JP5451977B2 - 磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
Description
本発明は、磁気トンネル接合素子およびその形成方法、ならびに、磁気トンネル接合素子を備えた磁気ランダムアクセスメモリに関する。
従来より、コンピュータやモバイル通信機器などの情報処理装置に用いられる汎用メモリとして、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などの揮発性メモリが使用されている。これらの揮発性メモリは、常に電流を供給しておかなければ全ての情報が失われる。そのため、状況を記憶する手段としての不揮発性メモリ（例えば、フラッシュＥＥＰＲＯＭなど）を別途設ける必要がある。この不揮発性メモリに対しては、処理の高速化や高密度化が強く求められていることから、近年、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memry）が注目されてきている。
例えば、S. Parkinらによる非特許文献１、あるいは S. Tehraniらによる非特許文献２にＭＲＡＭに関連する情報が記載されている。
エクスチェインジ・ベースド・マグネティック・トンネルジャンクションズ・アンド・アプリケーション・トゥ・ノン−ボラート・エムラム（Exchange based magnetic tunnel junctions and application to non-volatile MRAM）、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス，第８２巻（J. Appl. Phys., Vol. 82, p. 5823-5833，１９９９年。 プロセス・アンド・アウトルック・フォー・エムラム・テクノロジ（Progress and Outlook for MRAM Technology），アイ・トリプルイー・トランザクション・オン・マグネティクス，第３５巻（IEEE Trans. on Magn., Vol. 35, p. 2814-2819，１９９９年。
エクスチェインジ・ベースド・マグネティック・トンネルジャンクションズ・アンド・アプリケーション・トゥ・ノン−ボラート・エムラム（Exchange based magnetic tunnel junctions and application to non-volatile MRAM）、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス，第８２巻（J. Appl. Phys., Vol. 82, p. 5823-5833，１９９９年。 プロセス・アンド・アウトルック・フォー・エムラム・テクノロジ（Progress and Outlook for MRAM Technology），アイ・トリプルイー・トランザクション・オン・マグネティクス，第３５巻（IEEE Trans. on Magn., Vol. 35, p. 2814-2819，１９９９年。
一般的なＭＲＡＭは、水平面上に、互いに平行に延びる複数の第１の導線と、この第１の導線と直交し、かつ、互いに平行に延びる複数の第２の導線と、それらの交差点に各々配置された複数のＭＴＪ素子とを備える。第１の導線は例えばワード線であり、第２の導線はビット線である。あるいは、第１の導線がビット線であり、第２の導線はワード線である。また、第１の導線は、ある領域に区分された下部電極であり、第２の導線がワード線もしくはビット線であってもよい。複数の第１の導線の下層には、トランジスタやダイオードなどの他のデバイスが、書き込みおよび読み出し操作時にＭＲＡＭセルを選択するために使用される周辺回路と同様に設けられている。
磁気トンネル接合（ＭＴＪ；magnetic tunnel junction）素子は、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ：tunneling magneto-resistance）効果を利用したものであり、非磁性の誘電体層によって隔てられた２つの強磁性層を含む積層体（ＭＴＪスタック）を有している。ＭＲＡＭデバイスでは、ＭＴＪ素子は、下部電極（第１の導線）と上部電極（第２の導線）との間に形成される。ＭＴＪスタックは、いわゆるボトムスピンバルブ構造であり、シード層、反強磁性（ピンニング）層、（強磁性）ピンド層、トンネルバリア層、（強磁性）フリー層、キャップ層が順に積層され、所定形状にパターニングされたものである。反強磁性層は、ピンド層の磁気モーメントを一定方向に保持するものである。ＭＲＡＭにおけるＭＴＪ素子では、フリー層がニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）によって構成されていることが望ましい。低いスイッチング磁界Ｈｃおよびスイッチング磁界係数（σＨｃ）によって説明される、再生可能かつ信頼性の高いスイッチング特性が得られるからである。また、ＭＴＪスタックは、トップスピンバルブ構造、すなわち、シード層、フリー層、トンネルバリア層、ピンド層、反強磁性層およびキャップ層が順に積層された構造であってもよい。
ピンド層は、例えばＹ方向に固定された磁気モーメントを有し、隣接するＹ方向の磁化された反強磁性層と交換結合している。フリー層は、ピンド層の磁気モーメントと平行あるいは逆平行（反平行）の磁気モーメントを有している。トンネルバリア層は、伝導電子の量子力学的なトンネル効果によって電流が流れる程度にその厚みが十分に薄くなっている。フリー層の磁気モーメントは、外部磁界に応じて変化する。また、フリー層の磁気モーメントとピンド層の磁気モーメントとの相対角度は、トンネル電流の大きさ、すなわちトンネル接合抵抗を決定する。センス電流が、ＭＴＪスタックの積層面に対し垂直な方向へ、すなわち上部電極から下部電極へ向けて流れると、フリー層の磁気モーメントとピンド層の磁気モーメントとが平行な場合（記憶状態“０”）に低抵抗が検出され、反平行な場合（記憶状態“１”）に高抵抗が検出される。
読み出し動作時において、ＭＲＡＭセルに格納された情報は、センス電流が流れる際のＭＴＪ素子の磁化状態（抵抗レベル）を検出することで読み出される。一方、書き込み動作時においては、書き込み対象とするＭＲＡＭセルのＭＴＪ素子に対応するビット線およびワード線に電流を流し、外部磁界を発生させ、フリー層の磁化状態を適切な磁化状態へ変化させることで情報が所定のＭＲＡＭセルのＭＴＪ素子に書き込まれる。ある種のＭＲＡＭ構造においては、上部電極または下部電極が書き込み動作および読み出し動作の両方に関わるように構成されている。ＭＴＪ素子は、ＣＭＯＳの製造プロセスののち、その上に形成される。高速（駆動）バージョンのＭＲＡＭ構造は、１つのトランジスタに対し複数のＭＴＪ素子が設けられたものである。
従来、ＭＴＪ素子に関しては、様々な検討が行われている。例えば、特許文献１には、酸素界面活性層(ＯＳＬ：oxygen surfactant layer)をＣｏＦｅＢ＼ＣｏＦｅからなるＡＰ１層とＡｌＯｘからなるトンネルバリア層との間に設けることで、トンネルバリア層の平滑性を向上させるようにした技術が開示されている。また、特許文献２には、ＣｏＦｅ（あるいはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ）からなる上部強磁性層とトンネルバリア層との間にＯＳＬ層を設けるようにしたものが開示されている。また、特許文献３には、トンネルバリア層の下層として、Ｃｏ75Ｆｅ25からなるＡＰ１層を設けるようにしたものが開示されている。また、特許文献４には、非晶質固定層（ＣｏＦｅＢ層）とトンネルバリア層との間に形成されたインターフェイス層を含むＭＴＪ素子が記載されている。また、特許文献５には、非晶質固定層（ＣｏＦｅＢ層）と酸化アルミニウムからなるトンネルバリア層とが接するように配置された構造が示されている。また、特許文献６には、ＣｏＦｅを含む合金（例えばＣｏＦｅＨｆやＣｏＦｅＺｒなど）からなる自己固定複合層がトンネルバリア層と接するようにした構造が開示されている。また、特許文献７には、Ｔａ＼Ｒｕからなるキャップ層が開示されている。また、特許文献８には、ｄＲ／Ｒを向上させるため。Ｒｕ＼Ｔａ＼Ｒｕからなるキャップ層を有するようにしたＭＴＪ素子が開示されている。
ところで、高性能なＭＴＪ素子とは、ｄＲ／Ｒで表される抵抗変化率（ＭＲ比もしくはＴＭＲ比ともいう。）が高いものである。ここで、ＲはＭＴＪ素子の最小抵抗を表し、ｄＲはフリー層の磁化状態の変化に応じた抵抗変化量を表す。また、ＭＲＡＭに用いられるＭＴＪ素子では、１×１０-6を下回るような低い磁歪λｓが求められる。ＭＴＪ素子のパフォーマンスを高める際の鍵となるのは、（ａ）大きな交換バイアス磁界および高い熱安定性を有するように十分に制御されたピンド層の磁化、（ｂ）トンネルバリア層の完全性（integrity）、（ｃ）スイッチング性に優れ、十分に制御された磁化を有するフリー層、の３つである。ＭＴＪ素子の面積抵抗ＲＡや絶縁破壊電圧Ｖｂなどのバリア特性を良好なものとするには、トンネルバリア層の均質化、およびピンホールの除去を行うことが重要である。トンネルバリア層の均質化は、ピンド層や反強磁性層における平滑かつ緻密な結晶成長によって促進される。また、１００００Ω・μｍ2 程度の高いＲＡ値は、面積Ａを大きくすることで得られるものの、面積Ａが小さくなるとＲＡ値も小さくなってしまう。一方、抵抗Ｒが大きすぎると、トランジスタの抵抗と不整合を生じることとなってしまう。
上記（ａ）については、ＭＴＪ素子のピンド層が、典型的なシンセティック反強磁性（ＳｙＡＦ）ピンド構造であればよい。具体的には、ＣｏＦｅ＼Ｒｕ＼ＣｏＦｅというように、ルテニウムからなる結合層を、反強磁性層と隣接して設けられたＣｏＦｅからなるＡＰ２層と、トンネルバリア層と隣接して設けられたＣｏＦｅからなるＡｐ１層とで挟むような構造とすればよい。このようなＳｙＡＦピンド層を採用することで、熱安定性を向上させるだけでなく、ピンド層とフリー層との間の交換結合磁界を最小限とすることができる。その結果、オフセット磁界が低減される。上記（ｂ）については、非晶質の酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）薄膜や結晶質の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）薄膜などをトンネルバリア層として採用すればよい。上記（ｃ）について最適化するには、再現性があり、信頼できるスイッチング特性を確保するため、フリー層をパーマロイ（ＮｉＦｅ）によって構成し５ｎｍ以下の厚みとすればよい。
一般に、キャップ層を設ける目的は、エッチング工程などの製造プロセス中においてＭＴＪ素子におけるその下層部分を保護することにある。他の目的としては、その上層となる導線との電気的な接続を図ることが挙げられる。ＭＴＪ素子における典型的なキャップ層は、タンタル（Ｔａ）や窒化タンタル（ＴａＮ）などの非磁性導電金属によって構成される。アニールの際、キャップ層を構成するタンタル原子は、隣接するフリー層に含まれる酸素原子を吸着することができる。したがって、ＮｉＦｅなどからなるフリー層には酸素原子がほとんど含まれなくなり、トンネルバリア層とフリー層との境界がより明確に区別可能となり、ｄＲ／Ｒが向上することとなる。タンタルからなるキャップ層を採用することの不利な点は、２５０℃を超えるような温度でアニールする際、タンタル原子がＮｉＦｅへ拡散することである。それによって、磁束密度Ｂｓが低減するだけでなく、磁気歪み係数が大きくなってしまう。よって、フリー層とキャップ層との間の内部拡散を最小限度に抑えつつ酸素原子を吸着するような、高いＭＲ比および低い磁歪定数λｓが得られるような、タンタルなどの代わりとなるキャップ層が望まれる。
また、ＭＲＡＭは、数メガビットのＭＴＪ素子が、ＣＭＯＳデバイスを含む駆動回路が形成された基板上に設けられたものである。ＭＲＡＭが完成した後、各ＭＴＪ素子は、準静的テスタによって電気的磁気的探査が行われる。準静的テストによって得られる臨界測定値のうちの1つは、不完全なＭＴＪビットの数を意味するエラーカウント（ＥＣ）である。ＥＣ測定は、以下の第１〜第３のステップを順番に行うものである。第１のステップとして、ＭＲＡＭチップ上の全てのＭＴＪ素子を記憶状態“０”に初期化する（例えば、フリー層の磁化方向とピンド層の磁化方向とを平行にする）ため、１５０Ｏｅ（＝１５０×２５０／π［Ａ／ｍ］）の磁界を磁化容易軸方向へ付与する。第２ステップとして、ワード線およびビット線に電流を流し、フリー層の磁化方向を反転させ、記憶状態“１”に変化させる（フリー層の磁化方向とピンド層の磁化方向とを逆平行にする）。第３のステップとして、各ＭＲＡＭチップにおいて、記憶状態“０”から記憶状態“１”へスイッチングさせようとしたＭＴＪ素子のうち、何個のＭＴＪ素子がスイッチングされていないかをカウントする（これをＥＣ０値とする）。同様にして、各ＭＲＡＭチップにおいて、記憶状態“１”から記憶状態“０”へスイッチングさせようとしたＭＴＪ素子のうち、何個のＭＴＪ素子がスイッチングされていないかをカウントする（これをＥＣ１値とする）。ＥＣ０値とＥＣ１値とを合計することで全体のＥＣ値を得る。１メガビットのＭＲＡＭチップにおいては、１０ｐｐｍ未満とすることが好ましく、特に５ｐｐｍ未満とすることが好ましい。従来のＭＲＡＭでは、ＭＴＪ素子のＥＣ値は２０〜１０００ｐｐｍ程度である。したがって、より低減することが望まれる。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、例えば１メガビットの磁気ランダムアクセスメモリに好適な、例えば４０以上の高いＴＭＲ比を有すると共に１×１０-6 以下の磁歪を有する磁気トンネル接合素子を提供することにある。本発明の第２の目的は、１〜１６メガビットのＭＲＡＭに好適な、ＲＡ値が約１００Ω×μｍ2 である磁気トンネル接合素子を提供することにある。本発明の第３の目的は、製造時のエラーカウントが１０ｐｐｍ未満である磁気トンネル接合素子を提供することにある。
さらに、本発明の第４の目的は、上記のような磁気トンネル接合素子の形成方法を提供することにあり、本発明の第５の目的は、上記のような磁気トンネル接合素子を備えた磁気ランダムアクセスメモリを提供することにある。
本発明の磁気トンネル接合素子は、以下の（Ａ１）〜（Ａ４）の各要件を備えるようにしたものである。
（Ａ１）反強磁性層の上に、第２強磁性層（ＡＰ２層）と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層（ＡＰ１層）とが順に積層されてなるピンド層。
（Ａ２）結晶質ＣｏＦｅ層の上に設けられ、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなるトンネルバリア層。
（Ａ３）トンネルバリア層の上に設けられ、化１で表される合金からなるニッケル鉄合金層を含むフリー層。
（Ａ４）フリー層の上に設けられ、化２で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金層を含むキャップ層。
（化１）
ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化２）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。）
（Ａ１）反強磁性層の上に、第２強磁性層（ＡＰ２層）と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層（ＡＰ１層）とが順に積層されてなるピンド層。
（Ａ２）結晶質ＣｏＦｅ層の上に設けられ、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなるトンネルバリア層。
（Ａ３）トンネルバリア層の上に設けられ、化１で表される合金からなるニッケル鉄合金層を含むフリー層。
（Ａ４）フリー層の上に設けられ、化２で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金層を含むキャップ層。
（化１）
ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化２）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。）
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、互いに交差する第１導線および第２導線と、第１導線と第２導線との間に設けられた磁気トンネル接合素子とを備え、その磁気トンネル接合素子が以下の（Ｂ１）〜（Ｂ４）の各要件を備えるようにしたものである。
（Ｂ１）反強磁性層の上に、第２強磁性層と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層とが順に積層されてなるピンド層。
（Ｂ２）結晶質ＣｏＦｅ層の上に設けられ、酸化アルミニウムからなるトンネルバリア層。
（Ｂ３）トンネルバリア層の上に設けられ、化３で表される合金からなるニッケル鉄合金層を含むフリー層。
（Ｂ４）フリー層の上に設けられ、化４で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金層を含むキャップ層。
（化３）ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化４）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。）
（Ｂ１）反強磁性層の上に、第２強磁性層と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層とが順に積層されてなるピンド層。
（Ｂ２）結晶質ＣｏＦｅ層の上に設けられ、酸化アルミニウムからなるトンネルバリア層。
（Ｂ３）トンネルバリア層の上に設けられ、化３で表される合金からなるニッケル鉄合金層を含むフリー層。
（Ｂ４）フリー層の上に設けられ、化４で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金層を含むキャップ層。
（化３）ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化４）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。）
本発明の磁気トンネル接合素子の形成方法は、基体上に、磁気トンネル接合積層構造を含む磁気トンネル接合素子を形成する方法であって、以下の（Ｃ１）〜（Ｃ４）の各ステップを含むようにしたものである。
（Ｃ１）基体上に、反強磁性層を介して磁気トンネル接合積層構造の一部をなすピンド層を形成するステップ。
（Ｃ２）ピンド層の上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層をラジカル酸化またはプラズマ酸化することで酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなるトンネルバリア層を形成するステップ。
（Ｃ３）トンネルバリア層の上に、化５で表される合金からなるニッケル鉄合金層を含むフリー層を形成するステップ。
（Ｃ４）フリー層の上に、化６で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金層を含むキャップ層を形成するステップ。
ここで、ステップ（Ｃ１）において、反強磁性層の側から第２強磁性層（ＡＰ２層）と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層（ＡＰ１層）とを順に積層することでピンド層を形成する。
（化５）
ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化６）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。）
（Ｃ１）基体上に、反強磁性層を介して磁気トンネル接合積層構造の一部をなすピンド層を形成するステップ。
（Ｃ２）ピンド層の上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層をラジカル酸化またはプラズマ酸化することで酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなるトンネルバリア層を形成するステップ。
（Ｃ３）トンネルバリア層の上に、化５で表される合金からなるニッケル鉄合金層を含むフリー層を形成するステップ。
（Ｃ４）フリー層の上に、化６で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金層を含むキャップ層を形成するステップ。
ここで、ステップ（Ｃ１）において、反強磁性層の側から第２強磁性層（ＡＰ２層）と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層（ＡＰ１層）とを順に積層することでピンド層を形成する。
（化５）
ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化６）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。）
本発明の磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリおよび磁気トンネル接合素子の形成方法では、上記化１（または化２，化３）で表される合金を含むキャップ層を設けるようにしたので、キャップ層における酸素原子の吸着能力が向上し、隣接するフリー層における酸素原子の含有率が低減される。また、キャップ層を単体のタンタルや単体のルテニウム（Ｒｕ）、あるいはＴａＮによって構成した場合とは異なり、キャップ層の構成原子がフリー層中へ拡散する現象が抑制される。さらに、トンネルバリア層と反対側から非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層とが順に積層された２層構造を含む第１強磁性層をトンネルバリア層と接するように配置したので、構造上、ピンホールなどの欠陥の少ない、均質化されたトンネルバリア層が得られる。
本発明の磁気トンネル接合素子およびその形成方法では、非晶質ＣｏＦｅＢ層を化７で表される合金によって構成し、結晶質ＣｏＦｅ層を化８で表される合金によって構成するとよい。
（化７）
ＣｏXＦｅYＢZ
（但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００原子％、Ｘ＝４０〜６０原子％、Ｙ＝２０〜４０原子％、Ｚは１５〜２５原子％である。）
（化８）
ＣｏVＦｅW
（但し、Ｖ＋Ｗ＝１００原子％、Ｖ＝２０〜５０原子％、Ｗ＝５０〜８０原子％である。）
（化７）
ＣｏXＦｅYＢZ
（但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００原子％、Ｘ＝４０〜６０原子％、Ｙ＝２０〜４０原子％、Ｚは１５〜２５原子％である。）
（化８）
ＣｏVＦｅW
（但し、Ｖ＋Ｗ＝１００原子％、Ｖ＝２０〜５０原子％、Ｗ＝５０〜８０原子％である。）
本発明の磁気トンネル接合素子およびその形成方法では、キャップ層の上に、さらに、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有するタンタル（Ｔａ）からなるハードマスクを設けるようにするとよい。
本発明の磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリおよび磁気トンネル接合素子の形成方法によれば、キャップ層として上記化２（または化４，化６）で表される合金を含むものを用いるようにしたので、フリー層の機能が向上する。また、ピンド層のうちの、トンネルバリア層と接する第１強磁性層が、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含むようにしたので、より平滑かつ緻密な、欠陥の少ない結晶構造のトンネルバリア層が得られる。よって、より高い抵抗変化率を得ることができるうえ、製造時の不良率も大幅に低減できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係る磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）構造４０の要部断面図である。このＭＲＡＭ構造４０は、基体２０上に設けられ、互いに直交して延在する複数のワード線２１および複数のビット線３６と、それらの各交差点において積層方向に挟まれるように配置された磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）３１とを備えている。また、下部電極２４とビット線３６との間に挟まれたＭＴＪ素子３１の周囲の空間には、絶縁層３５が充填されている。なお、図１では、ワード線２１、ＭＴＪ素子１０、ビット線３６をそれぞれ１つずつのみ示す。
基体２０は、シリコンやその他の半導体材料からなり、ＭＴＪ素子３１を駆動するためのトランジスタやダイオードなどのデバイスを含むものである。基体２０上には、第１絶縁層２２、第２絶縁層２３、下部電極２４、シード層２５およびＭＴＪ素子３１が順に積層されている。
第１絶縁層２２は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ） や酸化ケイ素などによって構成されている。第１絶縁層２２には、銅などからなる第１導線としてのワード線２１が複数埋設されており、第１絶縁層２２とワード線２１とはそれらの上面が共通平面を形成している。複数のワード線２１は、同一の階層において互いに平行に延在するように設けられている。ワード線２１は、例えば基体２０に埋設されたトランジスタのソース電極（図示せず）と接続されている。なお、ワード線２１は、ディジットライン、データライン、ローライン、コラムラインなどとも呼ばれる。
第２絶縁層２３は、第１絶縁層２２およびワード線２１を覆うように設けられており、例えば第１絶縁層２２と同様にＡｌ2 Ｏ3 や酸化ケイ素などからなるものである。第２絶縁層２３の上に設けられた下部電極２４は、基体２０に埋設されたトランジスタ（図示せず）のドレイン電極と接続されている。
下部電極２４は、例えば、下部シード層、中間導電層、上部キャップ層を含む複合層である。下部電極２４の上面は、ＭＴＪ素子３１の最下層であるシード層２５の下面と接している。
下部電極２４は、ＸＹ平面において矩形をなすように区分された、Ｚ方向の厚みを有する板状の部材である。あるいは、下部電極２４を、ワード線２１と直交するように延在するビット線とし、ＭＴＪ素子３１の上に第２のワード線を別途設けるようにしてもよい。下部電極２４は、例えばシード層と導電層とキャップ層との積層構造であってもよい。その場合のシード層としては、ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）、タンタルあるいは窒化タンタル（ＴａＮ）などが挙げられる。導電層としては、ルテニウム（Ｒｕ），ロジウム（Ｒｈ），イリジウム（Ｉｒ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），α−Ｔａなどを用いることができる。さらに、キャップ層としては、例えば非晶質のタンタル層がよい。このような３層構造とすれば、その上に形成されるＭＴＪ素子３１の各層における均質性を高めると共に高密度な結晶成長を促進する機能を発揮するからである。
ＭＴＪ素子３１は、下部電極２４の上に、シード層２５、反強磁性層２６、シンセティック反強磁性（ＳｙＡＦ）ピンド層２７、トンネルバリア層２８、フリー層２９、キャップ層３０、ハードマスク３２が順に積層されたものである。
シード層２５は、４ｎｍ以上６ｎｍ以下（４０Å以上６０Å以下）の厚みを有していることが望ましい。特に、４．５ｎｍ（４５Å）の厚みを有し、クロム（Ｃｒ）の含有率が３５原子％〜４５原子％のニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）によって構成されていることが望ましい。あるいは、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）やニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）などによってシード層２５を構成するようにしてもよい。このようなシード層２５は、下部電極２４における非晶質のタンタルからなるキャップ層の上に形成される場合、＜１１１＞方向に結晶成長し、平滑かつ緻密な構造となる。その結果、その上に形成されるＭＴＪ素子３１の残りの層も、結晶成長の際、平滑かつ緻密な構造となる。
反強磁性層２６は、好ましくはマンガン白金合金（ＭｎＰｔ）からなり、例えば１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下（１００Å以上２００Å以下）、好ましくは１５ｎｍ（１５０Å）の厚みを有するものである。反強磁性層２６の構成材料としては、上記のほか、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）、ニッケルマンガン合金（ＮｉＭｎ）、オスミウムマンガン合金（ＯｓＭｎ）、ルテニウムマンガン合金（ＲｕＭｎ）、ロジウムマンガン合金（ＲｈＭｎ）、パラジウムマンガン合金（ＰｄＭｎ）、ルテニウムロジウムマンガン合金（ＲｕＲｈＭｎ）、マンガン白金パラジウム合金（ＭｎＰｔＰｄ）などが好適である。反強磁性層２６は、Ｙ軸方向に沿った磁化を有している。外部磁界を印加しつつ反強磁性層を形成することで適切な方向に磁化が配列される。
ＳｙＡＦピンド層２７は、第２強磁性層（ＡＰ２）層＼結合層＼第１強磁性層（ＡＰ１）という３層構造（シンセティック反強磁性ピンド構造）を有する。ここで、ＡＰ１層は下層としての非晶質ＣｏＦｅＢ層と、上層としての結晶質ＣｏＦｅＢ層との２層構造を有する。ＡＰ１層の上層としての結晶質ＣｏＦｅＢ層は、トンネルバリア層２８と接することとなる。ＳｙＡＦピンド層２７は、熱安定性を向上させるだけでなく、フリー層２９との間に生じる層間結合磁界（オフセット磁界）を低減するのに有効な構造である。反強磁性層２６の上面と接するＡＰ２層は、例えば鉄含有率が２５原子％のコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり、２．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下（２０Å以上３０Å以下）、好ましくは２．３ｎｍ（２３Å）の厚みを有するものである。ＡＰ２層の磁気モーメントは、ＡＰ１層の磁気モーメントと反平行となるように固定されている。ＡＰ１層とＡＰ２層とは、厚みに僅かな差があり、それによってＳｙＡＦピンド層２７との間にＹ軸に沿ったネット磁気モーメントを発生させるようになっている。ＡＰ１層とＡＰ２層との交換結合は、その間に挟まれた結合層によって助長（facilitated）される。結合層は、好ましくはルテニウムからなり、０．７５ｎｍ（７．５Å）の厚みを有している。ルテニウムの代わりに、ロジウムやイリジウムなどを用いてもよい。
一つの形態として、ＡＰ１層が２層構造の場合、ルテニウムからなる結合層の上に形成される下層が、例えば１．２ｎｍ以上１．８ｎｍ以下（１２Å以上１８Å以下）、好ましくは１．５ｎｍ（１５Å）の厚みを有し、非晶質のＣｏＦｅＢによって構成される。非晶質ＣｏＦｅＢは、コバルトの含有率が４０〜６０原子％、鉄の含有率が２０〜４０原子％、ホウ素の含有率が１５〜２５原子％のものである。特に、コバルトの含有率が６０原子％、鉄の含有率が２０原子％、ホウ素の含有率が２０原子％のものである。ＣｏＦｅＢが非晶質となるには、ホウ素の含有率が１５％以上であることが必要である。また、鉄の含有率を高するとＭＲ比が向上する傾向にあり、低くすると保磁力Ｈｃや磁歪定数が低下する傾向にある。ＡＰ１層における上層としての結晶質ＣｏＦｅ層は、例えば鉄含有率が２０〜５０原子％、好ましくは２５原子％であり、厚みが０．５〜０．７ｎｍ（５〜７Å）、好ましく名０．６ｎｍ（６Å）のものである。よって、ＡＰ１層における好ましい構造は、非晶質のＣｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 からなる下層と、結晶質のＣｏ75 Ｆｅ25 からなる上層との２層構造である。
ＳｙＡＰ層２７の上には、例えばＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８が設けられている。以前、本発明者は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるトンネルバリア層を、マグネシウム層をラジカル酸化することで形成する方法について開示している（米国特許出願公開第２００７／００１５２９４号明細書を参照）が、その形成方法をそのまま流用してＡｌＯｘからなるトンネルバリア層を形成することができる。ＭｇＯからなるトンネルバリア層は、マグネシウム層をプラズマ酸化することで形成可能である。それについては、R. Daveが以下の参考文献１に開示している。
（参考文献１）
「ＭｇＯ−ベースド・トンネルジャンクション・マテリアル・フォー・ハイ・スピード・トグル・エムラム（MgO-based tunnel junction material for high speed Toggle MRAM）」，アイ・トリプルイー・トランザクションズ・オブ・マグネティクス（IEEE Trans. Magn.），Ｖ４２，ｐ．１９３５−１９３９，２００６年。
（参考文献１）
「ＭｇＯ−ベースド・トンネルジャンクション・マテリアル・フォー・ハイ・スピード・トグル・エムラム（MgO-based tunnel junction material for high speed Toggle MRAM）」，アイ・トリプルイー・トランザクションズ・オブ・マグネティクス（IEEE Trans. Magn.），Ｖ４２，ｐ．１９３５−１９３９，２００６年。
例えばＭｎＰｔからなる反強磁性層２６と、非晶質ＣｏＦｅＢ層（例えば非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層）を含むＡＰ１層とを採用することで、その上に設けられるトンネルバリア層２８が平滑なものとなる。また、ＡＰ２層としての結晶質のＣｏＦｅ層は、ＭｎＰｔからなる反強磁性層２６との交換バイアスを通じて、強力に磁化が固定されたＳｙＡＦピンド層２７を形成する。
トンネルバリア層２８としては、ＡｌＯｘの代わりに、アルミ・チタン複合酸化物（ＡｌＴｉＯｘ）を用いてもよい。平滑性に優れるＡＰ１層の上に形成されるトンネルバリア層２８は、優れた平滑性と均質性とを有するものである。進化した（特に１メガビットの）ＭＲＡＭに対応するにあたっては、１０００Ω×μｍ3 に達する面積抵抗ＲＡと、４５〜５０％に達する抵抗変化率ｄＲ／Ｒと、１×１０-6未満の磁歪定数と、１０ｐｐｍ以下のエラーカウントとを全て同時に実現することが望ましい。よって、以下のような、最適化されたトンネルバリア層２８を採用するとよい。具体的には、厚さ０．８５〜０．９ｎｍ（８．５〜９Å）、好ましくは０．８７５ｎｍ（８．７５Å）のアルミニウム層をＡＰ１層の上に形成したのち、それをラジカル酸化法またはプラズマ酸化法により酸化することで得られるＡｌＯｘ層をトンネルバリア層２８として採用することがより望ましい。そのようにして得たＡｌＯｘ層は、ピンホールが極めて少なく、良好なトンネル効果が得られ、ＭＴＪ素子３１の特性が向上するからである。ラジカル酸化またはプラズマ酸化のプロセスは、ＭＴＪ素子３１の各層の成膜に使用するスパッタ蒸着装置に組み込まれた酸化用チャンバの内部において実施されるようにするとよい。なお、通常のトンネルバリア層としてのＡｌＯｘ層は、厚さ０．７〜０．８２５ｎｍ（７〜８．２５Å）のアルミニウム層をラジカル酸化法またはプラズマ酸化法により酸化することで得られるものである。
トンネルバリア層２８の上に形成されるフリー層２９は、例えばニッケル鉄合金（ＮｉRＦｅS ）によって構成される。ここで、Ｒ＋Ｓ＝１００であり、Ｓは８〜２１原子％、好ましくは１２原子％である。このようなフリー層２９は、磁歪定数の小さなものである。フリー層２９は、２．５ｎｍ以上３．５ｎｍ以下（２５Å以上３５Å以下）、特に３．０ｎｍ（３０Å）の厚みであるとよい。また、例えば記憶状態０の場合に、ピンド層と同じく、Ｙ軸に沿った磁化を有する。ＭＴＪ素子３１は、平面形状が楕円であり、その楕円の長軸が磁化容易軸となっている。ここでは、ＭＴＪ素子３１の平面形状の長軸がＹ軸と平行になるようにしている。また、フリー層２９は、例えばＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅのような複合層であってもよい。
本発明における重要な特徴として、以下のようなキャップ層３０がフリー層２９の上に設けられている点が挙げられる。キャップ層３０は、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子である。）を含むものである。キャップ層３０は、好ましくは、１．５ｎｍ以上５．０ｎｍ以下（１５Å以上５０Å以下）、特に好ましくは４．５ｎｍ（４５Å）以下の厚みを有する（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆBからなるＮｉＦｅＨｆ層を含むように構成されるものである。このような、ＮｉＦｅＭを含むキャップ層３０は、ＭＲ比を向上させるのに好適なものである。磁化を低減するため、ＮｉＦｅＨｆ層中のハフニウムの含有率は１０原子％以上とする必要がある。また、ニッケル原子と鉄原子との比率は、隣接するフリー層２９と同様とすることが望ましい。ハフニウムの含有率の上限は、ＮｉRＦｅSのｓが２１原子％である場合、２５原子％であるとよい。すなわち、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％であるとよい。特に、（Ｎｉ78 Ｆｅ21 ）75であるとよい。そのような組成とすることで、非磁性層としてふるまうこととなる。このような、ＮｉＦｅＨｆ層を含むキャップ層３０は、ＮｉＦｅのターゲットと、ハフニウムのターゲットとを用いた同時並行スパッタリングによって形成される。ＮｉＦｅのターゲットにおける鉄含有率が２１原子％未満である場合、非磁性とするためには、ハフニウムの含有率を２５原子％未満とする必要がある点に留意すべきである。例えば、［Ｎｉ82.5 Ｆｅ17.5 ］1-B ＨｆB の場合、非磁性とするにはハフニウムの含有率Ｂが２５原子％未満であることが要求される。ここで、ハフニウムの含有率が増大すると、ＮｉＦｅＨｆにおける酸素除去能力が向上する。
ＮｉＦｅＨｆ層を含むキャップ層３０によって、フリー層２９に存在する酸素が除去され、ＭＲ比が向上すると考えられる。ＮｉＦｅＨｆ層を含むキャップ層３０をフリー層２９と隣接させることで、フリー層２９の導電性が高まり、結果としてｄＲ／Ｒが上昇する。ＮｉＦｅＨｆ層の酸素除去能力は、ハフニウムがニッケルや鉄の酸化電位よりも高いことによって著しく発揮される。
ＮｉＦｅＨｆ層を含むキャップ層３０を採用することの他の利益は、それがフリー層とキャップ層との間のデッドレイヤーを実質的に除去できることにある。このデッドレイヤーは、一般的には０．３ｎｍから０．６ｎｍの厚みのフリー層に相当するものであり、フリー層とキャップ層との界面における物質の混合によって生じるものである。例えば、従来のルテニウムやタンタルからなるキャップ層の場合、ルテニウムやタンタルは、フリー層を構成するＮｉＦｅの内部に移動（migrate）し、フリー層の磁気モーメントを僅かに低下させてしまう。デッドレイヤーは、フリー層と、それと隣接するキャップ層との格子整合性（lattice matching）が乏しいことに起因する。本発明においては、ＮｉＦｅＨｆ層の存在により、このような格子整合性が最適化され、デッドレイヤーを除去し、実質的にフリー層として機能する部分を広げることで、デバイスの熱安定性を高めることができる。これは、フリー層の体積Ｖが、（Ｋｕ×Ｖ）／（Ｋｂ×Ｔ）で表される熱安定化因子（thermal stability factor ）に直接関わるからである。ここで、Ｋｕは、磁気異方性エネルギーであり、ｋｂはボルツマン定数であり、Ｔは絶対温度である。
キャップ層３０としては、ＮｉＦｅＨｆのほか、ＮｉＦｅＺｒ、ＮｉＦｅＮｂなどを用いることも可能である。ジルコニウム（Ｚｒ）やニオブ（Ｎｂ）もＮｉおよびＦｅよりも酸化電位が高い元素である。また、キャップ層３０は、ＮｉＦｅＭ層を含む複合層であってもよい。例えば、フリー層２９の側から、ＮｉＦｅＨｆ層と、タンタル層とが順に積層された２層構造でもよい。あるいは、フリー層２９の側から、ＮｉＦｅＨｆ層と、タンタル層と、ルテニウム層とが順に積層された３層構造でもよい。３層構造の場合、ＮｉＦｅＨｆ層の厚みは１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ（１０Å以上５０Å以下）であり、タンタル層の厚みは３．０ｎｍ以上５．０ｎｍ（３０Å以上５０Å以下）であり、ルテニウム層の厚みは３．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ（３０Å以上１００Å以下）であるとよい。
ハードマスク３２は、例えば４０．０ｎｍ以上６０．０ｎｍ（４００Å以上６００Å以下）、好ましくは５０．０ｎｍ（５００Å）の厚みを有し、タンタルによって構成されている。ハードマスク３２の上面は、ビット線３６の下面と接している。
続いて、図１と共に図２を参照して、本実施の形態のＭＲＡＭ構造４０の製造方法について説明する。ここでは、併せてＭＴＪ素子３１の形成方法についても説明する。なお、図２は、ＭＲＡＭ構造４０の製造方法における一工程を表す断面図である。
まず、予めトランジスタなどを埋設した基板２０の上に、第１絶縁層２２およびワード線２１を形成する。ワード線２１は、例えば銅（Ｃｕ）のめっき浴を用いためっき法により形成する。次いで、全体を覆うように第２絶縁層２３を形成したのち、平面形状が矩形の下部電極２４を選択的に形成し、全体を絶縁層（図示せず）によって覆う。そののち、下部電極２４の上面が露出するまで研磨し、下部電極２４と接するようにＭＴＪ素子３１を形成する。
ＭＴＪ素子３１については、まず、例えばスパッタリング法やイオンビームデポジッション（ＩＢＤ）によってシード層２５、反強磁性層２６、ＳｙＡＦピンド層２７を順に形成する。そののち、ＳｙＡＦピンド層２７の上にアルミニウム層を形成し、これをラジカル酸化法またはプラズマ酸化法により酸化することでＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８を得る。例えばラジカル酸化法の場合、そのサイクル時間を延長することによってＡｌＯｘの酸化状態を変えることができる。標準的なラジカル酸化の条件は、０．８２５ｎｍ以上０．９ｎｍ以下の厚みでアルミニウム層を形成した場合、ＲＦ電力が５００ワット以上８００ワット以下であり、酸素流量が５．００×１０-5 ｍ3 ／秒（＝０．３slm）以上１０．００×１０-5 ｍ3 ／秒（＝０．６slm）以下であり、処理時間は５０〜７０秒である。特に、本実施の形態では、ラジカル酸化のサイクル時間を、トータルで７５〜１２０秒とすることが望ましい。予想されるように、ラジカル酸化の処理時間を長くすれば、トンネルバリア層２８の面積抵抗ＲＡはより高くなる。例えば、０．８２５ｎｍ（８．２５Å）のアルミニウム層を１０５秒間、ラジカル酸化することで、成膜後の酸化処理前の段階で１１００Ω×μｍ2 であったものが２５００Ω×μｍ2 にまで増加する。トンネルバリア層２８を形成したのち、上述した所定の材料を用いてフリー層２９、キャップ層３０およびハードマスク３２を所定の厚みで順に積層する。キャップ層３０の最上層をタンタル層とし、かつ、ハードマスク３２をタンタル層とする場合、まず、２０〜５０ｓｃｃｍの流量でアルゴンガスをチャンバ内へ流入させながらキャップ層３０の上層としてのタンタル層を形成したのち、続いて、５０〜１００ｓｃｃｍの流量でアルゴンガスをチャンバ内へ流入させながらハードマスク３２としてのタンタル層を形成するとよい。両者の界面での応力を低減するためである。
下部電極２４および、その上に設けられたシード層２５、反強磁性層２６、ＳｙＡＦピンド層２７、トンネルバリア層２８、フリー層２９、キャップ層３０およびハードマスク３２からなる積層膜は、いずれも同一の成膜装置を利用して形成するとよい。例えば、各々５つのターゲットを有する３つの物理的気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバと、酸化チャンバと、スパッタエッチングチャンバとを備えたアネルバ社製のスパッタリング装置「Ｃ−７１００」などにおいて形成可能である。ここで、少なくともＰＶＤチャンバは、同時並行スパッタリング（co-sputtering）が可能なものが望ましい。通常、スパッタリングによる成膜プロセスは、アルゴンガスや、基板上に堆積する材料としての金属あるいは合金からなるターゲットを必要とする。下部電極２４、およびのちにＭＴＪ素子３１となる積層膜は、スループットを向上させるため、スパッタリング装置における一回のポンプダウンの後に連続して形成するとよい。
上記したように積層膜を形成したのち、全体をアニール処理する。例えば、上記積層膜を真空引きされたチャンバ内に入れ、磁化容易軸であるＹ軸に沿って１００００Ｏｅ（＝１０4×２５０／π［Ａ／ｍ］）程度の磁界を印加しながら１〜５時間に亘って２５０℃〜３００℃の環境下でアニール処理する。
アニール処理ののち、フォトリソグラフィ法などにより積層膜をパターニングすることで所望の平面形状を有するＭＴＪ素子３１を得る。具体的には、図２に示したように、ハードマスク３２の上に、Ｘ軸方向において幅Ｗを有する所定形状のフォトレジスト層３４を形成したのち、そのフォトレジスト層３４をエッチングマスクとして使用してハードマスク３２をパターニングする。パターニングは、イオンビームエッチング（ＩＢＥ）や反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などによって、ハードマスク３２のうちのフォトレジスト層３４に覆われていない部分を除去するようにする。ハードマスク３２のエッチングののち、フォトレジスト層３４は剥がれるか、あるいは、ハードマスク３２の上に残留したままの状態となるかのいずれかである。いずれにせよ、ハードマスク３２は、シード層２５、反強磁性層２６、ＳｙＡＦピンド層２７、トンネルバリア層２８、フリー層２９、キャップ層３０の各層を除去する第２のＲＩＥプロセスにおいてプライマリ・エッチングマスクとして使用される。その結果、積層膜は、キャップ層３０がＸ軸方向においてシード層２５よりも狭い幅となるように傾斜した側壁３３を有するＭＴＪ素子３１が完成する。
ＭＴＪ素子３１を形成したのち、フォトレジスト層３４を除去し、さらに絶縁層３５を、露出した下部電極２４を覆い、かつＭＴＪ素子３１の両隣を埋めるように形成する。このとき、絶縁層３５の上面がハードマスク３２の上面３２ａに達する程度に、絶縁層３５を十分な厚みで形成する。こののち、絶縁層３５をＣＭＰ処理などにより平坦化し、絶縁層３５の上面がハードマスク３２の上面３２ａと同じ高さ位置となるように、すなわち、共通平面を形成するようにする。
続いて、上部導体（ビット線）３６を絶縁層３５およびハードマスク３２の上面を覆うように形成する。ビット線３６は、ワード線２１と直交して延在するように形成される。また、ビット線３６は、複合層であってもよい。例えば、ビット線３６は、銅、金、ルテニウム、アルミニウムからなる中心導体と、その周囲の面を取り囲む拡散防止層（接着層として機能させてもよい）とを有する構造であってもよい。以上により、ＭＲＡＭ構造４０が完成する。
このようにして得られた本実施の形態のＭＲＡＭ構造４０では、ＭＴＪ素子３１に対し、積層面に垂直な方向（Ｘ軸およびＹ軸に直交するＺ軸に沿った方向）にセンス電流を流すことで情報の読み出しが行われる。
本実施の形態では、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子である。）で表される合金を含むキャップ層３０を設けるようにしたので、キャップ層３０における酸素原子の吸着能力が向上し、隣接するフリー層２９における酸素原子の含有率が低減される。その結果、フリー層２９の性能が向上する。また、キャップ層３０を単体のタンタルや単体のルテニウム、あるいはＴａＮによって構成した場合とは異なり、キャップ層３０の構成原子がフリー層２９中へ拡散する現象が抑制される。さらに、トンネルバリア層２８と反対側から非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層とが順に積層された２層構造を含むＡＰ１層をトンネルバリア層２８と接するように配置したので、構造上、ピンホールなどの欠陥の少ない、均質化されたトンネルバリア層２８が得られる。よって、より高い抵抗変化率を得ることができるうえ、製造時の不良率も大幅に低減できる。
（実施例１）
ＡＰ１層としての非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層（１．３ｎｍ厚）＼結晶質Ｃｏ75 Ｆｅ25 層（０．８ｎｍ厚）と、トンネルバリア層としてのＡｌＯｘ層と、フリー層２９としてのＮｉＦｅ層とを積層した構造体「ＣｏＦｅＢ層＼ＣｏＦｅ層ＡｌＯｘ層＼ＮｉＦｅ層」を含むＭＴＪ素子３１について磁気特性の評価をおこなった。ここでは、Ｔａ＼Ｒｕ（２０ｎｍ厚）＼α−Ｔａ（１０ｎｍ厚）からなる下部電極２４の上に、４．５ｎｍ厚のＮｉＣｒ層（シード層）、１５ｎｍ厚のＭｎＰｔ層（反強磁性層）、２ｎｍ厚のＣｏ75Ｆｅ25 層（ＡＰ２層）、０．７５ｎｍ厚のＲｕ層（結合層）、ＡＰ１層、ＡｌＯｘ層（トンネルバリア層）、２．９ｎｍ厚のＮｉ88 Ｆｅ12 層（フリー層）、（Ｎｉ88 Ｆｅ12 ）85 Ｈｆ15 （４．５ｎｍ厚）＼Ｔａ（３．０ｎｍ厚）＼Ｒｕ（１０．０ｎｍ厚）からなるキャップ層とを設けるようにした。トンネルバリア層は、０．８２５ｎｍ厚のアルミニウム層をラジカル酸化することで得た。ラジカル酸化の条件は、処理時間を６５秒間、酸素ガス流量を１０．００×１０-5 ｍ3 ／秒（＝０．６slm）、ＲＦ電力を８００ワットとした。さらに、２８０℃で１００００Ｏｅの磁界を付与しながら５時間に亘ってアニール処理をおこなった。このＭＴＪ素子の磁気特性については、ＣＩＰＴ（current-in-plane tester）を用いて測定し、Ｂ−Ｈ曲線から算出した。結果を表１に示す。表１において、Ｂｓは磁束密度、Ｈｃは保磁力、Ｈｅはピンド層とフリー層との間に生じる層間結合磁界、Ｈｋは一軸異方性磁界である。
ＡＰ１層としての非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層（１．３ｎｍ厚）＼結晶質Ｃｏ75 Ｆｅ25 層（０．８ｎｍ厚）と、トンネルバリア層としてのＡｌＯｘ層と、フリー層２９としてのＮｉＦｅ層とを積層した構造体「ＣｏＦｅＢ層＼ＣｏＦｅ層ＡｌＯｘ層＼ＮｉＦｅ層」を含むＭＴＪ素子３１について磁気特性の評価をおこなった。ここでは、Ｔａ＼Ｒｕ（２０ｎｍ厚）＼α−Ｔａ（１０ｎｍ厚）からなる下部電極２４の上に、４．５ｎｍ厚のＮｉＣｒ層（シード層）、１５ｎｍ厚のＭｎＰｔ層（反強磁性層）、２ｎｍ厚のＣｏ75Ｆｅ25 層（ＡＰ２層）、０．７５ｎｍ厚のＲｕ層（結合層）、ＡＰ１層、ＡｌＯｘ層（トンネルバリア層）、２．９ｎｍ厚のＮｉ88 Ｆｅ12 層（フリー層）、（Ｎｉ88 Ｆｅ12 ）85 Ｈｆ15 （４．５ｎｍ厚）＼Ｔａ（３．０ｎｍ厚）＼Ｒｕ（１０．０ｎｍ厚）からなるキャップ層とを設けるようにした。トンネルバリア層は、０．８２５ｎｍ厚のアルミニウム層をラジカル酸化することで得た。ラジカル酸化の条件は、処理時間を６５秒間、酸素ガス流量を１０．００×１０-5 ｍ3 ／秒（＝０．６slm）、ＲＦ電力を８００ワットとした。さらに、２８０℃で１００００Ｏｅの磁界を付与しながら５時間に亘ってアニール処理をおこなった。このＭＴＪ素子の磁気特性については、ＣＩＰＴ（current-in-plane tester）を用いて測定し、Ｂ−Ｈ曲線から算出した。結果を表１に示す。表１において、Ｂｓは磁束密度、Ｈｃは保磁力、Ｈｅはピンド層とフリー層との間に生じる層間結合磁界、Ｈｋは一軸異方性磁界である。
実施例１に対する比較例１として、ＡＰ１層を単層の非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層（２．１ｎｍ厚）としたことを除き、他は同様の構成を有するＭＴＪ素子を作製し、磁気特性の評価をおこなった。結果を併せて表１に示す。
表１に示したように、実施例１ではＲＡ値が７５３Ω×μｍ2 であり、比較例１のＲＡ値１１０６Ω×μｍ2 よりも低い値となっている。さらに、実施例１では、比較例１よりも高いＭＲ比が得られた。これらの結果（ＲＡ値が低く、ＭＲ比が高いという結果）は、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層を、非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層の上に設けた場合よりも結晶質Ｃｏ75 Ｆｅ25 層の上に設けるようにした場合に、その均質性をより向上させることができることを意味している。さらに、表１には示さないが、飽和磁界Ｈｓも、実施例１のほうが比較例１よりも高い値を示すことが確認された。この結果、より磁気的に強固なＳｙＡＦピンド層が得られたといえる。
（実施例２−１，２−２）
トンネルバリア層の構成を変えたことを除き、他は実施例１と同様の構成を有するＭＴＪ素子を作製し、磁気特性の評価をおこなった。その結果を表２に示す。表２において、λはフリー層の磁歪定数を表す。
トンネルバリア層の構成を変えたことを除き、他は実施例１と同様の構成を有するＭＴＪ素子を作製し、磁気特性の評価をおこなった。その結果を表２に示す。表２において、λはフリー層の磁歪定数を表す。
上述したように、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層は、ラジカル酸化の処理時間を長くするなどしてより強く酸化された状態となる。実施例１では、０．８２５ｎｍ（８．２５Å）の厚みのアルミニウム層をＡｌＯｘ層へ変化させるようにしたが、本実施例では、０．８５ｎｍ（８．５Å）または０．９０ｎｍ（９．０Å）の厚みのアルミニウム層をラジカル酸化によりＡｌＯｘ層へ変化させるようにした。ラジカル酸化の処理時間は、実施例１における６５秒間よりも長くし、７０秒間（実施例２−１）または１０５秒間（実施例２−２）とした。また、実施例２−１では、ＡＰ１層における非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層の厚みを１．５ｎｍとすると共に結晶質Ｃｏ75 Ｆｅ25 層の厚みを０．６ｎｍとし、フリー層２９としてのＮｉ88 Ｆｅ12 層の厚みを２．８ｎｍとし、キャップ層３０における（Ｎｉ88 Ｆｅ12 ）85 Ｈｆ15 の厚みを３．９ｎｍとした。
実施例２−１，２−２に対する比較例２として、ＡＰ１層を単層の非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層（２．１ｎｍ厚）とし、０．８７５ｎｍ（８．７５Å）の厚みのアルミニウム層をＡｌＯｘ層へ変化させたトンネルバリア層を用いたことを除き、他は実施例２−１，２−２と同様の構成を有するＭＴＪ素子を作製し、磁気特性の評価をおこなった。結果を併せて表２に示す。
表２に示したように、ＡＰ１層におけるＡｌＯｘ層と接する部分が、非晶質ＣｏＦｅＢからなる場合（比較例２）よりも結晶質ＣｏＦｅからなる場合（実施例２−１，２−２）に、より高いＭＲ比をもたらす。これは、より高いスピン偏極（spin polarization）を発生させるからと考えられる。さらに、実施例２−１，２−２では、比較例２よりも磁歪定数λを低減することができた。また、実施例１、実施例２−１，２−２の比較により、より厚みの大きな（例えば０．８５〜０．９ｎｍの厚みを有する）アルミニウム層を酸化処理することで、高いＲＡ値を示すＭＴＪ素子が得られることがわかった。特に、実施例２−１では、比較的高いＴＭＲと、小さなＲＡ値と、低い磁歪定数λとがバランス良く得られたことから、特に応答性に優れたものといえる。よって、１メガビットのＭＲＡＭに好適である。また、表２には示さないが、いずれの場合も、均質性が高まると共にピンホール（hot spots）が減少するなど、トンネルバリア層の質が向上しており、エラーカウントが低減した。エラーカウントは、内部短絡、隙間（opens）、あるいは磁気的な欠陥を含むものと理解される。
なお、ＮｉＦｅＨｆ＼Ｔａ＼Ｒｕの３層構造からなるキャップ層３０における最上層のルテニウム層は、ＮｉＦｅＨｆ＼Ｔａという２層構造に省略してもよい。ＭＴＪ素子３１の最上層としてのルテニウム層を除去することで、ＭＴＪ素子３１のパターニングに使用されるＲＩＥプロセスにおいて、パターン化されたＭＴＪ素子３１の側壁３３上の残留物を減らすことができる。このような、側壁に付着した残留物の少ないきれいなＭＴＪ素子３１では、エラーカウントが減少する。しかしながら、本実施例では、ＣＩＰＴ測定を容易にするため、ルテニウム層をＭＴＪ素子３１の最上層に残したままとした。また、ここでは、モニターウェハ上のＭＴＪ素子３１において、キャップ層３０の最上層をルテニウム層としたが、実際のＭＲＡＭ構造においては、ＮｉＦｅＨｆからなる単層のキャップ層３０とし、その上に５０ｎｍから６０ｎｍ厚のタンタルからなるハードマスクを設けるようにすることが望ましい。
さらに、当業者にはよく知られた準静的試験（quasistatic test）では、ＡＰ１層＼トンネルバリア層＼フリー層が、結晶質Ｃｏ75 Ｆｅ25 層＼ＡｌＯｘ層＼結晶質ＮｉＦｅ層の３層構造からなる場合、非晶質ＣｏＦｅＢ層＼ＡｌＯｘ層＼結晶質ＮｉＦｅ層の３層構造からなる場合と比べ、ＭＲ比とバイアス磁界との関係において、より対称性の高い特性を示すことがわかった。
（実施例３−１）
０．８５ｎｍ（８．５Å）の厚みのアルミニウム層を７５秒間に亘るラジカル酸化によりＡｌＯｘ層へ変化させることでトンネルバリア層２８を作製すると共に、キャップ層３０の構成を（Ｎｉ88 Ｆｅ12 ）85 Ｈｆ15 （４．０ｎｍ厚）＼Ｔａ（５．０ｎｍ厚）の２層構造としたことを除き、他は実施例２−１と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
０．８５ｎｍ（８．５Å）の厚みのアルミニウム層を７５秒間に亘るラジカル酸化によりＡｌＯｘ層へ変化させることでトンネルバリア層２８を作製すると共に、キャップ層３０の構成を（Ｎｉ88 Ｆｅ12 ）85 Ｈｆ15 （４．０ｎｍ厚）＼Ｔａ（５．０ｎｍ厚）の２層構造としたことを除き、他は実施例２−１と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
（実施例３−２）
０．９０ｎｍ（９．０Å）の厚みのアルミニウム層を１００秒間に亘るラジカル酸化によりＡｌＯｘ層へ変化させることでトンネルバリア層２８を作製したことを除き、他は実施例３−１と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
０．９０ｎｍ（９．０Å）の厚みのアルミニウム層を１００秒間に亘るラジカル酸化によりＡｌＯｘ層へ変化させることでトンネルバリア層２８を作製したことを除き、他は実施例３−１と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
比較例３−１として、ＡＰ１層を単層の非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層（２．１ｎｍ厚）とし、０．８２５ｎｍ（８．２５Å）の厚みのアルミニウム層を７０秒間に亘るラジカル酸化によりＡｌＯｘ層へ変化させることでトンネルバリア層を作製し、フリー層を２．７ｎｍ厚のＮｉ79 Ｆｅ21 層とし、キャップ層をＲｕ（３．０ｎｍ厚）＼Ｔａ（３．０ｎｍ厚）＼Ｒｕ（１０．０ｎｍ厚）の３層構造としたことを除き、他は実施例３−１と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
比較例３−２として、フリー層を３．８ｎｍ厚のＮｉ82.5 Ｆｅ17.5 層としたことを除き、他は比較例３−１と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
比較例３−３として、フリー層を１．０ｎｍ厚のＮｉ79 Ｆｅ21 層と２．３ｎｍ厚のＮｉ88 Ｆｅ12 層との２層構造とし、キャップ層を（Ｎｉ88 Ｆｅ12 ）85 Ｈｆ15 （２．５ｎｍ厚）＼Ｔａ（３．０ｎｍ厚）＼Ｒｕ（１０．０ｎｍ厚）からなる３層構造としたことを除き、他は比較例３−１と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
比較例３−４として、フリー層を２．７ｎｍ厚のＮｉ88 Ｆｅ12 層とし、キャップ層を（Ｎｉ88 Ｆｅ12 ）85 Ｈｆ15 （４．５ｎｍ厚）＼Ｔａ（３．０ｎｍ厚）＼Ｒｕ（１０．０ｎｍ厚）からなる３層構造としたことを除き、他は比較例３−３と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
比較例３−５として、ＡＰ１層を単層の非晶質Ｃｏ60 Ｆｅ20 Ｂ20 層（２．１ｎｍ厚）とし、０．８７５ｎｍ（８．７５Å）の厚みのアルミニウム層を９０秒間に亘るラジカル酸化によりＡｌＯｘ層へ変化させることでトンネルバリア層を作製したことを除き、他は実施例３−１と同様にしてＭＴＪ素子を作製した。
これら各実施例および比較例について、面積抵抗ＲＡ、ＭＲ比、単位面積当たりの抵抗Ｒｐ（＝ＲＡ／Ａ）、Ｒｐ値の共分散Ｒｐ_COV、Ｖ５０、エラーカウントＥＣを求めた。その結果を表３に示す。Ｖ５０は、ＭＲ比が最大値の半分となる時点でのバイアス電圧である。またエラーカウントＥＣは、１メガビットのＭＲＡＭに適したＭＴＪ素子特性であるかどうかを見極めるために測定した。エラーカウントＥＣとは、１つのＭＲＡＭを構成する１００万個のＭＴＪ素子のうち、不良と見なされたＭＴＪ素子の数を意味する。表３においてＥＣ（最高値）は、テストしたウェハ上の全８６個のＭＲＡＭのうちの最もよいサンプルのエラーカウント値を示し、ＥＣ（平均値）は、テストしたウェハ上の全８６個のＭＲＡＭにおける平均のエラーカウント値を示す。
表３に示したように、実施例３−１，３−２では、比較例３−１〜３−５よりも同等以上のＭＲ比が得られると共に、極めて低い（良好な）ＥＣ値が得られた。すなわち、本実施例では、ＮｉＦｅＨｆ層を含むキャップ層とすることでフリー層の機能が向上するうえ、トンネルバリア層と反対側から非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含むＡＰ１層を採用することで、より平滑かつ緻密な、欠陥の少ない結晶構造のトンネルバリア層が得られ、結果として、ＭＲ比を向上させつつ、製造時の不良率も大幅に低減できることがわかった。
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。すなわち当技術分野を熟知した当業者であれば理解できるように、上記実施の形態は本願発明の一具体例であり、本願発明は、上記の内容に限定されるものではない。製造方法、構造および寸法などの修正および変更は、本発明と一致する限り、好ましい具体例に対応して行われる。
２１…ワード線、２２…第１絶縁層、２３…第２絶縁層、２４…下部電極、２５…シード層、２６…反強磁性層、２７…ＳｙＡＦピンド層、２８…トンネルバリア層、２９…フリー層、３０…キャップ層、３１…ＭＴＪ素子、３２…ハードマスク、３３…端面、３４
Claims (16)
- 反強磁性層の上に、第２強磁性層（ＡＰ２層）と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層（ＡＰ１層）とが順に積層されてなるピンド層と、
前記結晶質ＣｏＦｅ層の上に設けられ、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなるトンネルバリア層と、
前記トンネルバリア層の上に設けられ、化１で表される合金からなるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）層を含むフリー層と、
前記フリー層の上に設けられ、化２で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金（ＮｉＦｅＨｆ）層を含むキャップ層と
を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
（化１）
ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化２）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。） - 前記非晶質ＣｏＦｅＢ層は化３で表される合金からなり、前記結晶質ＣｏＦｅ層は化４で表される合金からなる
ことを特徴とする請求項１記載の磁気トンネル接合素子。
（化３）
ＣｏXＦｅYＢZ
（但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００原子％、Ｘ＝４０〜６０原子％、Ｙ＝２０〜４０原子％、Ｚは１５〜２５原子％である。）
（化４）
ＣｏVＦｅW（但し、Ｖ＋Ｗ＝１００原子％、Ｖ＝２０〜５０原子％、Ｗ＝５０〜８０原子％である。） - 前記キャップ層は、前記フリー層の側から前記ニッケル鉄ハフニウム合金層とタンタル（Ｔａ）層とが順に積層されたものである
ことを特徴とする請求項１記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記キャップ層は、前記フリー層の側から前記ニッケル鉄ハフニウム合金層とタンタル（Ｔａ）層とルテニウム（Ｒｕ）層とが順に積層されたものである
ことを特徴とする請求項１記載の磁気トンネル接合素子。 - 前記キャップ層の上に、さらに、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有するタンタル（Ｔａ）からなるハードマスクを備えた
ことを特徴とする請求項１記載の磁気トンネル接合素子。 - 互いに交差する第１導線および第２導線と、前記第１導線と前記第２導線との間に設けられた磁気トンネル接合素子とを備え、
前記磁気トンネル接合素子は、
反強磁性層の上に、第２強磁性層（ＡＰ２層）と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層（ＡＰ１層）とが順に積層されてなるピンド層と、
前記結晶質ＣｏＦｅ層の上に設けられ、酸化アルミニウムからなるトンネルバリア層と、
前記トンネルバリア層の上に設けられ、化５で表される合金からなるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）層を含むフリー層と、
前記フリー層の上に設けられ、化６で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金（ＮｉＦｅＨｆ）層を含むキャップ層と
を備えたことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
（化５）
ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化６）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。） - 基体上に、磁気トンネル接合積層構造を含む磁気トンネル接合素子を形成する方法であって、
前記基体上に、反強磁性層を介して前記磁気トンネル接合積層構造の一部をなすピンド層を形成するステップ（ａ）と、
前記ピンド層の上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層をラジカル酸化またはプラズマ酸化することで酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなるトンネルバリア層を形成するステップ（ｂ）と、
前記トンネルバリア層の上に、化７で表される合金からなるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）層を含むフリー層を形成するステップ（ｃ）と、
前記フリー層の上に、化８で表される合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金（ＮｉＦｅＨｆ）層を含むキャップ層を形成するステップ（ｄ）と
を含み、
前記ステップ（ａ）において、前記反強磁性層の側から第２強磁性層（ＡＰ２層）と、結合層と、非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む第１強磁性層（ＡＰ１層）とを順に積層することで前記ピンド層を形成する
ことを特徴とする磁気トンネル接合素子の形成方法。
（化７）
ＮｉRＦｅS
（但し、Ｒ＋Ｓ＝１００原子％、Ｓ＝１２原子％である。）
（化８）
（Ｎｉ100-AＦｅA）100-BＨｆB
（但し、Ａ＝８〜２１原子％、Ｂ＝１０〜２５原子％である。） - 前記基体として、磁気ランダムアクセスメモリにおける下部電極を用い、
前記下部電極の上に、シード層を介して前記反強磁性層を形成し、
前記第２強磁性層を、前記反強磁性層と接するように形成する
ことを特徴とする請求項７記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - ラジカル酸化またはプラズマ酸化を行うための酸化用チャンバを含む複数のチャンバを有するスパッタ成膜システムを用いて、前記磁気トンネル接合積層構造のすべての層を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記ステップ（ａ）において、化９で表される合金によって前記非晶質ＣｏＦｅＢ層を形成し、化１０で表される合金によって前記結晶質ＣｏＦｅ層を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
（化９）
ＣｏXＦｅYＢZ
（但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００原子％、Ｘ＝４０〜６０原子％、Ｙ＝２０〜４０原子％、Ｚは１５〜２５原子％である。）
（化１０）
ＣｏVＦｅW
（但し、Ｖ＋Ｗ＝１００原子％、Ｖ＝２０〜５０原子％、Ｗ＝５０〜８０原子％である。） - 前記ステップ（ｂ）において、
前記ピンド層の上に０．８２５ｎｍ以上０．９ｎｍ以下の厚みで前記アルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層を、ＲＦ電力５００ワット以上８００ワット以下、処理時間５０秒以上１２０秒以下の条件でラジカル酸化を行うことで酸化アルミニウムからなる前記トンネルバリア層を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - １．５ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記キャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記フリー層の側から、前記化８に示した合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金層とタンタル（Ｔａ）層とを順に積層することで前記キャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記フリー層の側から、前記化８に示した合金からなるニッケル鉄ハフニウム合金層とタンタル（Ｔａ）層とルテニウム（Ｒｕ）層とを順に積層することで前記キャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - 前記キャップ層の上に、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有するタンタル（Ｔａ）からなるハードマスクを形成する
ことを特徴とする請求項７記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。 - すべての層を形成したのち、１０7 ／４π［Ａ／ｍ］（＝１００００［Ｏｅ］）の磁界を印加しつつ１時間から５時間に亘って２５０℃以上３００℃以下の温度で前記磁気トンネル接合積層構造をアニールするステップをさらに含む
ことを特徴とする請求項７記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
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| US7672093B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-03-02 | Magic Technologies, Inc. | Hafnium doped cap and free layer for MRAM device |
| JP4738395B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
| US8094421B2 (en) * | 2007-12-26 | 2012-01-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Current-perpendicular-to-plane (CPP) read sensor with multiple reference layers |
| US20100213073A1 (en) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | International Business Machines Corporation | Bath for electroplating a i-iii-vi compound, use thereof and structures containing same |
| US8609262B2 (en) * | 2009-07-17 | 2013-12-17 | Magic Technologies, Inc. | Structure and method to fabricate high performance MTJ devices for spin-transfer torque (STT)-RAM application |
| US8243401B2 (en) * | 2009-10-02 | 2012-08-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Tunneling magnetoresistance read sensor with dual sense layers |
| JP2011123923A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置 |
| WO2011071028A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | 株式会社 アルバック | 積層電極の加工方法 |
| KR101766899B1 (ko) | 2010-04-21 | 2017-08-10 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 |
| US8786036B2 (en) | 2011-01-19 | 2014-07-22 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic tunnel junction for MRAM applications |
| US8492859B2 (en) | 2011-02-15 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction with spacer layer for spin torque switched MRAM |
| WO2012120940A1 (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-13 | アルプス電気株式会社 | 電流センサ |
| US8570691B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-10-29 | HGST Netherlands B.V. | TMR sensor film using a tantalum insertion layer and systems thereof |
| US20120267733A1 (en) | 2011-04-25 | 2012-10-25 | International Business Machines Corporation | Magnetic stacks with perpendicular magnetic anisotropy for spin momentum transfer magnetoresistive random access memory |
| US9159908B2 (en) | 2011-05-05 | 2015-10-13 | Headway Technologies, Inc. | Composite free layer within magnetic tunnel junction for MRAM applications |
| US8492169B2 (en) | 2011-08-15 | 2013-07-23 | Magic Technologies, Inc. | Magnetic tunnel junction for MRAM applications |
| US8823118B2 (en) * | 2012-01-05 | 2014-09-02 | Headway Technologies, Inc. | Spin torque transfer magnetic tunnel junction fabricated with a composite tunneling barrier layer |
| JP2013140891A (ja) | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| KR101881933B1 (ko) | 2012-01-06 | 2018-07-26 | 삼성전자주식회사 | 자성구조체와 그 형성방법 및 자성구조체를 포함하는 메모리소자 |
| US8901687B2 (en) | 2012-11-27 | 2014-12-02 | Industrial Technology Research Institute | Magnetic device with a substrate, a sensing block and a repair layer |
| US20140212993A1 (en) * | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Everspin Technologies, Inc. | Method of manufacturing a magnetoresistive device |
| US9337414B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-05-10 | Headway Technologies, Inc. | Reader sensor structure and its method of construction |
| US8958180B1 (en) | 2013-08-28 | 2015-02-17 | HGST Netherlands, B.V. | Capping materials for magnetic read head sensor |
| KR102101954B1 (ko) | 2013-11-05 | 2020-05-29 | 삼성전자주식회사 | 자기터널접합을 포함하는 자기 기억 소자 |
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| JP6985220B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2021-12-22 | 株式会社日立ハイテク | 磁気トンネル接合素子、それを用いた磁気メモリおよび磁気トンネル接合素子の製造方法 |
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Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004023015A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 |
| US6831312B2 (en) | 2002-08-30 | 2004-12-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Amorphous alloys for magnetic devices |
| JP2005032780A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 |
| US6818458B1 (en) * | 2003-07-29 | 2004-11-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods involving a low resistance magnetic tunnel junction structure |
| US6974708B2 (en) * | 2004-04-08 | 2005-12-13 | Headway Technologies, Inc. | Oxidation structure/method to fabricate a high-performance magnetic tunneling junction MRAM |
| US7122852B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-10-17 | Headway Technologies, Inc. | Structure/method to fabricate a high performance magnetic tunneling junction MRAM |
| US7449345B2 (en) | 2004-06-15 | 2008-11-11 | Headway Technologies, Inc. | Capping structure for enhancing dR/R of the MTJ device |
| US7098495B2 (en) * | 2004-07-26 | 2006-08-29 | Freescale Semiconducor, Inc. | Magnetic tunnel junction element structures and methods for fabricating the same |
| JP4387923B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2009-12-24 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 |
| US7211447B2 (en) | 2005-03-15 | 2007-05-01 | Headway Technologies, Inc. | Structure and method to fabricate high performance MTJ devices for MRAM applications |
| JP4533807B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
| US7918014B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-05 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a CPP structure with enhanced GMR ratio |
| JP4008478B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2007-11-14 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁界検出素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および磁界検出素子の製造方法 |
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