JP2526556B2 - ショットキバリヤダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
ショットキバリヤダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JP2526556B2 JP2526556B2 JP20450386A JP20450386A JP2526556B2 JP 2526556 B2 JP2526556 B2 JP 2526556B2 JP 20450386 A JP20450386 A JP 20450386A JP 20450386 A JP20450386 A JP 20450386A JP 2526556 B2 JP2526556 B2 JP 2526556B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- schottky barrier
- barrier diode
- mask
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はショットキバリヤダイオードの製造方法に
関し、特に、マスク合わせずれを考慮することなく、微
細なショットキバリヤダイオードを形状のばらつきなく
容易に製造できる方法に関するものである。
関し、特に、マスク合わせずれを考慮することなく、微
細なショットキバリヤダイオードを形状のばらつきなく
容易に製造できる方法に関するものである。
［従来の技術］ 第2A図〜第2D図は、従来のショットキバリヤダイオー
ドの製造方法を示す工程断面図である。
ドの製造方法を示す工程断面図である。
この製造方法について説明すると、まず、ｐ形シリコ
ン基板１を酸化してその表面に絶縁膜である酸化珪素膜
２を形成する。次に、酸化珪素膜２表面の所定部に写真
製版技術によりレジストパターン３を形成し、この後、
レジストパターン３をマスクとして燐や砒素などのｎ形
不純物をイオン注入などの方法によりｐ形シリコン基板
１の表面領域に導入してｎ形不純物拡散層からなるガー
ドリング４を形成する（第2A図）。次に、レジストパタ
ーン３を除去し、この後、酸化砒素膜２表面の所定部に
写真製版技術によりレジストパターン５を形成し、この
後、レジストパターン５をマスクとしてボロンなどのｐ
形不純物をイオン注入などの方法によりｐ形シリコン基
板１の表面領域に導入してカードリング４の周辺にp+形
不純物拡散層からなるチャンネルストップ層６を形成す
る。このチャンネルストップ層６は、形成されるショッ
トキバリヤダイオードを他の素子と電気的に分離するた
めのものである（第2B図）。次に、レジストパターン５
を除去し、酸化珪素膜２表面の所定部にレジストパター
ン７を形成する（第2C図）。次に、レジストパターン７
をマスクとしてショットキバリヤダイオードの接合部と
なるべき領域の酸化珪素膜２を選択的にエッチングして
ｐ形シリコン基板1,ガードリング４が露出した開口部９
を形成し、この後、レジストパターン７を除去する。次
に、開口部９に、その周辺がガードリング４に囲まれた
金属電極８を形成し、このようにしてショットキバリヤ
ダイオードが完成される（第2D図）。
ン基板１を酸化してその表面に絶縁膜である酸化珪素膜
２を形成する。次に、酸化珪素膜２表面の所定部に写真
製版技術によりレジストパターン３を形成し、この後、
レジストパターン３をマスクとして燐や砒素などのｎ形
不純物をイオン注入などの方法によりｐ形シリコン基板
１の表面領域に導入してｎ形不純物拡散層からなるガー
ドリング４を形成する（第2A図）。次に、レジストパタ
ーン３を除去し、この後、酸化砒素膜２表面の所定部に
写真製版技術によりレジストパターン５を形成し、この
後、レジストパターン５をマスクとしてボロンなどのｐ
形不純物をイオン注入などの方法によりｐ形シリコン基
板１の表面領域に導入してカードリング４の周辺にp+形
不純物拡散層からなるチャンネルストップ層６を形成す
る。このチャンネルストップ層６は、形成されるショッ
トキバリヤダイオードを他の素子と電気的に分離するた
めのものである（第2B図）。次に、レジストパターン５
を除去し、酸化珪素膜２表面の所定部にレジストパター
ン７を形成する（第2C図）。次に、レジストパターン７
をマスクとしてショットキバリヤダイオードの接合部と
なるべき領域の酸化珪素膜２を選択的にエッチングして
ｐ形シリコン基板1,ガードリング４が露出した開口部９
を形成し、この後、レジストパターン７を除去する。次
に、開口部９に、その周辺がガードリング４に囲まれた
金属電極８を形成し、このようにしてショットキバリヤ
ダイオードが完成される（第2D図）。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来のショットキバリヤダイオードは以上のようにし
て製造されるので、ショットキバリヤダイオードの仕上
がり形状は、レジストパターン3,5,7によりきまる。シ
ョットキバリヤダイオードの構造においては、ガードリ
ング４が金属電極８の周辺を囲んでいなければならず、
また、チャンネルストップ層６と金属電極８とは接触し
てはならないなどの制約がある。したがって、レジスト
パターン3,5,7の形状は、上記の制約を満たすようにマ
スク合わせずれの余裕を入れて設計しなければならなか
った。このように、従来のショットキバリヤダイオード
の製造方法では、マスク合わせずれの余裕が必要ため
に、ショットキバリヤダイオードの微細化には限界があ
り、また、マスク合わせずれによりショットキバリヤダ
イオードの形状がばらつくなどの問題点があった。
て製造されるので、ショットキバリヤダイオードの仕上
がり形状は、レジストパターン3,5,7によりきまる。シ
ョットキバリヤダイオードの構造においては、ガードリ
ング４が金属電極８の周辺を囲んでいなければならず、
また、チャンネルストップ層６と金属電極８とは接触し
てはならないなどの制約がある。したがって、レジスト
パターン3,5,7の形状は、上記の制約を満たすようにマ
スク合わせずれの余裕を入れて設計しなければならなか
った。このように、従来のショットキバリヤダイオード
の製造方法では、マスク合わせずれの余裕が必要ため
に、ショットキバリヤダイオードの微細化には限界があ
り、また、マスク合わせずれによりショットキバリヤダ
イオードの形状がばらつくなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、マスク合わせずれを考慮することなく、微
細なショットキバリヤダイオードを形状のばらつきなく
容易に製造できる方法を得ることを目的とする。
れたもので、マスク合わせずれを考慮することなく、微
細なショットキバリヤダイオードを形状のばらつきなく
容易に製造できる方法を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係るショットキバリヤダイオードの製造方
法は、第１導電形の半導体基板表面に第１絶縁膜を形成
し、第１絶縁膜表面に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜
の所定部に第１絶縁膜が露出した第１開口部を形成し、
第２絶縁膜をマスクとして第１開口部から第２導電型の
不純物を半導体基板の表面領域に導入してガード層を形
成し、第２絶縁膜をマスクとして第１開口部の第１絶縁
膜を選択的に酸化してガード層表面にこの第１絶縁膜の
膜厚より厚い膜厚の第３絶縁膜を形成し、第２絶縁膜を
除去し、第１および第３絶縁膜表面の所定部に第１レジ
ストパターンを形成し、第３絶縁膜および第１レジスト
パターンをマスクとして半導体基板の表面領域に第１導
電形の不純物を導入してチャンネルストップ層を形成
し、第１レジストパターンを除去し、第１および第３絶
縁膜表面の所定部に第２レジストパターンを形成し、第
３絶縁膜および第２レジストパターンをマスクとして第
１絶縁膜を選択的に除去して、半導体基板およびガード
層が露出した第２開口部を形成し、第２開口部に金属ま
たはシリサイドからなる電極を形成する方法である。
法は、第１導電形の半導体基板表面に第１絶縁膜を形成
し、第１絶縁膜表面に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜
の所定部に第１絶縁膜が露出した第１開口部を形成し、
第２絶縁膜をマスクとして第１開口部から第２導電型の
不純物を半導体基板の表面領域に導入してガード層を形
成し、第２絶縁膜をマスクとして第１開口部の第１絶縁
膜を選択的に酸化してガード層表面にこの第１絶縁膜の
膜厚より厚い膜厚の第３絶縁膜を形成し、第２絶縁膜を
除去し、第１および第３絶縁膜表面の所定部に第１レジ
ストパターンを形成し、第３絶縁膜および第１レジスト
パターンをマスクとして半導体基板の表面領域に第１導
電形の不純物を導入してチャンネルストップ層を形成
し、第１レジストパターンを除去し、第１および第３絶
縁膜表面の所定部に第２レジストパターンを形成し、第
３絶縁膜および第２レジストパターンをマスクとして第
１絶縁膜を選択的に除去して、半導体基板およびガード
層が露出した第２開口部を形成し、第２開口部に金属ま
たはシリサイドからなる電極を形成する方法である。
［作用］ この発明においては、第１開口部が形成された第２絶
縁膜が、ガード層の形成と第３絶縁膜の形成のためのマ
スクとなり、第３絶縁膜が、チャンネルストップ層の形
成とショットキバリヤイオードの接合部となるべき領域
の第１絶縁膜の除去のためのマスクとなる。
縁膜が、ガード層の形成と第３絶縁膜の形成のためのマ
スクとなり、第３絶縁膜が、チャンネルストップ層の形
成とショットキバリヤイオードの接合部となるべき領域
の第１絶縁膜の除去のためのマスクとなる。
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。な
お、この実施例の説明において、従来の技術の説明と重
複する部分については適宜その説明を省略する。
お、この実施例の説明において、従来の技術の説明と重
複する部分については適宜その説明を省略する。
第1A図〜第1D図は、この発明の実施例であるショット
キバリヤダイオードの製造方法を示す工程断面図であ
る。
キバリヤダイオードの製造方法を示す工程断面図であ
る。
この製造方法について説明すると、まず、ｐ形シリコ
ン基板１表面に薄い酸化珪素膜20を形成する。次に、薄
い酸化珪素膜20表面に窒化珪素膜10を形成する。次に、
窒化珪素膜10の所定部に写真蝕刻法などにより薄い酸化
珪素膜20が露出した第１開口部11を形成する。次に、窒
化珪素膜10をマスクとして燐や砒素などのｎ形不純物を
イオン注入などの方法によりｐ形シリコン基板１の表面
領域に導入して第１開口部11下にｎ形不純物拡散層から
なるガードリング４を形成する（第1A図）。次に、窒化
珪素膜10をマスクとして第１開口部11の薄い酸化珪素膜
20を選択酸化してガードリング４表面に厚い酸化珪素膜
12を形成し、この後、窒化珪素膜10を除去する。次に、
薄い酸化珪素膜20表面および厚い酸化珪素膜12表面の所
定部に写真製版技術によりレジストパターン13を形成
し、この後、厚い酸化珪素膜12およびレジストパターン
13をマスクとしてボロンなどのｐ形不純物をイオン注入
などの方法によりｐ形シリオン基板１の表面領域に導入
して、ガードリング４の周辺にp+形不純物拡散層からな
るチャンネルストップ層６を形成する。このとき、レジ
ストパターン13はｐ形不純物を導入したくない部分上を
覆っていればよく、ガードリング４とチャンネルストッ
プ層６との境界は厚い酸化珪素膜12により決まる（第1B
図）。次に、レジストパターン13を除去する。次に、薄
い酸化珪素膜20表面および厚い酸化珪素膜12表面の所定
部に写真製版技術によりレジストパターン14を形成する
（第1C図）。次に、厚い酸化珪素膜12およびレジストパ
ターン14をマスクとしてショットキバリヤダイオードの
接合部となるべき領域の薄い酸化珪素膜20を選択的にエ
ッチングして、ｐ形シリコン基板1,ガードリング４が露
出した第２開口部15を形成し、この後、レジストパター
ン14を除去する。このとき、レジストパターン14は、薄
い酸化珪素膜20を残しておきたい部分を覆っていればよ
い。次に、第２開口部15および厚い酸化珪素膜12表面に
白金やパラジウムなどの金属膜をスパッタリング法など
により形成し、この金属膜を写真蝕刻法により加工して
金属電極８を形成する。このようにしてショットキバリ
ヤダイオードが完成される（第1D図）。
ン基板１表面に薄い酸化珪素膜20を形成する。次に、薄
い酸化珪素膜20表面に窒化珪素膜10を形成する。次に、
窒化珪素膜10の所定部に写真蝕刻法などにより薄い酸化
珪素膜20が露出した第１開口部11を形成する。次に、窒
化珪素膜10をマスクとして燐や砒素などのｎ形不純物を
イオン注入などの方法によりｐ形シリコン基板１の表面
領域に導入して第１開口部11下にｎ形不純物拡散層から
なるガードリング４を形成する（第1A図）。次に、窒化
珪素膜10をマスクとして第１開口部11の薄い酸化珪素膜
20を選択酸化してガードリング４表面に厚い酸化珪素膜
12を形成し、この後、窒化珪素膜10を除去する。次に、
薄い酸化珪素膜20表面および厚い酸化珪素膜12表面の所
定部に写真製版技術によりレジストパターン13を形成
し、この後、厚い酸化珪素膜12およびレジストパターン
13をマスクとしてボロンなどのｐ形不純物をイオン注入
などの方法によりｐ形シリオン基板１の表面領域に導入
して、ガードリング４の周辺にp+形不純物拡散層からな
るチャンネルストップ層６を形成する。このとき、レジ
ストパターン13はｐ形不純物を導入したくない部分上を
覆っていればよく、ガードリング４とチャンネルストッ
プ層６との境界は厚い酸化珪素膜12により決まる（第1B
図）。次に、レジストパターン13を除去する。次に、薄
い酸化珪素膜20表面および厚い酸化珪素膜12表面の所定
部に写真製版技術によりレジストパターン14を形成する
（第1C図）。次に、厚い酸化珪素膜12およびレジストパ
ターン14をマスクとしてショットキバリヤダイオードの
接合部となるべき領域の薄い酸化珪素膜20を選択的にエ
ッチングして、ｐ形シリコン基板1,ガードリング４が露
出した第２開口部15を形成し、この後、レジストパター
ン14を除去する。このとき、レジストパターン14は、薄
い酸化珪素膜20を残しておきたい部分を覆っていればよ
い。次に、第２開口部15および厚い酸化珪素膜12表面に
白金やパラジウムなどの金属膜をスパッタリング法など
により形成し、この金属膜を写真蝕刻法により加工して
金属電極８を形成する。このようにしてショットキバリ
ヤダイオードが完成される（第1D図）。
このように、第１開口部11が形成された窒化珪素膜10
をマスクとしてガードリング４を形成し、この後、同じ
窒化珪素膜10をマスクとしてガードリング４表面に厚い
酸化珪素膜12を形成し、次に、厚い酸化珪素膜12をマス
クとしてチャンネルストップ層６を形成し、この後、同
じ厚い酸化珪素膜12をマスクとしてショットキバリヤダ
イオードの接合部となるべき領域の薄い酸化珪素膜20を
エッチングするので、ガードリング４とチャンネルスト
ップ層６とショットキバリヤダイオードの接合部の形状
が、マスク合わせによらず、基本的には窒化珪素膜10だ
けで決まる。このため、マスク合わせずれを考慮するこ
となく、微細なショットキバリヤダイオードを形状のば
らつきなく容易に製造することができる。
をマスクとしてガードリング４を形成し、この後、同じ
窒化珪素膜10をマスクとしてガードリング４表面に厚い
酸化珪素膜12を形成し、次に、厚い酸化珪素膜12をマス
クとしてチャンネルストップ層６を形成し、この後、同
じ厚い酸化珪素膜12をマスクとしてショットキバリヤダ
イオードの接合部となるべき領域の薄い酸化珪素膜20を
エッチングするので、ガードリング４とチャンネルスト
ップ層６とショットキバリヤダイオードの接合部の形状
が、マスク合わせによらず、基本的には窒化珪素膜10だ
けで決まる。このため、マスク合わせずれを考慮するこ
となく、微細なショットキバリヤダイオードを形状のば
らつきなく容易に製造することができる。
なお、上記実施例では、ｐ形シリコン基板を用いる場
合について示したが、この代わりにｎ形シリコン基板を
用いてもよく、この場合には、ガードリングはｐ形不純
物拡散層からなり、チャンネルストップ層はｎ形不純物
拡散層からなる。
合について示したが、この代わりにｎ形シリコン基板を
用いてもよく、この場合には、ガードリングはｐ形不純
物拡散層からなり、チャンネルストップ層はｎ形不純物
拡散層からなる。
また、上記実施例では、金属電極８を形成する場合に
ついて示したが、開口部15および厚い酸化珪素膜12表面
にスパッタリング法などにより直接シリサイド膜を形成
し、このシリサイド膜を写真蝕刻法により加工してシリ
サイド電極を形成するようにしてもよい。また、このよ
うにシリサイド膜そのものを形成するのではなく、開口
部15および厚い酸化珪素膜12表面にスパッタリング法な
どにより白金やパラジウムなどの金属膜を形成した後熱
処理によってシリサイドを作り、未反応の金属をエッチ
ングすることによりシリサイド電極を形成するようにし
てもよい。
ついて示したが、開口部15および厚い酸化珪素膜12表面
にスパッタリング法などにより直接シリサイド膜を形成
し、このシリサイド膜を写真蝕刻法により加工してシリ
サイド電極を形成するようにしてもよい。また、このよ
うにシリサイド膜そのものを形成するのではなく、開口
部15および厚い酸化珪素膜12表面にスパッタリング法な
どにより白金やパラジウムなどの金属膜を形成した後熱
処理によってシリサイドを作り、未反応の金属をエッチ
ングすることによりシリサイド電極を形成するようにし
てもよい。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、第１開口部が形成さ
れた第２絶縁膜をマスクとしてガード層を形成し、この
後、同じ第２絶縁膜をマスクとしてガード層表面に第１
絶縁膜の膜厚より厚い膜厚の第３絶縁膜を形成し、次
に、第３絶縁膜をマスクとしてチャンネルストップ層を
形成し、この後、同じ第３絶縁膜をマスクとしてショッ
トキバリヤダイオードの接合部となるべき領域の第１絶
縁膜を選択的に除去するので、ショットキバリヤダイオ
ードの形状が、マスク合わせによらず、基本的には第１
開口部が形成された第２絶縁膜だけで決まる。このた
め、マスク合わせずれを考慮することなく、微細なショ
ットキバリヤダイオードを形状のばらつきなく容易に製
造することができる。
れた第２絶縁膜をマスクとしてガード層を形成し、この
後、同じ第２絶縁膜をマスクとしてガード層表面に第１
絶縁膜の膜厚より厚い膜厚の第３絶縁膜を形成し、次
に、第３絶縁膜をマスクとしてチャンネルストップ層を
形成し、この後、同じ第３絶縁膜をマスクとしてショッ
トキバリヤダイオードの接合部となるべき領域の第１絶
縁膜を選択的に除去するので、ショットキバリヤダイオ
ードの形状が、マスク合わせによらず、基本的には第１
開口部が形成された第２絶縁膜だけで決まる。このた
め、マスク合わせずれを考慮することなく、微細なショ
ットキバリヤダイオードを形状のばらつきなく容易に製
造することができる。
第1A図〜第1D図は、この発明の実施例であるショッキバ
リヤダイオードの製造方法を示す工程断面図である。 第2A図〜第2D図は、従来のショットキバリヤダイオード
の製造方法を示す工程断面図である。 図において、１はｐ形シリコン基板、20は薄い酸化珪素
膜、４はガードリング、６はチャンネルストップ層、８
は金属電極、10は窒化珪素膜、12は厚い酸化珪素膜、1
3,14はレジストパターンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
リヤダイオードの製造方法を示す工程断面図である。 第2A図〜第2D図は、従来のショットキバリヤダイオード
の製造方法を示す工程断面図である。 図において、１はｐ形シリコン基板、20は薄い酸化珪素
膜、４はガードリング、６はチャンネルストップ層、８
は金属電極、10は窒化珪素膜、12は厚い酸化珪素膜、1
3,14はレジストパターンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】第１導電形の半導体基板表面に第１絶縁膜
を形成する工程と、 前記第１絶縁膜表面に第２絶縁膜を形成する工程と、 前記第２絶縁膜の所定部に前記第１絶縁膜が露出した第
１開口部を形成する工程と、 前記第２絶縁膜をマスクとして前記第１開口部から第２
導電形の不純物を前記半導体基板の表面領域に導入して
ガード層を形成する工程と、 前記第２絶縁膜をマスクとして前記第１開口部の前記第
１絶縁膜を選択的に酸化して前記ガード層表面に該第１
絶縁膜の膜厚より厚い膜厚の第３絶縁膜を形成する工程
と、 前記第２絶縁膜を除去する工程と、 前記第１および第３絶縁膜表面の所定部に第１レジスト
パターンを形成する工程と、 前記第３絶縁膜および前記第１レジストパターンをマス
クとして前記半導体基板の表面領域に第１導電形の不純
物を導入してチャンネルストップ層を形成する工程と、 前記第１レジストパターンを除去する工程と、 前記第１および第３絶縁膜表面の所定部に第２レジスト
パターンを形成する工程と、 前記第３絶縁膜および前記第２レジストパターンをマス
クとして前記第１絶縁膜を選択的に除去して、前記半導
体基板および前記ガード層が露出した第２開口部を形成
する工程と、 前記第２開口部に金属またはシリサイドからなる電極を
形成する工程とを備えたショットキバリヤダイオードの
製造方法。 - 【請求項２】前記半導体基板は珪素基板である特許請求
の範囲第１項記載のショットキバリヤダイオードの製造
方法。 - 【請求項３】前記第１絶縁膜は酸化珪素膜である特許請
求の範囲第１項または第２項記載のショットキバリヤダ
イオードの製造方法。 - 【請求項４】前記第２絶縁膜は窒化珪素膜である特許請
求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載のショッ
トキバリヤダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20450386A JP2526556B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | ショットキバリヤダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20450386A JP2526556B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | ショットキバリヤダイオ−ドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358963A JPS6358963A (ja) | 1988-03-14 |
| JP2526556B2 true JP2526556B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=16491607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20450386A Expired - Lifetime JP2526556B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | ショットキバリヤダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526556B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5428435B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2014-02-26 | 株式会社デンソー | ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20450386A patent/JP2526556B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6358963A (ja) | 1988-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3847687A (en) | Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts | |
| EP0230689A2 (en) | Bipolar semiconductor device with wall spacer and method of making | |
| JPH03129818A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0828424B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| GB2183093A (en) | Electrode arrangement for a bipolar transistor | |
| JP2526556B2 (ja) | ショットキバリヤダイオ−ドの製造方法 | |
| JP2535885B2 (ja) | ショットキ・バリア・ダイオ−ドおよびその製造方法 | |
| JPS6228587B2 (ja) | ||
| JPS6123665B2 (ja) | ||
| JPH0227737A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6013313B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0126184B2 (ja) | ||
| JPS628939B2 (ja) | ||
| JP2594697B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2745946B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2698088B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2624365B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01238058A (ja) | 高速バイポーラトランジスタの製造方法 | |
| JPS5919374A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6214948B2 (ja) | ||
| JPH0294636A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH043432A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0136709B2 (ja) | ||
| JPS6386476A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS5829620B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |