JP5515290B2 - 有機半導体コンポジット、有機トランジスタ材料ならびに有機電界効果型トランジスタ - Google Patents
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Description
2 ゲート電極
3 絶縁層
4 半導体層
5 ソース電極
6 ドレイン電極
ただしIdはソース・ドレイン間の電流、Vsdはソース・ドレイン間の電圧、Vgはゲート電圧、Dは絶縁層の厚み、Lはチャネル長、Wはチャネル幅、εrは絶縁層の比誘電率(ここではSiO2の3.9またはPVPの3.8を使用)、εは真空の誘電率(8.85×10−12F/m)である。
3−n−ヘキシルチオフェン60gをジメチルホルムアミド400mlに溶解し、N−ブロモスクシンイミド50gを加え、窒素雰囲気下、室温で4時間撹拌した。得られた溶液に水200mlとヘキサン200mlを加え、有機層を分取した。有機層を水200mlで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒を減圧留去して、2−ブロモ−3−n−ヘキシルチオフェン60gを得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.89-0.92(t,12H),1.33-1.42(m,24H),1.54-1.68(m,8H),2.74-2.82(m,8H),6.90-6.96(m,6H),7.03 (d,2H),7.06 (d,2H),7.13-7.19(m,8H),7.44(d,4H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[7]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
16.3gの上記4Tとテトラヒドロフラン20mlの混合溶液を−30℃に冷却した後、n−ブチルリチウム溶液(1.6mol/lのヘキサン溶液)21mlを滴下し、室温で1時間撹拌した。混合溶液を−10℃に冷却し、2−イソポロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン5.7gを加え、室温で3時間撹拌した。得られた溶液に1N塩酸水溶液33ml、水200mlおよびジクロロメタン200mlを加え、有機層を分取した。有機層を水100mlで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、カラムクロマトグラフィー(充填材:シリカゲル、溶離液:ヘキサン/ジクロロメタン)で精製し、下記式に示す4T−BPinを11g得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.82-0.92(t,12H),1.27-1.42(m,24H),1.62-1.75(m,8H),2.76-2.82(m,8H),6.93-6.95(d,2H),7.01-7.06(m,8H),7.10(s,2H),7.12(d,4H),7.16(d,2H),7.55-7.59(dd,4H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[6]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
4,4’−ビス(クロロメチル)ビフェニル3.1gと亜リン酸トリエチル8.6mlの混合溶液を150℃で5時間加熱撹拌した。混合溶液を室温に冷却後、ジメチルスルホキシド50mlおよびカリウム−t−ブトキシド2.8gを加え室温で10分撹拌した。続いて、3−ヘキシル−2−チオフェンアルデヒドを4.9g加え、室温で5時間撹拌した。得られた溶液に、エタノール30mlを加え、ろ過し、得られた固体をエタノール20mlで洗浄して、下記式に示すTPVを2.8g得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.87-0.94(t,18H),1.28-1.36(m,36H),1.60-1.68(m,12H),2.65-2.81(m,12H),6.91-6.95(m,6H),7.02-7.05(m,6H),7.13(d,4H),7.18(d,2H),7.26(d,2H),7.53-7.64(dd,8H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[34]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
ビチオフェン10gとテトラヒドロフランの混合溶液を−80℃まで冷却した後、n−ブチルリチウム溶液(1.6mol/lのヘキサン溶液)37mlを滴下し、室温で1時間撹拌した。混合溶液を−60℃に冷却し、2−イソポロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−1,2,3−ジオキサボロラン11.7gを加え、室温で8時間撹拌した。得られた溶液に水100mlおよびジクロロメタン150mlを加え、有機層を分取した。有機層を水300mlで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮し、5−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)−2,2’−ビチオフェンを5.68g得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.86-0.91(t, 12H),1.28-1.35(m, 24H),1.65-1.68(m,8H),2.65-2.78(m,4H),2.77-2.82(m,4H),6.68(d,2H),6.85-6.91(d,2H),6.95(s,2H),6.98(t,4H),7.04-7.09(m,8H),7.53-7.56(d,4H),7.61-7.64(d,4H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[33]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
0.18gの上記化合物[6]とジメチルホルムアミド30mlの混合溶媒にN−ブロモスクシンイミド68mgを加え、窒素気流下、室温で5時間撹拌した。得られた溶液に酢酸エチル150ml、水150mlを加え、有機層を分取した。有機層を水300mlで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮し、カラムクロマトグラフィー(充填材:シリカゲル、溶離液:ヘキサン/ジクロロメタン)で精製し、真空乾燥後、下記式に示す化合物[6]−Br、0.18gを得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.90(m, 18H),1.28-1.33(m, 36H),1.62-1.78(m,12H),2.72-2.87(m,12H),6.66-6.72(m,2H),6.97-7.03(m,6H),7.08(m,12H),7.15-8.18(m,8H),7.56-7.58(d,4H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[44]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
1.6gの上記4T−BPinと4,4’−ジブロモスチルベン0.30g、トルエン50mlの混合溶液に、エタノール10ml、2Nの炭酸ナトリウム水溶液15mlおよびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)31mgを加え、窒素気流下110℃で9時間還流した。得られた溶液中に析出した固体をろ取し、水20ml、エタノール20mlおよびトルエン20mlで洗浄後、トルエンから再結晶した。真空乾燥した後、橙色粉末0.90gを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、化合物[8]であることを確認した。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.89-0.93(t,12H),1.26-1.42(m,24H),1.57-1.68(m,8H),2.74-2.82(m,8H),6.93-6.96(m,6H),7.02(d,2H),7.06(d,2H),7.13-7.24(m,8H),7.52-7.63(dd,8H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[8]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
3−n−ヘキシルチオフェン3.0gをテトラヒドロフラン40mlに溶解し、−80に冷却した。この溶液に、n−ブチルリチウム溶液(1.6mol/lのヘキサン溶液)12mlを滴下し、2時間撹拌した。溶液を−20℃まで昇温し、2−イソポロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン5.5gを滴下し、室温にて4.5時間撹拌した。得られた溶液に水100mlおよびジクロロメタン100mlを加え、有機層を分取した。有機層を飽和食塩水300mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液からロータリーエバポレーターを用いて溶媒を減圧留去し、下記に示す4−HT−BPinを4.6g得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.89(m,18H),1.33(m,36H),1.56-1.68(m,12H), 2.75-2.83(m,12H),6.93(d,2H),7.02-7.07(m,8H),7.11-7.14(m,8H),7.17(m,4H),7.51-7.61(dd,8H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[48]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
2−ブロモ−5−ヘキシルチオフェン2.3g、2−チエニル−4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]−ジオキサボロラン2.7g、トルエン60ml、エタノール15mlおよび2M炭酸ナトリウム水溶液20mlの混合溶液に、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)52mgを加え、窒素雰囲気下、110℃で20.5時間加熱撹拌した。得られた溶液に酢酸エチル100mlと水100mlを加え、有機層を分取した。水300mlで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、カラムクロマトグラフィー(充填材:シリカゲル、溶離液:ヘキサン)で精製し、下記式に示すiso2HTを1.2g得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.90(m,18H),1.28-1.33(m,36H),1.62-1.78(m,12H),2.72-2.87(m,12H),6.66-6.72(m,2H),6.97-7.03(m,6H),7.08(m,8H),7.15-7.18(m,8H),7.56-7.58(d,4H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[43]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
チオフェン8.0gをテトラヒドロフラン150mlに溶解し、0℃まで冷却した。この溶液にn−ブチルリチウム溶液(1.6mol/lのヘキサン溶液)62mlを滴下し、3時間撹拌した。溶液にn−ドデシルブロミド25.0gを滴下し、室温で18時間撹拌した。得られた溶液に、水150mlとジクロロメタン150mlを加えて、有機層を分取した。有機層を水300mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液からロータリーエバポレーターを用いて溶媒を減圧留去し、その後減圧蒸留により2−n−ドデシルチオフェン13gを得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.86-0.90(t,6H),1.27(m,36H),1.68-1.73(m,4H,2.78-2.84(m,4H),6.73-6.74(d,2H),7.08(s,2H),7.12-7.14(d,2H),7.46-7.56(dd,8H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[82]は降温時、96.3℃に液晶−結晶相転移点を示した。
上記BTS−Br88mg、上記5−DDT−BPin0.97mg、トルエン10ml、エタノール2.0mlおよび2M炭酸ナトリウム水溶液3.0mlの混合溶液に、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)31mgを加え、窒素雰囲気下、100℃で9時間加熱撹拌した。得られた溶液に水50mlおよびジクロロメタン100mlを加えて、有機層を分取し、水100mlで洗浄した後に無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液からロータリーエバポレーターを用いて溶媒を減圧留去し、オレンジ色の固体を得た。トルエンから再結晶し、黄色固体を48mg得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.86-0.90(m,48H),1.27(m,36H),1.62-1.70(m,8H),2.72-2.84(m,8H),6.72-6.73(d,2H),6.95-6.96(d,2H),7.11-7.16(d,4H),7.49-7.59(dd,8H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[97]は液晶−結晶相転移点を示さなかった。
2−チオフェンエタノール17gを0℃に冷却し、水素化ナトリウム(60%油性)7.1gをテトラヒドロフラン110mlに加えた懸濁液を滴下した。溶液を窒素雰囲気下0℃にて20分間撹拌し、1−ブロモノナン27gを滴下した。得られた溶液を90℃に昇温し、8時間加熱撹拌した。反応溶液に水100mlおよびジクロロメタン100mlを加えて有機層を分取した。有機層を飽和食塩水300mlで洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、カラムクロマトグラフィー(充填材:シリカゲル、溶離液:ヘキサン/ジクロロメタン)で精製し、2−(2−ノニルオキシエチル)チオフェン20g得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.85-0.90(m,6H),1.27(m,24H),1.57-1.63(m,4H),3.07-3.12(t,4H),3.45-3.50(t,4H),3.66-3.70(t,4H),6.81-6.82(d,2H),7.10 (s,2H),7.15-7.17(d,2H),7.48-7.57(dd,8H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[98]は降温時、99.0℃に液晶−結晶相転移点を示した。
2−チオフェンエタノール13gを0℃に冷却し、水素化ナトリウム(60%油性)5.8gをテトラヒドロフラン100mlに加えた懸濁液を滴下した。この溶液を窒素雰囲気下0℃にて20分間撹拌し、1−ブロモドデカン25gを滴下した。得られた溶液を90℃に昇温し、11.5時間加熱撹拌した。反応溶液に水100ml、ジクロロメタン150mlを加えて有機層を分取した。有機層を水300mlで洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、カラムクロマトグラフィー(充填材:シリカゲル、溶離液:ヘキサン/ジクロロメタン)で精製し、2−(2−ドデシルオキシエチル)チオフェン16g得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.85-0.90(m,6H),1.26(m,36H),1.53-1.62(m,4H),3.07-3.12(t,4H),3.45-3.50(t,4H),3.66-3.71(t,4H),6.81-6.82(d,2H),7.10(s,2H), 7.15-7.16(d,2H),7.48-7.57(dd,8H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[100]は降温時、105.5℃に液晶−結晶相転移点を示した。
チオフェン7.2gをテトラヒドロフラン100mlに溶解し、0℃まで冷却した。ここにn−ブチルリチウム溶液(1.6mol/lのヘキサン溶液)56mlを滴下し、3.5時間撹拌した。この溶液にヘキサデシルブロミド25gを滴下し、室温で5.5時間撹拌した。得られた溶液に、水100mlとジクロロメタン100mlを加えて、有機層を分取した。有機層を水300mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、カラムクロマトグラフィー(充填材:シリカゲル、溶離液:ヘキサン)で精製し、下記式に示す2−n−ヘキサデシルチオフェンを4.4g得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.85-0.87(m,6H),1.26(m,52H),1.70(m,4H), 2.78-2.84(t,4H),6.72-6.74(d,2H),7.08(s,2H),7.12-7.13(d,2H),7.46-7.55(dd,8H)
また、DSCによる測定の結果、化合物[101]は降温時、95.7℃に液晶−結晶相転移点を示した。
1−ブロモノナンの代わりにブロモメトキシメタンを用いた以外は合成例11と同様の方法で合成し、黄色粉末508mgを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、化合物[106]であることを確認した。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):3.10-3.15(t,4H), 3.37(s,6H), 3.78-3.84(t,4H), 4.67(s,4H), 6.83-6.84(d,2H), 7.10(s,2H), 7.16-7.17(d,2H), 7.47-7.52 (dd,8H)。
1−ブロモノナンの代わりに1−(2−ブロモエトキシ)−プロパンを用いた以外は合成例11と同様の方法で合成し、黄色粉末110mgを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、化合物[130]であることを確認した。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.90-0.95(t,6H), 1.57-1.69(m,4H), 3.10-3.15(t,4H), 3.42-3.47(t,4H), 3.60-3.68(m,8H), 3.73-3.78(t,4H), 6.82-6.83(d,2H), 7.10 (s,2H), 7.15-7.17(d,2H), 7.48-7.57(dd,8H)。
1−ブロモノナンの代わりに1−(2−ブロモエトキシ)−ブタンを用いた以外は合成例11と同様の方法で合成し、黄色粉末238mgを得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、化合物[129]であることを確認した。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.89-0.94(t,6H), 1.32-1.41(m,4H), 1.54-1.60(t,4H), 3.09-3.14(t,4H), 3.44-3.49(t,4H), 3.57-3.64(m,8H), 3.69-3.74(t,4H), 6.83-6.84(d,2H), 7.08 (s,2H), 7.15-7.16(d,2H), 7.48-7.55(dd,8H)。
2−チオフェンエタノール6.1gを0℃に冷却し、水素化ナトリウム(60%油性)2.8gをテトラヒドロフラン50mlに加えた懸濁液を滴下した。この溶液を窒素雰囲気下0℃にて20分間撹拌し、1−(2−ブロモ−エトキシ)−ブタン8.2gを滴下した。その後、溶液を90℃に昇温し、9時間加熱撹拌した。反応溶液に水100ml、ヘキサン100mlを加えて有機層を分取した。有機層を水300mlで洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、カラムクロマトグラフィー(充填材:シリカゲル、溶離液:ヘキサン/ジクロロメタン)で精製し、2−[2−(2−ブトキシ−エトキシ)エチル]−チオフェン3.5gを得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.89-0.94(t,6H), 1.32-1.43(m,4H), 1.53-1.63(m,4H), 3.10-3.12(t,4H), 3.46-3.50(t,4H), 3.61-3.64(m,8H), 3.71-3.75(m,4H), 6.83-6.85(d,2H),7.01-7.02(d,2H),7.11(s,2H),7.15-7.16(d,2H), 7.48-7.57(dd,8H)。
共役系重合体であるポリ−3−ヘキシルチオフェン(アルドリッチ社製、レジオレギュラー、数平均分子量(Mn):13000、以下P3HTという)0.10gをクロロホルム5mlの入ったフラスコの中に加え、超音波洗浄機(井内盛栄堂(株)製US−2、出力120W)中で超音波撹拌することによりP3HTのクロロホルム溶液を得た。次いでこの溶液をスポイトにとり、メタノール20mlと0.1規定塩酸10mlの混合溶液の中に0.5mlずつ滴下して、再沈殿を行った。固体になったP3HTを0.1μm孔径のメンブレンフィルター(PTFE社製:4フッ化エチレン)によって濾別捕集し、メタノールでよくすすいだ後、真空乾燥により溶媒を除去した。さらにもう一度溶解と再沈殿を行い、90mgの再沈殿P3HTを得た。
有機半導体として下記に示すF8T2(American Dye Source社製、Mn=5500)を用いた以外は、実施例1と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。Vg=+50〜−50Vに変化させたときのVsd=−5VにおけるIdの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、2.0×10−4cm2/V・secであった。また、このときのIdの最大値と最小値の比からオンオフ比を求めたところ1.6×103であった。
有機半導体としてP3HTを用いた以外は、実施例1と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。Vg=+50〜−50Vに変化させたときのVsd=−5VにおけるIdの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、1.5×10−2cm2/V・secであった。また、このときのIdの最大値と最小値の比からオンオフ比を求めたところ3.2×104であった。次に、この素子を大気中で24時間静置後、大気中でFET特性を評価したところ、オンオフ比は5.8×101と大幅に低下した。
有機半導体として表1に示す化合物を用いた以外は、実施例1と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。各実施例の結果は表1に示した。
化合物[8]の代わりに化合物[82]を用い、素子作製後の熱処理条件を大気中ホットプレート上で120℃、1時間としたこと以外は、実施例1と同様にしてFET素子を作製し、特性を評価した。結果は表1に示した。
化合物[8]の代わりに化合物[97]を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてFET素子を作製し、特性を評価した。結果は表1に示した。
化合物[8]の代わりに化合物[98]を用い、素子作製後の熱処理条件を大気中ホットプレート上で150℃、1時間としたこと以外は、実施例1と同様にしてFET素子を作製し、特性を評価した。結果は表1に示した。
化合物[8]の代わりに化合物[100]を用い、素子作製後の熱処理条件を大気中ホットプレート上で120℃、1時間としたこと以外は、実施例1と同様にしてFET素子を作製し、特性を評価した。結果は表1に示した。
絶縁層3と半導体層4の間に配向性層を設けた以外は実施例1と同様にFET素子を作製した。配向性層の作製手順を以下に示す。
化合物[8]の代わりに表1に示す化合物を用いた以外は、実施例9と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。各実施例の結果は表1に示した。
化合物[8]の代わりに化合物[98]を用い、素子作製後の熱処理条件を大気中ホットプレート上で150℃、1時間としたこと以外は、実施例9と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。各実施例の結果は表1に示した。
化合物[8]に対するCNTの濃度が0.2重量%になるように調整した以外は、実施例1と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。Vg=+50〜−50Vに変化させたときのVsd=−5VにおけるIdの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、2.7×10−2cm2/V・secであった。また、このときのIdの最大値と最小値の比からオンオフ比を求めたところ3.8×104であった。次に、この素子を大気中で24時間静置後、大気中でFET特性を評価したところ、オンオフ比は3.7×104と高い値を維持した。
図1に示す別のFET素子を作製した。ガラス製の基板1(膜厚0.7mm)上に、抵抗加熱法により、マスクを通してクロムを5nmおよび金を50nm真空蒸着し、ゲート電極2を形成した。次にポリビニルフェノール(アルドリッチ社製、重量平均分子量(Mw):20000、以下PVPという)、ポリメラミンコホルムアルデヒド(アルドリッチ社製、数平均分子量(Mn):432、以下PMFという)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(アルドリッチ社製、以下PGMEAという)を混合した。この場合、それぞれの混合重量比をPVP:PMF:PGMEA=10:5:100とした。得られた溶液を上記ゲート電極が形成されたガラス基板上にスピンコート塗布(1500rpm×30秒)し、窒素気流下200℃、1時間の熱処理することによって、膜厚600nmの絶縁層3を形成した。次に、抵抗加熱法により、マスクを通して金を膜厚50nmになるように真空蒸着し、ソース電極5およびドレイン電極6を形成した。
化合物[8]の代わりに化合物[98]を用いたこと以外は、実施例13と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。Vg=+50〜−50Vに変化させたときのVsd=−5VにおけるIdの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、9.2×10−2cm2/V・secであった。また、このときのIdの最大値と最小値の比からオンオフ比を求めたところ8.5×103であった。
化合物[8]の代わりに表1に示す化合物を用いた以外は、実施例1と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。各実施例の結果は表1に示した。
化合物[8]の代わりに化合物[129]を用いたこと以外は、実施例13と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。Vg=+50〜−50Vに変化させたときのVsd=−5VにおけるIdの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、1.4×10−1cm2/V・secであった。また、このときのIdの最大値と最小値の比からオンオフ比を求めたところ2.4×104であった。
化合物[8]の代わりに下記に示すOSC−1を用いたこと以外は、実施例13と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。Vg=+50〜−50Vに変化させたときのVsd=−5VにおけるIdの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、1.2×10−2cm2/V・secであった。また、このときのIdの最大値と最小値の比からオンオフ比を求めたところ4.5×102であった。
有機半導体コンポジット溶液作製時にP3HTを用いなかったこと以外は、実施例13と同様にしてFET素子を形成し、特性を測定した。Vg=+50〜−50Vに変化させたときのVsd=−5VにおけるIdの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、1.7×10−2cm2/V・secであった。また、このときのIdの最大値と最小値の比からオンオフ比を求めたところ1.9×103であった。
Claims (5)
- 下記一般式(12)で表されるチオフェン化合物とカーボンナノチューブを含有する有機半導体コンポジット;
- 前記一般式(12)で表されるチオフェン化合物が一種以上の液晶状態を有する化合物である請求項1に記載の有機半導体コンポジット。
- 前記カーボンナノチューブが少なくとも表面の一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブである請求項1または2に記載の有機半導体コンポジット。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の有機半導体コンポジットを含有する有機トランジスタ材料。
- ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する有機電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が請求項4に記載の有機トランジスタ材料を含有する有機電界効果型トランジスタ。
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