JP5431863B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置に関する。

半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、記録ディスク用基板等の基板の製造工程では、基板に対する加熱処理が適宜に行われる。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるために、基板に対して加熱処理が行われる。このような加熱処理に使用される従来の基板処理装置については、例えば、特許文献１に開示されている。

特開２００８−１６５４３号公報

特許文献１の基板処理装置は、複数の吐出孔から気体を吐出することにより、プレート上に、基板を非接触で保持している。そして、プレートの上面に沿って基板を搬送しつつ、基板を加熱している。しかしながら、このような基板処理装置では、プレートの上面と基板の下面との間隔（基板の浮上量）を大きくとることは、困難である。このため、基板のサイズが大きい場合には、加熱による基板の反り等により、プレートと基板とが接触してしまう虞がある。

一方、図１５のように、プレート１１０に貫通孔１１１を形成するとともに、当該貫通孔１１１内にローラ１２０を配置し、ローラ１２０上で基板１０９を搬送するようにすれば、プレート１１０と基板１０９との間隔Ｇを、大きくとることができる。しかしながら、プレート１１０の下方に駆動軸１２１を配置し、当該駆動軸１２１にローラ１２０を取り付けると、ローラ１２０の半径Ｒが大きくなってしまう。また、それに伴い、貫通孔１１１の搬送方向の寸法Ｄも、大きくなってしまう。このような構造では、貫通孔１１１による加熱のムラが、大きくなる虞がある。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板とプレートとの接触を防止でき、かつ、高い均一性をもって、基板を加熱できる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本願の第１発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置であって、平板状の加熱プレートと、前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手段は、基板の下面を支持しつつ回転するローラと、前記ローラの回転軸とは別個に設けられた駆動軸を介して、前記ローラを間接的に回転させる駆動手段と、を有し、前記ローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている。

本願の第２発明は、第１発明の基板処理装置であって、前記駆動軸は、前記加熱プレートの下方に配置されている。

本願の第３発明は、第１発明又は第２発明の基板処理装置であって、前記ローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、取り付けられている。

本願の第４発明は、第３発明の基板処理装置であって、前記ローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、取り付けられている。

本願の第５発明は、第１発明から第４発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する。

本願の第６発明は、第１発明から第５発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、磁力を利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する。

本願の第７発明は、第１発明から第６発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記ローラの前記回転軸と、前記駆動軸とは、上面視において直交しており、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、ヘリカルギアを介して、前記ローラに伝達する。

本願の第８発明は、第１発明から第７発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートは、前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第１加熱手段と、前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第２加熱手段と、を有する。

本願の第９発明は、第１発明から第８発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記ローラは、樹脂により形成されている。

本願の第１０発明は、第１発明から第９発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートに配置された全てのローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する。

本願の第１発明〜第１０発明によれば、ローラにより基板を支持するため、基板と加熱プレートとの接触を防止できる。また、ローラの回転軸の高さ位置を、駆動軸とは異なる位置に設定できる。このため、ローラの半径を小さく設定できる。したがって、加熱プレートは、高い均一性をもって、基板を加熱できる。
また、ローラの半径を、より小さく設定できる。

特に、本願の第２発明によれば、駆動軸が加熱プレートの下方に配置されているため、駆動軸による加熱のムラやパーティクルの発生を、抑制できる。

特に、本願の第３発明によれば、加熱プレートが膨張しても、ローラと加熱プレートとの相対位置が、変化しにくい。このため、加熱プレートとローラとの隙間の寸法を、小さく設計することができる。したがって、加熱プレートは、基板をより均一に加熱できる。

特に、本願の第４発明によれば、加熱プレートの上面に、回転軸や軸受が露出しない。このため、加熱プレートは、基板を、より均一に加熱できる。

特に、本願の第５発明によれば、駆動軸の回転を、より確実にローラに伝達できる。

特に、本願の第６発明によれば、駆動軸の回転を、非接触でローラに伝達できる。このため、パーティクルの発生を抑制できる。

特に、本願の第７発明によれば、特定の幅方向位置に配置されたローラのみを、回転させることができる。

特に、本願の第８発明によれば、加熱プレートの上面からの輻射熱と、加熱プレートの上面から噴出される気体とにより、基板を、より均一に、かつ効率よく加熱できる。

特に、本願の第９発明によれば、ローラと基板とが滑ったり、基板に傷が付いたりすることを、防止できる。

特に、本願の第１０発明によれば、基板の同一位置に、ローラが複数回当たることを、防止できる。したがって、ローラによる基板の加熱ムラを、さらに抑制できる。

基板処理装置を上面側から見た斜視図である。 基板処理装置を下面側から見た斜視図である。 基板処理装置の上面図である。 図３中のIV−IV位置から見た基板処理装置の縦断面図である。 加熱プレートの上面図である。 図５中のVI−VI位置から見た加熱プレートの縦断面図である。 センターローラとその近傍の部位の縦断面図である。 センターローラの近傍を下面側から見た斜視図である。 変形例に係るセンターローラとその近傍の部位の縦断面図である。 変形例に係るセンターローラ及びギヤの斜視図である。 変形例に係るセンターローラ及びギヤの上面図である。 変形例に係る基板処理装置の斜視図である。 変形例に係るサイドローラを示した図である。 変形例に係るサイドローラとその近傍の部位の縦断面図である。 プレートの下方に配置された駆動軸に取り付けられたローラを示した図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

＜１．一実施形態に係る基板処理装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１を上面側から見た斜視図である。図２は、基板処理装置１を下面側から見た斜視図である。図３は、基板処理装置１の上面図である。また、図４は、図３中のIV−IV位置から見た基板処理装置１の縦断面図である。なお、以下の説明では、基板９が搬送される方向を「搬送方向」と称し、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」と称する。本願の各図には、搬送方向および幅方向が、矢印で示されている。

この基板処理装置１は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板９（以下、単に「基板９」という）の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板９に加熱処理を行うための装置である。基板９の製造工程では、複数台の基板処理装置１が、搬送方向に配列される。基板９は、複数台の基板処理装置１上において搬送されつつ、加熱処理を受ける。

図１〜図４に示すように、基板処理装置１は、加熱プレート１０を備えている。加熱プレート１０は、その上面に沿って搬送される基板９を加熱するためのプレートである。加熱プレート１０は、略矩形の平板状に形成されている。図４中に拡大して示したように、加熱プレート１０は、上段プレート１１、下段プレート１２、ヒータ１３、及び押さえ板１４を、上から順に積層させた構造となっている。

上段プレート１１、下段プレート１２、及び押さえ板１４は、例えば、アルミニウム等の金属により形成されている。押さえ板１４は、下段プレート１２との間でヒータ１３を保持する役割を果たす。ヒータ１３は、薄板状の発熱体である。ヒータ１３は、例えば、ステンレスのエッチングにより形成されるが、他の材料により形成されていてもよい。また、ヒータ１３は、所定の電源装置（図示省略）に接続されている。

電源装置からヒータ１３へ電流を与えると、ヒータ１３は、その抵抗に応じて発熱する。ヒータ１３から発生した熱は、下段プレート１２及び上段プレート１１へ伝導し、下段プレート１２及び上段プレート１１を昇温させる。加熱プレート１０上において搬送される基板９は、上段プレート１１の上面からの輻射熱を受けて、加熱される。

また、加熱プレート１０の上面には、基板９の下面へ向けて加熱された窒素ガスを噴出する、複数の噴出口１０ａが形成されている。複数の噴出口１０ａは、加熱プレート１０の上面に、等間隔の格子点状に配置されている。

図５は、加熱プレート１０の上面図である。また、図６は、図５中のVI−VI位置から見た加熱プレート１０の縦断面図である。図５及び図６に示すように、加熱プレート１０の内部には、複数の噴出口１０ａへ窒素ガスを送るための内部流路１０ｂが形成されている。本実施形態では、上段プレート１１の下面に形成された溝と、下段プレート１２の上面とに囲まれた空間が、内部流路１０ｂとなっている。内部流路１０ｂは、加熱プレート１０の下面側に形成された導入口１０ｃから、各噴出口１０ａまで、複数本に分岐しつつ、センターローラ３０と重ならないように、延設されている。

導入口１０ｃには、内部流路１０ｂへ窒素ガスを供給するための給気管１５ａが接続されている。給気管１５ａの上流側の端部は、窒素ガス供給源１５ｂに接続されている。また、給気管１５ａには、開閉弁１５ｃとヒータ１５ｄとが、介挿されている。

開閉弁１５ｃを開放すると、窒素ガス供給源１５ｂから給気管１５ａへ、圧縮された窒素ガスが供給される。窒素ガスは、ヒータ１５ｄにより加熱された後、導入口１０ｃを介して、内部流路１０ｂへ導入される。そして、内部流路１０ｂを通って各噴出口１０ａへ送られた窒素ガスは、複数の噴出口１０ａから上方へ向けて噴出され、基板９の下面に吹き付けられる。加熱プレート１０上において搬送される基板９は、加熱された窒素ガスからの熱を受けて、加熱される。

このように、本実施形態の基板処理装置１は、加熱プレート１０の上面からの輻射熱により基板９を加熱する第１加熱手段と、加熱プレート１０の上面から高温の窒素ガスを噴出することにより基板９を加熱する第２加熱手段と、を有している。このため、輻射熱のみで基板９を加熱する場合よりも、均一に、かつ、効率よく、基板９を加熱できる。

図１〜図４に戻る。加熱プレート１０の両側部（基板９の搬送方向に向かって左右の側部）には、それぞれ、４つのローラ２０が、搬送方向に等間隔となるように、配置されている。以下では、加熱プレート１０の両側部に配置されたローラ２０を、「サイドローラ２０」と称する。各サイドローラ２０は、加熱プレート１０の側面に形成された凹部１０ｄの内部に、配置されている。

サイドローラ２０は、回転軸２１と一体に形成されており、回転軸２１ごと回転する。回転軸２１は、加熱プレート１０の左右に配置されたフレーム４０に、回転自在に支持されている。フレーム４０の外側には、サイドローラ２０及び後述するセンターローラ３０の駆動源となるモータ５０が、配置されている。各サイドローラ２０の回転軸２１及びモータ５０の回転軸５１には、無端ベルト５２が掛け渡されている。モータ５０を動作させると、モータ５０の回転駆動が、モータ５０の回転軸５１、無端ベルト５２、及びサイドローラ２０の回転軸２１を介して、各サイドローラ２０へ伝達される。これにより、各サイドローラ２０が、同じ方向に回転する。

一方、加熱プレート１０の両側部以外の部位には、複数のローラ３０が配置されている。以下では、加熱プレート１０の両側部以外の部位に配置されたこれらのローラ３０を、「センターローラ３０」と称する。本実施形態では、幅方向に４つのセンターローラ３０が等間隔に配列され、そのセンターローラ３０の列が、搬送方向に等間隔に４つ配列されている。すなわち、本実施形態では、計１６個のセンターローラ３０が、搬送方向及び幅方向に、等間隔に配列されている。

加熱プレート１０の下方には、モータ５０の回転駆動をセンターローラ３０へ伝達するための駆動軸５３が、配置されている。駆動軸５３は、フレーム４０及び後述する軸受ブロック６０に、回転自在に支持されている。駆動軸５３のモータ５０側の端部には、ギヤ５４が取り付けられている。ギヤ５４は、サイドローラ２０の回転軸２１に取り付けられたギヤ２２と、噛合されている。モータ５０を動作させると、モータ５０の回転駆動が、モータ５０の回転軸５１、無端ベルト５２、サイドローラ２０の回転軸２１、ギヤ２２、及びギヤ５４を介して、駆動軸５３へ伝達される。これにより、駆動軸５３が回転する。

図７は、センターローラ３０とその近傍の部位の縦断面図である。また、図８は、センターローラ３０の近傍を下面側から見た斜視図である。加熱プレート１０の上段プレート１１には、センターローラ３０の配置空間を確保するための貫通孔１０ｅが形成されている。センターローラ３０の上部は、上段プレート１１の上面より上方に位置している。また、加熱プレート１０の下面側には、貫通孔１０ｅに連通する凹部１０ｆが形成されている。

センターローラ３０は、回転軸３１と一体に形成されており、回転軸３１ごと回転する。回転軸３１は、上段プレート１１の下面に固定された軸受ブロック６０に、回転自在に支持されている。また、上記の駆動軸５３も、同じ軸受ブロック６０に、回転自在に支持されている。回転軸３１及び駆動軸５３には、互いに噛合するギヤ３２，５５が、取り付けられている。駆動軸５３が回転すると、その回転が、ギヤ５５、ギヤ３２、及び回転軸３１を介して、センターローラ３０へ伝達される。これにより、センターローラ３０が回転する。

本実施形態では、２つのセンターローラ３０に対して、１本の駆動軸５３が設けられている。そして、４本の駆動軸５３に対して、１つのモータ５０が設けられている。このような構造により、駆動軸５３やモータ５０の数が抑制されている。また、このような構造により、各センターローラ３０の回転速度のばらつきが、抑制されている。

複数のサイドローラ２０及び複数のセンターローラ３０は、基板９の下面を支持しつつ、回転する。これにより、基板９が搬送方向に搬送される。基板処理装置１は、加熱プレート１０上において、基板９を搬送しつつ加熱するため、基板９を、高い均一性をもって加熱できる。

加熱プレート１０の上面と基板９の下面との間隔は、上段プレート１１、軸受ブロック６０、回転軸３１、及びセンターローラ３０の寸法に応じて決まる。このため、気体の吹き付けのみで加熱プレート１０から基板９を浮上させる場合よりも、加熱プレート１０と基板９との間隔を、大きくとることができる。また、加熱による基板９の反りが発生したとしても、少なくともセンターローラ３０の位置においては、加熱プレート１０と基板９との間隔が維持される。これにより、加熱プレート１０と基板９との接触が、抑制される。

また、基板処理装置１は、センターローラ３０の回転軸３１とは別個に設けられた駆動軸５３を回転させることにより、センターローラ３０を、間接的に回転させる。このため、センターローラ３０の回転軸３１を、駆動軸５３とは異なる位置に配置できる。本実施形態では、センターローラ３０の回転軸３１を、駆動軸５３より高い位置に配置し、それにより、センターローラ３０の半径を、小さく設定している。センターローラ３０の半径を小さく設定すれば、上段プレート１１に形成される貫通孔１０ｅの搬送方向の寸法も、小さく設定できる。その結果、貫通孔１０ｅによる基板９の加熱ムラを抑制し、基板９を、高い均一性をもって加熱できる。

特に、図７のように、加熱プレート１０の厚さをｄ１、加熱プレート１０の上面と基板９の下面との間隔をｄ２、センターローラ３０の半径をｄ３、回転軸３１の半径をｄ４としたときに、ｄ１＋ｄ２＞ｄ３−ｄ４の関係が成立していることが、好ましい。このような寸法関係が成立すれば、センターローラ３０の回転軸３１の少なくとも一部分が、加熱プレート１０の下面より高い位置に配置されることとなる。これにより、センターローラ３０の半径を、より小さく設定できる。

また、本実施形態では、駆動軸５３は、加熱プレート１０の下方に配置されている。このため、加熱プレート１０に、駆動軸５３を配置するための穴や溝を形成する必要はない。また、駆動軸５３の回転により発生し得るパーティクルが、基板９に付着することも、抑制される。

また、本実施形態のセンターローラ３０は、加熱プレート１０自体に固定された軸受ブロック６０に、取り付けられている。このため、昇温により加熱プレート１０が膨張しても、加熱プレート１０とセンターローラ３０との相対位置は、変化しにくい。したがって、貫通孔１０ｅの内側面とセンターローラ３０との隙間の寸法を、小さく設計することができる。これにより、貫通孔１０ｅによる基板９の加熱ムラを、さらに抑制できる。

特に、本実施形態の軸受ブロック６０は、上段プレート１１の下面に固定されている。このため、加熱プレート１０の上面には、軸受ブロック６０、回転軸３１、ギヤ３２等の機構が、露出しない。これにより、加熱プレート１０は、基板９をより均一に加熱できる。また、これらの機構から発生し得るパーティクルが、基板９に付着することも、抑制される。

また、本実施形態では、駆動軸５３の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤ５５，３２を介して、センターローラ３０の回転軸３１に伝達している。このため、駆動軸５３の回転を、より確実にセンターローラ３０に伝達できる。

また、図７に示すように、センターローラ３０は、搬送方向に垂直な断面において、その端面が、外側へ向けて膨らんだ円弧状となっている。これにより、センターローラ３０の端面と基板９の下面との接触面積が抑制され、基板９は、さらに均一に加熱される。

サイドローラ２０及びセンターローラ３０は、耐熱性及び耐摩耗性の高い樹脂により形成される。このような樹脂として、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を使用することができる。また、サイドローラ２０及びセンターローラ３０は、ステンレス等の金属により形成されていてもよい。ただし、ローラと基板９とが滑ったり、基板９に傷が付いたりすることを防止するためには、サイドローラ２０及びセンターローラ３０を、樹脂により形成することが好ましい。

＜２．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。

上記の実施形態では、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤ５５，３２を使用していたが、他の機構を介して、駆動軸５３の回転をセンターローラ３０へ伝達してもよい。例えば、駆動軸５３とセンターローラ３０の回転軸３１とのとの間に掛け渡されたベルトを介して、駆動軸５３の回転をセンターローラ３０へ伝達してもよい。

また、図９のように、駆動軸５３の回転を、磁力を利用したギヤ５５Ａ，３２Ａを介して、センターローラ３０の回転軸３１に伝達してもよい。図９の例では、駆動軸５３にギヤ５５Ａが取り付けられおり、ギヤ５５Ａの端面には、磁極部５５１が形成されている。また、センターローラ３０の回転軸３１には、ギヤ３２Ａが取り付けられており、ギヤ３２Ａの端面には、磁極部３２１が形成されている。このため、駆動軸５３を回転させると、ギヤ５５Ａの磁極部５５１とギヤ３２Ａの磁極部３２１との磁気的な作用により、センターローラ３０の回転軸３１が回転する。

また、図１０のように、センターローラ３０自体に磁極部３０１を設けてもよい。図１０の例では、駆動軸５３にギヤ５５Ｂが取り付けられており、ギヤ５５Ｂのセンターローラ３０に対向する面に、磁極部５５２が形成されている。このため、駆動軸５３を回転させると、ギヤ５５Ｂの磁極部５５２とセンターローラ３０の磁極部３０１との間の磁気的な作用により、センターローラ３０が回転する。

図９や図１０のように、磁力を利用すれば、駆動軸５３の回転を、非接触でセンターローラ３０に伝達できる。このため、部材の接触によるパーティクルの発生を、抑制できる。

また、図１１のように、駆動軸５３の回転を、ヘリカルギヤ５５Ｃ，３２Ｃを介して、センターローラ３０の回転軸３１に伝達してもよい。図１１の例では、駆動軸５３は、センターローラ３０の回転軸３１に上面視において直交する方向（すなわち、搬送方向）に、延設されている。そして、駆動軸５３と、センターローラ３０の回転軸３１とに、螺旋状の歯を有するヘリカルギヤ５５Ｃ，３２Ｃが、互いに噛合するように、取り付けられている。このため、駆動軸５３を回転させると、センターローラ３０の回転軸３１も回転する。

図１１のように、駆動軸５３を搬送方向に延設すれば、特定の幅方向位置に配置されたセンターローラ３０のみを、回転させることができる。このため、回転させるべきセンターローラ３０の配列によっては、駆動軸５３の数を低減させることができる。

また、上記の実施形態では、センターローラ３０は、回転軸３１と一体に形成されて回転軸３１ごと回転するものであったが、センターローラ３０は、加熱プレート１０に固定された回転軸３１に対して、回転するものであってもよい。

また、上記の実施形態では、複数のセンターローラ３０が、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、センターローラ３０の搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。

また、上記の実施形態では、同一の幅方向位置において、搬送方向に４つのセンターローラ３０が配列されていたが、これらのセンターローラ３０の幅方向の位置を、相違させてもよい。例えば、図１２のように、加熱プレート１０に配置された全てのセンターローラ３０の、幅方向の位置を相違させてもよい。このようにすれば、１つの基板処理装置１内では、基板９の同一位置に、センターローラ３０が複数回当たることを防止できる。したがって、センターローラ３０による基板９の加熱ムラを、さらに抑制できる。

また、上記の実施形態では、サイドローラ２０は、基板９の下面に当接していたが、基板９の上面に当接するサイドローラ２０が、さらに配置されてもよい。例えば、図１３のように、一対のサイドローラ２０が、基板９を上下から挟持しつつ、回転するようにしてもよい。このようにすれば、基板９をより確実に搬送することができる。また、図１４のように、サイドローラ２０を、基板９の端面に当接させつつ、上下に延びる軸を中心として回転させるようにしてもよい。

また、上記の実施形態では、サイドローラ２０は、モータ５０からの回転駆動を受けて回転するものであったが、サイドローラ２０は、モータ５０からの回転駆動を受けないフリーローラであってもよい。また、加熱プレート１０の両側部以外の部位に、モータ５０からの回転駆動を受けないフリーローラが、さらに配置されていてもよい。

また、上記の実施形態では、複数の噴出口１０ａから窒素ガスを吐出していたが、窒素ガスに代えて、清浄な空気等の他の気体を吐出してもよい。ただし、基板９の表面において意図しない化学反応が生じることを防止するためには、窒素ガス等の不活性ガスを使用することが、好ましい。

また、上記の実施形態では、複数の噴出口１０ａが、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、噴出口１０ａの搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。

また、上記の実施形態では、加熱プレート１０からの輻射熱と、窒素ガスの吹き付けとによって、基板９を加熱していたが、必ずしも、このような２通りの加熱手段を備えていなくてもよい。例えば、加熱プレート１０の上面からの気体の噴出を行わず、輻射熱のみで基板９を加熱するようにしてもよい。

また、上記の基板処理装置１は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板に対して加熱処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハ、ＰＤＰ用ガラス基板、記録ディスク用基板等の他の基板に対して、加熱処理を行うものであってもよい。

１ 基板処理装置
９ 基板
１０ 加熱プレート
１０ａ 噴出口
１０ｂ 内部流路
１０ｃ 導入口
１０ｄ 凹部
１０ｅ 貫通孔
１０ｆ 凹部
１１ 上段プレート
１２ 下段プレート
１３ ヒータ
１４ 押さえ板
２０ サイドローラ
２１ 回転軸
２２ ギヤ
３０ センターローラ
３１ 回転軸
３２，３２Ａ ギヤ
３２Ｃ ヘリカルギヤ
４０ フレーム
５０ モータ
５１ 回転軸
５２ 無端ベルト
５３ 駆動軸
５４ ギヤ
５５，５５Ａ，５５Ｂ ギヤ
５５Ｃ ヘリカルギヤ
６０ 軸受ブロック

Claims (10)

1. 基板に対して加熱処理を行う基板処理装置であって、
   平板状の加熱プレートと、
   前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、
   を備え、
   前記搬送手段は、
   基板の下面を支持しつつ回転するローラと、
   前記ローラの回転軸とは別個に設けられた駆動軸を介して、前記ローラを間接的に回転させる駆動手段と、
   を有し、
   前記ローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記駆動軸は、前記加熱プレートの下方に配置されている基板処理装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記ローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、取り付けられている基板処理装置。
4. 請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記ローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、取り付けられている基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。
6. 請求項１から請求項５までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、磁力を利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。
7. 請求項１から請求項６までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記ローラの前記回転軸と、前記駆動軸とは、上面視において直交しており、
   前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、ヘリカルギアを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記加熱プレートは、
   前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第１加熱手段と、
   前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第２加熱手段と、
   を有する基板処理装置。
9. 請求項１から請求項８までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記ローラは、樹脂により形成されている基板処理装置。
10. 請求項１から請求項９までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
    前記加熱プレートに配置された全てのローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する基板処理装置。

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