JP4904210B2 - Iii族窒化物結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1におけるIII族窒化物結晶基板の製造方法を示すフローチャートである。図2は、本発明の実施の形態1における成長工程を説明するための概略断面図である。図3は、本発明の実施の形態1における除去工程を説明するための概略断面図である。図1〜図3を参照して、本発明の実施の形態1におけるIII族窒化物結晶基板の製造方法を説明する。
図4〜図6を参照して、本発明の実施の形態2におけるIII族窒化物結晶基板の製造方法について説明する。なお、図4は、本発明の実施の形態2におけるIII族窒化物結晶基板の製造方法を示すフローチャートである。図5は、本発明の実施の形態2におけるIII族窒化物結晶基板の製造方法によって製造されるIII族窒化物結晶基板を示す概略断面図である。図6は、本発明の実施の形態2におけるIII族窒化物結晶基板の製造方法によって製造される別のIII族窒化物結晶基板を示す概略断面図である。
図7を参照して、本発明の実施の形態3における半導体デバイスを説明する。なお、図7は、本発明の実施の形態3における半導体デバイスを示す概略断面図である。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1では、実施の形態1におけるIII族窒化物結晶基板の製造方法に従ってIII族窒化物結晶基板を製造した。
実施例2のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、基本的には実施例1のIII族窒化物結晶基板の製造方法と同様であるが、下地基板におけるIII族窒化物結晶を成長させる面に凹凸を形成した点においてのみ実施例1と異なる。
実施例3のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、基本的には実施例1のIII族窒化物結晶基板の製造方法と同様であるが、成長工程(S20)における成長条件においてのみ実施例1と異なる。
実施例4のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、基本的には実施例2のIII族窒化物結晶基板の製造方法と同様であるが、成長工程(S20)における成長条件においてのみ実施例2と異なる。
比較例1のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、基本的には実施例1と同様であるが、除去工程(S30)を実施していない点においてのみ実施例1と異なる。すなわち、比較例1のIII族窒化物結晶基板は、実施例1の成長工程(S20)後の被成長基板である。
比較例2のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、基本的には実施例2と同様であるが、除去工程(S30)を実施していない点においてのみ実施例2と異なる。すなわち、比較例2のIII族窒化物結晶基板は、実施例2の成長工程(S20)後の被成長基板である。
比較例3のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、基本的には実施例3と同様であるが、除去工程(S30)を実施していない点においてのみ実施例3と異なる。すなわち、比較例3のIII族窒化物結晶基板は、実施例3の成長工程(S20)後の被成長基板である。
比較例4のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、基本的には実施例4と同様であるが、除去工程(S30)を実施していない点においてのみ実施例4と異なる。すなわち、比較例4のIII族窒化物結晶基板は、実施例4の成長工程(S20)後の被成長基板である。
実施例1〜4におけるIII族窒化物結晶基板の除去された側の面および比較例1〜4のIII族窒化物結晶基板の除去された側と反対側の面に対して、酸系エッチャントを用いて、エッチピットを生成した。そして、生成されたエッチピット数をエッチピット密度(EPD:Etch Pit Density)として測定した。その結果を表1に示す。なお、EPDは、高精度に測定された転位密度である。
表1に示すように、実施例1〜4におけるIII族窒化物結晶基板の除去された側の面のEPDは、それぞれ比較例1〜4におけるIII族窒化物結晶基板の除去された側と反対側の面のEPDよりも低かった。また、実施例1と、比較例1および比較例2とを対比すると、下地基板に凹凸を形成することよりも、除去工程(S30)を実施して除去された側の面を形成することの方が、転位密度の低減に寄与できることがわかった。
Claims (8)
- 下地基板を準備する準備工程と、
前記下地基板上にIII族窒化物結晶を液相法により成長させて、前記下地基板と前記III族窒化物結晶とを有する被成長基板を得る成長工程と、
前記下地基板側から少なくとも前記下地基板と前記III族窒化物結晶との界面を越える位置まで前記被成長基板を除去する除去工程とを備え、
除去された側の面の転位密度が前記除去された側の面と反対側の面の転位密度よりも低いことを特徴とする、III族窒化物結晶基板の製造方法。 - 前記準備工程では、前記下地基板において前記III族窒化物結晶を成長させる面がIII族窒化物結晶よりなる前記下地基板を準備する、請求項1に記載のIII族窒化物結晶基板の製造方法。
- 前記成長工程では、フラックス法および高窒素圧溶液法の少なくとも一方の方法により前記III族窒化物結晶の成長が行なわれる、請求項1または2に記載のIII族窒化物結晶基板の製造方法。
- 前記成長工程では、初期の成長速度よりも後期の成長速度が高い、請求項1〜3のいずれかに記載のIII族窒化物結晶基板の製造方法。
- 前記初期の成長速度は0.1μm/h以上20μm/h以下である、請求項4に記載のIII族窒化物結晶基板の製造方法。
- 前記成長工程では、10μmを超えて300μm以下の厚みの前記III族窒化物結晶を成長させる、請求項1〜5のいずれかに記載のIII族窒化物結晶基板の製造方法。
- 前記除去工程では、前記下地基板と、前記III族窒化物結晶において前記下地基板上の面から10μm以上50μm以下の厚みの前記III族窒化物結晶とを除去する、請求項1〜6のいずれかに記載のIII族窒化物結晶基板の製造方法。
- 前記除去工程後の被成長基板の前記除去された側の面上にIII族窒化物結晶を成長させる工程をさらに備える、請求項1〜7のいずれかに記載のIII族窒化物結晶基板の製造方法。
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