JP5374521B2

JP5374521B2 - 温度検出装置、加熱装置、基板加熱方法

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Publication number: JP5374521B2
Application number: JP2010548526A
Authority: JP
Inventors: 剛吉元; 克己山根; 哲宏大野; 貴浩溝口
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2009-01-28
Filing date: 2010-01-27
Publication date: 2013-12-25
Anticipated expiration: 2030-01-27
Also published as: CN102301196B; JPWO2010087356A1; DE112010000782B4; WO2010087356A1; CN102301196A; US20120008925A1; TW201105916A; KR101344560B1; DE112010000782T5; TWI518297B; KR20110099772A; US8521013B2

Description

本発明は、輻射加熱手段からの輻射熱によって加熱対象基板の温度を制御する技術に関するものである。

従来、成膜等の真空処理が行われるガラス基板等の加熱対象物は、処理中や処理前の予備加熱において、加熱対象物に接触した加熱対象物載置台中に取り付けられたシースヒータによって昇温されていた。この場合、加熱室内で加熱対象物載置台の温度を測定し、載置台温度と、加熱目標温度、および加熱目標温度に達するまでの目標時間を基にヒータの出力を制御するプログラムを用い、加熱対象物の温度を制御していた。
しかし、加熱対象物を伝達加熱手段としてのシースヒータを用いた載置台に接触させると、ヒータ表面とガラス基板との摩擦によりパーティクルが発生したり、処理中にヒータ表面に付着した膜が剥がれ落ち、製品を汚染して歩留まりを低下させるおそれがある。
また、加熱処理時間を従来より短くしたいという要求があった。
そこで、短い加熱時間でかつ、輻射加熱により原理的には加熱対象物に非接触で加熱対象物を昇温できるランプヒータ等の輻射加熱手段が注目されている（特許文献１）。
このような輻射加熱手段を用いた処理装置内では、加熱対象物の赤外線の吸収率を高めつつ加熱対象物からの伝導による放熱を防止する目的で、シースヒータによる伝導加熱に用いていた載置台のかわりに、装置内で基板を水平のまま処理する水平基板処理装置では、加熱対象物との接触面積を極力小さくしたピンが用いられているが、キャリアに基板を保持させて装置内でキャリアと基板を立設させる縦型基板処理装置では、キャリアにより加熱対象物のガラス基板を支持しているため、水平基板処理装置でも縦型基板処理装置でも、加熱対象物のガラス基板自体を装置内に固定した従来の温度測定機構により測定することが困難となった。
よって、加熱対象物であるガラス基板と同じガラス素材からなる温度測定板の温度を測定し、温度測定板の温度と、加熱目標温度、および加熱目標温度に達するまでの目標時間を基にヒータの出力を制御するプログラムを用い、加熱対象物の温度を制御していた。

ところが、従来の温度測定板およびプログラムでは、ガラス基板の昇温速度を速くする目的で輻射加熱手段の出力を増加した場合、温度測定板の応答が遅いためにガラス基板の昇温を正確にモニターできず、ガラス基板が過熱されてしまうという問題点があった。

特許第4071047号

本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、従来より大型の加熱対象基板の温度を制御する技術を提供することである。

本発明の発明者は、ガラス基板と金属製の温度測定用基板に赤外線が放出され加熱されたときに昇温するガラス基板の昇温速度と、金属製の温度測定用基板の昇温速度が略等しいことを発見した。

また、温度測定用基板にガラスを用い、温度測定用基板に冷媒体が流れる循環路を設け降温させたが、冷却に長い時間がかかり、搬入されるガラス基板と温度測定用基板の温度が異なってしまうが、温度測定用基板に金属を用いて、金属に冷媒体が流れる循環路を設けると、ガラスより熱伝導率が高いので、短いタクト時間で初期温度に降温できることを発見した。

本発明は、上記知見により創作されたものであり、加熱対象基板を輻射によって加熱する真空加熱処理を内部で行う真空槽中に、温度測定用基板と、前記温度測定用基板に密着して配置され、内部に冷媒体が流れるようにされた循環路と、前記温度測定用基板に設けられ、前記温度測定用基板の温度を測定する温度センサとを有し、前記温度測定用基板に赤外線が照射されたときに、前記温度センサが出力する温度が検出されるように構成された温度検出装置であって、前記温度測定用基板は金属からなり、前記温度測定用基板と、前記加熱対象基板が異なる材料からなることを特徴とする温度検出装置である。
また、本発明は、前記温度センサは、熱電対の起電力を発生させる測温部である温度検出装置である。
また、本発明は、加熱対象基板を輻射によって加熱する真空加熱処理を内部で行う真空槽と、前記真空槽内で加熱対象基板を保持する基板保持装置と、前記真空槽内に前記加熱対象基板に非接触で配置され、前記加熱対象基板に赤外線を照射する輻射加熱手段と、前記輻射加熱手段と前記加熱対象基板とが対面する領域の外側に位置し、前記加熱対象基板の表面に照射される前記赤外線を遮らない位置に配置された上記の温度検出装置と、前記循環路に冷却した冷媒体を供給する冷却装置と、入力された信号に基づいて前記輻射加熱手段に通電する電源装置と、前記温度検出装置の出力信号が入力され、前記輻射加熱手段への投入電力を示す信号を前記電源装置に出力する制御装置とを有し、前記出力信号が示す前記温度測定用基板の温度に基づいて、前記輻射加熱手段への通電量を制御するように構成された加熱装置である。
また、本発明は、真空槽内に加熱対象基板を搬入し、前記真空槽内に前記加熱対象基板と非接触で配置された輻射加熱手段によって、前記加熱対象基板の表面に赤外線を照射し、前記加熱対象基板を昇温させる加熱方法であって、前記真空槽内に上記の温度検出装置を配置しておき、前記温度検出装置が出力する前記検出信号が示す前記温度測定用基板の温度に基づいて前記輻射加熱手段への赤外線放出量を制御する基板加熱方法である。
また、本発明は、前記加熱対象基板は２０℃以上３０℃以下の温度で前記真空槽内に搬入される基板加熱方法であって、前記温度測定用基板は、前記循環路の内部に冷媒体を流し、前記温度測定用基板を２０℃以上３０℃以下の温度にした後、前記輻射加熱手段によって前記加熱対象基板と前記温度測定用基板の加熱を開始する基板加熱方法である。

本発明により、従来と比べて大型のガラス基板を、輻射加熱手段を用いて従来のシースヒータより短い時間で目標温度に昇温することができる。温度測定用基板に設けられた冷却機構により、温度測定用基板の温度を、加熱室外部から搬入される加熱前の加熱対象基板の温度程度に降温させることができる。加熱対象基板が搬入される毎に温度測定用基板の温度を加熱前の加熱対象基板の温度にすることが可能であり、加熱室内で加熱対象基板を加熱処理している間は、加熱対象基板の温度を間接的に制御することが可能になる。
加熱開始時刻から目標時間が経過するまでに、時刻に対する温度測定用基板の温度と加熱対象基板の温度との関係を予め求めておき、昇温させる際に、時刻に対して予測した温度よりも温度測定用基板の測定温度が低いときは、赤外線の放出量を関係から求めた量増加させ、時刻に対して予測温度よりも温度測定用基板の測定温度が高いときは赤外線の放出量を関係から求めた量減少させて、温度測定用基板を予定した温度曲線に沿って昇温させる。つまり、温度測定用基板と加熱対象基板との間の温度の一致性が高いため、温度測定用基板の温度によって赤外線の放出量を制御することで、加熱対象基板の温度を制御することができ、加熱対象基板を目標時間で目標温度まで昇温させることができる。

本発明の加熱装置の断面図本発明の温度検出装置の概略図ステンレス基板の温度が１４０℃に制御された場合のガラス基板温度の時間変化を示す図測定用ガラス板の温度が４０℃に制御された場合のガラス基板温度の時間変化を示す図測定用ガラス板の温度が６０℃に制御された場合のガラス基板温度の時間変化を示す図本発明の縦型基板処理装置の一例

１……真空処理装置２……加熱装置５……搬入室６……加熱室７……処理室１０₁、１０₂……ゲートバルブ１１……基板保持装置１２……加熱対象基板１３……真空排気系１４……輻射加熱手段１５……制御装置２０……温度検出装置２１……熱電対２２……温度測定用基板２３……循環路２４……温度センサー２５……電源装置２７……往路管２８……復路管２９……冷却装置３０……赤外線

＜本発明の第一例の装置＞
図１の符号２は加熱装置であり、加熱装置２は、加熱室６と、輻射加熱手段１４と、電源装置２５と、基板保持装置１１と、制御装置１５と、温度検出装置２０とを有している。
本発明に用いる輻射加熱手段１４は赤外線を放出して加熱対象基板とは非接触で加熱対象物を加熱できる例えばシースヒータ等の加熱装置であればよい。そして、そのような輻射加熱手段１４の中でも、本例のように、赤外線を放射して非接触で加熱できるランプヒータであれば、放射効率が高いので好ましい。
加熱室６には、真空排気系１３が接続されており、真空排気系１３を動作させると加熱室６の内部を真空雰囲気にできる。

輻射加熱手段１４は、加熱室６の内部に配置され、電源装置２５は、加熱室６の外部に配置されている。輻射加熱手段１４と電源装置２５は、電力線により加熱室６内の真空雰囲気を維持するように、気密に接続されており、電源装置２５が起動され、輻射加熱手段１４が通電されると輻射加熱手段１４は、発熱し、赤外線を放出する。図１の符号３０は放出された赤外線を表している。

基板保持装置１１は、図示しない複数のピンが内部から突出し、その上に載置したガラス基板を水平に維持したまま上下移動できる基板載置台であり、加熱室６の内部に配置されており、図示しない搬送ロボット等の搬送機構を用いて基板を載置台上に搬出入することで輻射加熱手段１４と対向する位置を移動することができるように構成されている。なお、基板保持装置１１を台車付トレイ又はローラ搬送コンベアとして、加熱室６の内部に配置し、輻射加熱手段１４と対向する位置を移動することができるように構成してもよい。
制御装置１５は、加熱室６外部に配置され、温度検出装置２０は、加熱室６内部に配置されており、制御装置１５と温度検出装置２０は導線により加熱室６内の真空雰囲気を維持しながら気密に接続されている。

温度検出装置２０は、温度測定用基板２２と、熱電対２１とを有している。
符号１２は、加熱対象基板を示している。
加熱対象基板１２は、板状のガラス基板や、板状のガラス基板上に電極が形成されたパネルなどであり、輻射加熱手段１４と対向するように配置されており、温度測定用基板２２は、加熱対象基板１２と輻射加熱手段１４とが対向する領域の側方に位置し、加熱対象基板の表面に照射される赤外線を遮らないようにされている。
熱電対２１は、その接合部分が温度センサー２４として温度測定用基板２２に密着されており、熱電対２１の他端は、制御装置１５に接続されており、温度測定用基板２２の温度に応じた電圧が検出信号として制御装置１５に出力されることにより、温度が測定される。

制御装置１５には、温度測定用基板２２を輻射加熱手段１４で加熱して到達させる目標温度と、加熱開始から目標温度到達までの目標時間と、後述する基礎データに基づいて設定された制御プログラムとが記憶されており、温度検出装置２０から制御装置１５へ検出信号が出力されると、制御プログラムは、検出信号と連続して入力される複数の検出信号から求められる温度測定用基板２２の温度や昇温速度から、温度測定用基板２２が目標時間で目標温度に達するような、電源装置２５の輻射加熱手段１４への出力電力を指示する制御信号を電源装置２５へ出力する。

検出信号が示す温度センサー２４の温度が変化すると制御信号が制御する出力電力も変化するようになっている。
電源装置２５は、入力された信号に応じた電力の電流を輻射加熱手段１４に流し、輻射加熱手段１４は電力に応じた強さの赤外線を放出する。放出された赤外線は、温度測定用基板２２と加熱対象基板１２の両方に入射するが、温度測定用基板２２は、加熱対象基板１２上に陰を作らない位置に配置されている。

温度測定用基板２２には、循環路２３が、密着して形成されている。加熱室６外部には、冷却装置２９が配置されており、循環路２３と冷却装置２９は、往路管２７と復路管２８によって加熱室６内の真空雰囲気を維持しながら気密に接続されている。

冷却装置２９には、冷媒体が充填されており、冷却装置２９によって冷却された冷媒体は、往路管２７を通って循環路２３に供給されると、循環路２３内を流れて温度測定用基板２２を冷却し、復路管２８を通って冷却装置２９に戻り、冷却装置２９により冷却されて、往路管２７に供給されるように構成されている（図２）。

＜本プロセス＞
図１の符号１は、真空処理装置の一例であり、搬入室５と、加熱室６と、処理室７を有しており、各室５〜７は、開閉自在なゲートバルブ１０₁、１０₂によってこの順序で接続されている。
ゲートバルブ１０₁、１０₂を閉じ、加熱室６に接続された真空排気系１３と、搬入室５及び処理室７にそれぞれ接続された真空排気系１６、１７を動作させて、搬入室５と、加熱室６と、処理室７とを真空排気し、真空雰囲気にする。

搬入室５と、処理室７の内部には、不図示の搬送機構が設けられており、搬入室５内の搬送機構に２０℃以上３０℃以下の温度である室温の加熱対象基板を載置し、搬入室５と加熱室６の間のゲートバルブ１０₁を開け、加熱室６内でゲートバルブ１０₁の近辺に位置している基板保持装置１１の上に加熱対象基板を載せる。
符号１２は、基板保持装置１１上に載せられた加熱対象基板を示している。

加熱対象基板１２を載せた基板保持装置１１を加熱室６内部に配置されている輻射加熱手段１４と対面する位置に移動させ、静止させる。
制御プログラムを動作させて制御装置１５から電源装置２５へ制御信号を送って、輻射加熱手段１４の出力を制御して赤外線を放出し、加熱対象基板１２を加熱する。このとき、温度測定用基板２２も加熱される。

このとき目標温度は、１２０℃以上、好ましくは１４０℃以上１６０℃以下の温度に設定されており、温度検出装置２０が温度測定用基板２２の温度を検出して検出信号を制御装置１５に入力し、制御装置１５が輻射加熱手段１４の電力を変化させ、加熱対象基板１２の加熱を開始する。
加熱対象基板１２を加熱するときは、循環路２３内に冷却媒体は流さず、温度測定用基板２２は冷却しない。
温度測定用基板２２は、加熱対象基板１２とほとんど同じ温度から昇温を開始しており、温度測定用基板２２と加熱対象基板１２とは、昇温速度の差が小さくなるように構成されている。温度測定用基板２２を、加熱開始から目標時間で目標温度に到達させると、加熱対象基板１２も加熱開始から目標時間で目標温度に到達するようにされている。
温度測定用基板２２が目標時間に到達した後、基板保持装置１１を加熱室６と処理室７の間のゲートバルブ１０₂の近辺へ移動させ、ゲートバルブ１０₂を開け、処理室７の内部の搬送機構に加熱対象基板１２を載置して処理室７へ搬送させる。

他方、温度測定用基板２２は、目標温度に昇温して加熱対象基板１２の加熱が停止された後、循環路２３に冷却媒体が循環され、２０℃以上３０℃以下の温度である室温まで冷却され、冷却媒体の循環が停止される。
昇温された加熱対象基板１２が加熱室６の外部へ搬出されると、次に処理される加熱対象基板が加熱室６内に搬入される。この加熱対象基板も２０℃以上３０℃以下の温度である室温になっており、加熱室６内に搬入された室温の基板と、温度測定用基板２２とが略同じ温度である状態から、加熱対象基板が加熱され、加熱対象基板と温度測定用基板２２とが同じ昇温速度で昇温される。
このように温度測定用基板２２と加熱対象基板１２とは、同じ温度から同じ昇温速度で昇温するから、温度測定用基板２２の温度を測定することで加熱対象基板１２の温度を測定することができ、新しい加熱対象基板が加熱室６に搬入される毎に同じ制御プログラムを使用して、加熱対象基板を同じ目標時間で同じ目標温度に昇温することができる。

後述する実験では、循環路２３に冷媒体を流し続けて行ったが、温度測定用金属板の温度の昇温速度は、輻射加熱手段１４による加熱中に冷媒体を流さない場合と、ほぼ同じなので、本プロセスでは、加熱中には冷媒体を流しても、流さなくても良い。
また、加熱室６内の真空度が変わることにより、加熱対象基板１２の温度曲線と温度測定用基板２２の温度曲線との間の相違が大きくなった場合でも、その差は変動しないので、温度測定用基板２２の温度から加熱対象基板１２の温度を求めて温度測定用基板２２の目標温度を設定することができる。

＜基礎データ＞
本プロセスでは、温度センサー２４を加熱対象基板１２に直接接触して取り付けることが出来ないので、本プロセスの前に加熱対象基板１２に温度センサー２４を取り付けて、設定された加熱対象基板１２の温度と温度測定用基板２２の温度の相関関係を求め、温度測定用基板２２が目標時間に目標温度に到達し、目標温度を維持できることを目的とした制御プログラムを製作した。

＜実験＞
加熱対象基板１２として、縦３ｍ、横３ｍのガラス基板を用い、加熱対象基板１２の表面の７箇所に熱電対２１を設置し、温度測定用基板２２にはステンレス板（ＳＵＳ３０４）を用い、輻射加熱手段１４により、加熱対象基板１２と温度測定用基板２２を加熱して、加熱中の温度測定用基板２２の温度を測定した。
ここでは、加熱対象基板１２と輻射加熱手段１４の距離は５０ｍｍ、輻射加熱手段１４と、熱電対２１の熱起電力を発生させる測温部である温度センサ２４の距離は２５ｍｍである。

温度測定用基板２２の目標温度を１４０℃に設定したプログラムにより、輻射加熱手段１４が放出する発熱量を制御して、温度測定用基板２２と加熱対象基板１２とを加熱した。加熱対象基板１２上には、７箇所の異なる位置に、それぞれ温度センサを配置し、その平均温度を求めた。
図３は、このときの温度測定用基板２２の温度Ｌ₁と加熱対象基板１２の平均温度Ｌ₂の経時変化を示している。加熱対象基板１２の平均温度は、点線Ａは設定時間であり、設定時間までは、ガラス基板である加熱対象基板１２の昇温速度とステンレス板である温度測定基板２２の昇温速度とは、ほぼ一致しており、制御プログラムが加熱対象基板１２を目標温度と同温度に加熱できることが確認できた。

設定時間後でも、加熱対象基板１２の温度と温度測定基板２２の温度との温度差は一定であり、加熱対象基板１２の温度と温度測定基板２２の温度は、ほぼ一対一で対応しているので、温度測定用基板２２の温度の測定値が、予測値とずれてしまった場合でも、温度測定用基板２２が予測値に成るように制御することで、被処理対象基板１２の温度を正しい値に修正することができる。
本発明の温度測定用基板２２の材料と加熱対象基板１２の材料とは相違するようにされており、通常、加熱対象基板１２はガラス基板であるのに対し、本発明の温度測定用基板２２は、ステンレスに限定されず、熱に曝されて変色せず、放射率が変化しない金属であればよく、Ｃｕ、又はＮｉがコーティングされたＣｕ等が望ましい。

＜比較実験＞
比較実験では、温度測定用基板にガラス板を用い、温度測定用基板と制御プログラム以外は上記実験と同条件で行った。
温度測定用基板と加熱対象基板をガラス基板として加熱した。このとき、温度測定用基板の温度は加熱対象基板の温度よりも低くなり、加熱対象基板を加熱温度(１４０℃)の温度に昇温させるためには、温度測定用基板を到達させる目標温度を加熱温度よりも低くする必要がある。
図４は、上記プログラムの目標温度を４０℃に設定して加熱対象基板を加熱温度(１４０℃)に昇温させようとしたときのガラス基板から成る温度測定用基板の温度Ｍ₁と、ガラス基板から成る加熱対象基板の複数測定点の平均温度Ｍ₂であり、点線Ｂは設定時間であり、被処理用ガラス基板の温度変化と金属の温度は、乖離している。

図５は、上記プログラムの目標温度を６０℃に設定して加熱対象基板を加熱温度(１４０℃)に昇温させようとしたときのガラス基板から成る温度測定用基板の温度Ｎ₁と、ガラス基板から成る加熱対象基板の平均温度Ｎ₂であり、点線Ｃは設定時間であり、被処理用ガラス基板の温度は、目標温度からオーバーシュートしている。

図４と図５から、温度測定用基板の温度が、制御される温度曲線からずれた場合に温度測定用基板の温度を修正すると、加熱対象基板の温度が、温度測定用基板の温度から乖離するため被処理用ガラス基板の温度が大きく変化するので制御が困難であることが分かる。

また、ガラスは金属と比べ熱伝導率が低いため、昇温した温度測定用ガラス板を水冷したときに降温するのに時間がかかった。
比較実験により温度測定用基板には金属が好ましいことが分かる。

＜本発明の第二例の装置＞
図６を用いて本発明の第二例の装置について説明する。
本発明の第二例の加熱装置２’を、上記第一例と同じ構造、同じ機能を有する部品や装置には同じ符号を付して説明を省略する。
この加熱装置２’は、加熱室６’を有しており、図１においては水平に配置されていた輻射加熱手段１４が、第二例の加熱室６’の内部では立設されている。
加熱室６’の内部には、底面に細長のレール装置４４が配置され、レール装置４４の真上位置に、細長の上部支持装置４５が配置されている。
加熱対象基板１２をキャリア４１に保持させ、搬入室から加熱室６’の内部に搬入し、キャリア４１の底部をレール装置４４に配置し、キャリア４１の上部を上部支持装置４５によって、保持又は支持し、キャリア４１が傾倒しないようにされている。ここでは上部支持装置４５は磁石であり、キャリア４１の上端を磁気吸引して上部を非接触で保持している。
加熱対象基板１２の少なくとも片面は露出されており、露出された面は鉛直又は鉛直から４５°以内の角度傾くようにされている。
レール装置４４には動力源が設けられており、キャリア４１及びキャリア４１に保持された加熱対象基板１２は、レール装置４４と上部支持装置４５とによって保持された状態で、レール装置４４上を移動する。
加熱室６’内では、輻射加熱手段１４が、キャリア４１の移動経路と対面するように配置されており、キャリア４１は、キャリア４１が保持する加熱対象基板１２が輻射加熱手段１４と対面する位置で静止する。輻射加熱手段１４は、制御装置１５によって投入電力が制御されながら、電源装置２５から通電され、発熱して輻射熱で加熱対象基板１２を昇温させる。
温度測定用基板２２は、加熱対象基板１２と輻射加熱手段１４とが対向する領域の上方に配置されており、温度測定用基板２２は、加熱対象基板１２の加熱が開始されるときには、冷却装置２９によって、２０℃以上３０℃以下の温度に冷却されており、加熱対象基板１２は、２０℃以上３０℃以下の温度で加熱室６'に搬入されている。
輻射加熱手段１４は、上記実施例と同様に、制御装置１５によって発熱量が制御されており、温度測定用基板２２の温度が測定されることで、加熱対象基板１２の温度を間接的に測定していることになり、温度測定用基板２２の温度に基づいて、輻射加熱手段１４の発熱量が制御されることで、加熱対象基板１２の温度を正確に制御することができる。
加熱対象基板１２が所定温度まで昇温すると、加熱室６’内の加熱対象基板１２は、処理室内に移動され、温度測定用基板２２は、冷却装置２９による、２０℃以上３０℃以下の温度までの冷却が開始される。

Claims

加熱対象基板を輻射によって加熱する真空加熱処理を内部で行う真空槽中に、温度測定用基板と、
前記温度測定用基板に密着して配置され、内部に冷媒体が流れるようにされた循環路と、
前記温度測定用基板に設けられ、前記温度測定用基板の温度を測定する温度センサとを有し、
前記温度測定用基板に赤外線が照射されたときに、前記温度センサが出力する温度が検出されるように構成された温度検出装置であって、
前記温度測定用基板は金属からなり、
前記温度測定用基板と、前記加熱対象基板が異なる材料からなることを特徴とする温度検出装置。
前記温度センサは、熱電対の起電力を発生させる測温部である請求項１に記載の温度検出装置。
加熱対象基板を輻射によって加熱する真空加熱処理を内部で行う真空槽と、
前記真空槽内で加熱対象基板を保持する基板保持装置と、
前記真空槽内に前記加熱対象基板に非接触で配置され、前記加熱対象基板に赤外線を照射する輻射加熱手段と、
前記輻射加熱手段と前記加熱対象基板とが対面する領域の外側に位置し、前記加熱対象基板の表面に照射される前記赤外線を遮らない位置に配置された請求項１記載の温度検出装置と、
前記循環路に冷却した冷媒体を供給する冷却装置と、
入力された信号に基づいて前記輻射加熱手段に通電する電源装置と、
前記温度検出装置の出力信号が入力され、前記輻射加熱手段への投入電力を示す信号を前記電源装置に出力する制御装置とを有し、
前記出力信号が示す前記温度測定用基板の温度に基づいて、前記輻射加熱手段への通電量を制御するように構成された加熱装置。
真空槽内に加熱対象基板を搬入し、
前記真空槽内に前記加熱対象基板と非接触で配置された輻射加熱手段によって、前記加熱対象基板の表面に赤外線を照射し、前記加熱対象基板を昇温させる加熱方法であって、
前記真空槽内に請求項１記載の温度検出装置を配置しておき、
前記温度検出装置が出力する前記検出信号が示す前記温度測定用基板の温度に基づいて前記輻射加熱手段への赤外線放出量を制御する基板加熱方法。
前記加熱対象基板は２０℃以上３０℃以下の温度で前記真空槽内に搬入される基板加熱方法であって、
前記温度測定用基板は、前記循環路の内部に冷媒体を流し、前記温度測定用基板を２０℃以上３０℃以下の温度にした後、前記輻射加熱手段によって前記加熱対象基板と前記温度測定用基板の加熱を開始する請求項４記載の基板加熱方法。