に限定はない。
皮膜の種類については特に限定はなく、電気めっき法に
よる金めっき皮膜、置換析出型無電解金めっきによる金
めっき皮膜、自己触媒型の無電解金めっきによる金めっ
き皮膜など各種の金めっき皮膜に対して本発明方法を適
用できる。これらの金めっき皮膜を形成するための、め
っき液、めっき条件などについても特に限定はない。
【００１５】本発明方法は、上記した各種金めっき皮膜
の内で、特に、ピンホールが発生しやすい置換析出型の
無電解金めっき皮膜に対する後処理方法として有用性が
高い方法である。特に、膜厚が１μｍ程度以下の置換析
出型無電解金めっき皮膜では、ピンポールの発生を防止
することは困難であるが、本発明方法を適用することに
よって、この様な金めっき皮膜であっても、ピンホール
に起因するハンダ接合性の経時劣化、ワイヤーボンディ
ング性の低下等を防止することができる。
の内で、特に、ピンホールが発生しやすい置換析出型の
無電解金めっき皮膜に対する後処理方法として有用性が
高い方法である。特に、膜厚が１μｍ程度以下の置換析
出型無電解金めっき皮膜では、ピンポールの発生を防止
することは困難であるが、本発明方法を適用することに
よって、この様な金めっき皮膜であっても、ピンホール
に起因するハンダ接合性の経時劣化、ワイヤーボンディ
ング性の低下等を防止することができる。
【００１６】本発明において、被処理物の種類について
は特に限定はなく、酸化還元電位が銀より低い金属から
なる下地金属上に金めっき皮膜が形成された物品であれ
ばよい。被処理物として特に適する物品は、半導体リー
ドフレーム等の各種電子部品、プリント配線板などであ
る。これらの内で、例えば、プリント配線板について
は、導体回路、スルーホール、パッド部等、リードフレ
ーム等の電子部品については、端子部分等については、
金めっきを行った後、ハンダ付け、ワイヤーボンディン
グ等を行う部分であり、これらの部分に対して本発明方
法を適用することによって、ハンダ接合性、ワイヤーボ
ンディング性等の経時劣化を防止することができる。
は特に限定はなく、酸化還元電位が銀より低い金属から
なる下地金属上に金めっき皮膜が形成された物品であれ
ばよい。被処理物として特に適する物品は、半導体リー
ドフレーム等の各種電子部品、プリント配線板などであ
る。これらの内で、例えば、プリント配線板について
は、導体回路、スルーホール、パッド部等、リードフレ
ーム等の電子部品については、端子部分等については、
金めっきを行った後、ハンダ付け、ワイヤーボンディン
グ等を行う部分であり、これらの部分に対して本発明方
法を適用することによって、ハンダ接合性、ワイヤーボ
ンディング性等の経時劣化を防止することができる。
【００１７】本発明の金めっき皮膜の後処理方法は、上
記した金めっき皮膜が形成された被処理物を、置換析出
型の銀めっき液中に浸漬することを特徴とする方法であ
る。この方法によれば、金めっき皮膜のピンホール部分
では、下地金属は銀より低い酸化還元電位であるため
に、下地金属と銀イオンとの間で置換析出反応が生じ
て、ピンホール部分の下地金属の露出がなくなり、それ
と同時に反応が停止する。このため、被処理物表面のほ
とんどは金めっき皮膜であって、ピンホールのみが銀の
析出物で封孔されることになり、ハンダ付け性、ワイヤ
ーボンディング性等に関しては、金のみからなる皮膜と
実質的に同等であって、下地金属の酸化などの影響を防
止することができる。
記した金めっき皮膜が形成された被処理物を、置換析出
型の銀めっき液中に浸漬することを特徴とする方法であ
る。この方法によれば、金めっき皮膜のピンホール部分
では、下地金属は銀より低い酸化還元電位であるため
に、下地金属と銀イオンとの間で置換析出反応が生じ
て、ピンホール部分の下地金属の露出がなくなり、それ
と同時に反応が停止する。このため、被処理物表面のほ
とんどは金めっき皮膜であって、ピンホールのみが銀の
析出物で封孔されることになり、ハンダ付け性、ワイヤ
ーボンディング性等に関しては、金のみからなる皮膜と
実質的に同等であって、下地金属の酸化などの影響を防
止することができる。
【００１８】本発明方法で使用できる銀めっき液の種類
については特に限定はなく、置換析出型の銀めっき液で
あれば、公知のめっき液をいずれも使用することができ
る。
については特に限定はなく、置換析出型の銀めっき液で
あれば、公知のめっき液をいずれも使用することができ
る。
【００１９】特に、本発明では、銀化合物、並びにアミ
ノ酸類及びアミン化合物からなる群から選ばれた少なく
とも一種の成分、を含む水溶液からなる置換析出型銀め
っき液を用いることが好ましい。この様なめっき液を用
いる場合には、特に、ピンホールに起因する経時的な性
能劣化を強く防止できる。この理由は必ずしも明確では
ないが、置換反応が比較的穏やかに進行するため、金め
っきのピンホール内部に緻密な銀が完全に充填析出する
ことによるものと考えられる。
ノ酸類及びアミン化合物からなる群から選ばれた少なく
とも一種の成分、を含む水溶液からなる置換析出型銀め
っき液を用いることが好ましい。この様なめっき液を用
いる場合には、特に、ピンホールに起因する経時的な性
能劣化を強く防止できる。この理由は必ずしも明確では
ないが、置換反応が比較的穏やかに進行するため、金め
っきのピンホール内部に緻密な銀が完全に充填析出する
ことによるものと考えられる。
【００２０】上記した置換析出型銀めっき液において、
銀化合物としては、硝酸銀、硫酸銀、亜硫酸銀、酢酸
銀、シアン化銀、ジシアノ銀酸カリウム、ジアンミン銀
硫酸塩、酸化銀等の可溶性の銀化合物を用いることがで
きる。
銀化合物としては、硝酸銀、硫酸銀、亜硫酸銀、酢酸
銀、シアン化銀、ジシアノ銀酸カリウム、ジアンミン銀
硫酸塩、酸化銀等の可溶性の銀化合物を用いることがで
きる。
【００２１】アミノ酸類としては、アミノ酸、その塩な
どを用いることができる。アミノ酸の具体例としては、
グリシン、アラニン、アミノ酪酸、バリン、ロイシン、
セリン、トレオニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、
リシン、チロシン、タウリン、アミノメタンスルホン
酸、アミノベンゼンスルホン酸等を挙げることができ、
これらのアミノ酸の塩としては、ナトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩を挙げることができる。
どを用いることができる。アミノ酸の具体例としては、
グリシン、アラニン、アミノ酪酸、バリン、ロイシン、
セリン、トレオニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、
リシン、チロシン、タウリン、アミノメタンスルホン
酸、アミノベンゼンスルホン酸等を挙げることができ、
これらのアミノ酸の塩としては、ナトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩を挙げることができる。
【００２２】アミン化合物としては、モノメチルアミ
ン、ジメチルアミン、エチレンジアミン、プロピレンジ
アミン、ジエチレントリアミン等のアルキルアミン、モ
ノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアルカノ
ールアミン、これらのアミンの塩酸、硫酸等の塩を例示
できる。
ン、ジメチルアミン、エチレンジアミン、プロピレンジ
アミン、ジエチレントリアミン等のアルキルアミン、モ
ノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアルカノ
ールアミン、これらのアミンの塩酸、硫酸等の塩を例示
できる。
【００２３】アミノ酸類とアミン化合物は、一種単独又
は二種以上混合して用いることができ、アミノ酸類とア
ミン化合物を併用しても良い。
は二種以上混合して用いることができ、アミノ酸類とア
ミン化合物を併用しても良い。
【００２４】上記した置換析出型無電解銀めっき液にお
ける各成分の配合量は、特に限定的ではないが、通常、
銀化合物の濃度を０．００２５〜０．０５モル／ｌ程
度、アミノ酸類及びアミン化合物からなる群から選ばれ
た少なくとも一種の成分の濃度を０．０２〜１モル／ｌ
程度とすればよい。ただし、アミノ酸類とアミン化合物
の合計量は、銀化合物の４倍モル程度以上とすることが
好ましい。
ける各成分の配合量は、特に限定的ではないが、通常、
銀化合物の濃度を０．００２５〜０．０５モル／ｌ程
度、アミノ酸類及びアミン化合物からなる群から選ばれ
た少なくとも一種の成分の濃度を０．０２〜１モル／ｌ
程度とすればよい。ただし、アミノ酸類とアミン化合物
の合計量は、銀化合物の４倍モル程度以上とすることが
好ましい。
【００２５】上記置換析出型銀めっき液には、必要に応
じて、従来の置換析出型銀めっき液に配合されている各
種添加剤成分、例えば、湿潤効果のあるポリエチレング
リコール等の界面活性剤や、変色防止効果を有するアル
キルイミダゾール化合物等の複素環化合物等を配合する
ことができる。
じて、従来の置換析出型銀めっき液に配合されている各
種添加剤成分、例えば、湿潤効果のあるポリエチレング
リコール等の界面活性剤や、変色防止効果を有するアル
キルイミダゾール化合物等の複素環化合物等を配合する
ことができる。
【００２６】上記した置換析出型銀めっき液のｐＨにつ
いては特に限定的ではないが、２〜１２程度とすること
が好ましく、４〜８程度とすることがより好ましい。ｐ
Ｈ調整は水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の水酸化
アルカリ、水酸化アンモニウム、アンモニア水、硫酸、
リン酸等の鉱酸、クエン酸、リンゴ酸等の有機酸等を用
いて行うことができる。
いては特に限定的ではないが、２〜１２程度とすること
が好ましく、４〜８程度とすることがより好ましい。ｐ
Ｈ調整は水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の水酸化
アルカリ、水酸化アンモニウム、アンモニア水、硫酸、
リン酸等の鉱酸、クエン酸、リンゴ酸等の有機酸等を用
いて行うことができる。
【００２７】置換析出型銀めっき液における処理条件に
ついては、特に限定的ではなく、使用するめっき液の種
類に応じて、通常のめっき条件と同様にすれば良い。
ついては、特に限定的ではなく、使用するめっき液の種
類に応じて、通常のめっき条件と同様にすれば良い。
【００２８】例えば、上記した銀化合物、並びにアミノ
酸類及びアミン化合物からなる群から選ばれた少なくと
も一種の成分、を含む置換析出型銀めっき液を用いる場
合には、該めっき液の液温は、室温〜７０℃程度、好ま
しくは２５〜５０℃程度とすればよい。
酸類及びアミン化合物からなる群から選ばれた少なくと
も一種の成分、を含む置換析出型銀めっき液を用いる場
合には、該めっき液の液温は、室温〜７０℃程度、好ま
しくは２５〜５０℃程度とすればよい。
【００２９】銀めっき液による処理時間についても特に
限定はなく、金めっき皮膜中のピンホールに銀めっきが
析出して十分にピンホールを封孔できる時間とすればよ
い。通常、銀めっきの膜厚が０．０２μｍ程度以上とな
るようにすれば良く、上記した銀めっき液を用いる場合
には、通常、めっき時間は１〜２０分程度であり、好ま
しくは２〜５分程度とすればよい。
限定はなく、金めっき皮膜中のピンホールに銀めっきが
析出して十分にピンホールを封孔できる時間とすればよ
い。通常、銀めっきの膜厚が０．０２μｍ程度以上とな
るようにすれば良く、上記した銀めっき液を用いる場合
には、通常、めっき時間は１〜２０分程度であり、好ま
しくは２〜５分程度とすればよい。
【００３０】上記した方法によって銀めっきを行った
後、必要に応じて、公知の方法に従って、変色防止のた
めの処理を行っても良い。
後、必要に応じて、公知の方法に従って、変色防止のた
めの処理を行っても良い。
【００３１】置換析出型の銀めっきによる処理は、通
常、金めっき皮膜を形成した後、引き続いて行えば良い
が、予め金めっき皮膜が形成されている物品に対して処
理を行っても良い。
常、金めっき皮膜を形成した後、引き続いて行えば良い
が、予め金めっき皮膜が形成されている物品に対して処
理を行っても良い。
【００３２】尚、置換析出型銀めっき液による処理を行
う前には、必要に応じて、酸洗浄等の前処理を行うこと
が出来る。酸洗浄に用いる酸としては、塩酸、硫酸等の
鉱酸やクエン酸、酒石酸等の有機酸等を例示できる。
う前には、必要に応じて、酸洗浄等の前処理を行うこと
が出来る。酸洗浄に用いる酸としては、塩酸、硫酸等の
鉱酸やクエン酸、酒石酸等の有機酸等を例示できる。
【００３３】
【発明の効果】本発明方法によれば、金めっき皮膜が形
成された各種物品について、ピンホール部分を封孔処理
して、ピンホールから下地金属が表面に拡散して酸化物
を形成することを防止できる。
成された各種物品について、ピンホール部分を封孔処理
して、ピンホールから下地金属が表面に拡散して酸化物
を形成することを防止できる。
【００３４】特に、金めっき皮膜が形成されたプリント
配線板、電子部品等に対して本発明の処理方法を適用す
る場合には、金めっき皮膜の膜厚が薄い場合であって
も、ピンホールに起因するハンダ接合不良、ワイヤーボ
ンディング性低下等の経時劣化を防止することが可能と
なる。
配線板、電子部品等に対して本発明の処理方法を適用す
る場合には、金めっき皮膜の膜厚が薄い場合であって
も、ピンホールに起因するハンダ接合不良、ワイヤーボ
ンディング性低下等の経時劣化を防止することが可能と
なる。
【００３５】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００３６】実施例１〜９及び比較例１〜２
電気銅めっきで回路を形成したプリント配線基板を被め
っき材料として用いて、直径０．５ｍｍの銅パッド部分
に、以下の工程で置換析出型金めっき及び置換析出型銀
めっきを行った。 ＜めっき工程＞ （１）脱脂処理：浸漬脱脂剤（商標名：ＩＣＰクリーン
Ｓ−１３５、奥野製薬工業株式会社製）に４０℃で５分
間浸漬 （２）水洗：室温の水洗水に２分間浸漬 （３）ソフトエッチング：過硫酸ナトリウム１００ｇ／
ｌ及び９８％硫酸１０ｇ／ｌを含有する水溶液に室温で
１分間浸漬 （４）水洗：室温の水洗水に２分間浸漬 （５）酸洗浄：９８％硫酸１００ｇ／ｌ水溶液に室温で
１分間浸漬 （６）水洗：室温の水洗水に２分間浸漬 （７）プリディップ：次工程で用いる置換析出型金めっ
き液から金塩を除いた液中に室温で１分間浸漬 （８）置換析出型金めっき：置換金めっき液Ａ（商標
名：ＯＰＣムデンゴールド標準浴、奥野製薬工業（株）
製）又は置換金めっき液Ｂ（商標名：ＡＳＨゴールド標
準浴、奥野製薬工業（株）製）を用いて、下記表１に示
す条件で置換金めっきを行った。 （９）水洗：室温の水洗水に２分間浸漬 （１０）置換銀めっき：下記表１に示す置換析出型銀め
っき液を用いて、同表に示す条件で置換銀めっきを行っ
た。
っき材料として用いて、直径０．５ｍｍの銅パッド部分
に、以下の工程で置換析出型金めっき及び置換析出型銀
めっきを行った。 ＜めっき工程＞ （１）脱脂処理：浸漬脱脂剤（商標名：ＩＣＰクリーン
Ｓ−１３５、奥野製薬工業株式会社製）に４０℃で５分
間浸漬 （２）水洗：室温の水洗水に２分間浸漬 （３）ソフトエッチング：過硫酸ナトリウム１００ｇ／
ｌ及び９８％硫酸１０ｇ／ｌを含有する水溶液に室温で
１分間浸漬 （４）水洗：室温の水洗水に２分間浸漬 （５）酸洗浄：９８％硫酸１００ｇ／ｌ水溶液に室温で
１分間浸漬 （６）水洗：室温の水洗水に２分間浸漬 （７）プリディップ：次工程で用いる置換析出型金めっ
き液から金塩を除いた液中に室温で１分間浸漬 （８）置換析出型金めっき：置換金めっき液Ａ（商標
名：ＯＰＣムデンゴールド標準浴、奥野製薬工業（株）
製）又は置換金めっき液Ｂ（商標名：ＡＳＨゴールド標
準浴、奥野製薬工業（株）製）を用いて、下記表１に示
す条件で置換金めっきを行った。 （９）水洗：室温の水洗水に２分間浸漬 （１０）置換銀めっき：下記表１に示す置換析出型銀め
っき液を用いて、同表に示す条件で置換銀めっきを行っ
た。
【００３７】
【表１】
上記した方法で置換銀めっきを行った後、空気中で、１
５０℃、２４時間の熱処理を行った。その後、めっき皮
膜上に共晶ハンダボールを乗せて２１０℃で溶融させ、
ハンダぬれ性を目視評価し、更に、ボールシェアー剥離
試験を行った。結果を下記表２に示す。
５０℃、２４時間の熱処理を行った。その後、めっき皮
膜上に共晶ハンダボールを乗せて２１０℃で溶融させ、
ハンダぬれ性を目視評価し、更に、ボールシェアー剥離
試験を行った。結果を下記表２に示す。
【００３８】
【表２】
以上の結果から明らかなように、本発明方法によって金
めっき皮膜の後処理を行うことによって、１μｍ以下の
置換析出型金めっきを形成した場合であっても、熱処理
によるハンダ接合性の低下等を防止できる。
めっき皮膜の後処理を行うことによって、１μｍ以下の
置換析出型金めっきを形成した場合であっても、熱処理
によるハンダ接合性の低下等を防止できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA41 AA42 BA01 BA03
BA04 BA08 BA14 BA16 BA21
BA32 BA36 DA01 DA03 DB01
DB04 DB07 DB08
4K044 AA06 AB10 BA06 BA08 BA10
BB04 BC02 BC08 CA13 CA14
CA15 CA18
Claims (4)
- 【請求項１】酸化還元電位が銀より低い金属からなる下
地金属上に金めっき皮膜が形成された被処理物を、置換
析出型銀めっき液中に浸漬することを特徴とする金めっ
き皮膜の後処理方法。 - 【請求項２】置換析出型銀めっき液が、（１）銀化合
物、並びに（２）アミノ酸類及びアミン化合物からなる
群から選ばれた少なくとも一種の成分、を含有する水溶
液である請求項１に記載の金めっき皮膜の後処理方法。 - 【請求項３】請求項１又は２の方法によって金めっき皮
膜の後処理が行われた物品。 - 【請求項４】（１）銀化合物、並びに（２）アミノ酸類
及びアミン化合物からなる群から選ばれた少なくとも一
種の成分、を含有する水溶液からなる金めっき皮膜の後
処理剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002102036A JP2003293147A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 金めっき皮膜の後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002102036A JP2003293147A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 金めっき皮膜の後処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003293147A true JP2003293147A (ja) | 2003-10-15 |
Family
ID=29242074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002102036A Pending JP2003293147A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 金めっき皮膜の後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003293147A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052425A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | C Uyemura & Co Ltd | ソフトエッチング液及びめっき方法 |
| JP2008508425A (ja) * | 2004-07-29 | 2008-03-21 | エントン インコーポレイテッド | 電子部品製造における銀めっき |
| JP2020202332A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 新光電気工業株式会社 | リードピン及びリードピン付き配線基板 |
| WO2021020064A1 (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | 昭和電工株式会社 | 積層体およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-04-04 JP JP2002102036A patent/JP2003293147A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8349393B2 (en) | 2004-07-29 | 2013-01-08 | Enthone Inc. | Silver plating in electronics manufacture |
| US8986434B2 (en) | 2004-07-29 | 2015-03-24 | Enthone Inc. | Silver plating in electronics manufacture |
| US9730321B2 (en) | 2004-07-29 | 2017-08-08 | Enthone Inc. | Silver plating in electronics manufacture |
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| JP4645801B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-03-09 | 上村工業株式会社 | めっき方法 |
| JP2020202332A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 新光電気工業株式会社 | リードピン及びリードピン付き配線基板 |
| JP7309469B2 (ja) | 2019-06-12 | 2023-07-18 | 新光電気工業株式会社 | リードピン及びリードピン付き配線基板 |
| WO2021020064A1 (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | 昭和電工株式会社 | 積層体およびその製造方法 |
| CN113874551A (zh) * | 2019-07-31 | 2021-12-31 | 昭和电工株式会社 | 层叠体及其制造方法 |
| US20220235468A1 (en) * | 2019-07-31 | 2022-07-28 | Showa Denko K.K. | Laminate and method for producing same |
| CN113874551B (zh) * | 2019-07-31 | 2023-10-03 | 株式会社力森诺科 | 层叠体及其制造方法 |
| EP4006201A4 (en) * | 2019-07-31 | 2023-11-29 | Resonac Corporation | LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF |
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