JP5464004B2

JP5464004B2 - Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法

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Publication number: JP5464004B2
Application number: JP2010074795A
Authority: JP
Inventors: 史郎山崎
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2010-03-29
Filing date: 2010-03-29
Publication date: 2014-04-09
Anticipated expiration: 2030-03-29
Also published as: JP2011207640A

Description

本発明は、フラックス法によって種結晶上にIII 族窒化物半導体結晶を製造する方法に関するものであり、転位の少ないIII 族窒化物半導体結晶を得ることができる製造方法に関する。

ＧａＮなどのIII 族窒化物半導体結晶の製造方法として、いわゆるＮａフラックス法が知られている。これは、Ｎａ（ナトリウム）とＧａ（ガリウム）との混合融液を約８００℃、数十気圧下で窒素とを反応させて、ＧａＮを結晶成長させる方法である。

このＮａフラックス法では、種結晶して、たとえば、サファイア基板上にＨＶＰＥ法やＭＯＣＶＤ法などによってＧａＮを成長させたテンプレート基板や、ＧａＮ自立基板を用いる。

Ｎａフラックス法において、III 族窒化物半導体結晶の成長速度を制御する方法として、特許文献１に記載の方法がある。特許文献１には、窒素の流量によって成長速度を制御し、成長速度を一定に保つことで均質なＧａＮ結晶を製造する方法が記載されている。しかし、成長速度を故意に変化させてＧａＮ結晶を成長させることは記載がない。

特開２００９−２６３１６９

本発明者はＮａフラックス法におけるＧａＮ結晶の成長速度について検討したところ、２５〜３０μｍ／ｈの成長速度では、インクルージョンが多く発生してしまう場合があり、このインクルージョンによって転位の伝搬が阻止されることで、ＧａＮ結晶の転位密度が減少することがわかった。ここでインクルージョンとは、ＧａＮ結晶の育成中にＮａフラックス法で用いる混合融液が取り込まれ、ＧａＮ結晶中にその混合融液が残って包含されたものである。また、８〜１５μｍ／ｈの成長速度では、インクルージョンは減少するが、転位密度は減少しなかった。すなわち、インクルージョン発生の抑制と、転位密度の低減とを両立させることはできなかった。

そこで本発明の目的は、フラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造方法において、III 族窒化物半導体結晶にインクルージョンを発生させず、かつ転位密度を低減することができる製造方法を提供することである。

第１の発明は、III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体結晶の製造方法において、７μｍ／ｈ以下の成長速度でIII 族窒化物半導体結晶の成長を開始する第１工程と、第１工程の後、成長速度を段階的または連続的に上げて７μｍ／ｈよりも速い成長速度でIII 族窒化物半導体結晶を成長させる第２工程と、を有し、第１工程では、混合融液全体に対するIII 族金属のモル比を１３％以下とすることで、III 族窒化物半導体結晶の成長速度を７μｍ／ｈ以下とし、第２工程では、混合融液にIII 族金属を供給し、混合融液のアルカリ金属に対するIII 族金属のモル比を１８〜３０％とすることで、III 族窒化物半導体結晶の成長速度を７μｍ／ｈよりも速くする、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法である。
第２の発明は、III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体結晶の製造方法において、７μｍ／ｈ以下の成長速度でIII 族窒化物半導体結晶の成長を開始し、種結晶上にIII 族窒化物半導体結晶を厚さ０．４ｍｍ以上成長させる第１工程と、第１工程の後、成長速度を段階的または連続的に上げて７μｍ／ｈよりも速い速成長速度でIII 族窒化物半導体結晶を成長させる第２工程と、を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法である。

ここでIII 族窒化物半導体とは、一般式Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１）で表される半導体であり、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの一部を他の第１３族元素（第３Ｂ族元素）であるＢやＴｌで置換したもの、Ｎの一部を他の第１５族元素（第５Ｂ族元素）であるＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉで置換したものをも含むものとする。より一般的には、Ｇａを少なくとも含むＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮを示す。

III 族金属は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎのうち少なくとも１つであり、特にＧａのみを用いてＧａＮ結晶を製造するのが望ましい。

アルカリ金属は、通常はＮａ（ナトリウム）を用いるが、Ｋ（カリウム）を用いてもよく、ＮａとＫの混合物であってもよい。さらには、Ｌｉ（リチウム）やアルカリ土類金属を混合してもよい。また、混合融液には、結晶成長させるIII 族窒化物半導体の伝導型、磁性などの物性の制御や、結晶成長の促進、雑晶の抑制、成長方向の制御、などの目的でドーパントを添加してもよい。たとえばＣ（炭素）を添加すると、雑晶の抑制や結晶成長促進の効果を得られる。また、ｎ型ドーパントしてＧｅ（ゲルマニウム）などを用いることができ、ｐ型ドーパントとしてＺｎ（亜鉛）などを用いることができる。

また、窒素を含む気体とは、窒素分子や、アンモニア等の窒素を構成元素として含む化合物の気体であり、それらの混合ガスでもよく、さらには希ガス等の不活性ガスを含んでいてもよい。

成長速度の制御は、温度、圧力、混合融液全体に対するIII 族金属のモル比、などによって制御することができる。混合融液全体とは、III 族金属とアルカリ金属とを合わせたモル数であり、混合融液に含まれるIII 族金属やアルカリ金属以外のドーパント等をも含めた全体のモル数であってもよい。

第１工程におけるIII 族窒化物半導体結晶の成長速度は、１μｍ／ｈ以上とすることが望ましい。これよりも遅い成長速度では、III 族窒化物半導体結晶の成長に多大な時間がかかり、生産性の点で問題があるため望ましくない。より望ましい第１工程における成長速度は、３〜７μｍ／ｈである。

第１工程において成長させるIII 族窒化物半導体結晶の厚さは、０．４ｍｍ以上とすることが望ましい。０．４ｍｍ以上とすれば、転位密度を十分に低減することができる。ただし、第１工程において成長させるIII 族窒化物半導体結晶の厚さは２ｍｍ以下とすることが望ましい。これより厚くすると、第１工程による転位密度の低減効果が飽和してしまい、厚くする意義がないからである。より望ましくは０．５〜１．５ｍｍである。

第１工程においてＧａＮがステップフロー成長し易くするために、種結晶の転位密度は１×１０⁸／ｃｍ²以下とすることが望ましく、特にIII 族窒化物半導体自立基板であることが望ましいが、テンプレート基板を用いてもよい。テンプレート基板は、サファイア基板等の異種基板上にＨＶＰＥ法やＭＯＣＶＤ法などによってIII 族窒化物半導体層を形成した基板である。

第２工程におけるIII 族窒化物半導体結晶の成長速度は、８〜２０μｍ／ｈとすることが望ましい。インクルージョンが発生しなくなり、かつ、第１工程において成長させたＧａＮ結晶と同等の転位密度とすることができる。より望ましい第２工程における成長速度は、８〜１５μｍ／ｈである。

第３の発明は、第１、２の発明において、第２工程は、７μｍ／ｈよりも速く２５μｍ／ｈよりも遅い成長速度とする、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法である。

第４の発明は、第３の発明において、第２工程の後、２５μｍ／ｈ以上の成長速度でIII 族窒化物半導体結晶を成長させる第３工程をさらに有することを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法である。

本発明において、第１工程は、混合融液のアルカリ金属に対するIII 族金属のモル比を１３％以下とすることで、III 族窒化物半導体結晶の成長速度を７μｍ／ｈ以下とし、第２工程は、混合融液にIII 族金属を供給し、混合融液のアルカリ金属に対するIII 族金属のモル比を１８〜３０％とすることで、III 族窒化物半導体結晶の成長速度を７μｍ／ｈよりも速くしてもよい。

第５の発明は、第１の発明から第４の発明において、種結晶のIII 族窒化物半導体を結晶成長させる表面は、１×１０⁸／ｃｍ²以下の転位密度である、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法である。

第６の発明は、第１の発明から第５の発明において、種結晶は、III 族窒化物半導体自立基板であることを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法である。

本発明において、第１工程は、種結晶上にIII 族窒化物半導体結晶を厚さ０．４ｍｍ以上成長させる工程であってもよい。

第１、２の発明のように、７μｍ／ｈ以下の成長速度でIII 族窒化物半導体結晶の成長を開始することにより、III 族窒化物半導体結晶の成長がステップフロー成長となり、種結晶の転位がIII 族窒化物半導体結晶の成長中に効率的に曲げられるので、転位はIII 族窒化物半導体結晶の主面に垂直な方向には伝搬せず、III 族窒化物半導体結晶の転位密度を低減することができる。そして、転位密度が低減された後に成長速度を７μｍ／ｈより速くすることで、良質で厚く、インクルージョンの少ないIII 族窒化物半導体結晶を得ることができる。

また、第３の発明のように、第２工程で成長速度を７μｍ／ｈより速く２５μｍ／ｈよりも遅くすることで、よりインクルージョンが少なく、良質なIII 族窒化物半導体結晶を得ることができる。

また、第４の発明によると、より厚くて良質なIII 族窒化物半導体結晶を得ることができる。

また、本発明のように、III 族窒化物半導体結晶の成長速度は、混合融液のアルカリ金属に対するIII 族金属のモル比によって制御することができ、モル比を１３％以下とすることで、混合融液の粘性が小さくなり、成長速度が７μｍ／ｈ以下となるため、ステップフロー成長を起こすことができる。

また、第５の発明のように、転位密度が１×１０⁸／ｃｍ²以下の種結晶を用いる場合に本発明は効果的である。転位密度が１×１０⁸／ｃｍ²よりも高いと、ステップフロー成長が起こりにくく、本発明により転位密度を十分に低減することができないためである。

また、第６の発明のように、種結晶としてIII 族窒化物半導体自立基板を用いることができる。このような自立基板は、通常、テンプレート基板のIII 族窒化物半導体よりも転位密度が低く、ステップフロー成長が起こりやすいため、本発明による転位密度の低減効果が高い。

また、本発明のように、第１工程においてIII 族窒化物半導体結晶を０．４ｍｍ以上に成長させれば、ステップフロー成長による転位の伝搬阻止効果が十分に高くなり、III 族窒化物半導体結晶の転位密度を十分に低減することができる。

実施例１のＧａＮ結晶の製造に用いる製造装置１の構成を示した図。実施例１のＧａＮ結晶の製造工程を示した図。実施例１のＧａＮ結晶の製造工程を示した図。

以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

図１は、実施例１のＧａＮ結晶の製造方法に用いる製造装置１の構成を示した図である。製造装置１は、圧力容器１０と、反応容器１１と、坩堝１２と、加熱装置１３と、供給管１４、１６と、排気管１５、１７と、Ｇａ供給管１９と、Ｇａ保持容器２０と、によって構成されている。

圧力容器１０は、円筒形のステンレス製であり、耐圧性を有している。また、圧力容器１０には、供給管１６、排気管１７が接続されている。圧力容器１０の内部には、反応容器１１と加熱装置１３が配置されている。反応容器１１は耐熱性を有している。反応容器１１内には、坩堝１２が配置される。坩堝１２は、たとえばＷ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、ＢＮ（窒化ホウ素）、アルミナ、ＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）などである。坩堝１２には、ＧａとＮａを含む混合融液２１が保持され、混合融液２１中には種結晶１８が保持される。反応容器１１には、供給管１４、排気管１５が接続されており、供給管１４、排気管１５に設けられた弁（図示しない）により反応容器１１内の換気、窒素の供給、反応容器１１内の圧力の制御、を行う。また、圧力容器１０にも供給管１６より窒素が供給され、供給管１６、排気管１７の弁（図示しない）で窒素の供給量、排気量を調整することで、圧力容器１０内の圧力と反応容器１１内の圧力とがほぼ同じになるよう制御する。また、加熱装置１３により、反応容器１１内の温度を制御する。また、反応容器１１には、Ｇａ供給管１９が接続されており、Ｇａ保持容器２０からＧａ供給管１９を介して坩堝１２内に液体のＧａを供給することができる。

なお、反応容器１１として耐圧性を有したものを使用すれば、必ずしも圧力容器１０は必要ではない。また、坩堝１２を回転あるいは揺動させて坩堝１２中に保持される混合融液２１を攪拌することができる装置を設け、ＧａＮ結晶の育成中に混合融液２１を撹拌して混合融液２１中のＮａ、Ｇａ、窒素の濃度分布が均一となるようにするとよい。ＧａＮ結晶を均質に育成することができる。また、Ｇａ供給管１９を坩堝１２に接続し、坩堝１２内に直接液体Ｇａを供給するようにしてもよい。また、ＧａＮ結晶育成中のＮａの蒸発を防止するために、坩堝１２には蓋を設けてもよい。

次に、製造装置１を用いたＧａＮ結晶の製造方法について説明する。

まず、種結晶１８として、ＧａＮからなる自立基板を用意する。この自立基板のＧａＮを成長させる側の表面は転位密度が１×１０⁸／ｃｍ²以下である。

この種結晶１８を、坩堝１２の底面に配置し、Ｎａ、Ｇａを坩堝１２内に配置し、その坩堝１２を反応容器１１の中に入れて封をし、さらに反応容器１１を圧力容器１０内に配置して封をした。ＮａやＧａは、固体の状態で坩堝１２内に配置してもよいし、液体のＮａ、Ｇａをそれぞれ坩堝１２内に入れたり、液体のＮａ、Ｇａを混合してから坩堝１２内に入れてもよい。Ｎａに対するＧａのモル比は７％とした。次に、加熱装置１３により加熱して坩堝１２内にＧａとＮａの混合融液２１を生じさせ、混合融液２１の温度を８６０℃とした。また、供給管１４、排気管１５により反応容器１１内に窒素を供給して、反応容器１１内の圧力を４．２ＭＰａとした。また、圧力容器１０内にも供給管１６、排気管１７より窒素を供給して、圧力容器１０内の圧力が反応容器１１内の圧力と同程度となるようにした。種結晶１８は混合融液２１中に保持される。この温度、圧力を１００時間維持し、種結晶１８の表面に厚さ０．６ｍｍのＧａＮ結晶１００を成長させた。ＧａＮの成長速度は６μｍ／ｈである。

ここで、混合融液２１全体に対するＧａのモル比を７パーセントとしており、混合融液２１中のＧａ量が少ないため、混合融液２１の粘性が小さく、横方向に成長しやすい条件となっていて、ステップフロー成長が起こりやすくなっている。ステップフロー成長とは、結晶表面のテラスからの結晶成長が少なく、ステップから横方向（結晶表面に水平な方向）に結晶が成長する結晶成長モードである。また、混合融液２１中のＧａ量が少ないためにＧａＮの成長速度が６μｍ／ｈと遅くなっており、これもＧａＮ結晶１００がステップフロー成長しやすい条件となっている。さらに、種結晶１８のＧａＮ結晶１００を成長させる側表面の転位密度を１×１０⁸／ｃｍ²以下としていることも、ステップフロー成長を発生させやすくする要因となっている。その結果、種結晶１８上に成長するＧａＮ結晶１００は、ステップフロー成長が支配的な成長となる。このステップフロー成長によって、種結晶１８から伝搬する転位１０１の大部分はＧａＮ結晶１００中において横方向（ＧａＮ結晶１００の主面に水平な方向）に曲げられ、ＧａＮ結晶１００の主面に垂直な方向への転位の伝搬は阻害される（図２参照）。その結果、種結晶１８上に育成されたＧａＮ結晶１００の表面は、種結晶１８の表面よりも転位密度が減少している。

上記のＧａＮ結晶１００を成長させる工程では、混合融液２１全体に対するＧａのモル比を７％とすることによってＧａＮ結晶１００の成長速度を６μｍ／ｈとしているが、ＧａＮ結晶１００のステップフロー成長が発生しやすくし、転位密度を低減するためには、ＧａＮ結晶１００の成長速度を７μｍ／ｈ以下とすればよく、このとき、混合融液２１全体に対するＧａのモル比は１３％以下とすればよい。より望ましいＧａＮ結晶１００の成長速度は１〜７μｍ／ｈである。ＧａＮ結晶１００の成長速度がこの範囲となるためには、混合融液２１全体に対するＧａのモル比を４〜１３％とすればよい。また、上記工程では、ＧａＮ結晶１００を厚さ０．６ｍｍ成長させているが、ＧａＮ結晶１００の転位密度を十分に低減するためには０．４ｍｍ以上の厚さに成長させればよい。より望ましくは０．５〜１．５ｍｍである。

次に、Ｇａ供給管１９を介してＧａ保持容器２０中の液体Ｇａを坩堝１２内に供給し、坩堝１２内の混合融液２１全体に対するＧａのモル比を１８〜３０％とした。そして、混合融液の温度を８６０℃、圧力を３．７ＭＰａとして、ＧａＮ結晶１００上にさらにＧａＮ結晶１０２を１００時間育成した。ＧａＮ結晶１０２の成長速度は１５μｍ／ｈであり、ＧａＮ結晶１００とＧａＮ結晶１０２を合わせた厚さは約２ｍｍである。液体Ｇａを坩堝１２内に供給する際、坩堝１２内のＧａ量を連続的に増加させていって、成長速度が連続的に６μｍ／ｈから１５μｍ／ｈまで連続的に上げるするようにしてもよい。

ここで、前工程においてＧａＮ結晶１００の転位は十分に減少しているため、ＧａＮ結晶１０２の成長速度を成長速度７μｍ／ｈよりも速くしても転位が増加してしまうことはない。また、ＧａＮ結晶１０２の成長速度を２５μｍ／ｈよりも遅くしているため、インクルージョンの発生を抑制することができる。したがって、良質なＧａＮ結晶１０２をＧａＮ結晶１００よりも速い速度で育成することができる。なお、ＧａＮ結晶１００の成長速度はＧａＮ結晶１０２よりも遅いのであるから、当然にＧａＮ結晶１００もインクルージョンの発生が抑制されている。

上記のＧａＮ結晶１０２を成長させる工程では、混合融液２１全体に対するＧａのモル比を１８〜３０％とすることによってＧａＮ結晶１０２の成長速度を１５μｍ／ｈとしているが、ＧａＮ結晶１０２の成長速度は７μｍ／ｈよりも速く、２５μｍ／ｈよりも遅い速度であればよい。より望ましいＧａＮ結晶１０２の成長速度は、８〜１５μｍ／ｈである。

その後、ＧａＮ結晶１０２上に、成長速度２５μｍ／ｈ以上でＧａＮ結晶を育成してもよい。

次に、加熱、加圧を停止して常温、常圧に戻し、ＧａＮ結晶１０２の結晶成長を終了させ、種結晶１８および種結晶１８上に成長したＧａＮ結晶１００、１０２を取り出し、付着したＮａをエタノールなどによって除去する。

以上に述べた実施例１のＧａＮ結晶の製造方法によれば、インクルージョンを有さず、かつ転位密度が種結晶１８よりも低減されたＧａＮ結晶を製造することができる。

なお、実施例１では、主として混合融液のＮａに対するＧａのモル比を変えることでＧａＮの成長速度を制御しているが、Ｇａのモル比を制御せずに温度や圧力の制御によってＧａＮの成長速度を制御してもよいし、温度、圧力、混合融液のＮａに対するＧａのモル比、のいずれか２以上を制御することでＧａＮの成長速度を制御してもよい。また、不純物を添加することで成長速度を制御してもよい。また、実施例１では、育成中にＧａを供給してＧａのモル比を制御しているが、低いＧａモル比でＧａＮ結晶の育成を行い、一旦育成を終了した状態で、Ｇａを追加して高いＧａモル比としてＧａＮ結晶の育成を再度実施するようにしてもよい。

また、実施例１では、種結晶としてＧａＮ自立基板を用いたが、テンプレート基板を用いてもよい。テンプレート基板は、サファイア基板等の異種基板上にＨＶＰＥ法やＭＯＣＶＤ法などによってＧａＮ層を形成した基板である。テンプレート基板を用いる場合も、テンプレート基板のＧａＮ層表面の転位密度を１×１０⁸／ｃｍ²以下としてステップフロー成長を発生させやすくすることが望ましい。

また、実施例１は、ＧａＮ結晶の製造方法であったが、本発明はＧａＮ以外のIII 族窒化物半導体、たとえばＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどの製造にも適用可能である。

本発明によるIII 族窒化物半導体は、III 族窒化物半導体からなる電子デバイス（たとえばＬＥＤ、ＬＤなどの発光デバイスや、ＨＥＭＴなどの電界効果トランジスタ）を作製する際の成長基板として利用することができる。

１０：圧力容器
１１：反応容器
１２：坩堝
１３：加熱装置
１４、１６：供給管
１５、１７：排気管
１８：種結晶
１９：Ｇａ供給管
２０：Ｇａ保持容器
１００、１０２：ＧａＮ結晶
１０１：転位

Claims

III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体結晶の製造方法において、
７μｍ／ｈ以下の成長速度でIII 族窒化物半導体結晶の成長を開始する第１工程と、
前記第１工程の後、成長速度を段階的または連続的に上げて７μｍ／ｈよりも速い速成長速度でIII 族窒化物半導体結晶を成長させる第２工程と、
を有し、
前記第１工程では、前記混合融液全体に対するIII 族金属のモル比を１３％以下とすることで、III 族窒化物半導体結晶の成長速度を７μｍ／ｈ以下とし、
前記第２工程では、前記混合融液に前記III 族金属を供給し、前記混合融液のアルカリ金属に対するIII 族金属のモル比を１８〜３０％とすることで、III 族窒化物半導体結晶の成長速度を７μｍ／ｈよりも速くする、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体結晶の製造方法において、
７μｍ／ｈ以下の成長速度でIII 族窒化物半導体結晶の成長を開始し、前記種結晶上にIII 族窒化物半導体結晶を厚さ０．４ｍｍ以上成長させる第１工程と、
前記第１工程の後、成長速度を段階的または連続的に上げて７μｍ／ｈよりも速い速成長速度でIII 族窒化物半導体結晶を成長させる第２工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
前記第２工程は、７μｍ／ｈよりも速く２５μｍ／ｈよりも遅い成長速度とする、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
前記第２工程の後、２５μｍ／ｈ以上の成長速度でIII 族窒化物半導体結晶を成長させる第３工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
前記種結晶のIII 族窒化物半導体を結晶成長させる表面は、１×１０⁸／ｃｍ²以下の転位密度である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
前記種結晶は、III 族窒化物半導体自立基板であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。