JP5428435B2 - ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 338
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 260
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1に、本実施形態にかかるSiC半導体装置の断面図を示す。以下、この図を参照して、本実施形態のSiC半導体装置について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してn型不純物層6の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対してn型不純物層6の構成を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対してn型不純物層6の製造方法を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してn型不純物層6の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記実施形態では、第1導電型をn型とし、第2導電型をp型とするSiC半導体装置について説明したが、各導電型を反転させた構造としても良い。
1a 主表面
1b 裏面
2 n-型ドリフト層
2a 凹部
3 p+型不純物層
4 ショットキー電極
5 オーミック電極
6 n型層
10 SBD
Claims (9)
- 主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型半導体からなる基板(1)と、
前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型半導体からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部において、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、
前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)と、
前記ドリフト層(2)の表層部に備えられ、前記ショットキー電極(4)と接するように第2導電型半導体にて構成された第2導電型不純物層(3)と、
前記第2導電型不純物層(3)の基板水平方向側方において該第2導電型不純物層(3)に接して形成され、前記ドリフト層(2)よりも高不純物濃度とされた第1導電型不純物層(6)と、を備え、
前記第2導電型不純物層(3)は、前記基板の主表面から裏面に至る断面において前記基板水平方向に離間して並んで配置されており、
前記第1導電型不純物層(6)は、前記基板水平方向に離間して並べられた前記第2導電型不純物層(3)それぞれの前記基板水平方向側方に配置され、離間して並べられた前記第2導電型不純物層(3)の間において互いに離間して形成されていることを特徴とするショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置。 - 前記第1導電型不純物層(6)は、前記第2導電型不純物層(3)の基板水平方向側方に接するように配置された部分(6b)と、前記第2導電型不純物(3)の底部の下方に接するように配置された部分(6a)とを有して構成されていることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置。
- 前記第1導電型不純物層(6)は、前記第2導電型不純物層(3)の基板水平方向側方に接するように配置された部分(6b)よりも前記第2導電型不純物(3)の底部の下方に接するように配置された部分(6a)の方が高不純物濃度とされていることを特徴とする請求項2に記載のショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置。
- 前記第1導電型不純物層(6)は、前記ショットキー電極(4)から離間し、前記ドリフト層(2)の表面よりも深い位置に形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置。
- 主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型半導体からなる基板(1)と、
前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型半導体からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部において、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、
前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)と、
前記ドリフト層(2)の表層部に備えられ、前記ショットキー電極(4)と接するように第2導電型半導体にて構成された第2導電型不純物層(3)と、
前記第2導電型不純物層(3)の基板水平方向側方において該第2導電型不純物層(3)に接して形成され、前記ドリフト層(2)よりも高不純物濃度とされた第1導電型不純物層(6)と、を有し、
前記第2導電型不純物層(3)が前記基板の主表面から裏面に至る断面において前記基板水平方向に離間して並んで配置されており、
前記第1導電型不純物層(6)が前記基板水平方向に離間して並べられた前記第2導電型不純物層(3)それぞれの前記基板水平方向側方に配置されていると共に、離間して並べられた前記第2導電型不純物層(3)の間において互いに離間して形成されてなるショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置の製造方法において、
前記基板(1)の上に前記ドリフト層(2)を形成する工程と、
前記ドリフト層(2)の表面に第1マスク(11)を配置し、該第1マスク(11)のうち前記第2導電型不純物層(3)の形成予定領域を開口させると共に、該第1マスク(11)を用いて第2導電型不純物をイオン注入することで前記第2導電型不純物層(3)を形成する工程と、
前記ドリフト層(2)の表面に第2マスク(11、13)を配置し、該第2マスク(11、13)の前記第1導電型不純物層(6)の形成予定領域を開口させると共に、該第2マスク(11、13)を用いて第1導電型不純物をイオン注入することで前記第2導電型不純物層(3)の基板水平方向側方において該第2導電型不純物層(3)に接する第1導電型不純物層(6)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とするショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置の製造方法。 - 前記第2導電型不純物層(3)を形成する工程と前記第1導電型不純物層(6)を形成する工程で用いた前記第1マスクと前記第2マスクを同じマスク(11)とし、前記第1導電型不純物層(6)の形成に用いる前記第1導電型不純物として、前記第2導電型不純物層(3)の形成に用いる前記第2導電型不純物よりも熱処理による拡散が大きいものを用いることを特徴とする請求項5に記載のショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置の製造方法。
- 主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型の炭化珪素からなり、かつ、前記主表面(1a)がC面とされた基板(1)と、
前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部において、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、
前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)と、
前記ドリフト層(2)の表層部に備えられ、前記ショットキー電極(4)と接するように第2導電型半導体にて構成された第2導電型不純物層(3)と、
前記第2導電型不純物層(3)の基板水平方向側方および底部の下方において該第2導電型不純物層(3)に接して形成され、前記ドリフト層(2)よりも高不純物濃度とされた第1導電型不純物層(6)と、を有し、
前記第2導電型不純物層(3)が前記基板の主表面から裏面に至る断面において前記基板水平方向に離間して並んで配置されており、
前記第1導電型不純物層(6)が前記基板水平方向に離間して並べられた前記第2導電型不純物層(3)それぞれの前記基板水平方向側方に配置されていると共に、離間して並べられた前記第2導電型不純物層(3)の間において互いに離間して形成されてなるショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記基板(1)の上に前記ドリフト層(2)を形成する工程と、
前記ドリフト層(2)の表面にマスク(11)を配置し、該マスク(11)のうち前記第2導電型不純物層(3)および前記第1導電型不純物層(6)の形成予定領域を開口させると共に、該マスク(11)を用いて前記ドリフト層(2)をエッチングすることで凹部(2a)を形成する工程と、
前記凹部(2a)内に選択的にエピタキシャル成長を行うことで、前記第1導電型不純物層(6)を形成する工程と、
前記凹部(2a)内において、前記第1導電型不純物層(6)の表面に選択的にエピタキシャル成長を行うことで第2導電型不純物層(3)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とするショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型の炭化珪素からなり、かつ、前記主表面(1a)がSi面とされた基板(1)と、
前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部において、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、
前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)と、
前記ドリフト層(2)の表層部に備えられ、前記ショットキー電極(4)と接するように第2導電型半導体にて構成された第2導電型不純物層(3)と、
前記第2導電型不純物層(3)の基板水平方向側方および底部の下方において該第2導電型不純物層(3)に接して形成され、前記ドリフト層(2)よりも高不純物濃度とされた第1導電型不純物層(6)と、を有し、
前記第2導電型不純物層(3)が前記基板の主表面から裏面に至る断面において前記基板水平方向に離間して並んで配置されており、
前記第1導電型不純物層(6)が前記基板水平方向に離間して並べられた前記第2導電型不純物層(3)それぞれの前記基板水平方向側方に配置されていると共に、離間して並べられた前記第2導電型不純物層(3)の間において互いに離間して形成されてなるショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記基板(1)の上に前記ドリフト層(2)を形成する工程と、
前記ドリフト層(2)の表面にマスク(11)を配置し、該マスク(11)のうち前記第2導電型不純物層(3)および前記第1導電型不純物層(6)の形成予定領域を開口させると共に、該マスク(11)を用いて前記ドリフト層(2)をエッチングすることで凹部(2a)を形成する工程と、
前記凹部(2a)内に選択的にエピタキシャル成長を行うことで、前記第1導電型不純物層(6)を形成する工程と、
前記凹部(2a)内において、前記第1導電型不純物層(6)の表面に選択的にエピタキシャル成長を行うことで第2導電型不純物層(3)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とするショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1導電型不純物層(6)を形成する工程では、エピタキシャル成長を前記ドリフト層(2)の形成と同条件で行うことを特徴とする請求項8に記載のショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009071828A JP5428435B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009071828A JP5428435B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010225878A JP2010225878A (ja) | 2010-10-07 |
JP5428435B2 true JP5428435B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=43042749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009071828A Expired - Fee Related JP5428435B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5428435B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10566464B2 (en) | 2016-03-16 | 2020-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8937319B2 (en) | 2011-03-07 | 2015-01-20 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
JP5921089B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2016-05-24 | 三菱電機株式会社 | エピタキシャルウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5597217B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2014-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN104282732B (zh) | 2013-07-01 | 2017-06-27 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
DE102013019851B4 (de) | 2013-11-26 | 2015-10-22 | Infineon Technologies Ag | Schottky-Diode mit reduzierter Flussspannung |
KR101724464B1 (ko) | 2015-07-27 | 2017-04-07 | 현대자동차 주식회사 | 쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP7292233B2 (ja) * | 2020-03-11 | 2023-06-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2526556B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1996-08-21 | 三菱電機株式会社 | ショットキバリヤダイオ−ドの製造方法 |
JPS6457675A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Nec Corp | Vertical field-effect transistor |
JPH07254718A (ja) * | 1992-12-24 | 1995-10-03 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体装置 |
JP3468571B2 (ja) * | 1994-03-17 | 2003-11-17 | 株式会社リコー | 半導体装置 |
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JP4021448B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2007-12-12 | 財団法人電力中央研究所 | ショットキー接合型半導体装置の製造方法 |
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-
2009
- 2009-03-24 JP JP2009071828A patent/JP5428435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10566464B2 (en) | 2016-03-16 | 2020-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010225878A (ja) | 2010-10-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130822 |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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