JP5493275B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
SiCが用いられた半導体チップ500は、ダイヤモンドカッターでウェハをダイシングして個片化したものであって、模式的に平面図で示されている。既述の通り、SiCは高硬度であるために、半導体チップ500のデバイス領域501の周りのカットライン502はギザギザ状の、大きな“チッピング(chipping)”が生じている。そこで、ウェハをダイシングする際には、カットする余地(ダイシングライン幅)を確保しなくてはならない。このため、デバイス面積を小さくすることができても、ダイシングライン幅を含めると一枚のウェハから得られるチップ数を増やすには難しいという問題があった。
まず、既述の通り、SiCは硬度が高いため、ダイヤモンドカッターの刃は消耗し、コストの増大は避けられないという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、ウェハから得られる半導体チップの数を増加させ、半導体チップの信頼性が向上された半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
この半導体装置の製造方法は、前記基板にデバイス部を形成する工程と、前記デバイス部の形成後、前記デバイス部が形成された側の前記基板の表面にレジスト膜を成膜する工程と、前記デバイス部が形成された前記基板の裏面に導電性膜を成膜し、さらに、前記導電性膜をパターン化して、電極膜を形成する工程と、前記電極膜の形状に沿って、前記基板にトレンチ溝部をエッチングによって形成する工程と、前記トレンチ溝部に沿って、前記デバイス部を個片化する工程と、を有する。
図1は、実施の形態における概要を説明する要部断面模式図である。
本実施の形態の半導体装置の製造方法の各工程の概要について、図1に模式的に断面図を示している。
図2は、実施の形態における縦型MOSFETの要部断面模式図である。
縦型MOSFET100aは以下に説明するような構成をしている。
以下に、デバイスとして縦型MOSFET100bを形成したウェハから半導体チップを個片化する方法について説明を行う。
まず、SiCによって構成されるウェハ201を用意する。ウェハ201の厚さを、例えば、150μm〜300μm程度とする。このウェハ201の表面に、図2で示した縦型MOSFET100aからドレイン電極107を除いた縦型MOSFET100bを作り込む。なお、縦型MOSFET100bの形成方法についての詳細な説明は省略するが、公知であって従来のフォトリソグラフィ工程、成膜工程などを経て形成される。そして、縦型MOSFET100bが形成されたウェハ201の表面にレジスト膜202を成膜する。レジスト膜202をウェハ201の表面に成膜することにより、先に作り込まれた縦型MOSFET100bが保護される。
図4は、実施の形態におけるウェハに対する縦型MOSFETの電極の形成工程を示す要部断面模式図、図5は、実施の形態におけるウェハに対する縦型MOSFETの電極の形成工程を示す要部平面模式図である。
図6は、実施の形態における縦型MOSFETが形成されたウェハに対するトレンチ溝の形成工程を示す要部断面模式図である。
図7は、実施の形態におけるウェハから個片化した半導体チップについて、(A)は断面模式図、(B)は平面模式図である。
11 ウェハ
12 デバイス部
13 電極膜
14 トレンチ溝部
Claims (7)
- 基板が炭化珪素によって構成される半導体装置の製造方法において、
前記基板にデバイス部を形成する工程と、
前記デバイス部の形成後、前記デバイス部が形成された側の前記基板の表面にレジスト膜を成膜する工程と、
前記デバイス部が形成された前記基板の裏面に導電性膜を成膜し、さらに、前記導電性膜をパターン化して、電極膜を形成する工程と、
前記電極膜の形状に沿って、前記基板にトレンチ溝部をエッチングによって形成する工程と、
前記トレンチ溝部に沿って、前記デバイス部を個片化する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記電極膜の形成後、前記電極膜をアニールする工程をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記デバイス部は、縦型電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチ溝部は、ドライエッチングによって形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチ溝部の深さは、前記基板の厚さの10%以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチ溝部の深さは、前記トレンチ溝部の幅に対して、2.5倍〜3.5倍であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電極膜は、ニッケル膜、または、ニッケル膜と前記ニッケル膜上に成膜されたアルミニウム膜であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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