JP5391643B2 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る炭化珪素半導体装置のオーミック電極を形成するための積層構造を示す概略断面図である。また、図2は、本発明の実施の形態1に係る炭化珪素半導体装置を形成する手順を示すフローチャートである。ここで図1に示す積層構造10Aは、本発明の実施の形態1に係る炭化珪素半導体装置を形成するための、熱処理を行なう前の積層構造を示したものである。
る。また、第1の金属層の、SiC層11と対向する表面とは反対側の表面上(図1における上側)に、SiからなるSi層13を形成する。
図5は、本発明の実施の形態2に係る炭化珪素半導体装置のオーミック電極を形成するための積層構造を示す概略断面図である。また、図6は、本発明の実施の形態2に係る炭化珪素半導体装置を形成する手順を示すフローチャートである。ここで図5に示す積層構造10Bは、本発明の実施の形態2に係る炭化珪素半導体装置を形成するための、熱処理を行なう前の積層構造を示したものである。
図10は、本発明の実施の形態3に係る炭化珪素半導体装置のオーミック電極を形成するための積層構造を示す概略断面図である。ここで図10に示す積層構造10Cは、本発明の実施の形態3に係る炭化珪素半導体装置を形成するための、熱処理を行なう前の積層構造を示したものである。
図11は、本発明の実施の形態4に係る炭化珪素半導体装置のオーミック電極を形成するための積層構造を示す概略断面図である。ここで図11に示す積層構造10Dは、本発明の実施の形態4に係る炭化珪素半導体装置を形成するための、熱処理を行なう前の積層構造を示したものである。
Claims (13)
- オーミック電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であり、
炭化珪素からなるSiC層を形成する工程と、
前記SiC層の一方の主表面上に、1種の第1の金属元素からなり、炭素原子を含まない第1の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層の、前記SiC層と対向する表面とは反対側の表面上に、Siからなり、炭素原子を含まないSi層を形成する工程と、
オーミック電極を形成するために、前記SiC層と前記第1の金属層と前記Si層とを熱処理する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理する工程に先立って、前記Si層の、前記第1の金属層と対向する表面とは反対側の表面上に、1種の第2の金属元素からなり、炭素原子を含まない第2の金属層を形成する工程をさらに備える、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- オーミック電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であり、
炭化珪素からなるSiC層を形成する工程と、
前記SiC層の一方の主表面上に、1種の第1の金属元素からなり、炭素原子を含まない第1の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層の、前記SiC層と対向する表面とは反対側の表面上に、Siおよび前記1種の第1の金属元素からなり、シリサイド膜でなく、炭素原子を含まないSi金属層を形成する工程と、
オーミック電極を形成するために、前記SiC層と前記第1の金属層と前記Si金属層とを熱処理する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - オーミック電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であり、
炭化珪素からなるSiC層を形成する工程と、
前記SiC層の一方の主表面上に、1種の第1の金属元素からなり、炭素原子を含まない第1の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層の、前記SiC層と対向する表面とは反対側の表面上に、Siおよび前記1種の第1の金属元素からなり、炭素原子を含まないSi金属層を形成する工程と、
オーミック電極を形成するために、前記SiC層と前記第1の金属層と前記Si金属層とを熱処理する工程と、
前記熱処理する工程に先立って、前記Si金属層の、前記第1の金属層と対向する表面とは反対側の表面上に、1種の第2の金属元素からなり、炭素原子を含まない第2の金属層を形成する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第2の金属元素は、チタン、アルミニウム、およびクロムからなる群から選択される1種の元素である、請求項2または請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理する工程において、前記SiC層の一方の主表面上に、前記1種の第1の金属元素とSiとの合金からなり、炭素原子を含む炭素含有シリサイド層を形成する、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1の金属元素は、ニッケル、チタン、アルミニウム、白金、タングステン、およびパラジウムからなる群から選択される1種の元素である、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素からなるSiC層と、
前記SiC層の一方の主表面上に配置され、1種の第1の金属元素とSiとの合金からなり、炭素原子を含まないシリサイド層とを備えており、
前記SiC層と前記シリサイド層とは、オーミック接触している、炭化珪素半導体装置。 - 炭化珪素からなるSiC層と、
前記SiC層の一方の主表面上に配置され、1種の第1の金属元素とSiとの合金からなり、前記SiC層と対向する表面とは反対側の表面層に炭素原子を含まないシリサイド層とを備えており、
前記SiC層と前記シリサイド層とは、オーミック接触しており、
前記シリサイド層の表面層上に形成され、1種の第2の金属元素とSiとの合金からなり、前記シリサイド層と対向する表面とは反対側の表面層に炭素原子を含まない上部シリサイド層をさらに備える、炭化珪素半導体装置。 - 炭化珪素からなるSiC層と、
前記SiC層の一方の主表面上に配置され、1種の第1の金属元素とSiとの合金からなり、炭素原子を含む炭素含有シリサイド層と、
前記炭素含有シリサイド層の、前記SiC層と対向する表面とは反対側の主表面上に配置され、前記1種の第1の金属元素とSiとの合金からなり、前記炭素含有シリサイド層と対向する表面とは反対側の表面層に炭素原子を含まないシリサイド層とを備えており、
前記SiC層と前記炭素含有シリサイド層とは、オーミック接触している、炭化珪素半導体装置。 - 前記シリサイド層の表面層上に形成され、1種の第2の金属元素とSiとの合金からなり、前記シリサイド層と対向する表面とは反対側の表面層に炭素原子を含まない上部シリサイド層をさらに備える、請求項10に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2の金属元素は、チタン、アルミニウム、およびクロムからなる群から選択される1種の元素である、請求項11に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1の金属元素は、ニッケル、チタン、アルミニウム、白金、タングステン、およびパラジウムからなる群から選択される1種の元素である、請求項8〜請求項12のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
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