CN110926617B - 真空温度场测量装置及方法 - Google Patents
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Abstract
一种真空温度场测量装置，应用于热成像技术领域，包括：被测物体上布置有测量基准，接触式测温元件连接测量基准，并通过真空导线穿过真空腔体与接触式测温信号处理模块连接，以使接触式测温信号处理模块获取测量基准的标称温度值，真空腔体的一腔壁上开设有红外窗口，红外热像仪透过红外窗口测量测温基准的实测温度值和被测物体表面每个像素上的实测温度值，数据处理模块根据测量基准的标称温度值和实测温度值，以及被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到被测物体的二维温度场。本申请还公开了一种真空温度场测量方法，既能实现真空中面测量，又能提高温度场的测量精度。
Description
技术领域
本申请涉及热成像技术领域，尤其涉及一种真空温度场测量装置及方法。
背景技术
温度测量一般选用接触式测量方式，其优点是测温精度较高。接触式测温系统的缺点是只能够对被测物体进行点测量。对某些特定的使用场合，需要对被测物体进行温度面测量，这就要用到红外热像仪。在红外热像仪使用过程中，其精度受拍摄角度、拍摄距离、物体表面发射率、内部杂散光等多个误差源影响。
接触式测温系统能实现高精度温度点测量，红外热像仪能实现粗精度温度面测量。但是对某些特定的使用场合，如极紫外光刻真空温度场测量领域，使用接触式测温系统无法实现关注区域全部接触式温度测量，使用红外热像仪面测量精度又无法满足温度测量精度要求。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种真空温度场测量装置及方法，可结合使用接触式测温系统和红外热像仪，既能实现真空中面测量，又能提高温度场的测量精度。
为实现上述目的，本申请实施例第一方面提供一种真空温度场测量装置，包括：
测量基准、真空导线、真空腔体、接触式测温元件、接触式测温信号处理模块、红外热像仪、数据处理模块；
所述接触式测温信号处理模块和所述红外热像仪置于所述真空腔体外，被测物体置于所述真空腔体内，所述被测物体上布置有测量基准；
所述接触式测温元件连接该测量基准，并通过所述真空导线穿过所述真空腔体与所述接触式测温信号处理模块连接，以使所述接触式测温信号处理模块获取所述测量基准的标称温度值；
所述真空腔体的一腔壁上开设有红外窗口，所述红外热像仪透过所述红外窗口测量所述测温基准的实测温度值和所述被测物体表面每个像素上的实测温度值；
数据处理模块根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场。
进一步地，所述测温基准的数量为一个或者多个。
进一步地，当所述测温基准的数量为一个时，所述根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场包括：
获取所述红外热像仪测量的所述被测物体指定面上各像素的实测温度值，以及，所述接触式测温信号处理模块得到的测温基准的标称温度值，所述指定面为所述红外热像仪面对所述测温基准的一面；
将所述各像素的实测温度值进行平均值计算，得到所述红外热像仪测量得到的所述被测物体的实测温度值；
根据所述测温基准的标称温度值和所述测温基准的实测温度值，得到温度校正偏差或温度校正系数；
将所述被测物体表面每个像素上的实测温度值加上所述温度校正偏差，或，乘以所述温度校正系数，得到所述被测物体的二维温度场；
其中，令所述测温基准的标称温度值为T1，所述被测物体的实测温度值为T2，则所述温度校正偏差为T1-T2，所述温度校正系数T1÷T2。
进一步地，当所述测温基准的数量为多个时，所述根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场包括：
获取所述接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，所述红外热像仪测量的所述被测物体指定面上各像素的实测温度值，所述指定面为所述红外热像仪面对所述测温基准的一面，所述指定面的数量与所述测温基准的数量相同；
将各指定面下各像素的实测温度值进行平均值计算，分别得到所述红外热像仪测量得到的多个测温基准的实测温度值；
对所述接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，所述红外热像仪测量的多个测温基准的实测温度值，按照预设公式进行数据拟合，得到拟合式；
将所述被测物体表面每个像素上的实测温度值经所述拟合式校正后，得到所述被测物体的二维温度场。
进一步地，还包括：保护罩；
所述保护罩将所述红外热像仪支撑在所述真空腔体上，使所述红外热像仪的镜头贴近所述真空腔体上的红外窗口。
进一步地，所述测温基准上有一个或多个接触式测温点，所述接触式测温点任意分布在所述测温基准的表面上，所述表面不包括所述指定面。
进一步地，所述保护罩的内部保持真空环境，或，仅存有对所述红外热像仪的红外辐射不敏感的单元素气体或多元素混合气体。
本申请实施例第二方面提供一种真空温度场测量方法，包括：
接触式测温信号处理模块获取测量基准的标称温度值；
红外热像仪测量所述测量基准的实测温度值，以及，被测物体表面每个像素上的实测温度值；
数据处理模块根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场。
进一步地，当所述测温基准的数量为一个时，所述根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场包括：
获取所述红外热像仪测量的所述被测物体指定面上各像素的实测温度值，以及，所述接触式测温信号处理模块得到的测温基准的标称温度值，所述指定面为所述红外热像仪面对所述测温基准的一面；
将所述各像素的实测温度值进行平均值计算，得到所述红外热像仪测量得到的所述测温基准的实测温度值；
根据所述测温基准的标称温度值和所述测温基准的实测温度值，得到温度校正偏差或温度校正系数；
将所述被测物体表面每个像素上的实测温度值加上所述温度校正偏差，或，乘以所述温度校正系数，得到所述被测物体的二维温度场；
其中，令所述测温基准的标称温度值为T1，所述所述被测物体的实测温度值为T2，则所述温度校正偏差为T1-T2，所述温度校正系数T1÷T2。
进一步地，当所述测温基准的数量为多个时，所述根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场包括：
获取所述接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，所述红外热像仪测量的所述被测物体指定面上各像素的实测温度值，所述指定面为所述红外热像仪面对所述测温基准的一面，所述指定面的数量与所述测温基准的数量相同；
将各指定面下各像素的实测温度值进行平均值计算，分别得到所述红外热像仪测量得到的多个测温基准的实测温度值；
对所述接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，所述红外热像仪得到的多个测温基准的实测温度值，按照预设公式进行数据拟合，得到拟合式；
将所述被测物体表面每个像素上的实测温度值经所述拟合式校正后，得到所述被测物体的二维温度场。
从上述本申请实施例可知，本申请提供的真空温度场测量方法、装置，结合使用接触式测温信号处理模块和红外热像仪，接触式测温信号处理模块获取测量基准的标称温度值，红外热像仪测量测温基准的实测温度值和被测物体表面每个像素上的实测温度值，数据处理模块根据测量基准的标称温度值和实测温度值，以及被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到被测物体的二维温度场。既能实现真空中面测量，又能提高温度场的测量精度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的真空温度场测量装置的结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的真空温度场测量装置中被测物体上测量基准的示意图；
图3为本申请一实施例提供的真空温度场测量方法的流程示意图。
具体实施方式
为使得本申请的申请目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请一实施例提供的真空温度场测量装置的结构示意图，该装置主要包括：
测量基准1、真空导线2、真空腔体3、接触式测温元件4、接触式测温信号处理模块5、红外热像仪6、数据处理模块(图中未示出)；
接触式测温信号处理模块5和红外热像仪6置于真空腔体3外，被测物体10置于真空腔体3内，被测物体10上布置有测量基准1；
接触式测温元件4连接该测量基准1，并通过真空导线2穿过真空腔体3与接触式测温信号处理模块5连接，以使接触式测温信号处理模块5获取测量基准1的标称温度值；
真空腔体3的一腔壁上开设有红外窗口31，红外热像仪6透过红外窗口31测量测温基准1的实测温度值和被测物体10表面每个像素上的实测温度值；
数据处理模块根据测量基准1的标称温度值实测温度值，以及和被测物体10表面每个像素上的实测温度值，得到被测物体10的二维温度场。
其中，真空腔体3的腔壁上可设置电接口法兰，以使真空腔体3内的真空导线2电连接到该电接口法兰，再通过连接在电接口法兰上的导线与接触式测温信号处理模块5电连接。
其中，该接触式测温元件包括铂电阻或其他热敏器件。由于接触式测温元件及其真空导线都放置在真空中，需要满足在一定真空度下的正常使用要求，即不被真空影响，且其材料都应为低释气材料以避免对系统真空度的影响。
特别对于极紫外光刻应用，接触式测温元件及其真空导线除了满足工作真空正常使用和低释气材料要求外，还有真空释气成分及分压要求。其照明光学系统、成像光学系统等的真空环境为超清洁真空环境，需在一定真空度下满足光学镜片的超清洁使用环境要求，其硅片台等部件的真空环境为清洁真空环境，此真空环境内不包含光学元件，只需满足清洁真空要求。若被测物体在超清洁真空环境中，接触式测温元件及其真空导线真空释气成分及分压要求为——O2＜1.0×10-7Pa、H2O＜1.0×10-5Pa、CxHy(45-100amu)＜1.0×10- 8Pa、CxHy(＞100amu)＜1.0×10-10Pa。若被测物体在清洁真空环境中，接触式测温元件及其真空导线真空释气成分及分压要求为——O2＜6.0×10-5Pa、H2O＜2.0×10-3Pa、CxHy(45-100amu)＜5.0×10-5Pa、CxHy(＞100amu)＜2.0×10-6Pa。
本申请实施例中，结合使用接触式测温信号处理模块和红外热像仪，接触式测温信号处理模块获取测量基准的标称温度值，红外热像仪测量测温基准的实测温度值和被测物体表面每个像素上的实测温度值，数据处理模块根据测量基准的标称温度值和实测温度值，以及被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到被测物体的二维温度场。既能实现真空中面测量，又能提高温度场的测量精度。
在本申请其中一个实施例中，测温基准1的数量为一个或者多个。
图2所示为被测物体10上的测温基准1。测温基准1可以为导热系数高、传热快的金属块。金属块连接到被测物体10上，其连接方式可以是粘接或螺纹连接等。测温基准1上有一个或多个接触式测温点，如图2中所示以A、B、C、D四个接触式测温点为例，分布在测温基准1的周边(保持正对着热像仪的一面没有接触式测温元件的干扰)，每个接触式测温点单独引出真空导线2。
其中，测温基准1可以为任意形状，例如，如圆柱、圆台、棱柱、棱台等。测温基准1的位置可在被测物体上的任意位置、或者与被测物体10相对红外热像仪6保持近似同一辐射距离上。
在本申请其中一个实施例中，当测温基准1的数量为一个时，根据测量基准1的标称温度值和实测温度值，以及被测物体10表面每个像素上的实测温度值，得到被测物体10的二维温度场包括：
获取红外热像仪6测量的被测物体10指定面上各像素的实测温度值，以及，接触式测温信号处理模块5得到的测温基准1的标称温度值，指定面为红外热像仪6面对测温基准1的一面；
将各像素的实测温度值进行平均值计算，得到红外热像仪6测量得到的被测物体10的实测温度值；
根据测温基准1的标称温度值和测温基准1的实测温度值，得到温度校正偏差或温度校正系数；
将被测物体10表面每个像素上的实测温度值加上温度校正偏差，或，乘以温度校正系数，得到被测物体10的二维温度场；
其中，令测温基准1的标称温度值为T1，被测物体10的实测温度值为T2，则温度校正偏差为T1-T2，温度校正系数T1÷T2。
对该一个测温基准1，其上的接触式测温点上布置接触式测温元件4，该接触式测温元件4的数量可为一个，也可为多个，当为多个时取所有接触式测温元件4测量得到的温度值的平均值近似替代该一个测温基准1的标称温度值T1；通过红外热像仪6可以得到测温基准1的正对红外热像仪6的一面的温度场，也即上述指定面，取出指定面上各像素的温度值(若有明显温度差过大的坏点则去除)，将这些像素的温度值取平均后得到该一个测温基准1的实测温度值T2。取温度校正偏差T1-T2，则将红外热像仪6实测到的被测物体10表面每个像素上的实测温度值校正后(即加上T1-T2)得到被测物体10高精度的二维温度场。或者取温度线性校正系数T1÷T2，则将红外热像仪6实测到的被测物体10表面每个像素上的实测温度值校正后(即乘以T1÷T2)得到高精度的温度场。
在本申请其中一个实施例中，当测温基准1的数量为多个时，根据测量基准1的标称温度值和实测温度值，以及被测物体10表面每个像素上的实测温度值，得到被测物体10的二维温度场包括：
获取接触式测温信号处理5模块得到的多个测温基准1的标称温度值，以及，红外热像仪6测量的被测物体10指定面上各像素的实测温度值，该指定面为红外热像仪6面对测温基准1的一面，该指定面的数量与该测温基准1的数量相同；
将各指定面下各像素的实测温度值进行平均值计算，分别得到红外热像仪6测量得到的多个测温基准1的实测温度值；
对接触式测温信号处理模块5得到的多个测温基准1的标称温度值，以及，红外热像仪6测量的多个测温基准1的实测温度值，按照预设公式进行数据拟合，得到拟合式；
将被测物体10表面每个像素上的实测温度值经拟合式校正后，得到被测物体10的二维温度场。
其中，对多个测温基准1，可通过数据拟合进一步提升温度测量精度。如采用多项式拟合，对n个测温基准1，可以得到T1 (1)、T1 (2)、…、T1 (n)这n个标称温度值；通过红外热像仪6可以得到这些测温基准1处的实测温度值T2 (1)、T2 (2)、…、T2 (n)。假设这n组数据独立且n＞2，取n-1阶拟合多项式(若n组数据不独立，则剔除掉重复的数据)
式中a0、a1、…、an-1为常系数，当X＝1，2，…，n时，取T(X)＝T1 (X)，则可列出n个等式求解出系数a0、a1、…、an-1。再将红外热像仪6实测到的被测物体表面每个像素上实测温度值T2 (X)经上式校正后得到高精度的二维温度场T(X)。
又如采用线性回归最小二乘法。令T(X)＝T2 (X)+b，其中k、b为常数。针对T1 (1)、T1 (2)、…、T1 (n)这n个标称温度值，和T2 (1)、T2 (2)、…、T2 (n)这n个由红外热像仪6得到的实测温度值(这n组数据可以不独立)，取各次测量偏差的平方和为最小，可以求得：
在本申请其中一个实施例中，该真空温度场测量装置还包括：保护罩7；
保护罩7将红外热像仪6支撑在真空腔体3上，使红外热像仪6的镜头贴近真空腔体3上的红外窗口31。
其中，红外热像仪6布置在真空腔体3外，经过真空腔体3腔壁上的红外窗口31可以实现对被测物体10的面测量。保护罩7将红外热像仪6支撑在真空腔体3上，使红外热像仪6的镜头尽量贴近红外窗口31以增大观测视角、缩小观测距离，也即减少真空腔体3腔外辐射距离对红外热像仪6精度的影响；
在本申请其中一个实施例中，测温基准1上有一个或多个接触式测温点，接触式测温点任意分布在测温基准1的表面上，该表面不包括上述指定面。
在本申请其中一个实施例中，保护罩7的内部保持真空环境，或，仅存有对红外热像仪6的红外辐射不敏感的单元素气体或多元素混合气体。
其中，保护罩7内部可抽真空以消除杂散粒子对精度的影响、或者充入某种对红外辐射不敏感的单元素气体/多元素混合气体，例如，在近红外区并不吸收红外线辐射的惰性气体(如Ar、Ne、He、Kr、Xe等)或由两个相同原子组成的双原子气体(如O2、N2、H2、Cl2等)，，或者是上述气体的混合气体。
请参阅图3，图3是本申请又一实施例提供的真空温度场测量方法的流程示意图，该方法应用于上述图1至图2所示的真空温度场测量装置，该方法主要包括：
S101、接触式测温信号处理模块获取测量基准的标称温度值；
S102、红外热像仪测量该测量基准的实测温度值，以及，被测物体表面每个像素上的实测温度值；
S103、数据处理模块根据该测量基准的标称温度值和实测温度值，以及该被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到该被测物体的二维温度场。
在本申请其中一个实施例中，当该测温基准的数量为一个时，该根据该测量基准的标称温度值和实测温度值，以及该被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到该被测物体的二维温度场包括：
获取该红外热像仪测量的该被测物体指定面上各像素的实测温度值，以及，该接触式测温信号处理模块得到的测温基准的标称温度值，该指定面为该红外热像仪面对该测温基准的一面；
将该各像素的实测温度值进行平均值计算，得到该红外热像仪测量得到的该测温基准的实测温度值；
根据该测温基准的标称温度值和该测温基准的实测温度值，得到温度校正偏差或温度校正系数；
将该被测物体表面每个像素上的实测温度值加上该温度校正偏差，或，乘以该温度校正系数，得到该被测物体的二维温度场；
其中，令该测温基准的标称温度值为T1，该该被测物体的实测温度值为T2，则该温度校正偏差为T1-T2，该温度校正系数T1÷T2。
在本申请其中一个实施例中，当该测温基准的数量为多个时，该根据该测量基准的标称温度值和实测温度值，以及该被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到该被测物体的二维温度场包括：
获取该接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，该红外热像仪测量的该被测物体指定面上各像素的实测温度值，该指定面为红外热像仪面对所述测温基准的一面；
可理解的，由于有多个测温基准，则指定面的个数也有多个，指定面的数量与测温基准的数量相同。
将各指定面下各像素的实测温度值进行平均值计算，分别得到红外热像仪测量得到的多个测温基准的实测温度值。
对该接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，该红外热像仪测量的该被测物体指定面上各像素的实测温度值，按照预设公式进行数据拟合，得到拟合式；
将该被测物体表面每个像素上的实测温度值经该拟合式校正后，得到该被测物体的二维温度场。
本申请实施例中，结合使用接触式测温信号处理模块和红外热像仪，接触式测温信号处理模块获取测量基准的标称温度值，红外热像仪测量测温基准的实测温度值和被测物体表面每个像素上的实测温度值，数据处理模块根据该测量基准的标称温度值和实测温度值，以及该被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到该被测物体的二维温度场。既能实现真空中面测量，又能提高温度场的测量精度。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
以上为对本申请所提供的真空温度场测量装置及方法的描述，对于本领域的技术人员，依据本申请实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (5)
1.一种真空温度场测量装置，其特征在于，包括：
测量基准、真空导线、真空腔体、接触式测温元件、接触式测温信号处理模块、红外热像仪、数据处理模块；
所述接触式测温信号处理模块和所述红外热像仪置于所述真空腔体外，被测物体置于所述真空腔体内，所述被测物体上布置有测量基准；
所述接触式测温元件连接该测量基准，并通过所述真空导线穿过所述真空腔体与所述接触式测温信号处理模块连接，以使所述接触式测温信号处理模块获取所述测量基准的标称温度值；
所述真空腔体的一腔壁上开设有红外窗口，所述红外热像仪透过所述红外窗口测量所述测温基准的实测温度值和所述被测物体表面每个像素上的实测温度值；
数据处理模块根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场；
所述测温基准的数量为一个或者多个；
当所述测温基准的数量为一个时，所述根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场包括：
获取所述红外热像仪测量的所述被测物体指定面上各像素的实测温度值，以及，所述接触式测温信号处理模块得到的测温基准的标称温度值，所述指定面为所述红外热像仪面对所述测温基准的一面；
将所述各像素的实测温度值进行平均值计算，得到所述红外热像仪测量得到的所述被测物体的实测温度值；
根据所述测温基准的标称温度值和所述测温基准的实测温度值，得到温度校正偏差或温度校正系数；
将所述被测物体表面每个像素上的实测温度值加上所述温度校正偏差，或，乘以所述温度校正系数，得到所述被测物体的二维温度场；
其中，令所述测温基准的标称温度值为T1，所述被测物体的实测温度值为T2，则所述温度校正偏差为T1-T2，所述温度校正系数T1÷T2；
当所述测温基准的数量为多个时，所述根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场包括：
获取所述接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，所述红外热像仪测量的所述被测物体指定面上各像素的实测温度值，所述指定面为所述红外热像仪面对所述测温基准的一面，所述指定面的数量与所述测温基准的数量相同；
将各指定面下各像素的实测温度值进行平均值计算，分别得到所述红外热像仪测量得到的多个测温基准的实测温度值；
对所述接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，所述红外热像仪测量的多个测温基准的实测温度值，按照预设公式进行数据拟合，得到拟合式；
将所述被测物体表面每个像素上的实测温度值经所述拟合式校正后，得到所述被测物体的二维温度场。
2.根据权利要求1所述的真空温度场测量装置，其特征在于，还包括：保护罩；
所述保护罩将所述红外热像仪支撑在所述真空腔体上，使所述红外热像仪的镜头贴近所述真空腔体上的红外窗口。
3.根据权利要求1所述的真空温度场测量装置，其特征在于，所述测温基准上有一个或多个接触式测温点，所述接触式测温点任意分布在所述测温基准的表面上，所述表面不包括所述指定面。
4.根据权利要求2所述的真空温度场测量装置，其特征在于，所述保护罩的内部保持真空环境，或，仅存有对所述红外热像仪的红外辐射不敏感的单元素气体或多元素混合气体。
5.一种真空温度场测量方法，应用于权利要求1至4任意一项所述的真空温度场测量装置，其特征在于，包括：
接触式测温信号处理模块获取测量基准的标称温度值；
红外热像仪测量所述测量基准的实测温度值，以及，被测物体表面每个像素上的实测温度值；
数据处理模块根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场；
当所述测温基准的数量为一个时，所述根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场包括：
获取所述红外热像仪测量的所述被测物体指定面上各像素的实测温度值，以及，所述接触式测温信号处理模块得到的测温基准的标称温度值，所述指定面为所述红外热像仪面对所述测温基准的一面；
将所述各像素的实测温度值进行平均值计算，得到所述红外热像仪测量得到的所述测温基准的实测温度值；
根据所述测温基准的标称温度值和所述测温基准的实测温度值，得到温度校正偏差或温度校正系数；
将所述被测物体表面每个像素上的实测温度值加上所述温度校正偏差，或，乘以所述温度校正系数，得到所述被测物体的二维温度场；
其中，令所述测温基准的标称温度值为T1，所述所述被测物体的实测温度值为T2，则所述温度校正偏差为T1-T2，所述温度校正系数T1÷T2；
当所述测温基准的数量为多个时，所述根据所述测量基准的标称温度值和实测温度值，以及所述被测物体表面每个像素上的实测温度值，得到所述被测物体的二维温度场包括：
获取所述接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，所述红外热像仪测量的所述被测物体指定面上各像素的实测温度值，所述指定面为所述红外热像仪面对所述测温基准的一面，所述指定面的数量与所述测温基准的数量相同；
将各指定面下各像素的实测温度值进行平均值计算，分别得到所述红外热像仪测量得到的多个测温基准的实测温度值；
对所述接触式测温信号处理模块得到的多个测温基准的标称温度值，以及，所述红外热像仪得到的多个测温基准的实测温度值，按照预设公式进行数据拟合，得到拟合式；
将所述被测物体表面每个像素上的实测温度值经所述拟合式校正后，得到所述被测物体的二维温度场。
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