TWI457980B

TWI457980B - 基板處理裝置及基板處理方法

Info

Publication number: TWI457980B
Application number: TW099133106A
Authority: TW
Inventors: Takeshi Taniguchi; Mitsuaki Yoshitani; Takayuki Sato; Hideto Yamaoka; Shingo Nakane; Toshiharu Ishikawa; Yuji Abe; Noritaka Yoneyama
Original assignee: Dainippon Screen Mfg
Priority date: 2009-10-19
Filing date: 2010-09-29
Publication date: 2014-10-21
Also published as: KR20110043425A; TW201126571A; KR101117019B1

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種對基板進行加熱處理之基板處理裝置及基板處理方法。

於半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、PDP(Plasma Display Panel，電漿顯示器面板)用玻璃基板、記錄裝置用基板等基板之製造步驟中，適當進行針對基板之加熱處理。例如，於基板之光微影步驟中，在對基板之表面塗佈抗蝕劑液之後，為了提高基板之表面與抗蝕劑之密接性，而對基板進行加熱處理。關於此種加熱處理中所使用之先前之基板處理裝置，例如揭示於專利文獻1。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2008-16543號公報

(1)第1目的

專利文獻1之基板處理裝置係藉由自複數個噴出孔噴出氣體，而於板上非接觸地保持基板。而且，一邊沿著板之上表面搬送基板一邊加熱基板。然而，於此種基板處理裝置中，難以增大板之上表面與基板之下表面之間隔(基板之浮上量)。因此，於基板之尺寸較大之情形時，有因加熱所引起之基板之翹曲等而導致板與基板接觸之虞。

另一方面，如圖12所示，於板110形成貫通孔111，並且於該貫通孔111內配置輥120，若於輥120上搬送基板109，則可增大板110與基板109之間隔G。然而，若於板110之下方配置驅動軸121，且於該驅動軸121安裝輥120，則輥120之半徑R會增大。又，伴隨此，貫通孔111之搬送方向之尺寸D亦增大。於此種構造中，有因貫通孔111引起加熱之不均增大之虞。

對此，本發明之第1目的在於提供一種可防止基板與板之接觸且能夠以較高之均一性對基板進行加熱之基板處理裝置及基板處理方法。

(2)第2目的

於專利文獻1之基板處理裝置中，藉由使氣體自設置於平板狀之板之表面之複數個孔噴出，可對板上之基板賦予浮上力，同時藉由特定之搬送機構使基板朝特定方向行進。於板之內部內置有加熱器，基板一邊於藉由該加熱器加熱之高溫之板之正上方移動一邊受到加熱處理。

然而，於專利文獻1之基板處理裝置中，對自板表面噴出之氣體，於導入至板內部之前預先藉由氣體加熱用之加熱器進行加熱。因此，若加熱處理之基板增大，則處理所需之氣體量亦增大，因而氣體加熱專用之加熱器也會變為大型。於是，基板處理裝置之製造成本或驅動加熱器之電力量等之成本亦增大。對此，尋求一種高效地加熱氣體之技術。

對此，本發明之第2目的在於提供一種用以高效地對基板之加熱處理所需之氣體進行加熱之技術。

為了達成上述第1目的，本申請案之第1發明係一種基板處理裝置，其係對基板進行加熱處理者，其包括：平板狀之加熱板；以及搬送機構，其係沿著上述加熱板之上表面搬送基板；且上述搬送機構包括：驅動輥，其係配置於上述加熱板之側部，一邊與基板之端部接觸一邊進行主動旋轉；以及張力調節輥，其係配置於上述加熱板之側部以外之部位，一邊支持基板之下表面一邊進行從動旋轉。

本申請案之第2發明如第1發明之基板處理裝置，其中上述驅動輥一邊支持基板之下表面一邊進行主動旋轉。

本申請案之第3發明如第1發明或第2發明之基板處理裝置，其中上述張力調節輥係旋轉自如地安裝於固定在上述加熱板之軸或軸承。

本申請案之第4發明如第1發明或第2發明之基板處理裝置，其中上述張力調節輥係旋轉自如地安裝於固定在構成上述加熱板之構件之下表面之軸或軸承。

本申請案之第5發明如第1發明或第2發明之基板處理裝置，其中上述張力調節輥之旋轉軸之至少一部分係配置於比上述加熱板之下表面更高之位置。

本申請案之第6發明如第1發明或第2發明之基板處理裝置，其中上述加熱板包括：第1加熱機構，其係藉由來自上述加熱板之上表面之輻射熱對基板進行加熱；以及第2加熱機構，其係藉由自上述加熱板之上表面噴出高溫之氣體對基板進行加熱。

本申請案之第7發明如第1發明或第2發明之基板處理裝置，其中上述張力調節輥係由樹脂所形成。

本申請案之第8發明如第1發明或第2發明之基板處理裝置，其中配置於上述加熱板之所有張力調節輥之與搬送方向正交之方向之位置不同。

又，為了達成上述第1目的，本申請案之第9發明為一種基板處理裝置，其係對基板進行加熱處理者，其包括：平板狀之加熱板；以及搬送機構，其係沿著上述加熱板之上表面搬送基板；且上述搬送機構包括：輥，其係一邊支持基板之下表面一邊進行旋轉；以及驅動機構，其係經由與上述輥之旋轉軸分開設置之驅動軸使上述輥間接地旋轉。

本申請案之第10發明如第9發明之基板處理裝置，其中上述驅動軸係配置於上述加熱板之下方。

本申請案之第11發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中上述輥係安裝於固定在上述加熱板之軸或軸承。

本申請案之第12發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中上述輥係安裝於固定在構成上述加熱板之構件之下表面之軸或軸承。

本申請案之第13發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中上述輥之旋轉軸之至少一部分係配置於比上述加熱板之下表面更高之位置。

本申請案之第14發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中上述驅動機構將上述驅動軸之旋轉經由利用機械齒之嚙合之齒輪傳達至上述輥。

本申請案之第15發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中上述驅動機構將上述驅動軸之旋轉經由利用磁力之齒輪傳達至上述輥。

本申請案之第16發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中上述輥之上述旋轉軸與上述驅動軸係俯視時為正交；上述驅動機構將上述驅動軸之旋轉經由螺旋齒輪傳達至上述輥。

本申請案之第17發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中上述加熱板包括：第1加熱機構，其係藉由來自上述加熱板之上表面之輻射熱對基板進行加熱；以及第2加熱機構，其係藉由自上述加熱板之上表面噴出高溫之氣體對基板進行加熱。

本申請案之第18發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中上述輥由樹脂所形成。

本申請案之第19發明如第9發明或第10發明之基板處理裝置，其中配置於上述加熱板之所有輥之與搬送方向正交之方向之位置不同。

又，為了達成上述第2目的，本申請案之第20發明為一種基板處理裝置，其係對基板進行加熱處理者，其包括：板，其係保持基板；加熱器，其係具有以面狀加熱上述板之加熱面；以及氣體供給部，其係對上述板供給氣體；且於上述板之內部，設置有包含在沿著上述加熱面之方向上延伸之部分的氣體流路；上述氣體供給部朝向上述氣體流路供給氣體。

本申請案之第21發明如第20發明之基板處理裝置，其中於上述板之與基板對向之部分，設置有噴出已通過上述氣體流路之氣體之噴出口。

本申請案之第22發明如第20發明或第21發明之基板處理裝置，其更包括收納空間形成體，該收納空間形成體形成用以收納保持於上述板之基板之收納空間；已通過上述氣體流路之氣體被供給至上述收納空間。

本申請案之第23發明如第20發明或第21發明之基板處理裝置，其中上述板藉由積層複數個副板而構成；於上述複數個副板中之特定之副板之表面設置有凹狀之槽；上述氣體流路係由上述特定之副板之上述凹狀之槽、及積層於上述特定之副板之其他副板之表面所形成。

本申請案之第24發明如第20發明或第21發明之基板處理裝置，其中上述氣體流路包含沿著上述加熱面以U字狀彎折而延伸之部分。

又，為了達成上述第1目的，本申請案之第25發明為一種基板處理方法，其係一邊沿著平板狀之加熱板之上表面搬送基板一邊對基板進行加熱者；且利用驅動輥與張力調節輥來搬送基板，該驅動輥係配置於上述加熱板之側部且一邊與基板之端部接觸一邊進行主動旋轉，該張力調節輥係配置於上述加熱板之側部以外之部位且一邊支持基板之下表面一邊進行從動旋轉。

又，為了達成上述第1目的，本申請案之第26發明為一種基板處理方法，其係一邊沿著平板狀之加熱板之上表面搬送基板一邊對基板進行加熱者；且利用輥與驅動機構來搬送基板，該輥係一邊支持基板之下表面一邊進行旋轉，該驅動機構係經由與上述輥之旋轉軸分開設置之驅動軸使上述輥間接地旋轉。

又，為了達成上述第2目的，本申請案之第27發明為一種基板處理方法，其係對基板進行加熱處理者，其包括：a)將基板保持於板之上部之步驟；b)藉由加熱器面狀加熱上述板之步驟；以及c)對上述板供給氣體之步驟；且於上述板之內部，設置有包含在沿著上述加熱面之方向上延伸之部分的氣體流路；於上述步驟c)中，朝向上述氣體流路供給氣體。

根據本申請案之第1發明~第8發明及第25發明，因藉由張力調節輥來支持基板，故而可防止基板與加熱板之接觸。又，張力調節輥之旋轉軸之高度位置並不限於自驅動源延伸之驅動軸之位置。因此，可將張力調節輥之半徑設定得較小。因而加熱板能夠以較高之均一性對基板進行加熱。

尤其根據本申請案之第2發明，因藉由驅動輥及張力調節輥來支持基板，故而更能夠防止基板與加熱板之接觸。

尤其根據本申請案之第3發明，即便加熱板發生膨脹，張力調節輥與加熱板之相對位置亦難以變化。因此，可將加熱板與張力調節輥之間隙之尺寸設計得較小。因而加熱板可更均一地對基板進行加熱。

尤其根據本申請案之第4發明，旋轉軸或軸承並未露出於加熱板之上表面。因此，加熱板可更均一地對基板進行加熱。

尤其根據本申請案之第5發明，可將張力調節輥之半徑設定得更小。

尤其根據本申請案之第6發明，藉由來自加熱板之上表面之輻射熱與自加熱板之上表面噴出之氣體，可更均一且高效地對基板進行加熱。

尤其根據本申請案之第7發明，可防止張力調節輥與基板滑動或者劃傷基板。

尤其根據本申請案之第8發明，可防止將張力調節輥複數次觸碰到基板之同一位置。因此，可進一步抑制由張力調節輥引起之基板之加熱不均。

又，根據本申請案之第9發明~第19發明及第26發明，因藉由輥來支持基板，故而可防止基板與加熱板之接觸。又，可將輥之旋轉軸之高度位置設定於與驅動軸不同之位置。因此，可將輥之半徑設定得較小。因此，加熱板能夠以較高之均一性對基板進行加熱。

尤其根據本申請案之第10發明，因將驅動軸配置於加熱板之下方，故而可抑制由驅動軸引起之加熱之不均或微粒之產生。

尤其根據本申請案之第11發明，即便加熱板發生膨脹，輥與加熱板之相對位置亦難以變化。因此，可將加熱板與輥之間隙之尺寸設計得較小。因而加熱板可更均一地對基板進行加熱。

尤其根據本申請案之第12發明，旋轉軸或軸承並未露出於加熱板之上表面。因此，加熱板可更均一地對基板進行加熱。

尤其根據本申請案之第13發明，可將輥之半徑設定得更小。

尤其根據本申請案之第14發明，可將驅動軸之旋轉更確實地傳達至輥。

尤其根據本申請案之第15發明，可使驅動軸之旋轉非接觸地傳達至輥。因此，可抑制微粒之產生。

尤其根據本申請案之第16發明，可僅使配置於特定之寬度方向位置之輥旋轉。

尤其根據本申請案之第17發明，藉由來自加熱板之上表面之輻射熱與自加熱板之上表面噴出之氣體，可更均一且高效地對基板進行加熱。

尤其根據本申請案之第18發明，可防止輥與基板滑動或者劃傷基板。

尤其根據本申請案之第19發明，可防止輥複數次觸碰到基板之同一位置。因此，可進一步抑制由輥所引起之基板之加熱不均。

又，根據本申請案之第20發明~第24發明及第27發明，藉由使氣體通過沿著加熱面延伸之氣體流路，可利用板之熱高效地對氣體進行加熱。

尤其根據本申請案之第21發明，可高效地對噴出至基板之氣體進行加熱。

尤其根據本申請案之第22發明，可高效地對供給至收納空間之氣體進行加熱。

尤其根據本申請案之第23發明，可容易於板之內部構成中空狀之流路。

尤其根據本申請案之第24發明，使氣體流路以彎折成U字狀之方式形成，藉此可沿著加熱面形成更長之流路。因此，可延長氣體之加熱時間。

以下，一邊參照圖式一邊對本發明之實施形態進行說明。再者，各實施形態所揭示之構成要素均僅為例示，並非旨在限定本發明之範圍。

<1.第1實施形態>

圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之立體圖。圖2係基板處理裝置1之俯視圖。又，圖3係自圖2中之III-III位置觀察到之基板處理裝置1之縱剖面圖。再者，於以下之說明中，將搬送基板9之方向稱作「搬送方向」，將與搬送方向正交之水平方向稱作「寬度方向」。於本實施形態中所參照之各圖中，以箭頭表示搬送方向及寬度方向。

該基板處理裝置1係於對液晶顯示裝置用之矩形之玻璃基板9(以下，簡稱作「基板9」)之表面選擇性地進行蝕刻之光微影步驟中，用以對抗蝕劑塗佈後之基板9進行加熱處理之裝置。於基板9之製造步驟中，複數台基板處理裝置1在搬送方向上排列。基板9於複數台基板處理裝置1上一邊被搬送一邊受到加熱處理。

如圖1~圖3所示，基板處理裝置1包括加熱板10。加熱板10為用以對沿著其上表面搬送之基板9進行加熱之板。加熱板10形成為大致矩形之平板狀。如圖3中放大所示般，加熱板10成為使上段板11、下段板12、加熱器13、及支承板14自上起依序積層之構造。

上段板11、下段板12、及支承板14例如由鋁等金屬所形成。支承板14發揮於與下段板12之間保持加熱器13之作用。加熱器13為薄板狀之發熱體。加熱器13例如藉由不鏽鋼之蝕刻形成，但亦可由其他材料形成。又，加熱器13連接於特定之電源裝置(省略圖示)。

若自電源裝置對加熱器13提供電流，則加熱器13相應於其電阻而發熱。由加熱器13所產生之熱被傳導至下段板12及上段板11，以使下段板12及上段板11升溫。於加熱板10上被搬送之基板9受到來自上段板11之上表面之輻射熱而被加熱。

又，於加熱板10之上表面形成有朝向基板9之下表面噴出經加熱之氮氣之複數個噴出口10a。複數個噴出口10a於加熱板10之上表面以等間隔之格子點狀配置。

圖4係加熱板10之俯視圖。又，圖5係自圖4中之V-V位置觀察到之加熱板10之縱剖面圖。如圖4及圖5所示，於加熱板10之內部，形成有用以朝複數個噴出口10a運送氮氣之內部流路10b。於本實施形態中，由形成於上段板11之下表面之槽與下段板12之上表面所包圍之空間成為內部流路10b。內部流路10b自形成於加熱板10之下表面側之導入口10c起至各噴出口10a為止，以分支為複數個且不與張力調節輥30重疊之方式延設。

導入口10c上連接有用以對內部流路10b供給氮氣之供氣管15a。供氣管15a之上游側之端部係連接於氮氣供給源15b。又，於供氣管15a上插入有開閉閥15c與加熱器15d。

若開放開閉閥15c，則自氮氣供給源15b向供氣管15a供給經壓縮之氮氣。氮氣於藉由加熱器15d加熱之後，經由導入口10c而朝內部流路10b導入。而且，通過內部流路10b朝各噴出口10a運送之氮氣係自複數個噴出口10a朝向上方噴出，且噴附至基板9之下表面。於加熱板10上搬送之基板9受到來自經加熱之氮氣之熱而被加熱。

如此，本實施形態之基板處理裝置1包括藉由來自加熱板10之上表面之輻射熱而對基板9進行加熱之第1加熱機構，及藉由自加熱板10之上表面噴出高溫之氮氣而對基板9進行加熱之第2加熱機構。因此，比起僅利用輻射熱來對基板9進行加熱之情形，能夠更均一且高效地對基板9進行加熱。

回到圖1~圖3中。於加熱板10之兩側部(朝向基板9之搬送方向為左右之側部)分別將4個驅動輥20以在搬送方向上為等間隔之方式進行配置。各驅動輥20配置於形成在加熱板10之側面之凹部10d之內部。

各驅動輥20之驅動軸21旋轉自如地支持於配置在加熱板10之左右之框架22上。框架22為與加熱板10分開設置之構件。於框架22之外側配置有成為驅動輥20之驅動源之馬達23。於各驅動輥20之驅動軸21及馬達23之驅動軸23a上架設有環形皮帶24。若使馬達23動作，則由馬達23產生之驅動力會經由環形皮帶24而向各驅動輥20傳達。藉此，各驅動輥20於相同方向上主動地進行旋轉。支持於驅動輥20上之基板9藉由驅動輥20之旋轉而沿搬送方向被搬送。

另一方面，於加熱板10之兩側部以外之部位，配置有複數個張力調節輥30。於本實施形態中，在寬度方向上以等間隔排列有4個張力調節輥30，該張力調節輥30之行在搬送方向上以等間隔排列有4個。即，於本實施形態中，共計16個張力調節輥30於搬送方向及寬度方向上以等間隔排列。

圖6係張力調節輥30與其附近之部位之縱剖面圖。如圖6所示，於加熱板10之上段板11，形成有用以確保張力調節輥30之配置空間之貫通孔10e。張力調節輥30之上部位於比上段板11之上表面更上方處。又，於下段板12、加熱器13、及支承板14形成有寬度方向之尺寸比貫通孔10e更大之貫通孔10f。

張力調節輥30之旋轉軸31利用螺栓31a固定於段板11之下表面。張力調節輥30經由軸承32旋轉自如地安裝於旋轉軸31。張力調節輥30並未連接於馬達等驅動源。因此，張力調節輥30並非主動地進行旋轉。張力調節輥30一邊支持基板9之下表面，一邊伴隨基板9之移動而從動地進行旋轉。

如此，基板9一邊支持於驅動輥20及張力調節輥30上，一邊沿著加熱板10之上表面被搬送。即，於本實施形態中，驅動輥20與張力調節輥30構成搬送基板9之搬送機構。

加熱板10之上表面與基板9之下表面之間隔係根據上段板11、旋轉軸31、及張力調節輥30之尺寸而決定。因此，比起僅利用氣體之噴附使基板9自加熱板10浮上之情形，可增大加熱板10與基板9之間隔。又，即便產生因加熱所引起之基板9之翹曲，於至少張力調節輥30之位置，亦可維持加熱板10與基板9之間隔。藉此，加熱板10與基板9之接觸得以抑制。

又，配置於加熱板10之側部以外之部位之張力調節輥30並未連接於馬達等驅動源。因此，張力調節輥30之旋轉軸31之高度位置並不限制於自驅動源延伸之驅動軸之位置。因此，將張力調節輥30之旋轉軸31配置於較高之位置，藉此可將張力調節輥30之半徑設定得較小。若將張力調節輥30之半徑設定得較小，則形成於上段板11之貫通孔10e之搬送方向之尺寸亦可設定得較小。藉此，可抑制因貫通孔10e引起之基板9之加熱不均，且能以較高之均一性對基板9進行加熱。

尤其如圖6所示，於將加熱板10之厚度設為d1，加熱板10之上表面與基板9之下表面之間隔設為d2，張力調節輥30之半徑設為d3，旋轉軸31之半徑設為d4時，較佳為d1+d2>d3-d4之關係成立。若此種尺寸關係成立，則張力調節輥30之旋轉軸31之至少一部分配置於比加熱板10之下表面更高之位置。藉此，張力調節輥30之半徑可設定得更小。

又，本實施形態之張力調節輥30係安裝於固定在加熱板10自身之旋轉軸31上。因此，即便因升溫而導致加熱板10發生膨脹，加熱板10與張力調節輥30之相對位置亦難以變化。因此，可將貫通孔10e之內側面與張力調節輥30之間隙之尺寸設計得較小。藉此，可進一步抑制因貫通孔10e所引起之基板9之加熱不均。

尤其本實施形態之旋轉軸31係固定於上段板11之下表面。因此，用以安裝張力調節輥30之構件(此處為旋轉軸31及螺栓31a)並不露出於加熱板10之上表面。因此，加熱板10可更均一地對基板9進行加熱。

又，如圖6所示，張力調節輥30係於與搬送方向為垂直之剖面上，成為其端面朝向外側突起之圓弧狀。藉此，張力調節輥30之端面與基板9之下表面之接觸面積得以抑制，基板9得到更均一加熱。

驅動輥20及張力調節輥30由耐熱性及耐磨損性較高之樹脂所形成。作為此種樹脂，例如可使用聚醚醚酮(PEEK)。又，驅動輥20及張力調節輥30亦可由不鏽鋼等金屬形成。其中，為了防止輥與基板9滑動或者劃傷基板9，較佳為由樹脂形成驅動輥20及張力調節輥30。

<2.第1實施形態之變形例>

以上，對本發明之第1實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。

於上述實施形態中，係相對於被固定之旋轉軸31而旋轉自如地安裝張力調節輥30，但張力調節輥30亦可與旋轉軸31形成為一體且連同各旋轉軸31一併旋轉。例如，如圖7所示，亦可將軸承32固定於上段板11之下表面，相對於該軸承32而旋轉自如地安裝與旋轉軸31一體化之張力調節輥30。

又，於上述實施形態中，複數個張力調節輥30係於搬送方向及寬度方向上以固定之間隔配置，但張力調節輥30之搬送方向及寬度方向之間隔亦可為不固定。

又，於上述實施形態中，於同一寬度方向位置，在搬送方向上排列有4個張力調節輥30，但亦可使該等張力調節輥30之寬度方向之位置不同。例如，如圖8所示，亦可使配置於加熱板10之所有張力調節輥30之寬度方向之位置不同。若如此，則於1個基板處理裝置1內，可防止張力調節輥30複數次觸碰到基板9之同一位置。因此，可進一步抑制因張力調節輥30所引起之基板9之加熱不均。

又，於上述實施形態中，驅動輥20抵接於基板9之下表面，但亦可進而配置有抵接於基板9之上表面之驅動輥20。例如，如圖9所示，一對驅動輥20亦可一邊自上下夾持基板9一邊進行旋轉。若如此，則可更確實地搬送基板9。

又，如圖10所示，亦可於加熱板10之側部配置張力調節輥30，並且於其上方位置配置驅動輥20，於張力調節輥30與驅動輥20之間，夾持基板9之端部。又，如圖11所示，亦可一邊使驅動輥20抵接於基板9之端面，一邊以上下延伸之軸為中心進行旋轉。

又，於上述實施形態中，驅動輥20僅配置於加熱板10之兩側部，但驅動輥20亦可僅配置於加熱板10之一側部。又，驅動輥20亦可進而配置於加熱板10之側部以外之部位。

又，於上述實施形態中，自複數個噴出口10a噴出氮氣，但亦可代替氮氣而噴出清潔空氣等其他氣體。其中，為了防止在基板9之表面發生意外之化學反應，較佳為使用氮氣等惰性氣體。

又，於上述實施形態中，複數個噴出口10a於搬送方向及寬度方向上以固定之間隔配置，但噴出口10a之搬送方向及寬度方向之間隔亦可不固定。

又，於上述實施形態中，藉由來自加熱板10之輻射熱與氮氣之噴附來對基板9進行加熱，但亦可無需包含此2種加熱手段。例如，亦可不進行來自加熱板10之上表面之氣體之噴出，而僅利用輻射熱對基板9進行加熱。

又，上述基板處理裝置1為對液晶顯示裝置用之矩形之玻璃基板進行加熱處理裝置，但本發明之基板處理裝置亦可為對半導體晶圓、PDP用玻璃基板、記錄裝置用基板等其他基板進行加熱處理者。

<3.第2實施形態>

圖13係自上表面側觀察本發明之第2實施形態之基板處理裝置201之立體圖。圖14係自下表面側觀察基板處理裝置1之立體圖。圖15係基板處理裝置201之俯視圖。又，圖16係自圖15中之XVI-XVI位置觀察到之基板處理裝置1之縱剖面圖。再者，於以下之說明中，將搬送基板209之方向稱作「搬送方向」，將與搬送方向正交之水平方向稱作「寬度方向」。於本實施形態中所參照之各圖中，以箭頭表示搬送方向及寬度方向。

該基板處理裝置201係於對液晶顯示裝置用之矩形之玻璃基板209(以下簡稱作「基板209」)之表面選擇性地進行蝕刻之光微影步驟中，用以對抗蝕劑塗佈後之基板209進行加熱處理之裝置。於基板209之製造步驟中，複數台基板處理裝置201在搬送方向上排列。基板209於複數台基板處理裝置201上一邊被搬送一邊受到加熱處理。

如圖13~圖16所示，基板處理裝置201包括加熱板210。加熱板210係用以對沿著其上表面搬送之基板209進行加熱之板。加熱板210形成為大致矩形之平板狀。如圖16中放大所示般，加熱板210成為使上段板211、下段板212、加熱器213、及支承板214自上起依序積層之構造。

上段板211、下段板212、及支承板214例如由鋁等金屬所形成。支承板214發揮於與下段板212之間保持加熱器213之作用。加熱器213為薄板狀之發熱體。加熱器213例如藉由不鏽鋼之蝕刻形成，但亦可由其他材料形成。又，加熱器213連接於特定之電源裝置(省略圖示)。

若自電源裝置對加熱器213提供電流，則加熱器213相應於其電阻發熱。由加熱器213所產生之熱被傳導至下段板212及上段板211，以使下段板212及上段板211升溫。於加熱板210上被搬送之基板209受到來自上段板211之上表面之輻射熱而被加熱。

又，於加熱板210之上表面形成有朝向基板209之下表面噴出受到加熱之氮氣之複數個噴出口210a。複數個噴出口210a於加熱板210之上表面以等間隔之格子點狀配置。圖17係加熱板210之俯視圖。又，圖18係自圖17中之XVIII-XVIII位置觀察到之加熱板210之縱剖面圖。如圖17及圖18所示，於加熱板210之內部，形成有用以朝複數個噴出口210a運送氮氣之內部流路210b。於本實施形態中，由形成於上段板211之下表面之槽與下段板212之上表面所包圍之空間成為內部流路210b。內部流路210b自形成於加熱板210之下表面側之導入口210c起直至各噴出口210a為止，以分支為複數個且不與中心輥230重疊之方式延設。

導入口210c上連接有用以對內部流路210b供給氮氣之供氣管215a。供氣管215a之上游側之端部係連接於氮氣供給源215b。又，於供氣管215a插入有開閉閥215c與加熱器215d。

若開放開閉閥215c，則自氮氣供給源215b向供氣管215a供給經壓縮之氮氣。氮氣於藉由加熱器215d加熱之後，經由導入口210c而朝內部流路210b導入。而且，通過內部流路210b朝各噴出口210a運送之氮氣係自複數個噴出口210a朝向上方噴出，且噴附至基板209之下表面。於加熱板210上被搬送之基板9受到來自經加熱之氮氣之熱而被加熱。

如此，本實施形態之基板處理裝置201包括藉由來自加熱板210之上表面之輻射熱而對基板209進行加熱之第1加熱機構，及藉由自加熱板210之上表面噴出高溫之氮氣而對基板209進行加熱之第2加熱機構。因此，比起僅利用輻射熱來對基板209進行加熱之情形，能夠更均一且高效地對基板209進行加熱。

回到圖13~圖16中。於加熱板210之兩側部(朝向基板209之搬送方向為左右之側部)分別將4個輥220以於搬送方向上為等間隔之方式配置。以下將配置於加熱板210之兩側部之輥220稱作「側輥220」。各側輥220配置於形成在加熱板210之側面之凹部210d之內部。

側輥220與旋轉軸221形成為一體，且連同旋轉軸221一併進行旋轉。旋轉軸221旋轉自如地支持於配置在加熱板210之左右之框架240上。於框架240之外側，配置有成為側輥220及後述中心輥230之驅動源之馬達250。於各側輥220之旋轉軸221及馬達250之旋轉軸251架設有環形皮帶252。若使馬達250動作，則馬達250之旋轉驅動經由馬達250之旋轉軸251、環形皮帶252、及側輥220之旋轉軸221而朝各側輥220傳達。藉此，各側輥220沿相同方向旋轉。

另一方面，於加熱板210之兩側部以外之部位配置有複數個輥230。以下，將配置於加熱板210之兩側部以外之部位之該等輥230稱作「中心輥230」。於本實施形態中，在寬度方向上以等間隔排列有4個中心輥230，該中心輥230之行在搬送方向上以等間隔排列有4個。即，於本實施形態中，共計16個中心輥230於搬送方向及寬度方向上以等間隔排列。

於加熱板210之下方，配置有用以將馬達250之旋轉驅動朝中心輥230傳達之驅動軸253。驅動軸253旋轉自如地支持於框架240及後述軸承座260。於驅動軸253之馬達250側之端部安裝有齒輪254。齒輪254與安裝於側輥220之旋轉軸221之齒輪222嚙合。若使馬達250動作，則馬達250之旋轉驅動經由馬達250之旋轉軸251、環形皮帶252、側輥220之旋轉軸221、齒輪222、及齒輪254而傳達至驅動軸253。藉此，驅動軸253旋轉。

圖19係中心輥230與其附近之部位之縱剖面圖。又，圖20係自下表面側觀察中心輥230之附近之立體圖。於加熱板210之上段板211，形成有用以確保中心輥230之配置空間之貫通孔210e。中心輥230之上部位於比上段板211之上表面更上方處。又，於加熱板210之下表面側形成有與貫通孔210e連通之凹部210f。

中心輥230與旋轉軸231形成為一體，連同旋轉軸231一併旋轉。旋轉軸231旋轉自如地支持於固定在上段板211之下表面之軸承座260。又，上述驅動軸253亦旋轉自如地支持於同一軸承座260。旋轉軸231及驅動軸253上安裝有彼此嚙合之齒輪232、255。若驅動軸253旋轉，則其旋轉經由齒輪255、齒輪232、及旋轉軸231而向中心輥230傳達。藉此，中心輥230旋轉。

於本實施形態中，相對於2個中心輥230設置有1根驅動軸253。而且，相對於4根驅動軸253設置有一個馬達250。藉由此種構造可抑制驅動軸253或馬達250之數量。又，藉由此種構造可抑制各中心輥230之旋轉速度之偏差。

複數個側輥220及複數個中心輥230一邊支持基板209之下表面一邊進行旋轉。藉此，基板209於搬送方向上被搬送。基板處理裝置201於加熱板10上，一邊搬送基板209一邊進行加熱，因而能夠以較高之均一性對基板209進行加熱。

加熱板210之上表面與基板209之下表面之間隔係根據上段板211、軸承座260、旋轉軸231、及中心輥230之尺寸而決定。因此，比起僅利用氣體之噴附使基板209自加熱板210浮上之情形，可增大加熱板210與基板209之間隔。又，即便發生由加熱所引起之基板209之翹曲，亦可於至少中心輥230之位置，維持加熱板210與基板209之間隔。藉此，加熱板210與基板209之接觸得以抑制。

又，基板處理裝置201藉由使與中心輥230之旋轉軸231分開設置之驅動軸253旋轉，而使中心輥230間接地旋轉。因此，能夠使中心輥230之旋轉軸231配置於與驅動軸253不同之位置。於本實施形態中，將中心輥230之旋轉軸231配置於比驅動軸253更高之位置，藉此，可將中心輥230之半徑設定得較小。若將中心輥230之半徑設定得較小，則形成於上段板211之貫通孔210e之搬送方向之尺寸亦設定得較小。其結果，可抑制由貫通孔210e所引起之基板209之加熱不均，從而能夠以較高之均一性對基板209進行加熱。

尤其如圖19所示，於將加熱板210之厚度設為d1，加熱板210之上表面與基板209之下表面之間隔設為d2，中心輥230之半徑設為d3，旋轉軸231之半徑設為d4時，較佳為d1+d2>d3-d4之關係成立。若此種尺寸關係成立，則中心輥230之旋轉軸231之至少一部分配置於比加熱板210之下表面更高之位置。藉此，可將中心輥230之半徑設定得更小。

又，於本實施形態中，驅動軸253配置於加熱板210之下方。因此，無需於加熱板210上形成用以配置驅動軸253之孔或槽。又，可能因驅動軸253之旋轉而產生之微粒附著於基板209亦得以抑制。

又，本實施形態之中心輥230安裝於固定在加熱板210自身之軸承座260上。因此，即便因升溫而導致加熱板210發生膨脹，加熱板210與中心輥230之相對位置亦難以變化。因此，可將貫通孔210e之內側面與中心輥230之間隙之尺寸設計得較小。藉此，可進一步抑制由貫通孔210e所引起之基板209之加熱不均。

尤其本實施形態之軸承座260固定於上段板211之下表面。因此，軸承座260、旋轉軸231、齒輪232等機構並未露出於加熱板210之上表面。藉此，加熱板210可更均一地對基板209進行加熱。又，可能由該等機構產生之微粒附著於基板209亦得以抑制。

又，於本實施形態中，使驅動軸253之旋轉經由利用機械齒之嚙合之齒輪255、232而傳達至中心輥230之旋轉軸231。因此，能夠使驅動軸253之旋轉更確實地傳達至中心輥230。

又，如圖19所示，中心輥230於與搬送方向垂直之剖面上，成為其端面朝向外側突出之圓弧狀。藉此，中心輥230之端面與基板209之下表面之接觸面積得以抑制，基板209進一步被均一加熱。

側輥220及中心輥230由耐熱性及耐磨損性較高之樹脂所形成。作為此種樹脂，例如可使用聚醚醚酮(PEEK)。又，側輥220及中心輥230亦可由不鏽鋼等金屬形成。其中，為了防止輥與基板209滑動或劃傷基板209，較佳為由樹脂形成側輥220及中心輥230。

<4.第2實施形態之變形例>

以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。

於上述實施形態中，係使用利用了機械齒之嚙合之齒輪255、232，但亦可經由其他機構將驅動軸253之旋轉向中心輥230傳達。例如，亦可經由架設於驅動軸253與中心輥230之旋轉軸231之間之皮帶，將驅動軸253之旋轉向中心輥230傳達。

又，如圖21所示，亦可將驅動軸253之旋轉經由利用磁力之齒輪255A、232A傳達至中心輥230之旋轉軸231。於圖21之例中，在驅動軸253上安裝有齒輪255A，於齒輪255A之端面形成有磁極部751。又，於中心輥230之旋轉軸231安裝有齒輪232A，於齒輪232A之端面形成有磁極部521。因此，若使驅動軸253旋轉，則藉由齒輪255A之磁極部751與齒輪232A之磁極部521之磁作用，中心輥230之旋轉軸231進行旋轉。

又，如圖22所示，亦可於中心輥230自身設置磁極部501。於圖22之例中，在驅動軸253上安裝有齒輪255B，於齒輪255B之與中心輥230對向之面形成有磁極部752。因此，若使驅動軸253旋轉，則藉由齒輪255B之磁極部752與中心輥230之磁極部501之間之磁作用，中心輥230進行旋轉。

如圖21或圖22所示，若利用磁力，則可將驅動軸253之旋轉非接觸地傳達至中心輥230。因此，可抑制因構件之接觸所引起之微粒之產生。

又，如圖23所示，亦可將驅動軸253之旋轉經由螺旋齒輪255C、232C而傳達至中心輥230之旋轉軸231。於圖23之例中，驅動軸253在與中心輥230之旋轉軸231俯視時為正交之方向(即，搬送方向)上延設。而且，具有螺旋狀之齒之螺旋齒輪255C、232C以彼此嚙合之方式安裝於驅動軸253與中心輥230之旋轉軸231。因此，若使驅動軸253旋轉，則中心輥230之旋轉軸231亦旋轉。

若圖23所示，若將驅動軸253於搬送方向上延設，則可僅使配置於特定之寬度方向位置之中心輥230旋轉。因此，藉由應旋轉之中心輥230之排列可減少驅動軸253之數量。

又，於上述實施形態中，中心輥230係與旋轉軸231形成為一體且連同旋轉軸231一併進行旋轉，但中心輥230亦可相對於固定在加熱板210之旋轉軸231而進行旋轉。

又，於上述實施形態中，複數個中心輥230於搬送方向及寬度方向上以固定之間隔配置，但中心輥230之搬送方向及寬度方向之間隔亦可不固定。

又，於上述實施形態中，於同一寬度方向位置，在搬送方向上排列有4個中心輥230，但亦可使該等中心輥230之寬度方向之位置不同。例如，如圖24所示，亦可使配置於加熱板210之所有中心輥230之在寬度方向上之位置不同。若如此，則於一個基板處理裝置201內，可防止中心輥230複數次觸碰到基板209之同一位置。因此，可進一步抑制由中心輥230所引起之基板209之加熱不均。

又，於上述實施形態中，側輥220抵接於基板209之下表面，但亦可進而配置有抵接於基板209之上表面之側輥220。例如，如圖25所示，一對側輥220亦可一邊自上下夾持基板209一邊進行旋轉。若如此，則能夠更確實地搬送基板209。又，如圖26所示，亦可使側輥220一邊抵接於基板209之端面一邊以沿上下延伸之軸為中心進行旋轉。

又，於上述實施形態中，側輥220為接受來自馬達250之旋轉驅動進行旋轉之輥，但側輥220亦可為不接受來自馬達250之旋轉驅動之張力調節輥。又，於加熱板210之兩側部以外之部位，亦可進而配置不接受來自馬達250之旋轉驅動之張力調節輥。

又，於上述實施形態中，自複數個噴出口210a噴出氮氣，但亦可代替氮氣而噴出清潔之空氣等其他氣體。其中，為了防止在基板209之表面發生意外之化學反應，較佳為使用氮氣等惰性氣體。

又，於上述實施形態中，複數個噴出口210a於搬送方向及寬度方向上以固定之間隔配置，但噴出口210a之搬送方向及寬度方向之間隔亦可不固定。

又，於上述實施形態中，藉由來自加熱板210之輻射熱與氮氣之噴附來對基板209進行加熱，但亦可不必包含此2種加熱手段。例如，亦可不進行來自加熱板210之上表面之氣體之噴出，而僅利用輻射熱對基板209進行加熱。

又，上述基板處理裝置201為對液晶顯示裝置用之矩形之玻璃基板進行加熱處理裝置，但本發明之基板處理裝置亦可對半導體晶圓、PDP用玻璃基板、記錄裝置用基板等其他基板進行加熱處理。

<5.第3實施形態>

圖27係第3實施形態之基板處理裝置301之立體圖。圖28係基板處理裝置301之俯視圖。而且，圖29係圖28所示之XXIX-XXIX線剖面圖。再者，於以下之說明中，將搬送基板309之方向稱作「搬送方向」，將與搬送方向正交之水平方向稱作「寬度方向」。於本實施形態中所參照之各圖中，以箭頭表示搬送方向及寬度方向。

基板處理裝置301係於對液晶顯示裝置用之矩形之玻璃基板309(以下，稱作「基板309」)之表面選擇性地進行蝕刻之光微影步驟中，用以對抗蝕劑塗佈後之基板309進行加熱處理之裝置。於基板309之製造步驟中，複數台基板處理裝置301於搬送方向上排列。基板309於複數台基板處理裝置301上，一邊在搬送方向上被搬送一邊受到加熱處理。

<加熱機構>

首先，對基板處理裝置301之加熱機構進行說明。如圖27~圖29所示，基板處理裝置301包括大致矩形平板狀之加熱板310。加熱板310對沿著其上表面移動之基板309進行加熱。如圖29中放大表示般，加熱板310具有使複數個副板(上段板311、中段板312、下段板313)、加熱器314、及支承板315依該順序自上起積層之構造。

上段板311、中段板312、下段板313、及支承板315例如由鋁等金屬形成。支承板315係於與下段板313之間保持加熱器314。加熱器314為薄板狀之發熱體，例如由不鏽鋼之蝕刻而形成，但並不限於此。加熱器314連接於特定之電源裝置(省略圖示)。

若自電源裝置對加熱器314提供電流，則加熱器314根據其電阻發熱。加熱器314係其上表面形成加熱面，且以面狀對下段板313進行加熱。施加至下段板313之熱依序向中段板312及上段板311傳導，藉此加熱板310整體升溫。於加熱板310之正上方移動之基板309接受來自上段板311之上表面之輻射熱而被加熱。

又，於加熱板310之上表面設置有朝向基板309之下表面噴出經加熱之清潔之空氣(air)之複數個噴出口401。如圖27、28所示，複數個噴出口401於加熱板310之上表面以格子點狀而等間隔配置。

圖30係上段板311之俯視圖，圖31係中段板312之俯視圖，圖32係下段板313之俯視圖。又，圖33係表示於圖30~32所示之XXXIII-XXXIII線之位置切斷加熱板310之狀態之縱剖面圖。

如圖30中虛線所示，於上段板311之下表面形成有2個凹狀之槽411、411。槽411、411之各個具有相對於通過上段板311之寬度方向中央之與搬送方向平行之線(L1)，為彼此對稱之形狀。槽411自沿搬送方向延伸之部分，以與噴出口401之各位置對應之方式在寬度方向上分支為複數個而延伸。再者，槽411以不與用以設置張力調節輥330之輥孔412之位置重疊之方式設置。

於圖31所示之中段板312，設置有用以設置張力調節輥330之複數個輥孔420、及貫通上表面及下表面之2個導入口421、421。於該中段板312之相對平坦之上表面，藉由重合形成有上述槽411、411之上段板311之下表面而形成有2個中空狀之擴散流路402、402(參照圖33)。此時，導入口421、421之各個係與槽411、411之大致中央部分重疊，因而擴散流路402、402與導入口421、421在空間上連通。

於圖32所示之下段板313之上表面，設置有避開輥用孔430而延伸之凹狀之槽431。槽431具有相對於通過寬度方向中央之與搬送方向平行之線(L2)為左右對稱之形狀。

於槽431設置有貫通至下表面為止之供氣口432。槽431自供氣口432之位置，向寬度方向兩側分支之後，在此狀態下不分支而於平面上一邊以U字狀彎折一邊延伸。詳細而言，一邊重複複數次大致180°之U形轉彎一邊沿寬度方向延伸。再者，加熱器314之加熱面與下段板313之上表面彼此大致平行(參照圖3)。因此，槽431沿著加熱器314之加熱面延設。

於形成有此種槽431之下段板313之上表面，藉由重合相對平坦之中段板312之下表面而形成中空狀之氣體流路403(參照圖33)。此時，自供氣口432之位置分支並延伸之槽431之終端部分之各個如圖32中虛線所示般，重疊於中段板312之導入口421、421之位置。即，於加熱板310中，擴散流路402與氣體流路403經由導入口421而連通。

如圖33所示，加熱板310連接於供給空氣之氣體供給機構316。具體而言，相對於下段板313(圖32)之供氣口432而連接有供氣管461，於供氣管461之上游側端部連接有空氣供給源462。又，於供氣管461之中途設置有用以控制氣體供給之開閉閥463。

若開放開閉閥463，則自空氣供給源462向供氣管461供給經壓縮之空氣。空氣係經由供氣口432而向氣體流路403之內部導入。若空氣侵入氣體流路403，則空氣之流動於寬度方向上分支為兩支(圖32，塊形箭頭)。空氣於氣體流路403(槽411)之內部一邊呈U字狀變更前進道路一邊通過之期間，被加熱為高溫(例如與經加熱之下段板313為相同程度之溫度)之後，到達中段板312之導入口421(圖32，塊形箭頭)。而且，空氣通過導入口421被導入至擴散流路402。

被導入至擴散流路402之空氣藉由擴散流路402進一步分支為枝狀，且被送至各噴出口401。而且，空氣自各噴出口401朝向上方噴出，且噴附至基板309之下表面。於加熱板310上移動之基板309受到來自經加熱之空氣之熱，被賦予相對於加熱板之浮上力並且被加熱。

<搬送機構>

其次，對基板處理裝置301之搬送機構進行說明。回到圖27~圖29中，於加熱板310之兩側部(基板309之寬度方向之兩側部分)分別以於搬送方向上成為等間隔之方式配置4個驅動輥320。各驅動輥320配置於形成在加熱板310之側面之凹部404之內部。

各驅動輥320之驅動軸321旋轉自如地支持於配置在加熱板310之左右之框架322上。框架322為與加熱板310分開設置之構件。於框架322之外側配置有成為驅動輥320之驅動源之馬達323。於各驅動輥320之驅動軸321及馬達323之驅動軸531上架設有環形皮帶324。若使馬達323動作，則由馬達323所產生之驅動力會經由環形皮帶324而向各驅動輥320傳達。藉此，各驅動輥320於相同方向上主動地進行旋轉。支持於驅動輥320上之基板9藉由驅動輥320之旋轉而沿搬送方向被搬送。

另一方面，於加熱板310之兩側部以外之部位配置有複數個張力調節輥330。於本實施形態中，於寬度方向上等間隔地排列有4個張力調節輥330，該張力調節輥330之行在搬送方向上以等間隔排列有4個。即，於本實施形態中，16個張力調節輥330於搬送方向及寬度方向上以等間隔排列。

張力調節輥330之旋轉軸331利用螺栓332固定於上段板311之下表面。張力調節輥330經由未圖示之軸承旋轉自如地安裝於旋轉軸331。張力調節輥330未連接於馬達等驅動源。因此，張力調節輥330並非主動地旋轉。張力調節輥330一邊支持基板309之下表面，一邊伴隨基板309之移動而從動地旋轉。

如此，基板309一邊支持於驅動輥320及張力調節輥330上，一邊沿著加熱板310之上表面被搬送。即，於本實施形態中，驅動輥320與張力調節輥330構成搬送基板309之搬送機構。如此，於本實施形態中，加熱板310以驅動輥320及張力調節輥330之上端部分保持基板309。

加熱板310之上表面與基板309之下表面之間隔係根據上段板311、旋轉軸331、及張力調節輥330之尺寸而決定。因此，比起僅利用氣體之噴附使基板309自加熱板310浮上之情形，可增大加熱板310與基板309之間隔。

又，例如於基板309之尺寸相對較大之情形時，即便發生由加熱所引起之基板309之翹曲，於至少張力調節輥330之位置，亦可維持加熱板310與基板309之間隔。藉此，加熱板310與基板309之接觸得以抑制。

又，配置於加熱板310之側部以外之部位之張力調節輥330並未連接於馬達等驅動源。因此，張力調節輥330之旋轉軸331之高度位置可不必限制於自驅動源延伸之驅動軸之位置。因此，可將張力調節輥330之旋轉軸331配置於更高之位置，因而可減小張力調節輥330之半徑。又，若減小張力調節輥330之半徑，則形成於上段板311之輥孔412之搬送方向之尺寸亦減小。藉此，抑制由輥孔412所引起之基板309之加熱不均之發生，且可更均一地對基板309進行加熱。

又，本實施形態之張力調節輥330安裝於固定在加熱板310自身之旋轉軸331上。因此，即便藉由升溫而導致加熱板310發生膨脹，加熱板310與張力調節輥330之相對位置亦難以發生變化。因此，可減小輥孔412之內側面與張力調節輥330之間隙之尺寸。藉此，可進一步抑制由輥孔412所引起之基板309之加熱不均之發生。

又，本實施形態之旋轉軸331固定於上段板311之下表面。因此，用以安裝張力調節輥330之構件(此處為旋轉軸331及螺栓332)並不露出於加熱板310之上表面亦可。因此，加熱板310可更均一地對基板309進行加熱。

再者，驅動輥320及張力調節輥330由耐熱性及耐磨損性較高之樹脂所形成。作為此種樹脂，例如可使用聚醚醚酮(PEEK)。又，驅動輥320及張力調節輥330亦可由不鏽鋼等金屬形成。其中，為了防止輥與基板309滑動或劃傷基板309，較佳為由樹脂形成驅動輥320及張力調節輥330。

如以上所示，基板處理裝置301藉由來自加熱板310之上表面之輻射熱而對基板309進行加熱，並且自加熱板310之上表面噴出高溫之空氣。因此，比起僅利用輻射熱對基板309進行加熱之情形，可均一且高效地對基板309進行加熱。

又，空氣係藉由通過由加熱器314加熱之下段板313與中段板312之間之氣體流路403而得到加熱，因而可實現利用加熱板310之熱之空氣之加熱。

又，於將如先前般利用氣體加熱專用之加熱器加熱之空氣導入至加熱板內之情形時，空氣於連通到加熱板之導管內等會冷卻，因而必需以必要以上對空氣進行加熱。與此相對，於本實施形態中，因利用加熱板310對空氣進行加熱，故而無需如先前般之多餘之加熱。因此，可減少光熱費用，且亦有利於環境保護。又，因可省略氣體加熱專用之加熱器，故而亦可抑制基板處理裝置之製造成本。

又，容易將自噴出口401噴出之空氣之溫度加熱至與加熱板310為相同程度之溫度。藉此，可容易減小加熱板310與噴出之氣體之間之溫度差，且可容易提高加熱區域中之熱分佈之均一性。

又，於利用加熱器314對加熱板310進行加熱之情形時，加熱板310不僅對基板309之存在之方向(上方)輻射熱，亦對其以外之周圍輻射熱。因此，加熱器314對加熱板310提供基板309之加熱所需之熱量以上之熱。於本實施形態中，因使空氣通過加熱板310內部，故而可利用此種多餘之熱(廢熱)來加熱空氣。

又，氣體流路403沿著加熱面一邊呈U字狀彎折一邊延伸，藉此比起直線狀地設置之情形，於沿著加熱面之方向上可使氣體流路403更長地形成。因此，可進一步延長空氣之加熱時間。藉由延長氣體流路403，即便於增加所供給之氣體之量之情形時或使通過氣體流路403之空氣之流速上升之情形時，亦可容易確保充分之加熱時間。

又，於本實施形態之基板處理裝置301中，藉由停止對加熱器314之電力供給，加熱板310之溫度降低。此時，可將相對低溫(例如常溫)之空氣連續地供給至氣體流路403，藉此可促進加熱板310之冷卻。因此，例如於維護基板處理裝置301時，藉由使加熱板310迅速冷卻，可儘快著手進行維護作業。又，於連續進行基板處理時，即便中途使加熱溫度自高溫變為低溫之情形時，亦可縮短加熱板310之冷卻所需之基板處理裝置301之待機時間。

再者，於本實施形態中，使氣體流路403與加熱面平行地延伸，但亦可於與加熱面垂直之方向(上下方向)上一邊彎折一邊延伸。即，「沿著加熱面延伸」係指以具有至少與加熱器314之加熱面平行之成分之方式延伸。

又，於本實施形態中，以使氣體流路403之延伸之方向撓曲(折曲)之方式變化，但亦能以彎曲之方式變化。又，於使氣體流路403之延伸之方向以U字狀彎折時，使槽之延伸之方向以大致180°U形轉彎。因此，氣體流路403包含彼此平行延伸之部分(參照圖32)。然而，彎折後之氣體流路403之延伸方向無需相對於彎折前之氣體流路403之延伸方向平行。其中，關於確保更長之流路之方面，較佳為以大於90°之角度U形轉彎。

又，於本實施形態中，藉由於同一方向(向左或向右)彎折2次，而使槽431(或氣體流路403)以U字狀彎折，但亦可藉由於同一方向上彎折1次或3次以上，可實現U字狀之彎折。又，於使槽431螺旋狀延伸之情形時，等同於連續地以U字狀彎折之情形。

又，於本實施形態中，沿著搬送方向將4個張力調節輥330配置於一直線上，但亦可使該等張力調節輥330之寬度方向之位置彼此不同。藉此，於一個基板處理裝置1中，可減少針對基板309之同一部分之張力調節輥330之接觸次數。因此，可進一步抑制由張力調節輥330所引起之基板309之加熱不均之發生。

又，張力調節輥330並非必須以等間隔配置，亦可於加熱板310上以存在變疏或變密之部分之方式而配置。又，關於噴出孔412，無需將配置間隔設為固定，亦能以於加熱板310上存在變疏或變密之部分之方式配置。

又，於本實施形態中，使主動地旋轉之驅動輥320僅抵接於基板309之下表面，但例如圖34所示，亦可進而設置抵接於基板309之上表面之驅動輥320。藉由一對驅動輥320一邊自上下夾持基板309一邊進行旋轉，能夠更確實地搬送基板309。再者，亦可將上側或下側之驅動輥320置換為張力調節輥330。

又，於本實施形態中，驅動輥320一邊抵接於基板309之表面(背面)一邊進行旋轉，藉此來搬送基板309，但例如圖35所示，亦可將驅動軸321以沿著上下方向之方式配置驅動輥320，使驅動輥320抵接於基板309之側端面並旋轉，藉此來搬送基板309。

又，於本實施形態中，驅動輥320配置於加熱板310之兩側部，但亦可僅配置於加熱板310之一側部。又，驅動輥320亦可設置於兩側部以外之部位(例如加熱板310之寬度方向之中央)。

<6.第4實施形態>

於第3實施形態中，對將由氣體流路403加熱之空氣朝向基板309噴出之基板處理裝置301進行了說明，但於與基板處理裝置301構成不同之裝置中，亦可適用本發明。再者，於本實施形態之說明中，對具有與第3實施形態相同功能之要素附上相同符號並省略其說明。

圖36係第4實施形態之基板處理裝置301a之縱剖面圖。圖36中亦圖示基板處理裝置301a之供氣系統之構成。又，圖37係加熱板310a之俯視圖。

基板處理裝置301a與基板處理裝置301同樣地，係於光微影步驟中對抗蝕劑塗佈後之基板309進行加熱處理之裝置。基板處理裝置301a包括大致矩形且平板狀之加熱板310a及覆蓋加熱板310a之上部之腔室340。基板處理裝置301a有時於進行一連串基板處理之基板處理系統內僅安裝一台，但有時亦將複數台多段積層而安裝。

加熱板310a包括上部板311a與下部板313a。於該等板之間插入有上表面與下表面形成加熱面之薄板狀之加熱器314a。若對加熱器314a供給電力，則加熱器314a分別利用上表面以面狀來加熱上部板311a，利用下表面以面狀來加熱下部板313a。若於經加熱之上部板311a之上表面載置基板309，則基板309受到加熱處理。

如圖36及圖37中所示，於下部板313a之內部，沿著加熱器314a之下側加熱面，設置有一邊以U字狀彎折複數次(此處為3次)一邊延伸之中空狀之氣體流路403a。

氣體流路403a之始端與供氣口432a連通，終端與排氣口433連通。該供氣口432a上連接有氣體供給機構316，且被供給有空氣。供給至供氣口432a之空氣於通過設置於下部板313a之氣體流路403a之期間被加熱而升溫至高溫(例如與下部板313a之溫度為相同程度)之後，自排氣口433排出。

再者，氣體流路403a與第1實施形態中說明之氣體流路403同樣地，可設置於下部板313a之內部。即，於板狀之副板之表面，設置一邊沿左右方向撓曲一邊延伸之槽，使另一副板重合於形成有該槽之副板，從而可形成氣體流路403a。然而，氣體流路403a之構成並不限定於此種。

腔室340為形成內部收納基板309以對其進行加熱處理之收納空間340S之空間形成體。於腔室340之一側面，設置有用以相對於腔室340搬出、搬入基板309之搬送口341，及用以使搬送口341開閉之開閉門342。

當將基板309搬入至腔室340內時或將基板309搬出至腔室340外時，開閉門342開放，經由搬送口341搬送基板309。又，當於腔室340內對基板309進行加熱處理時，開閉門342閉鎖，腔室340之內部為大致氣密狀態。

雖省略圖示，但於加熱板310a設置有可相對於其上表面突出及埋沒而構成之複數個起模頂桿。當相對於加熱板310a搬送基板309時，於該起模頂桿之上端與未圖示之搬送機構(例如搬送機器人之機械臂)之間進行基板之授受。又，藉由起模頂桿之上下動作，對於加熱板310a之上表面進行基板309之載置及剝離。

於腔室340之另一側面設置有用以對腔室340內導入氣體之導入口343。導入口343與下部板313a之排氣口433經由導管而連接。於氣體流路403a中被加熱之空氣經由導入口343而被送入至收納空間340S。

腔室340之收納空間340S內之空氣，係為了例如將處理中由基板309產生之氣體(抗蝕劑之昇華物等)除去而被適當排氣。於本實施形態中，對該收納空間340S供給經加熱之空氣，藉此可抑制外部氣體自間隙等流入至收納空間340S，因而可抑制收納空間340S之溫度降低。又，藉由供給高溫之空氣，亦可使腔室340之內部溫度升溫。

再者，亦可於加熱板310a之表面中之載置基板309之區域設置有複數個微小突起。藉此，於自加熱板310a剝離加熱處理後之基板309時，可抑制基板309剝離帶電。

如本實施形態之基板處理裝置301a般，即便於將經加熱之空氣導入至腔室340內之情形時，藉由使空氣通過氣體流路403a，可利用加熱板310a之熱來加熱空氣。因此，可實現利用加熱板310a之廢熱之高效之空氣之加熱。

又，即便於本實施形態之基板處理裝置301a中，與基板處理裝置301同樣地，藉由停止對加熱器314a之電力供給，加熱板310之溫度降低。此時，藉由將相對低溫(例如常溫)之空氣供給至氣體流路403a，可促進加熱板310a之冷卻。因此，於例如維護基板處理裝置301a時，藉由迅速冷卻加熱板310a，可儘早地著手維護作業。又，於連續進行基板處理時，即便中途使加熱溫度由高溫變為低溫時，亦有利於縮短加熱板310a之冷卻時間。

再者，與第1實施形態之加熱板310同樣地，於加熱板310a之表面，亦可設置與氣體流路403a連通之複數個噴出孔。藉此，藉由使經加熱之空氣自噴出孔噴出並噴附至基板309，而可對基板309提供浮上力並且可對基板309進行加熱。

<7.第3實施形態及第4實施形態之變形例>

以上，對本發明之第3實施形態及第4實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。

例如於上述實施形態中，僅利用氣體流路403、403a來對空氣進行加熱，但氣體供給機構316亦可包括氣體加熱用之加熱器。藉此，預先利用專用之加熱器來加熱空氣，因而能夠將加熱至某種程度高溫之加熱的空氣導入至加熱板310、310a內。

又，於上述實施形態中，氣體供給機構316供給空氣，但亦可代替空氣而供給氮氣等其他種類之氣體。例如，為了防止在基板309之表面發生意外之化學反應，較佳為使用氮氣等反應性低之惰性氣體。

又，於上述實施形態中，於形成有槽之副板上，藉由重疊平坦之副板之面而形成氣體流路，但亦可相對於兩方之副板設置大致同形狀之槽而形成氣體流路。

又，上述基板處理裝置301為對液晶顯示裝置用之矩形之玻璃基板進行加熱處理之裝置，本發明之基板處理裝置亦可相對於半導體晶圓、PDP用玻璃基板、記錄裝置用基板等其他基板進行加熱處理。

又，上述實施形態及變形例中所說明之各要素只要不會產生矛盾則可自由組合或適當省略。

1．．．基板處理裝置

9．．．基板

10．．．加熱板

10a．．．噴出口

10b．．．內部流路

10c．．．導入口

10d．．．凹部

10e．．．貫通孔

10f．．．貫通孔

11．．．上段板

12．．．下段板

13．．．加熱器

14．．．支承板

15a．．．供氣管

15b．．．氮氣供給源

15c．．．開閉閥

15d．．．加熱器

20．．．驅動輥

21．．．驅動軸

22．．．框架

23．．．馬達

23a．．．驅動軸

24．．．環形皮帶

30．．．張力調節輥

31．．．旋轉軸

31a．．．螺栓

32．．．軸承

109．．．基板

110．．．板

111．．．貫通孔

120．．．輥

121．．．驅動軸

201．．．基板處理裝置

209．．．基板

210．．．加熱板

210a．．．噴出口

210b．．．內部流路

210c．．．導入口

210d．．．凹部

210e．．．貫通孔

210f．．．凹部

211．．．上段板

212．．．下段板

213．．．加熱器

214．．．支承板

215a．．．供氣管

215b．．．氮氣供給源

215c．．．開閉閥

215d．．．加熱器

220．．．側輥

221．．．旋轉軸

222．．．齒輪

230．．．中心輥

231．．．旋轉軸

232、232A．．．齒輪

232C．．．螺旋齒輪

240．．．框架

250．．．馬達

251．．．旋轉軸

252．．．環形皮帶

253．．．驅動軸

254．．．齒輪

255、255A、255B．．．齒輪

255C．．．螺旋齒輪

260．．．軸承座

301、301a．．．基板處理裝置

309．．．基板

310、310a．．．加熱板

311．．．上段板

311a．．．上部板

312．．．中段板

313．．．下段板

313a．．．下部板

314、314a．．．加熱器

315．．．支承板

316．．．氣體供給機構

320．．．驅動輥

321．．．驅動軸

322．．．框架

323．．．馬達

324．．．環形皮帶

330．．．張力調節輥

331．．．旋轉軸

332．．．螺栓

340．．．腔室

340S．．．收納空間

341．．．搬送口

342．．．開閉門

343．．．導入口

401．．．噴出口

402．．．擴散流路

403、403a．．．氣體流路

404．．．凹部

411．．．槽

412．．．輥孔

420．．．輥孔

421．．．導入口

430．．．輥用孔

431．．．槽

432、432a．．．供氣口

433．．．排氣口

461．．．供氣管

462．．．空氣供給源

463．．．開閉閥

501．．．磁極部

521．．．磁極部

531．．．驅動軸

751．．．磁極部

752．．．磁極部

D．．．貫通孔111之搬送方向之尺寸

d1．．．加熱板之厚度

d2．．．加熱板之上表面與基板之下表面之間隔

d3．．．張力調節輥之半徑

d4．．．旋轉軸之半徑

G．．．板110與基板109之間隔

L1、L2．．．線

R．．．輥120之半徑

圖1係基板處理裝置之立體圖。

圖2係基板處理裝置之俯視圖。

圖3係自圖2中之III-III位置觀察到之基板處理裝置之縱剖面圖。

圖4係加熱板之俯視圖。

圖5係自圖4中之V-V位置觀察到之加熱板之縱剖面圖。

圖6係張力調節輥與其附近之部位之縱剖面圖。

圖7係變形例之張力調節輥與其附近之部位之縱剖面圖。

圖8係變形例之基板處理裝置之立體圖。

圖9係表示變形例之驅動輥之圖。

圖10係變形例之驅動輥及張力調節輥與其附近之部位之縱剖面圖。

圖11係變形例之驅動輥及張力調節輥與其附近之部位之縱剖面圖。

圖12係表示安裝於配置在板之下方之驅動軸之輥的圖。

圖13係自上表面側觀察基板處理裝置之立體圖。

圖14係自下表面側觀察基板處理裝置之立體圖。

圖15係基板處理裝置之俯視圖。

圖16係自圖15中之XVI-XVI位置觀察到之基板處理裝置之縱剖面圖。

圖17係加熱板之俯視圖。

圖18係自圖17中之XVIII-XVIII位置觀察到之加熱板之縱剖面圖。

圖19係中心輥與其附近之部位之縱剖面圖。

圖20係自下表面側觀察中心輥之附近之立體圖。

圖21係變形例之中心輥與其附近之部位之縱剖面圖。

圖22係變形例之中心輥及齒輪之立體圖。

圖23係變形例之中心輥及齒輪之俯視圖。

圖24係變形例之基板處理裝置之立體圖。

圖25係表示變形例之側輥之圖。

圖26係變形例之側輥與其附近之部位之縱剖面圖。

圖27係第3實施形態之基板處理裝置之立體圖。

圖28係基板處理裝置之俯視圖。

圖29係圖28所示之XXIX-XXIX線剖面圖。

圖30係上段板之俯視圖。

圖31係中段板之俯視圖。

圖32係下段板之俯視圖。

圖33係於圖30~32所示之XXXIII-XXXIII線之位置切斷加熱板10時之縱剖面圖。

圖34係表示搬送輥之其他配置例之側視圖。

圖35係表示搬送輥及張力調節輥之其他配置例之剖面圖。

圖36係第4實施形態之基板處理裝置之縱剖面圖。

圖37係加熱板之俯視圖。