JP5447289B2 - 窒化物半導体結晶およびその製造方法 - Google Patents

窒化物半導体結晶およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5447289B2
JP5447289B2 JP2010182306A JP2010182306A JP5447289B2 JP 5447289 B2 JP5447289 B2 JP 5447289B2 JP 2010182306 A JP2010182306 A JP 2010182306A JP 2010182306 A JP2010182306 A JP 2010182306A JP 5447289 B2 JP5447289 B2 JP 5447289B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
seed
substrate
crystal
plane
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010182306A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011063504A5 (enExample
JP2011063504A (ja
Inventor
秀一 久保
謙司 下山
健史 藤戸
和正 清見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2010182306A priority Critical patent/JP5447289B2/ja
Publication of JP2011063504A publication Critical patent/JP2011063504A/ja
Publication of JP2011063504A5 publication Critical patent/JP2011063504A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5447289B2 publication Critical patent/JP5447289B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
JP2010182306A 2009-08-19 2010-08-17 窒化物半導体結晶およびその製造方法 Active JP5447289B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010182306A JP5447289B2 (ja) 2009-08-19 2010-08-17 窒化物半導体結晶およびその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009190070 2009-08-19
JP2009190070 2009-08-19
JP2010182306A JP5447289B2 (ja) 2009-08-19 2010-08-17 窒化物半導体結晶およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013131871A Division JP5370613B2 (ja) 2009-08-19 2013-06-24 窒化物半導体結晶およびその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011063504A JP2011063504A (ja) 2011-03-31
JP2011063504A5 JP2011063504A5 (enExample) 2013-08-08
JP5447289B2 true JP5447289B2 (ja) 2014-03-19

Family

ID=43950142

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010182306A Active JP5447289B2 (ja) 2009-08-19 2010-08-17 窒化物半導体結晶およびその製造方法
JP2013131871A Expired - Fee Related JP5370613B2 (ja) 2009-08-19 2013-06-24 窒化物半導体結晶およびその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013131871A Expired - Fee Related JP5370613B2 (ja) 2009-08-19 2013-06-24 窒化物半導体結晶およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP5447289B2 (enExample)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5757068B2 (ja) * 2010-08-02 2015-07-29 住友電気工業株式会社 ＧａＮ結晶の成長方法
JP2013001624A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物複合基板およびその評価方法
JP6036155B2 (ja) * 2011-10-21 2016-11-30 三菱化学株式会社 ＧａＮ結晶
WO2013058350A1 (ja) 2011-10-21 2013-04-25 三菱化学株式会社 周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法、及び該製造方法により製造される周期表第１３族金属窒化物半導体結晶
JP5743928B2 (ja) * 2012-03-05 2015-07-01 日立金属株式会社 窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法
TWI679320B (zh) 2013-08-08 2019-12-11 日商三菱化學股份有限公司 自立ＧａＮ基板、ＧａＮ結晶、ＧａＮ單結晶之製造方法及半導體裝置之製造方法
CN105917035B (zh) 2014-01-17 2019-06-18 三菱化学株式会社 GaN基板、GaN基板的制造方法、GaN结晶的制造方法和半导体器件的制造方法
JP6129784B2 (ja) 2014-05-26 2017-05-17 住友化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP6405889B2 (ja) * 2014-10-29 2018-10-17 三菱ケミカル株式会社 ＧａＮ基板の製造方法
US10364510B2 (en) 2015-11-25 2019-07-30 Sciocs Company Limited Substrate for crystal growth having a plurality of group III nitride seed crystals arranged in a disc shape
JP6735647B2 (ja) 2016-09-29 2020-08-05 株式会社サイオクス 窒化物結晶基板の製造方法
JP6512334B2 (ja) * 2018-04-12 2019-05-15 三菱ケミカル株式会社 ＧａＮ基板の製造方法
JP7006751B2 (ja) * 2020-10-07 2022-01-24 三菱ケミカル株式会社 ＧａＮ単結晶およびＧａＮ単結晶製造方法
JP7327532B2 (ja) * 2020-10-07 2023-08-16 三菱ケミカル株式会社 ＧａＮ単結晶およびＧａＮ単結晶製造方法
JPWO2023190969A1 (enExample) * 2022-03-31 2023-10-05
CN115287767B (zh) * 2022-08-29 2023-04-25 松山湖材料实验室 退火装置、氮化铝制品及其制备方法、光电器件

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5127983A (en) * 1989-05-22 1992-07-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of producing single crystal of high-pressure phase material
JP4915128B2 (ja) * 2005-04-11 2012-04-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法
JP5332168B2 (ja) * 2006-11-17 2013-11-06 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP4952616B2 (ja) * 2008-03-04 2012-06-13 日立電線株式会社 窒化物半導体基板の製造方法
JP5120285B2 (ja) * 2009-02-05 2013-01-16 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5370613B2 (ja) 2013-12-18
JP2011063504A (ja) 2011-03-31
JP2013230976A (ja) 2013-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5370613B2 (ja) 窒化物半導体結晶およびその製造方法
WO2010140564A1 (ja) 窒化物半導体結晶およびその製造方法
JP4586936B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
US10604865B2 (en) Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
JP5509680B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶及びその製造方法
JP5830973B2 (ja) ＧａＮ自立基板および半導体発光デバイスの製造方法
JP5445105B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物結晶
JP4797793B2 (ja) 窒化物半導体結晶の製造方法
JP2013082611A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶とその製造方法、およびｉｉｉ族窒化物基板
CN101565854A (zh) Ⅲ族氮化物单晶自立式衬底及利用该衬底制造半导体装置的方法
JP2013075791A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶
JP2006290697A (ja) 窒化物半導体基板及びその製造方法
JP2013040059A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、及び該製造方法により製造されるｉｉｉ族窒化物半導体結晶
JP2011195388A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶とその製造方法、およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長用下地基板
JP2013170096A (ja) 第１３族窒化物結晶の製造方法
JP5942547B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2013035696A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体単結晶の製造方法
JP2014028722A (ja) 第１３族窒化物結晶の製造方法
WO2023190969A1 (ja) ＧａＮ結晶及びＧａＮウエハ
JP2012136418A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体基板とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130624

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130624

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5447289

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350