JP5377547B2 - 磁気トンネル接合素子 - Google Patents
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Description
「タンタル(Ta)層/ニッケル鉄合金(NiFe)層/コバルト鉄合金(CoFe)層/トンネルバリア層/CoFe層/ルテニウム(Ru)層/CoFe層/白金マンガン合金(PtMn)層/Ta層」
このような構造のMTJ素子は、上部導電リード層と下部導電リード層との間に挟まれるように構成される。ここで、左側から順に各層について説明する。Ta層がシード層であり、NiFe層/CoFe層がフリー層であり、トンネルバリア層を挟んでCoFe層/Ru層/CoFe層がピンド層であり、PtMn層がピンニング層であり、Ta層が保護層である。Sun等は、このようなMTJ素子におけるトンネルバリア層としては、ニッケルクロム合金(NiCr)の酸化物(例えばNiCrOX)が好ましいと述べている。このようなトンネルバリア層は、6.6Ω・μm2の接合抵抗RA(MTJ素子の形成面積Aと単位面積あたりの抵抗Rとの積)を生み出すものである。
「Ta/NiFe/MnPt/Co90Fe10/Ru/Co50Fe50/[Al/NOX]/CoFe−Ni82Fe18/Ta」
(ここで、[Al/NOX]は、アルミニウム層を自然酸化法により酸化処理したトンネルバリア層である。)
「Ta/NiFe/IrMn/Co84Fe16/[Al(0.45)Hf(0.15)/NOX]/CoFe−Ni82Fe18/Ta」
(ここで、[Al(0.45)Hf(0.15)/NOX]は、0.45nm厚のアルミニウム層と0.15nm厚のハフニウム層とを自然酸化法により酸化処理したトンネルバリア層である。)
なお、これら2種類の構成において、タンタル層と、MnPt層またはIrMn層との間に設けられたNiFe層は、MnPt層またはIrMn層の成長を促す緩衝層(シード層)である。
(A1)ニッケル鉄合金(NiFe)からなり、かつ、平坦化された上面を有する基体としての第1磁気シールド層。
(A2)タンタル(Ta)からなり、かつ、スパッタエッチング処理により表層がアモルファス化された被覆層。
(A3)シード層。
(A4)反強磁性材料からなるピンニング層。
(A5)ピンド層。
(A6)アルミニウム(Al)膜が酸化処理されてなるトンネルバリア層。
(A7)強磁性材料からなる磁化フリー層。
(A8)キャップ層。
(A9)ニッケル鉄合金(NiFe)からなり、第1磁気シールド層と共に積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる第2磁気シールド層。
最初に、図1(A)〜図1(D)を参照して、本発明における第1の実施の形態としての磁気トンネル接合(MTJ;magnetic tunnel junction)素子について以下に説明する。本実施の形態のMTJ素子は、特に、MRAMアレイにおける磁気メモリセルとして好適に用いられる構造を有するものである。MRAMアレイは複数の磁気メモリセル(MTJ素子)がマトリックス状に配置された集合体であり、磁気情報の書き換え、格納および検出を行う際に使用される駆動回路(associate circuitry)と接続されている。このようなMRAMアレイでは、MTJ素子が、複数のワード線と複数のビット線との各交差点において、ワード線と電気絶縁性と保ちつつビット線と電気的に接続されるように構成されている。
「NiCr/Ru/Ta(SE)/NiCr/MnPt/CoFe/[Al/ROX]/CoFe/NiFe/Ru」
という積層構造をなすものである。上記の「NiCr/Ru/Ta(SE)」は、平滑な(smooth)下部導電リード層である。詳細には、「NiCr」が第1シード層であり、「Ru」が非磁性金属層であり、「Ta(SE)」がスパッタエッチング処理されて表層がアモルファス化された被覆層である。さらに「Ta(SE)」の上に形成された「NiCr/MnPt/CoFe」が下部電極である。詳細には「NiCr」が第2シード層であり、「MnPt」がピンニング層であり、「CoFe」がピンド層である。また、「[Al/ROX]」はアルミニウム層をラジカル酸化法を利用して酸化処理することにより得られるトンネルバリア層である。このトンネルバリア層の上に形成された「CoFe/NiFe/Ru」が上部電極である。詳細には「CoFe/NiFe」が磁化フリー層であり、「Ru」が上部導電リード層を兼ねたキャップ層である。なお、下部導電リード層および上部導電リード層は、MTJ素子に対して、その積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる。
最初に、図2(A)〜図2(D)を参照して、本発明における第2の実施の形態としてのMTJ素子について以下に説明する。本実施の形態のMTJ素子は、例えば磁気ディスク装置などに搭載されて、磁気記録媒体(ハードディスク)に記録された磁気情報を読み出す磁気デバイスとして機能する磁気再生ヘッドのセンサ部として用いられるものである。
(1);「Ta(SE)/NiCr/AFM/SyAP/[Al/NOX]/Co90Fe10/Ni82Fe18/Ta」
(2);「Ta(SE)/NiCr/AFM/SyAP/[Al−Hf/NOX]/Co90Fe10/Ni82Fe18/Ta」
という構造を備えている。上記の「Ta(SE)」は、タンタル(Ta)膜を下部導電リード層の上に形成したのち、その一部をスパッタエッチング(SE;sputter-etching)により除去することにより得られたタンタル層を表している。また、下部磁気シールド層および上部磁気シールド層は、MTJ素子に対して、その積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となるものである。また「NiCr」はシード層であり、「AFM」は反強磁性(anti-ferromagnetic)材料からなるピンニング層であり、「SyAP」はシンセティック構造を有するピンド層であり、「[Al/NOX]」および「[Al−Hf/NOX]」はアルミニウム層またはアルミニウム層とハフニウム層との積層体を自然酸化処理して得られるトンネルバリア層であり、「Co90Fe10/Ni82Fe18」は磁化フリー層であり、「Ta」はキャップ層である。
Claims (9)
- ニッケル鉄合金(NiFe)からなり、かつ、平坦化された上面を有する基体としての第1磁気シールド層と、
タンタル(Ta)からなり、かつ、スパッタエッチング処理により表層がアモルファス化された被覆層と、
シード層と、
反強磁性材料からなるピンニング層と、
ピンド層と、
アルミニウム(Al)膜が酸化処理されてなるトンネルバリア層と、
強磁性材料からなる磁化フリー層と、
キャップ層と、
ニッケル鉄合金(NiFe)からなり、前記第1磁気シールド層と共に積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる第2磁気シールド層と
を順に備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。 - 前記シード層は、35原子パーセント(at%)以上45原子パーセント(at%)以下のクロム(Cr)を含有するニッケルクロム合金(NiCr)により構成され、4.0nm以上6.0nm以下の厚みを有している
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記タンタル(Ta)からなる被覆層は、6.0nm以上8.0nm以下の厚みを有するタンタル膜がスパッタエッチング処理により2.0nm以上3.0nm以下の厚み分だけ除去されたものである
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記ピンニング層は、マンガン白金合金(MnPt)により構成され、10.0nm以上20.0nm以下の厚みを有している
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記ピンド層は、
Co90Fe10からなり1.5nm以上2.0nm以下の厚みをなす第1磁化固着層と、
ルテニウム(Ru)からなり0.7nm以上0.8nm以下の厚みをなす結合層と、
Co75Fe25またはCo50Fe50からなり1.8nm以上2.5nm以下の厚みをなす第2磁化固着層と
が順に積層されたものであり、
前記第1磁化固着層と第2磁化固着層とが互いに逆平行の磁化を示し、反強磁性結合するように構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記トンネルバリア層は、アルミニウム原子2つ分の厚みを有するアルミニウム層を自然酸化法により酸化処理したものである
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記トンネルバリア層は、0.1nm以上0.2nm以下の厚みを有するハフニウム(Hf)層と0.4nm以上0.5nm以下の厚みを有するアルミニウム(Al)層との2層構造を自然酸化処理することによって得られたハフニウムおよびアルミニウムの複合酸化物(HfAlOx)からなる単層体である
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記磁化フリー層は、
0.5nm以上1.5nm以下の厚みを有するコバルト鉄合金(Co90Fe10)層と、
2.5nm以上3.5nm以下の厚みを有するニッケル鉄合金(Ni82Fe18)層と
を含んでいる
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記キャップ層は、タンタル(Ta)からなり、20.0nm以上30.0nm以下の厚みを有している
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。
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