JPS6123665B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置に関し特に、多結晶シリ
コン薄膜を電極に使用する集積回路装置に関する
ものである。

従来、集積回路装置の電極や配線としては、多
結晶シリコン薄膜がその製造技術上の単純さ、便
利さならびに集積度および配線密度を高くするこ
とが容易な為に使用されている。

特に、多結晶シリコン薄膜の電極あるいは配線
への応用は一般化している。第１図Ａ，Ｂはそれ
ぞれ従来の多結晶シリコン薄膜を電極として使用
した半導体装置の例を示す断面図であり、第１図
ＡはコレクタとしてのＮ型領域１１にＰ型のベー
ス領域１２およびＮ型のエミツタ領域１３を設
け、ベース領域には２つの多結晶シリコンでなる
ベース電極１５，１５′が酸化シリコン膜１４の
開口を通して接続して設けられてなるダブルベー
ス構のバイポーラトランジスタであり、第１図Ｂ
の例はＮ型コレクタ領域１１′、Ｐ型ベース領域
１２′、Ｎ型エミツタ領域１３′に絶縁膜１４′の
開口を通してコレクタ電極１７、ベース電極１
５″およびエミツタ電極１６′が多結晶シリコンに
よつて形成されているシングルベース構造のバイ
ポーラトランジスタの例である。

これらのいずれの例においてもシリコン基板１
１，１１′への所定の不純物の拡散と共にその表
面にシリコン酸化膜１４，１４′を設け、電極取
り出し用の開孔部を設けた後、多結晶シリコン薄
膜の選択的な形成により、表面が電気絶縁物１
８，１８′で被覆されたベース電極１５，１５′，
１５″エミツタ電極１６，１６′、コレクタ電極１
７を設けた構造になつている。この構造では多結
晶シリコンからなるエミツタ、ベース、コレクタ
の各電極が、半導体基板上の同一平面上に相互に
絶縁間隔を有して形成される必要がある。この各
電極は、一様に被覆された多結晶シリコン薄膜を
写真食刻技術によつて選択的によつて除去して各
電極を分離することによつて形成されるためにこ
の各電極間の離間距離は写真食刻技術の精度によ
つて決定され、それ程、短かくすることはできな
い。即ち、このように従来の半導体装置の電極は
写真食刻技術により制限された構造であり、半導
体装置の小形化、高集積化には限界を有するもの
である。

本発明の目的は、上記の欠点を除去し、小形か
つ高集積化に適した新規なる半導体装置を提供す
ることにある。

本発明による半導体装置は、複数の半導体領域
を含む半導体基板と、この基板上に設けられ半導
体領域に電気的に、特に抵抗性接続（オーム接
続）した複数の多結晶シリコン電極とを有し、こ
の内の一部の電極は他の電極上に電気絶縁物を間
に介することにより部分的に重畳して設けられて
いることを特徴とする。本発明はダイオード、バ
イポーラトランジスタを含む半導体装置や集積回
路への適用は勿論電界効果型半導体装置の電極や
配線にも適用しうるものである。また本発明にお
いては電極の半導体領域との接続部近傍において
重なるように各電極を重畳するのが好ましい。

本発明の一態様によれば、多結晶シリコンから
なるエミツタ引き出し電極が、多結晶シリコンか
らなるベース引き出し電極上に電気絶縁物を介し
て互に電気的に分離されて部分的に重畳する如く
設けられるか、あるいは、多結晶シリコンからな
るエミツタ引き出し電極が、多結晶シリコンから
なるコレクタ引き出し電極上に電気絶縁物を介し
て、互に電気的に分離されて部分的に重畳して設
けられる。即ち、従来、多結晶シリコンからなる
エミツタ、ベース、コレクタ引き出し電極が、半
導体基板上の同一面上に形成されていたものを、
本発明では、電気絶縁物を介して、互に重ね合わ
せることにより、相互の距離を実質的にゼロに
し、それ故、半導体装置の面積を縮少し、集積度
の高い、半導体装置を実現できる効果がある。

また本発明による半導体装置の製造方法は、半
導体基板の一主面に所定の開口部を有する二酸シ
リコン等の絶縁保護膜と、この開口部内に選択的
に設けられたシリコン窒化膜等の耐熱性保護膜と
を形成する工程と、この一主面上に多結晶シリコ
ン薄膜を選択的に形成して第１の電極パターンと
する工程と、この第１の電極パターンが半導体基
板に接する部分を通して半導体基板に一導電型の
不純物を添加して第１の半導体領域を形成する工
程と、耐熱性保護膜の少なくとも一部を除去し、
この耐熱性保護膜の除去によつて露出した半導体
基板の領域表面に少なくとも接するようにかつ、
第１の電極パターン上に電気絶縁物を間に介して
重なるように多結晶シリコン薄膜を選択時に形成
して第２の電極パターンとする工程と、この第２
の電極パターンが半導体基板の領域に接する部分
を通して半導体基板の領域に不純物を添加する工
程とを含むことを特徴とする。

本発明による半導体装置の製造方法の一態様に
よれば、半導体基板の一主面に所定開口を有する
二酸化シリコン膜等の絶縁保護膜を形成する工程
と、この開口部内にシリコン窒化膜等の耐熱性保
護膜を選択的に形成する工程と、一端がこの開口
内において半導体基板に接しかつ絶縁保護膜上に
延びるように第１の電極パターンの多結晶シリコ
ン薄膜を選択的に形成する工程と、この第１の電
極パターンが半導体基板に接する部分を通して半
導体基板に一導電型の不純物を添加して第１の半
導体領域を形成する工程と、耐熱性保護膜下の領
域から第１の半導体領域に至る部分の半導体基板
に一導電型の不純物を所定の深さに注入して第１
の半導体領域の拡大領域を設ける工程と、半導体
基板の露出部および第１の電極パターン表面に二
酸化シリコン等の電気絶縁膜を形成する工程と、
耐熱性保護膜を除去して半導体基板を部分的に露
出させ、この露出した部分に接しかつ第１の電極
パターン上に電気絶縁膜を介して重なるように第
２の電極パターンの多結晶シリコン膜を形成する
工程と、第２の電極パターンが半導体基板に接す
る部分を通して逆導電型の不純物を第１の半導体
領域の拡大領域に選択的に添加して第２の半導体
領域を形成する工程とを含むことを特徴とする。
ここで第１および第２の半導体領域はそれぞれ第
１および第２の電極パターンを通して異なる導電
型の不純物を半導体基板に導入することによつて
形成できる。あるいは予め一導電型の不純物を添
加した第１の電極パターンを形成し、この第１の
電極パターンに含まれた一導電型の不純物をその
接する部分から半導体基板内に導入して第１の半
導体領域を形成し、第２の半導体領域は第２の電
極パターンを通して逆導電型の不純物を基板内に
導くことによつて形成しても良い。さらには第１
および第２の電極パターンのいずれにもそれぞれ
異なる不純物を含有した状態で形成し、これらの
各電極パターンから不純物を導入してそれぞれ第
１および第２の半導体領域を形成しても良い。

また本発明による半導体装置の製造方法の他の
一態様によれば、一導電型の半導体基板の一主面
に所定の開口を有する絶縁保護膜とこの開口内に
島状に設けられた耐熱性保護膜とを形成する工程
と、一端がこの開口内の一部および耐熱性保護膜
の一部分に位置する如く選択的に多結晶シリコン
でなるコレクタ電極パターンを形成する工程と、
一端が開口内の他の一部に接するようにして多結
晶シリコンでなるベース電極パターンを形成する
工程と、コレクタ電極パターンが半導体基板に接
する部分を通して一導電型の不純物を基板に導入
して高濃度領域を形成する工程と、ベース電極パ
ターンと半導体基板との接する部分から逆導電型
の不純物を導入して逆導電型領域を形成する工程
と、この逆導電型領域から耐熱性保護膜下に至る
半導体基板の領域に逆導電型の不純物を逆導電型
領域よりも浅く注入してベース領域を形成する工
程と、コレクタ電極およびベース電極の表面に電
気絶縁膜を形成する工程と、耐熱性保護膜の一部
をベースを露出するように除去する工程と、露出
したベース領域表面に接するとともにコレクタ電
極およびベース電極上に電気絶縁膜を介して重な
るように多結晶シリコンでなるエミツタ電極パタ
ーンを形成する工程と、エミツタ電極パターンと
ベース領域との接する部分を通して一導電型の不
純物をベース領域内に添加してエミツタ領域を形
成する工程とを含むことを特徴とする。

次に本発明をその実施例につき説明する。

第２図を参照すると、本発明の第１の実施例は
コレクタ領域２１、ベース領域２２、エミツタ領
域２３を有し、表面に電極取り出しのための開口
を有する絶縁膜２４が設けられたシリコン基板上
にベース領域２２にオーム接続する多結晶シリコ
ンからなる２つのベース引き出し電極２５，２
５′と、エミツタ領域２３にオーム接続する多結
晶シリコンからなるエミツタ引き出し電極２６と
を備え、かつ、エミツタ引き出し電極２６がベー
ス引き出し電極２５，２５′上にシリコン酸化膜
２９，２９′を介して互に電気的に分離された上
で、部分的に重畳するようにして設けられてい
る。すなわちエミツタ引き出し電極２６と２つの
ベース引き出し電極２５，２５′との間には平面
的な離間距離が不要でむしろ部分的に重なり合つ
て全体としての電極の占有面を小さくすることが
可能となつている。またエミツタ電極２６表面は
二酸化シリコン保護膜２９″が設けられている。

第３図は、本発明の第２の実施例の断面図であ
る。開口形状の二酸化シリコン膜３４、この開口
内に設けられた窒化シリコン膜３４′とが表面に
設けられコレクタ領域３１、ベース領域３２、エ
ミツタ領域３３、及び、コレクタ高濃度領域３８
を有するシリコン基板上に、ベース領域３２にオ
ーム接続する多結晶シリコンからなるベース引き
出し電極３５と、エミツタ領域３３にオーム接続
する多結晶シリコンからなるエミツタ引き出し電
極３６と、コレクタ高濃度領域３８にオーム接続
する多結晶シリコンからなるコレクタ引き出し電
極３７とを備え、かつ、エミツタ引き出し電極３
６が、ベース引き出し電極３５及びコレクタ引き
出し電極３７上に、シリコン酸化膜３９，３９′
を介して互に電極的に分離されて、エミツタ電極
３６の周囲部近傍が重なり合つて設けられてい
る。

次に、本発明の第３の実施例を第４図Ａ〜Ｉを
参照して主な製造工程に沿つて説明する。

Ｎ型シリコン基板４１の表面を熱酸化により厚
さ0.5μｍのシリコン酸化膜４４で覆つた後、該
シリコン酸化膜４４に、選択的にシリコン基板４
１に達する開孔部を設け、さらに、該開孔部で露
出したシリコン基板４１の表面に厚さ0.1μｍの
シリコン窒化膜４１１を選択的に形成する（第４
図Ａ）。

次に、該、シリコン酸化膜４４、シリコン窒化
膜４１１、及び露出したシリコン基板４１表面上
にモノシランの熱分解により、多結晶シリコン薄
膜４５を厚さ0.5μｍで被着させたあと、さら
に、該多結晶シリコン薄膜４５の表面に厚さ0.1
μｍのシリコン窒化膜４１２，４１２′を選択的
に形成する（第４図Ｂ）。この際、シリコン窒化
膜４１２，４１２′の開孔部の下に、多結晶シリ
コン薄膜４５の下の前記シリコン窒化膜４１１が
来るようにする。

次に、前記、シリコン窒化膜４１２，４１２′
をマスクにして、多結晶シリコン薄膜４５を選択
的に熱酸化し、シリコン基板４１、及びシリコン
窒化膜４１１に達する。シリコン酸化膜４２１に
変換する（第４図Ｃ）。

次に、シリコン窒化膜４１２，４１２′を除去
し、多結晶シリコン薄膜４５，４５′の表面を露
出した後、該多結晶シリコン薄膜４５，４５′に
ボロンを添加すると共に、熱拡散をして、シリコ
ン基板４１にＰ型領域４２，４２′を形成する
（第４図Ｄ）。ここで前記シリコン酸化膜４２１で
覆われたシリコン基板４１の領域にはこれらの膜
がマスクになり、Ｐ型領域は形成されない。

次に、多結晶シリコン薄膜を選択的に熱酸化す
ることにより形成したシリコン酸化膜４２１を除
去し、シリコン窒化膜４１１及びシリコン基板４
１の表面を露出させる（第４図Ｅ）。

次に、該露出したシリコン基板４１及びシリコ
ン窒化膜４１１で覆われているシリコン基板４１
にイオン注入法によりボロンを添加し、シリコン
基板中にＰ型領域を形成すると共に、前記のＰ型
領域４２′，４２″とも電気的に接続させ、ベース
領域４２を形成し、さらに熱酸化によりシリコン
窒化膜４１１で覆われているシリコン基板表面以
外のシリコン基板表面及び多結晶シリコン薄膜表
面を0.2μｍのシリコン酸化膜４９，４９′で覆う
（第４図Ｆ）。

次に、この状態で熱リン酸液に浸すことにより
シリコン窒化膜４１１のみを選択的に除去し、シ
リコン酸化膜４９，４９′にベース領域４２に達
する開孔部を設ける（第４図Ｇ）。

次に、該開孔部を覆い、かつ前記多結晶シリコ
ン薄膜４５，４５′上にシリコン酸化膜４９，４
９′を介して重なるように厚さ0.5μｍの多結晶シ
リコン薄膜４６を選択的に形成する（第４図
Ｈ）。ここで、多結晶シリコン薄膜４５，４５′と
多結晶シリコン薄膜４６とはシリコン酸化膜４
９，４９′を介さている為、電気的に分離されて
いる。

次に、前工程で形成した多結晶シリコン薄膜４
６にＮ型不純物のリンを添加し、熱拡散すること
により、前記シリコン酸化膜４９，４９′中の開
孔部を通してベース領域４２内にＮ型のエミツタ
領域４３を形成し、多結晶シリコン薄膜４６の表
面をシリコン酸化膜４９″で覆う。これにより、
Ｐ型に添加された多結晶シリコン薄膜４５，４
５′はＰ型ベース領域４２の引き出し電極とし
て、又、Ｎ型に添加された多結晶シリコン薄膜４
６はＮ型エミツタ領域４３の引き出し電極として
使用される（第４図Ｉ）。

ここで、本実施例では第４図Ｆで示したように
Ｐ型ベース領域４２を形成後、シリコン酸化膜４
９，４９′を形成したが、製造技術上シリコン酸
化膜４９，４９′を形成後、イオン注入によりＰ
型ベース領域４２を形成することも可能である。

次に本発明の第４の実施例を第５図Ａ〜Ｈを参
照して製造方法に沿つて説明する。

Ｎ型シリコン基板５１の表面を熱酸化により厚
さ0.5μｍのシリコン酸化膜５４で覆つた後、該
シリコン酸化膜５４に選択的にシリコン基板５１
に達する開孔部を設け、さらに該開孔部で露出し
たシリコン基板５１の表面に厚さ0.1μｍのシリ
コン窒化膜５１１を選択的に形成する（第５図
Ａ）。

次に、該シリコン酸化膜５４、シリコン窒化膜
５１１及び露出したシリコン基板５１表面上に、
ボロンを含んだＰ型の多結晶シリコン薄膜５５を
厚さ0.5μｍに被着させたあと、さらに、該多結
晶シリコン薄膜５５の表面に厚さ0.3μｍのシリ
コン酸化膜５２１，５２１′を選択的に形成する
（第５図Ｂ）。この際、シリコン酸化膜５２１，５
２１′の開孔部の下に、多結晶シリコン薄膜５５
の下の前記シリコン窒化膜５１１が来るようにす
ることは前述した第３の実施例と同様である。

次に、シリコン酸化膜５２１，５２１′をマス
クにして、多結晶シリコン薄膜５５を選択的に除
去し、シリコン基板５１、及びシリコン窒化膜５
１１に達する開孔部を設ける（第５図Ｃ）。ここ
で、シリコン基板５１と多結晶シリコン薄膜とで
添加されている不純物の量に大きな差がある為、
エツチング速度に差が生じる為、容易に上記の構
造を実現することができる。

次に、酸化性雰囲気中で熱処理することにより
残存した多結晶シリコン薄膜５５，５５′よりシ
リコン基板５１中に不純物が拡散されＰ型領域５
２′，５２″が形成されると共にシリコン窒化膜５
１１で覆われているシリコン基板表面以外のシリ
コン基板表面、及び多結晶シリコン薄膜表面を厚
さ0.2μｍのシリコン酸化膜５９，５９′で覆う
（第５図Ｄ）。

次に、シリコン酸化膜５９，５９′とシリコン
窒化膜５１１とで覆われたシリコン基板５１にイ
オン注入法によりボロンを添加し、シリコン基板
中にＰ型領域を形成しＰ型領域５２′，５２″と電
気的に接続したＰ型ベース領域５２を形成する
（第５図Ｅ）。

これ以降の第５図Ｆ〜第５図Ｈによつて示され
る工程は、前述した第３の実施例の第４図Ｇ〜第
４図Ｉと同様の製造方法であるので、ここでは省
略する。

次に本発明の第５の実施例を第６図Ａ〜Ｊを参
照して製造方法に沿つて説明する。

Ｎ型シリコン基板６１の表面を熱酸化により厚
さ0.5μｍのシリコン酸化膜６４で覆つた後、該
シリコン酸化膜６４に選択的にシリコン基板６１
に達する開孔部を設け、さらに、該開孔部で露出
したシリコン基板６１の表面に厚さ0.1μｍのシ
リコン窒化膜６１１を選択的に形成する。（第６
図Ａ）。

次に、該シリコン酸化膜６４、シリコン窒化膜
６１１及び露出したシリコン基板６１表面上に厚
さ0.5μｍの多結晶シリコン薄膜６５を被着させ
たあと、さらに、該多結晶シリコン薄膜６５の表
面に厚さ0.1μｍのシリコン窒化膜６１２，６１
２′を選択的に形成する（第６図Ｂ）。この際、シ
リコン窒化膜６１２，６１２′の開孔部の下に、
多結晶シリコン薄膜６５の下のシリコン窒化膜６
１１の一部が来るようにする。

次に、シリコン窒化膜６１２，６１２′をマス
クにして、多結晶シリコン薄膜６５を選択的に酸
化し、シリコン基板６１及びシリコン窒化膜６１
１に達するシリコン酸化膜６２１に変換し、該シ
リコン酸化膜６２１で多結晶シリコン薄膜６５，
６７を分離する（第６図Ｃ）。

次に、シリコン窒化膜６１２′を選択的に除去
し、多結晶シリコン薄膜６７の表面を露出した
後、該多結晶シリコン薄膜６７にリンを添加し、
熱拡散して、シリコン基板６１にＮ型高濃度領域
６８を形成すると共に、多結晶シリコン薄膜６７
の表面をシリコン酸化膜で覆う（第６図Ｄ）。

次に、他方のシリコン窒化膜６１２を除去し、
多結晶シリコン薄膜６５の表面を露出した後、該
多結晶シリコン薄膜６５にボロンを添加し、熱拡
散して、シリコン基板６１にＰ型領域６２′を形
成すると共に、多結晶シリコン薄膜６５の表面を
シリコン酸化膜で覆う（第６図Ｅ）。

次に、熱酸化により、多結晶シリコン薄膜より
変換したシリコン酸化膜６２１を選択的に除去
し、シリコン窒化膜６１１及びシリコン基板６１
の表面を露出させる（第６図Ｆ）。

次に、該露出したシリコン基板６１及びシリコ
ン窒化膜６１１で覆われているシリコン基板６１
に、イオン注入法によりボロンを添加し、シリコ
ン基板６１中にＰ型領域を形成し、前記のＰ型領
域６２′と電気的に接続させ、ベース領域６２を
形成し、さらに、熱酸化により、シリコン窒化膜
６１１で覆われているシリコン基板以外のシリコ
ン基板表面、及び多結晶シリコン薄膜表面を0.2
μｍのシリコン酸化膜６９，６９′で覆う（第６
図Ｇ）。

次に、この状態で熱リン酸液に浸すことによ
り、シリコン窒化膜６１１のうち、外部に露出し
た部分のみが選択的に除去され、ベース領域６２
に達する開孔部が設けられる。（第６図Ｈ）。

次に、該開孔部を覆い、かつ、前記多結晶シリ
コン薄膜６５，６７上にシリコン酸化膜６９，６
９′を介して厚さ0.5μｍの多結晶シリコン薄膜６
６を選択的に形成する（第６図Ｉ）。ここで、多
結晶シリコン薄膜６５，６７と多結晶シリコン薄
膜６６とは、シリコン酸化膜６９，６９′を介し
ている為、電気的に分離されている。

次に、前工程で形成した多結晶シリコン薄膜６
６にＮ型不純物のリンを添加し、熱拡散すること
により、前記開孔部を通してベース領域６２内
に、Ｎ型のエミツタ領域６３を形成すると共に、
多結晶シリコン薄膜６６の表面をシリコン酸化膜
６９″で覆う。これにより、Ｐ型に添加された多
結晶シリコン薄膜６５はＰ型ベース領域６２の引
き出し電極として、又、Ｎ型に添加された多結晶
シリコン薄膜６７はＮ型シリコン基板６１即ちコ
レクタ領域の引き出し電極として、さらに、Ｎ型
に添加された多結晶シリコン薄膜６６はＮ型エミ
ツタ領域６３の引き出し電極として使用される
（第６図）。

なお本実施例において第６図Ｇに基いて示した
工程で、Ｐ型ベース領域６２の形成と、シリコン
酸化膜６９，６９′の形成との工程を入れ変える
ことは前述した第３の実施例同様可能である。さ
らに、シリコン基板６１内のＮ型高濃度領域６８
と、Ｐ型領域６２′との形成順序も入れ変えるこ
とができる。また上記各実施例において、ベー
ス、エミツタ領域の形成は多結晶シリコンを通し
て不純物を添加することにより形成したが電極形
成前に予め拡散等により基板に形成しておいても
良い。

上記各実施例で説明したように、本発明は、従
来、多結晶シリコンからなるエミツタ、ベース、
コレクタ領域の引き出し電極が半導体基板上の同
一平面に形成されていたものを、電気絶縁物を介
して、互に重ね合せることにより、相互の離間距
離を全く不要にし、それ故、半導体装置の面積を
縮少し、集積度の高い半導体装置を実現できる。

以上は、本発明をNPN型バイポーラトランジ
スタに実施した場合を説明したが、導電型を変え
ることにより同様にPNP型バイポーラトランジス
タにも適用できる。。又、トランジスタのみなら
ず、ダイオードや電界効果型素子にも適用でき、
又、これらを含む集積回路装置にも適用できる。
それ故、本発明の権利は特許請求の範囲に示す全
てに及ぶ。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂはそれぞれ従来の半導体装置の断
面図であり、第２図、第３図は本発明のそれぞれ
第１および第２の実施例の半導体装置の断面図で
あり、第４図Ａ〜Ｉ、第５図Ａ〜Ｈ、第６図Ａ〜
Ｊはそれぞれ本発明第３乃至第５の実施例をその
製造工程に沿つて示す主な製造工程での断面図で
ある。 図中において、１１，１１′，２１，３１，４
１，５１，６１はシリコン基板、１２，１２′，
２２，３２，４２，４２′，４２″，５２，５
２′，５２″，６２，６２′はＰ型ベース領域、１
３，１３′，２３，３３，４３，５３，６３はＮ
型エミツタ領域、１４，１４′，２４，２６，２
９，２９′，３４，３９，３９′，４４，４９，４
９′，４９″，４２１，５４，５９，５９′，５
９″，５２１，５２１′，６４，６９，６９′，６
９″，６２１，６２１′，６２１″はシリコン酸化
膜、１５，１５′，１５″，１６，１６′，１７，
２５，２５′，２６，３５，３６，３７，４５，
４５′，４６，５５，５５′，５６，６５，６６，
６７は多結晶シリコン薄膜、１８，３８，６８は
Ｎ型高濃度領域を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体基板の一主面に所定の開口部を有する
   第１の絶縁保護を形成する工程と、この開口部内
   に第２の絶縁膜を選択的に形成する工程と、この
   一主面上に多結晶シリコン膜を選択的に形成し
   て、該開口部内で該基板と接するとともにその端
   部が該開口部内に位置する第１の電極パターンを
   形成する工程と、この第１の電極パターンが半導
   体基板と接する部分を通して半導体基板に一導電
   型の不純物を添加して第１の半導体領域を形成す
   る工程と、前記開口部内で露出している第２の絶
   縁膜の周辺の前記開口部内の半導体基板表面と第
   １電極パターンの表面および側面上に選択的に第
   ２の絶縁膜とは材質の異なる第３の絶縁膜を形成
   する工程と、前記第３の絶縁膜を除去することな
   く第２の絶縁膜の前記開口部内に露出した部分を
   選択食刻によつて除去し、この第２の絶縁膜の除
   去により露出した半導体基板の領域表面に少なく
   とも接するように、かつ第１の電極パターン上に
   上記第３の絶縁パターン上に上記第３の絶縁膜を
   介して重なるように多結晶シリコン膜を選択的に
   形成して第２の電極パターンを得る工程と、この
   第２の電極パターンが半導体基板の領域に接する
   部分を通して半導体基板の領域に逆導電型の不純
   物を添加する工程とを含むことを特徴とする半導
   体装置の製造方法。