JP2011086868A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の加熱処理に必要な気体を、効率良く加熱するための技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ヒーター１４の加熱面に沿って延びる気体流路１０３が内部に設けられた加熱プレート１０を備えている。気体供給機構１６から加熱プレート１１０内部へ供給されたエアは、気体流路１０３を通過することによって加熱される。加熱されたエアは、導入口１２１を通過して拡散流路１０２に侵入する。エアは、拡散流路１０２にて拡散され、加熱プレート１０上面に設けられた複数の噴出口１０１から基板９に向けて噴出される。このように基板処理装置１では、加熱プレート１０の熱を利用することで、エアを効率的に加熱できる。
【選択図】図７

Description

本発明は、基板を加熱処理する基板処理装置に関する。

半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、記録ディスク用基板等の基板の製造工程では基板の加熱処理が適宜に行われている。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後に、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるため、基板の加熱処理が行われる。このような加熱処理に使用される基板処理装置は、例えば特許文献１に開示されている。

具体的に、特許文献１の基板処理装置では、平板状のプレートの表面に設けられた複数の孔から気体を噴出させることによって、プレート上の基板に浮上力を与えつつ、所定の搬送機構によって基板を所定方向へ進行させている。プレートの内部にはヒーターが内蔵されており、基板は、このヒーターにより加熱された高温のプレートの直上を移動しながら加熱処理される。

特開２００８−１６５４３号公報

ところで、上記基板処理装置では、プレート表面から噴出する気体を、プレート内部に導入する前にあらかじめ気体加熱用のヒーターによって加熱している。したがって、加熱処理する基板が大きくなると、処理に必要な気体量も増大するため、気体加熱専用のヒーターも大型となる。すると、基板処理装置の製造コストや、ヒーターを駆動する電力量等のコストも増大する。そこで、気体を効率良く加熱する技術が求められている。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板の加熱処理に必要な気体を、効率良く加熱するための技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、第１の態様に係る基板処理装置は、基板を加熱処理する基板処理装置であって、基板を保持するプレートと、前記プレートを面状に加熱する加熱面を有するヒーターと、前記プレートに気体を供給する気体供給部と、を備え、前記プレートの内部には、前記加熱面に沿う方向に延びる部分を含む気体流路が設けられており、前記気体供給部は、前記気体流路に向けて気体を供給する。

また、第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置において、前記プレートの基板に対向する部分に、前記気体流路を通過した気体を噴出する噴出口が設けられている。

また、第３の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置において、前記プレートに保持されている基板を収納するための収納空間を形成する収納空間形成体、をさらに備え、前記気体流路を通過した気体が、前記収納空間に供給される。

また、第４の態様に係る基板処理装置は、第１から第３までの態様のいずれか１態様に係る基板処理装置において、前記プレートは、複数のサブプレートを積層することによって構成され、前記複数のサブプレートのうち特定のサブプレートの表面には、凹状の溝が設けられており、前記気体流路は、前記特定のサブプレートの前記凹状の溝と、前記特定のサブプレートに積層された他のサブプレートの表面とにより形成される。

また、第５の態様に係る基板処理装置は、第１から第４までの態様のいずれか１態様に係る基板処理装置において、前記気体流路が、前記加熱面に沿ってＵ字状に曲がりつつ延びる部分を含む。

第１から第５までの態様に係る基板処理装置によれば、加熱面に沿って延びる気体流路に気体を通過させることによって、プレートの熱を利用して気体を効率的に加熱できる。

特に、第２の態様に係る基板処理装置によれば、基板に吹き付ける気体を効率的に加熱できる。

特に、第３の態様に係る基板処理装置によれば、収納空間に供給する気体を効率的に加熱できる。

特に、第４の態様に係る基板処理装置によれば、プレートの内部に中空状の流路を容易に構成できる。

特に、第５の態様に係る基板処理装置によれば、気体流路をＵ字状に曲がるように形成することで、加熱面に沿ってより長い流路を形成できる。したがって、気体の加熱時間を長くすることができる。

第１実施形態に係る基板処理装置の斜視図である。 基板処理装置の上面図である。 図２に示すIII−III線断面図である。 上段プレートの上面図である。 中段プレートの上面図である。 下段プレートの上面図である。 図４〜６に示すＶ−Ｖ線の位置で加熱プレート１０を切断したときの縦断面図である。 搬送ローラのその他の配置例を示す側面図である。 搬送ローラおよびフリーローラのその他の配置例を示す断面図である。 第２実施形態に係る基板処理装置の縦断面図である。 加熱プレートの上面図である。

以下、図面を参照して各実施形態を詳細に説明する。ただし、各実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示するものであり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

＜１． 第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の斜視図である。図２は、基板処理装置１の上面図である。また図３は、図２に示すIII−III線断面図である。なお、以下の説明では、基板９が搬送される方向を「搬送方向」といい、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」という。本願の各図には、搬送方向および幅方向を矢印で示している。

基板処理装置１は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板９（以下、「基板９」という）の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板９に加熱処理を行うための装置である。基板９の製造工程では、複数台の基板処理装置１が搬送方向に配列されている。基板９は、複数台の基板処理装置１上において、搬送方向に搬送されながら加熱処理を受ける。

＜加熱機構＞
まず、基板処理装置１の加熱機構について説明する。図１〜図３に示すように、基板処理装置１は、略矩形平板状の加熱プレート１０を備えている。加熱プレート１０は、その上面に沿って移動する基板９を加熱する。図３中に拡大して示すように、加熱プレート１０は、複数のサブプレート（上段プレート１１、中段プレート１２、下段プレート１３）、ヒーター１４、および押さえ板１５を、この順に上から積層させた構造を有している。

上段プレート１１、中段プレート１２、下段プレート１３、および押さえ板１５は、例えばアルミニウム等の金属で形成されている。押さえ板１５は、下段プレート１３との間でヒーター１４を保持する。ヒーター１４は薄板状の発熱体であり、例えばステンレスのエッチングにより形成されるが、このようなものに限定されない。ヒーター１４は、所定の電源装置（図示省略）に接続されている。

電源装置からヒーター１４へ電流を与えると、ヒーター１４は、その抵抗に応じて発熱する。ヒーター１４は、その上面が加熱面を形成しており、下段プレート１３を面状に加熱する。下段プレート１３に加えられた熱は、中段プレート１２および上段プレート１１へ順次に伝導することによって、加熱プレート１０全体が昇温する。加熱プレート１０の直上を移動する基板９は、上段プレート１１の上面からの輻射熱を受けて加熱される。

また、加熱プレート１０の上面には、基板９の下面へ向けて加熱された、清浄な空気（エア）を噴出する複数の噴出口１０１が設けられている。図１，２に示すように、複数の噴出口１０１は、加熱プレート１０の上面において、格子点状に等間隔で配置されている。

図４は、上段プレート１１の上面図であり、図５は、中段プレート１２の上面図であり、図６は、下段プレート１３の上面図である。また図７は、図４〜６に示すＶ−Ｖ線の位置で加熱プレート１０を切断した状態を示す縦断面図である。

図４中破線で示すように、上段プレート１１の下面には、２つの凹状の溝１１１，１１１が形成されている。溝１１１，１１１のそれぞれは、上段プレート１１の幅方向中央を通る搬送方向に平行な線（Ｌ１）に対して、互いに対称な形状を有している。溝１１１は、搬送方向に延びる部分から、噴出口１０１の各位置に対応するように幅方向に複数分岐して延在している。なお、溝１１１は、フリーローラ３０を設置するためのローラ孔１１２の位置に重ならないように設けられている。

図５に示す中段プレート１２には、フリーローラ３０を設置するための複数のローラ孔１２０と、上面および下面に貫通する２つの導入口１２１，１２１が設けられている。この中段プレート１２の比較的平坦な上面に、先述の溝１１１，１１１が形成された上段プレート１１の下面を重ね合わせることによって、２つの中空状の拡散流路１０２，１０２が形成される（図７参照）。このとき、導入口１２１，１２１のそれぞれは、溝１１１，１１１の略中央部分に重なるため、拡散流路１０２，１０２と導入口１２１，１２１とが空間的に連通するようになっている。

図６に示す下段プレート１３の上面には、ローラ用孔１３０を避けつつ延びる凹状の溝１３１が設けられている。溝１３１は、幅方向中央を通る搬送方向に平行な線（Ｌ２）に対し、左右対称な形状を有している。

溝１３１には、下面まで貫通する給気口１３２が設けられている。溝１３１は、給気口１３２の位置から、幅方向両側に分岐した後、そのまま分岐することなく、平面上をＵ字状に曲折しながら延びている。詳細には、略１８０°のＵターンを複数回繰り返しながら幅方向に延びている。なお、ヒーター１４の加熱面と下段プレート１３の上面とは、互いに略平行である（図３参照）。したがって、溝１３１は、ヒーター１４の加熱面に沿って延設されていることとなる。

このような溝１３１が形成された下段プレート１３の上面に、比較的平坦な中段プレート１２の下面を重ね合わせることで、中空状の気体流路１０３が形成される（図７参照）。このとき、給気口１３２の位置から分岐して延びる溝１３１の終端部分のそれぞれが、図６中破線で示すように、中段プレート１２の導入口１２１，１２１の位置に重なるようになっている。すなわち、加熱プレート１０では、拡散流路１０２と気体流路１０３とが導入口１２１を介して連通する。

図７に示すように、加熱プレート１０は、エアを供給する気体供給機構１６に接続されている。具体的には、下段プレート１３（図６）の給気口１３２に対して給気管１６１が接続されおり、給気管１６１の上流側端部にエア供給源１６２が接続されている。また給気管１６１の途中には、気体供給を制御するための開閉弁１６３が設けられている。

開閉弁１６３が開放されると、エア供給源１６２から給気管１６１へ圧縮されたエアが供給される。エアは、給気口１３２を介して気体流路１０３の内部へ導入される。エアが気体流路１０３に侵入すると、エアの流れが幅方向に二手に分岐する（図６、ブロック矢印）。エアは、気体流路１０３（溝１１１）の内部をＵ字状に進路を変更しながら通過する間に、高温（例えば加熱された下段プレート１３と同程度の温度）に加熱された後、中段プレート１２の導入口１２１へ到達する（図６、ブロック矢印）。そしてエアは、導入口１２１を通って拡散流路１０２に導入される。

拡散流路１０２に導入されたエアは、拡散流路１０２によってさらに枝状に分岐して、各噴出口１０１へと送られる。そしてエアは各噴出口１０１から上方へ向けて噴出され、基板９の下面に吹き付けられる。加熱プレート１０上を移動する基板９は、加熱されたエアからの熱を受けて、加熱プレートに対する浮上力が付与されるとともに加熱される。

＜搬送機構＞
次に、基板処理装置１の搬送機構について説明する。図１〜図３に戻って、加熱プレート１０の両側部（基板９の幅方向の両側部分）には、それぞれ４つの駆動ローラ２０が、搬送方向において等間隔となるように配置されている。各駆動ローラ２０は、加熱プレート１０の側面に形成された凹部１０４の内部に配置されている。

各駆動ローラ２０の駆動軸２１は、加熱プレート１０の左右に配置されたフレーム２２に、回転自在に支持されている。フレーム２２は、加熱プレート１０とは別体の部材である。フレーム２２の外側には、駆動ローラ２０の駆動源となるモータ２３が、配置されている。各駆動ローラ２０の駆動軸２１およびモータ２３の駆動軸２３１には、無端ベルト２４が掛け渡されている。モータ２３を動作させると、モータ２３から発生する駆動力が、無端ベルト２４を介して、各駆動ローラ２０へ伝達される。これにより、各駆動ローラ２０が、同じ方向に、能動的に回転する。駆動ローラ２０上に支持された基板９は、駆動ローラ２０の回転によって、搬送方向に搬送される。

一方、加熱プレート１０の両側部以外の部位には、複数のフリーローラ３０が配置されている。本実施形態では、幅方向に４つのフリーローラ３０が等間隔に配列され、そのフリーローラ３０の列が、搬送方向に等間隔に４つ配列されている。すなわち、本実施形態では、１６個のフリーローラ３０が、搬送方向および幅方向に等間隔で配列されている。

フリーローラ３０の回転軸３１は、上段プレート１１の下面に、ボルト３２で固定されている。フリーローラ３０は、図示しない軸受を介して、回転軸３１に回転自在に取り付けられている。フリーローラ３０は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ３０が、能動的に回転することはない。フリーローラ３０は、基板９の下面を支持しつつ、基板９の移動に伴って従動的に回転する。

このように、基板９は、駆動ローラ２０およびフリーローラ３０上に支持されつつ、加熱プレート１０の上面に沿って搬送される。すなわち、本実施形態では、駆動ローラ２０とフリーローラ３０とが、基板９を搬送する搬送機構を構成する。このように本実施形態では、加熱プレート１０は、駆動ローラ２０およびフリーローラ３０の上端部分で基板９を保持する。

加熱プレート１０の上面と基板９の下面との間隔は、上段プレート１１、回転軸３１、およびフリーローラ３０の寸法に応じて決定される。このため、気体の吹き付けのみで加熱プレート１０から基板９を浮上させる場合よりも、加熱プレート１０と基板９との間隔を大きくすることができる。

また、例えば基板９のサイズが比較的大きい場合に、加熱による基板９の反りが発生したとしても、少なくともフリーローラ３０の位置においては、加熱プレート１０と基板９との間隔が維持される。これにより、加熱プレート１０と基板９との接触が抑制される。

また、加熱プレート１０の側部以外の部位に配置されたフリーローラ３０は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ３０の回転軸３１の高さ位置は、駆動源から延びる駆動軸の位置に制約されずにすむ。したがって、フリーローラ３０の回転軸３１をより高い位置に配置できるため、フリーローラ３０の半径をより小さくすることができる。またフリーローラ３０の半径を小さくすれば、上段プレート１１に形成されるローラ孔１１２の搬送方向の寸法も小さくできる。これにより、ローラ孔１１２による基板９の加熱ムラの発生を抑制し、基板９をより均一に加熱できる。

また、本実施形態のフリーローラ３０は、加熱プレート１０自体に固定された回転軸３１に取り付けられている。このため、昇温により加熱プレート１０が膨張しても、加熱プレート１０とフリーローラ３０との相対位置は変化しにくい。このため、ローラ孔１１２の内側面とフリーローラ３０との隙間の寸法を小さくすることができる。これにより、ローラ孔１１２による基板９の加熱ムラの発生をさらに抑制できる。

また、本実施形態の回転軸３１は、上段プレート１１の下面に固定されている。このため、加熱プレート１０の上面には、フリーローラ３０を取り付けるための部材（ここでは、回転軸３１およびボルト３２）が露出せずにすむ。このため、加熱プレート１０は、基板９をより均一に加熱できる。

なお、駆動ローラ２０およびフリーローラ３０は、耐熱性および耐摩耗性の高い樹脂により形成される。このような樹脂として、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を使用することができる。また、駆動ローラ２０およびフリーローラ３０は、ステンレス等の金属により形成されていてもよい。ただし、ローラと基板９とが滑ったり、基板９に傷が付いたりすることを防止するためには、駆動ローラ２０およびフリーローラ３０を、樹脂により形成することが好ましい。

以上のように、基板処理装置１は、加熱プレート１０の上面からの輻射熱により基板９を加熱するとともに、加熱プレート１０の上面から高温のエアを噴出する。そのため、輻射熱のみで基板９を加熱する場合よりも、均一に、かつ効率良く基板９を加熱できる。

また、エアは、ヒーター１４によって加熱されている下段プレート１３と中段プレート１２との間の気体流路１０３を通過することで加熱されるため、加熱プレート１０の熱を利用したエアの加熱を実現できる。

また、従来のように気体加熱専用のヒーターで加熱したエアを加熱プレート内に導入した場合、エアが加熱プレートへ続く導管内などで冷却されてしまうため、必要以上にエアを加熱する必要がある。これに対して、本実施形態では、加熱プレート１０でエアを加熱するため、従来のような余分な加熱が不要となる。したがって、光熱費が軽減されるとともに、環境保護にも資する。また、気体加熱専用のヒーターを省略してもよいため、基板処理装置の製造コストを抑制することも可能である。

また、噴出口１０１から噴出させるエアの温度を加熱プレート１０と同程度にまで加熱することが容易になる。これにより、加熱プレート１０と噴出される気体との間の温度差を小さくすることが容易となり、加熱エリアにおける熱分布の均一性を容易に向上することができる。

また、ヒーター１４で加熱プレート１０を加熱した場合、加熱プレート１０は、基板９の存在する方向（上方）だけではなく、それ以外の周囲にも熱を輻射する。そのため、ヒーター１４は、基板９の加熱に必要な熱量以上の熱を加熱プレート１０に与えることとなる。本実施形態では、加熱プレート１０内部をエアに通過させるため、このような余分な熱（廃熱）を利用してエアを加熱できる。

また、気体流路１０３が加熱面に沿ってＵ字状に曲折させながら延ばすことによって、直線的に設けた場合よりも、加熱面に沿う方向に気体流路１０３をより長く形成できる。したがって、エアの加熱時間をより長くすることができる。気体流路１０３を長くすることで、供給する気体の量を増やすような場合や、気体流路１０３を通過するエアの流速を上昇させるような場合においても、十分な加熱時間を確保しやすくなる。

また、本実施形態の基板処理装置１では、ヒーター１４への電力供給を停止することで、加熱プレート１０の温度が低下する。このときに、比較的低温（例えば常温）のエアを気体流路１０３に供給し続けることによって、加熱プレート１０の冷却を促進できる。したがって、例えば基板処理装置１をメンテナンスする際に、加熱プレート１０を迅速に冷却することで、素早くメンテナンス作業に着手できる。また、連続して基板処理を行う際に、途中で加熱温度を高温から低温へ変更する場合にも、加熱プレート１０の冷却のために必要な基板処理装置１の待機時間を短縮できる。

なお、本実施形態では、気体流路１０３を加熱面と平行に延在させているが、加熱面に垂直な方向（上下方向）にも曲折しながら延在させてもよい。すなわち、「加熱面に沿って延びる」とは、少なくともヒーター１４の加熱面に平行な成分を持つように延在することを意味する。

また、本実施形態では、気体流路１０３の延びる方向を屈曲する（折れ曲がる）ように変化させているが、湾曲するように変化させてもよい。また、気体流路１０３の延びる方向をＵ字状に曲折させる際に、溝の延びる方向を略１８０°でＵターンさせている。そのため、気体流路１０３は互いに平行に延びる部分を含んでいる（図６参照）。しかしながら、曲折後の気体流路１０３の延びる方向は、曲折前の気体流路１０３の延びる方向に対して必ずしも平行である必要はない。ただし、より長い流路を確保する上で、９０°よりも大きい角度でＵターンすることが好ましい。

また、本実施形態では、同一方向（左向き、または右向き）に２回曲折することで、溝１３１（または気体流路１０３）をＵ字状に曲折させているが、同一方向に１回または３回以上曲折することで、Ｕ字状の曲折が実現されてもよい。また、溝１３１を螺旋状に延ばすような場合は、連続的にＵ字状に曲折させていることと等価である。

また、本実施形態では、搬送方向に沿って４つのフリーローラ３０を一直線上に配置しているが、これらのフリーローラ３０の幅方向の位置を互いに相違させてもよい。これによれば、１つの基板処理装置１において、基板９の同一部分についての、フリーローラ３０の接触回数を軽減できる。したがって、フリーローラ３０による基板９の加熱ムラの発生をさらに抑制できる。

また、フリーローラ３０は、必ずしも等間隔に配置しなければならないものではなく、加熱プレート１０上において疎または密となる部分が存在するように配置されていてもよい。また、噴出孔１１２についても、配置間隔を一定にする必要はなく、加熱プレート１０上において疎あるいは密となる部分が存在するように配置されていてもよい。

また、本実施形態では、能動的に回転する駆動ローラ２０を基板９の下面のみに当接させているが、例えば図８に示すように、基板９の上面に当接する駆動ローラ２０をさらに設けてもよい。一対の駆動ローラ２０が基板９を上下から挟持しつつ回転することで、基板９をより確実に搬送することができる。なお、上側または下側の駆動ローラ２０を、フリーローラ３０に置き換えてもよい。

また、本実施形態では、駆動ローラ２０が基板９の表面（裏面）に当接しながら回転することで、基板９を搬送しているが、例えば図９に示すように、駆動軸２１が上下方向に沿うように駆動ローラ２０を配置し、駆動ローラ２０を基板９の側端面に当接させて回転させることにより、基板９を搬送するようにしてもよい。

また、本実施形態では、駆動ローラ２０が加熱プレート１０の両側部に配置されているが、加熱プレート１０の一方の側部のみに配置されていてもよい。また、駆動ローラ２０が両側部以外の部位（例えば加熱プレート１０の幅方向の中央）に設けられていてもよい。

＜２． 第２実施形態＞
第１実施形態では、気体流路１０３にて加熱したエアを基板９に向けて噴出する基板処理装置１について説明したが、基板処理装置１とは構成が異なる装置においても、本発明は適用可能である。なお、本実施形態の説明において、第１実施形態と同様の機能を有する要素については同一符号を付してその説明を省略する。

図１０は、第２実施形態に係る基板処理装置１ａの縦断面図である。図１０では、基板処理装置１ａの給気系の構成も図示されている。また図１１は、加熱プレート１０ａの上面図である。

基板処理装置１ａは、基板処理装置１と同様に、フォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板９を加熱処理する装置である。基板処理装置１ａは、略矩形で平板状の加熱プレート１０ａと、加熱プレート１０ａの上部を覆うチャンバ４０とを備えている。基板処理装置１は、一連の基板処理を行う基板処理システム内に一台だけ据え付けられる場合もあるが、複数台が多段に積層されて据え付けられる場合もある。

加熱プレート１０ａは、上部プレート１１ａと下部プレート１３ａとを備えている。これらのプレートの間には、上面と下面とが加熱面を形成する薄板状のヒーター１４ａが挿入されている。ヒーター１４ａに電力が供給されると、ヒーター１４ａは、上面で上部プレート１１ａを、下面で下部プレート１３ａをそれぞれ面状に加熱する。加熱された上部プレート１１ａの上面に基板９を載置されると、基板９が加熱処理される。

図１０および図１１で示すように、下部プレート１３ａの内部には、ヒーター１４ａの下側加熱面に沿って、Ｕ字状に複数回（ここでは、３回）曲折しつつ延びる中空状の気体流路１０３ａが設けられている。

気体流路１０３の始端は給気口１３２ａに連通しており、終端は排気口１３３に連通している。この給気口１３２ａには気体供給機構１６が接続されており、エアが供給される。給気口１３２ａに供給されたエアは、下部プレート１３ａに設けられた気体流路１０３ａを通過する間に加熱されて高温（例えば下部プレート１３ａの温度と同程度）に昇温した後、排気口１３３から排出される。

なお気体流路１０３ａは、第１実施形態で説明した気体流路１０３と同様にして、下部プレート１３ａの内部に設けることができる。すなわち、板状のサブプレートの表面に、左右方向に屈曲しながら延びる溝を設け、この溝が形成されたサブプレートに別のサブプレートを重ね合わせることによって、気体流路１０３ａを形成できる。ただし、気体流路１０３ａの構成はこのようなものに限定されるものではない。

チャンバ４０は、基板９を内部に収納して加熱処理を行う収納空間４０Ｓを形成する空間形成体である。チャンバ４０の一方の側面には、チャンバ４０に対して基板９を搬出、搬入するための搬送口４１と、搬送口４１を開閉するための開閉扉４２とが設けられている。

基板９をチャンバ４０内に搬入するときや、基板９をチャンバ４０外へ搬出するときには、開閉扉４２が開放され、搬送口４１を介して基板９が搬送される。また、チャンバ４０内において基板９に加熱処理を行うときには、開閉扉４２が閉鎖され、チャンバ４０の内部が略気密状態とされる。

図示を省略するが、加熱プレート１０ａには、その上面に対して突出および埋没可能に構成された複数のリフトピンが設けられている。加熱プレート１０ａに対し基板９を搬送する際には、このリフトピンの上端と図示しない搬送機構（例えば搬送ロボットのアーム）との間で、基板の授受が行われる。またリフトピンの上下動作により、加熱プレート１０ａの上面に対し、基板９の載置および剥離が行われる。

チャンバ４０の他方の側面には、チャンバ４０内に気体を導入するための導入口４３が設けられている。導入口４３は、下部プレート１３ａの排気口１３３と導管を介して接続されている。気体流路１０３ａで加熱されたエアは、導入口４３を介して収納空間４０Ｓに送り込まれる。

チャンバ４０の収納空間４０Ｓ内のエアは、例えば処理中に基板９から発生する気体（レジストの昇華物など）を除去するために適宜排気される。本実施形態では、この収納空間４０Ｓに加熱されたエアを供給することによって、隙間などから収納空間４０Ｓに外気が流入することを抑制できるため、収納空間４０Ｓの温度が低下することを抑制できる。また、高温のエアを供給することによって、チャンバ４０の内部温度を昇温することもできる。

なお、加熱プレート１０ａの表面のうち、基板９を載置する領域に複数の微小突起を複数設けてもよい。これにより、加熱処理後の基板９を加熱プレート１０ａから剥離する際に、基板９が剥離帯電することを抑制できる。

本実施形態の基板処理装置１ａにように、加熱したエアをチャンバ４０内に導入するような場合においても、気体流路１０３ａをエアに通過させることによって、加熱プレート１０ａの熱でエアを加熱できる。したがって、加熱プレート１０ａの廃熱を利用した効率的なエアの加熱を実現できる。

また、本実施形態の基板処理装置１ａにおいても、基板処理装置１と同様に、ヒーター１４ａへの電力供給を停止することで、加熱プレート１０の温度が低下する。このときに、比較的低温（例えば常温）のエアを気体流路１０３ａに供給することで、加熱プレート１０ａの冷却を促進できる。したがって、例えば基板処理装置１ａをメンテナンスする際に、加熱プレート１０ａを迅速に冷却することで、素早くメンテナンス作業に着手できる。また、連続して基板処理を行う際に、途中で加熱温度を高温から低温へ変更する際にも、加熱プレート１０ａの冷却時間を短縮できる点で有利である。

なお、第１実施形態の加熱プレート１０と同様に、加熱プレート１０ａの表面に、気体流路１０３ａに連通する複数の噴出孔を設けてもよい。これによれば、噴出孔から加熱されたエアを噴出させて基板９に吹き付けることにより、基板９に浮上力を与えるとともに、基板９を加熱できる。

＜３． 変形例＞
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。

例えば上記実施形態では、気体流路１０３，１０３ａのみでエアを加熱するようにしているが、気体供給機構１６が気体加熱用のヒーターを備えていてもよい。これによれば、あらかじめ専用のヒーターでエアを加熱できるため、ある程度高温に暖めたエアを加熱プレート１０，１０ａ内に導入できる。

また、上記の実施形態では、気体供給機構１６がエアを供給するようにしているが、エアに代えて、窒素ガスなどの他種類の気体を供給してもよい。例えば、基板９の表面において意図しない化学反応が起きることを防止するためには、窒素ガス等の反応性が低い不活性ガスを使用することが好ましい。

また、上記実施形では、溝が形成されたサブプレートに、平坦なサブプレートの面を重ねることで気体流路を形成するようにしていたが、両方のサブプレートに対して略同形状の溝を設けて気体流路を形成してもよい。

また、上記の基板処理装置１は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板に対して加熱処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハ、ＰＤＰ用ガラス基板、記録ディスク用基板等の他の基板に対して、加熱処理を行うものであってもよい。

また、上記実施形態および変形例で説明した各要素は、矛盾が生じない限りにおいて自由に組み合わせたり、適宜省略したりすることができる。

１０，１０ａ 加熱プレート
１０１ 噴出口
１０３，１０３ａ 気体流路
１１ 上段プレート
１２ 中段プレート
１３ 下段プレート
１３１ 溝
１４，１４ａ ヒーター
１６ 気体供給機構
１ａ 基板処理装置
４０ チャンバ
４０Ｓ 収納空間
９ 基板

Claims (5)

1. 基板を加熱処理する基板処理装置であって、
   基板を保持するプレートと、
   前記プレートを面状に加熱する加熱面を有するヒーターと、
   前記プレートに気体を供給する気体供給部と、
   を備え、
   前記プレートの内部には、前記加熱面に沿う方向に延びる部分を含む気体流路が設けられており、
   前記気体供給部は、前記気体流路に向けて気体を供給する基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記プレートの基板に対向する部分に、前記気体流路を通過した気体を噴出する噴出口が設けられている基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   前記プレートに保持されている基板を収納するための収納空間を形成する収納空間形成体、
   をさらに備え、
   前記気体流路を通過した気体が、前記収納空間に供給される基板処理装置。
4. 請求項１から３までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記プレートは、複数のサブプレートを積層することにより構成され、
   前記複数のサブプレートのうち特定のサブプレートの表面には、凹状の溝が設けられており、
   前記気体流路は、前記特定のサブプレートの前記凹状の溝と、前記特定のサブプレートに積層された他のサブプレートの表面とにより形成される基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記気体流路は、Ｕ字状に曲折する部分を含む基板処理装置。

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