JP5465143B2 - SiC焼成用道具材 - Google Patents
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したがって、炉内雰囲気中の酸素分圧は重要な要素であるが、SiC質セラミックスの焼成用道具材を用いた場合、SiCの酸化反応により、炉内の酸素分圧が変動することがある。
例えば、特許文献1に、SiC焼結多孔体の開気孔の内面を前記多孔体に対して0.1〜0.6重量%のアルカリ土類金属、Al2O3、SiO2等を含むガラス被膜で覆うことが記載されている。
また、特許文献2には、多孔質SiC基材を酸素濃度2%以上の酸素雰囲気下、1400〜1500℃で焼成してSiC結晶表面にSiO2層を形成する方法が記載されている。
また、近年、セラミック電子部品の焼成においては、ローラーハースキルン等による高速焼成のニーズが高く、このため、焼成用道具材の耐熱衝撃性の向上も求められている。
上記のような組成からなる酸化物膜により、被膜のSiC基材に対する密着性が向上し、かつ、酸化防止効果が向上するとともに、耐熱衝撃性にも優れたSiC焼成用道具材を得ることができる。
結晶粒径を上記範囲内とすることにより、SiC結晶表面の凹凸が十分に形成され、前記酸化物膜の割れや剥離の抑制効果を高めることができる。
なお、本発明でいう結晶粒径は、該酸化物膜組織の顕微鏡写真から、SiO2結晶粒子の長径aと、これと垂直な方向における径bとをそれぞれ測定し、両径の平均値(a+b)/2を求めたものである。
上記範囲内の厚さの酸化物膜によれば、SiC基材との熱膨張係数の差に起因する酸化物膜の割れや剥離を効果的に防止することができ、優れた酸化防止効果が得られる。
したがって、本発明に係るSiC焼成用道具材は、MLCC等のセラミック電子部品の製造に好適に適用することができ、特に、ローラーハースキルン等による高速焼成にも好適であり、製造効率の向上にも寄与し得るものである。
本発明に係るSiC焼成用道具材は、多孔質SiC基材と、前記基材のSiC結晶表面に形成される酸化物膜とからなるものである。そして、前記酸化物膜の組成は、SiO2が65重量%以上90重量%以下、残部がAl2O3及びY2O3であり、かつ、前記Al2O3及びY2O3の重量組成比が20:80〜60:40であることを特徴としている。
SiC焼成用道具材において、多孔質SiC基材に、上記のような組成からなる酸化物膜を形成することにより、被膜のSiC基材に対する密着性が向上し、かつ、酸化防止効果を向上させることができる。さらに、耐熱衝撃性の向上も図ることができる。
多孔質体とすることにより、SiC結晶表面の表面積が大きくなり、SiC結晶表面の一部を酸化させてSiO2として酸化物層の密着性を向上させることができ、また、凹凸を生じさせやすくなり、物理的に密着性を向上させる効果も得られる。
上記範囲の見掛け気孔率及び炭化ケイ素含有量であれば、酸化物層の密着性を保持しつつ、十分な耐熱強度を有する道具材を構成することができる。
前記酸化物膜は、Y2O3とAl2O3の混合物、又は、Y2O3とAl2O3とSiO2の混合物を多孔質SiC基材に含浸又は塗布した後、SiCが酸化する雰囲気下で、1400℃以上の温度で熱処理して前記混合物又はその一部を溶融させることにより、SiC結晶表面に形成することができる。
このとき、SiC結晶表面には、前記混合物の溶融物の層を通して酸素や水蒸気が供給されるとともに、SiCの酸化によって生じるSiO2が存在するため、前記溶融物は、SiC結晶表面と濡れやすい状態となり、SiC結晶表面全体を覆うことができる。
そして、前記溶融物の層を通してなされるSiC結晶表面への酸素や水蒸気の供給が継続されると、SiCの酸化は進行し、生じたSiO2は前記溶融物の中に溶け込むため、SiC結晶表面は酸化により生じた非晶質のSiO2のみで覆われることはない。この非晶質のSiO2は前記溶融物の中に溶け込んだ状態で存在するか、あるいはまた、前記溶融物の中に新たな結晶として析出する。
上述した酸化物膜形成のための熱処理の終了後、この凹凸は、アンカー効果によってSiCと酸化物膜との結合を物理的に強め、密着性を向上させる効果を奏する。
なお、本発明において、酸化物膜が形成されるSiC結晶表面とは、SiC基材中に存在するすべてのSiC結晶の表面を意味するものではなく、SiC基材の外表面及び内部の気孔連通部のSiC結晶の表面である。
前記含有量が65重量%未満の場合は、SiCの酸化により生じるSiO2の量が不十分であり、SiC結晶表面に十分な凹凸が生じず、SiC基材と酸化物膜との密着性が十分に得られない。
一方、前記含有量が90重量%を超える場合は、酸化物膜中で、通常クリストバライトとして生成するSiO2の量が多くなり、SiO2とSiCの熱膨張係数の差から、酸化物膜に割れが生じやすくなり、酸化防止効果が低減する。
SiO2の含有量は、より好ましくは、70重量%以上85重量%以下である。
したがって、前記酸化物膜中のSiO2は、結晶及び非晶質が混在したものであることが好ましい。
SiO2の結晶を含み、粒子状の形態で存在していることは、SiCの酸化により生じたSiO2が前記溶融物に溶け込んでいることを意味する。このような状態の酸化物膜は、SiC結晶表面が浸食されて、凹凸が十分に形成されており、SiC基材と酸化物膜との優れた密着性を得ることができる。
前記重量組成比が上記範囲外の場合は、酸化物膜形成のための熱処理時に、均質な混合物としての溶融物を生じにくく、その結果、SiC結晶表面に凹凸が形成されず、SiC基材と酸化物膜の密着性を高めることが困難となる。
前記Al2O3及びY2O3の重量組成比は、より好ましくは、25:75〜50:50である。
まず、道具材試料を粉砕して酸化熱処理し、SiC基材を完全にSiO2にする。この時に発生するCO2ガスの発生量からSiC重量を算出する。
そして、酸化熱処理後の試料について、IPS発光分光分析等の化学分析を行い、得られた分析値から上記において算出したSiCの寄与分を差し引くことにより、酸化物膜中のSiO2、Y2O3及びAl2O3の各重量組成を算出する。
前記結晶粒径が1μm未満の場合、SiC結晶表面の凹凸が小さく、SiC基材と酸化物膜の物理的な結合が弱く、前記酸化物膜が剥離しやすくなる。
一方、前記結晶粒径が10μmを超える場合、SiO2の変態による体積変化により、酸化物膜が割れやすくなる。
前記厚さが1μm未満の場合は、薄すぎて、SiC基材が露出するおそれがあり、該酸化物膜による酸化防止効果が十分に得られない。
一方、前記厚さが200μmを超える場合は、厚すぎて、SiC基材との熱膨張係数の差により、該酸化物膜に割れや剥離が生じるおそれがある。
前記酸化物膜の厚さは、より好ましくは、10μm以上100μm以下である。
ここで、熱衝撃破壊に対する抵抗性を表す指標である熱衝撃破壊係数Rは、R=S(1−ν)/Eα(ここで、S:強度、ν:ポアソン比、E:弾性率、α:熱膨張係数)の式で表すことができる。この式から、耐熱衝撃性の向上には、強度Sが大きいことが好ましいと考えられる。
後述の実施例にも示すように、本発明に係るSiC焼成用道具材は、SiC基材に所定の酸化物膜が形成されていることにより、SiC焼結体のみよりも、曲げ強度も大きく、耐熱衝撃性にも優れているものである。
(試験1)
SiO2、Y2O3及びAl2O3の各粉末を所定量ずつ混合し、これに水を加えてボールミルで混合粉砕し、混合スラリーを調製した。
このスラリーを250mm×250mm×厚さ1mmの見掛け気孔率約22%の多孔質SiC基材に含浸させた後、乾燥して水分を除去した。
これをガスバーナ炉中、1500℃で熱処理したものを評価用試料とした。
ただし、比較例7,8においては、アルゴン雰囲気下、1500℃で熱処理した。
また、比較例9は、SiC基材に混合スラリーを含浸させずに、ガスバーナ炉中、1500℃で熱処理し、SiC基材表面にSiO2膜を形成した試料である。
上述したような化学分析により、酸化物膜中のSiO2、Y2O3及びAl2O3の重量組成を求めた。なお、前記重量組成においては、SiO2、Y2O3及びAl2O3以外の微量成分は無視し、前記3成分の合計が100%となるように算出した。ただし、表1においては、末桁の四捨五入により、100%未満又は100%を超える表示となっている場合もある。
また、各評価用試料を、水蒸気が含まれ、かつ、酸素分圧が10-9MPaの雰囲気下、1250℃で10時間熱処理した。これを試料毎に5回行い、熱処理前後の試料の重量を測定し、熱処理1回(10時間)当たりの平均重量変化率を求め、この値により酸化防止効果の評価を行った。
試験1と同様にして作製し、酸化物膜の重量組成を求めた表2に示す各評価用試料について、酸化物膜中のSiO2の結晶粒径、試料の曲げ強さ及び弾性率を測定した。
また、以下のようにして、酸化物膜の耐熱衝撃性評価を行った。まず、各評価用試料を10枚ずつ多段積みした。このとき、試料1枚毎に荷重としてZrO2粉250gを各試料の縁から10mmよりも内側に積載し、10mm×10mm×10mmのスペーサを4隅に配置して、その上の試料を4点で支持するようにした。このようにして多段積みした各試料を、600℃で保持した電気炉内に、常温で入炉して1時間保持した後、炉出しし、酸化物膜の割れの発生枚数により、耐熱衝撃性を評価した。
これらの評価結果をまとめて表2に示す。
なお、比較例12は、SiC基材のみで酸化物膜で覆われていない試料である。
Claims (3)
- 多孔質SiC基材と、前記基材の酸化性雰囲気下での熱処理により前記基材のSiC結晶表面に形成される酸化物膜とからなり、前記酸化物膜の組成は、SiO2が65重量%以上90重量%以下、残部がAl2O3及びY2O3であり、かつ、前記Al2O3及びY2O3の重量組成比が20:80〜50:50であることを特徴とするSiC焼成用道具材。
- 前記SiO2は結晶粒子を含み、前記結晶粒子の結晶粒径が1μm以上10μm以下であることを特徴とする請求項1記載のSiC焼成用道具材。
- 前記酸化物膜の厚さが1μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のSiC焼成用道具材。
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