TWI518297B - 溫度檢測裝置、加熱裝置、基板加熱方法 - Google Patents

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Description

溫度檢測裝置、加熱裝置、基板加熱方法
本發明係關於藉由來自輻射加熱手段的輻射熱來控制被加熱對象基板的溫度的技術。
以往進行成膜等真空處理的玻璃基板等被加熱對象物係在處理中或處理前的預備加熱中，藉由被安裝在已接觸被加熱對象物之被加熱對象物載置台中的護套加熱器予以升溫。此時，在加熱室內測定被加熱對象物載置台的溫度，使用根據載置台溫度、加熱目標溫度、及至達到加熱目標溫度為止的目標溫度來控制加熱器之輸出的程式，來控制被加熱對象物的溫度。
但是，若使被加熱對象物與使用作為傳達加熱手段之護套加熱器的載置台接觸時，由於加熱器表面與玻璃基板的摩擦而發生微粒，或在處理中附著在加熱器表面的膜剝落，而有製品受到污染而使良率降低之虞。
此外，會有欲使加熱處理時間比以往為短的要求。
因此，在較短的加熱時間內而且藉由輻射加熱而在原理上以非接觸被加熱對象物而可使被加熱對象物升溫的燈加熱器等輻射加熱手段備受矚目(專利文獻1)。
在使用如上所示之輻射加熱手段的處理裝置內，在一面提高被加熱對象物之紅外線的吸收率，一面防止因來自被加熱對象物之傳導所造成的放熱的目的下，取代藉由護套加熱器所為之傳導加熱所使用的載置台，而在裝置內在水平情形下直接處理基板的水平基板處理裝置中，係使用儘量減小與被加熱對象物之接觸面積的銷，但是在使基板保持在載體而在裝置內使載體與基板豎立設置的縱型基板處理裝置中，係藉由載體來支持被加熱對象物的玻璃基板，因此無論是水平基板處理裝置或是縱型基板處理裝置，均難以藉由將被加熱對象物的玻璃基板本身固定在裝置內的習知溫度測定機構來測定。
因此，對由與作為被加熱對象物的玻璃基板為相同的玻璃素材所構成的溫度測定板的溫度進行測定，使用根據溫度測定板的溫度、加熱目標溫度、及至到達加熱目標溫度為止的目標時間來控制加熱器之輸出的程式，來控制被加熱對象物的溫度。
但是，在習知的溫度測定板及程式中，當在將玻璃基板的升溫速度加速的目的下使輻射加熱手段的輸出增加時，由於溫度測定板的響應較慢，無法正確監測玻璃基板的升溫，而會有玻璃基板過熱的問題點。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4071047號
本發明係為了解決上述習知技術的不良情形而創作者，其目的在提供將比習知技術更為大型的被加熱對象基板的溫度進行控制的技術。
本發明之發明人發現：對玻璃基板與金屬製的溫度測定用基板放出紅外線而被加熱時即進行升溫的玻璃基板的升溫速度、與金屬製的溫度測定用基板的升溫速度大致相等。
此外，發現：在溫度測定用基板使用玻璃，在溫度測定用基板設置流通冷媒體的循環路而使其降溫，但是在冷卻時耗費較長時間，所被搬入的玻璃基板與溫度測定用基板的溫度會有所不同，但是在溫度測定用基板使用金屬而在金屬設置流通冷媒體的循環路時，由於熱傳導率比玻璃高，因此可在較短的作業時間(Tact Time)內降溫至初始溫度。
本發明係根據上述知見所創作者，係一種溫度檢測裝置，係構成為：在內部進行藉由輻射來加熱被加熱對象基板的真空加熱處理的真空槽中具有：溫度測定用基板；循環路，與前述溫度測定用基板密接配置，以在內部流通冷媒體；及溫度感測器，被設在前述溫度測定用基板，測定前述溫度測定用基板的溫度，在前述溫度測定用基板被照射紅外線時，檢測前述溫度感測器所輸出的溫度的溫度檢測裝置，其特徵為：前述溫度測定用基板與前述被加熱對象基板由不同材料所構成。
此外，本發明係一種溫度檢測裝置，其特徵為：前述溫度測定用基板係由金屬所構成。
此外，本發明係一種溫度檢測裝置，其中，前述溫度感測器係使熱電偶的電動勢發生的測溫部。
此外，本發明係一種加熱裝置，其特徵為構成為具有：真空槽，在內部進行藉由輻射來加熱被加熱對象基板的真空加熱處理；基板保持裝置，在前述真空槽內保持被加熱對象基板；輻射加熱手段，以非接觸前述被加熱對象基板而配置在前述真空槽內，對前述被加熱對象基板照射紅外線；上述溫度檢測裝置，位於前述輻射加熱手段與前述被加熱對象基板相對面區域的外側，配置在未遮蔽被照射在前述被加熱對象基板表面之前述紅外線的位置；冷卻裝置，對前述循環路供給經冷卻的冷媒體；電源裝置，根據所被輸入的訊號，對前述輻射加熱手段通電；及控制裝置，被輸入有前述溫度檢測裝置的輸出訊號，且將表示對前述輻射加熱手段之投入電力的訊號輸出至前述電源裝置，根據前述輸出訊號所表示的前述溫度測定用基板的溫度，來控制對前述輻射加熱手段的通電量。
此外，本發明係一種基板加熱方法，係將被加熱對象基板搬入至真空槽內，藉由以與前述被加熱對象基板非接觸而配置在前述真空槽內的輻射加熱手段，對前述被加熱對象基板表面照射紅外線而使前述被加熱對象基板升溫的加熱方法，其特徵為：先在前述真空槽內配置上述溫度檢測裝置，根據前述溫度檢測裝置所輸出的前述檢測訊號所表示的前述溫度測定用基板的溫度，來控制對於前述輻射加熱手段的紅外線放出量。
此外，本發明係一種基板加熱方法，其係前述被加熱對象基板以20℃以上、30℃以下的溫度被搬入至前述真空槽內的基板加熱方法，前述溫度測定用基板係在前述循環路的內部流通冷媒體，將前述溫度測定用基板形成為20℃以上、30℃以下的溫度後，藉由前述輻射加熱手段來開始前述被加熱對象基板與前述溫度測定用基板的加熱。
藉由本發明，可將比以往更為大型的玻璃基板，使用輻射加熱手段而在比以往的護套加熱器為更短的時間內升溫至目標溫度。藉由設在溫度測定用基板的冷卻機構，可使溫度測定用基板的溫度降溫至由加熱室外部所被搬入的加熱前的被加熱對象基板的溫度程度。在每次被搬入被加熱對象基板時可將溫度測定用基板的溫度形成為加熱前的被加熱對象基板的溫度，在加熱室內將被加熱對象基板正在進行加熱處理的期間，可間接控制被加熱對象基板的溫度。
由加熱開始時刻經過目標時間為止，預先求出之溫度測定用基板的溫度與被加熱對象基板的溫度相對時刻的關係，在使其升溫時，當溫度測定用基板的測定溫度比相對時刻所預測出的溫度為較低時，使紅外線的放出量增加根據關係所求出的量，當溫度測定用基板的測定溫度比相對時刻所預測出的溫度為較高時，使紅外線之放出量減少根據關係所求出的量，使溫度測定用基板按照預定的溫度曲線升溫。亦即，溫度測定用基板與被加熱對象基板之間的溫度一致性較高，因此藉由溫度測定用基板的溫度來控制紅外線的放出量，藉此可控制被加熱對象基板的溫度，且可使被加熱對象基板以目標時間升溫至目標溫度。
 ＜本發明之第一例之裝置＞
第1圖的元件符號2係加熱裝置，加熱裝置2係具有：加熱室6、輻射加熱手段14、電源裝置25、基板保持裝置11、控制裝置15、及溫度檢測裝置20。
本發明所使用的輻射加熱手段14若為放出紅外線而可以與被加熱對象基板非接觸來加熱被加熱對象物之例如護套加熱器等加熱裝置即可。接著，在如上所示之輻射加熱手段14之中，如本例所示，亦若為放射紅外線而可以非接觸進行加熱的燈加熱器，由於放射效率高，故較為理想。
在加熱室6連接有真空排氣系13，若使真空排氣系13進行動作，可使加熱室6的內部形成為真空雰圍氣。
輻射加熱手段14係被配置在加熱室6的內部，電源裝置25係被配置在加熱室6的外部。輻射加熱手段14與電源裝置25係以藉由電力線來維持加熱室6內的真空雰圍氣的方式作氣密式連接，若電源裝置25被起動而使輻射加熱手段14通電時，輻射加熱手段14即會發熱而放出紅外線。第1圖的元件符號30係表示所被釋放出的紅外線。
基板保持裝置11係構成為：未圖示的複數銷由內部突出且可在將載置於其上的玻璃基板以水平維持的狀態下直接作上下移動的基板載置台，被配置在加熱室6的內部，使用未圖示之搬送機器人等搬送機構而將基板在載置台上作搬出入，藉此可在與輻射加熱手段14相對向的位置移動。其中，亦可構成為：將基板保持裝置11作為附有台車的承盤或滾軸搬送輸送帶，且配置在加熱室6的內部而在與輻射加熱手段14相對向的位置移動。
控制裝置15係被配置在加熱室6外部，溫度檢測裝置20係被配置在加熱室6內部，控制裝置15與溫度檢測裝置20係藉由導線而一面維持加熱室6內的真空雰圍氣，一面作氣密式連接。
溫度檢測裝置20係具有：溫度測定用基板22、與熱電偶21。
元件符號12係表示被加熱對象基板。
被加熱對象基板12係板狀玻璃基板、或在板狀玻璃基板上形成有電極的面板等，以與輻射加熱手段14相對向的方式作配置，溫度測定用基板22係位於被加熱對象基板12與輻射加熱手段14相對向區域的側方，不會遮蔽被照射至被加熱對象基板表面的紅外線。
熱電偶21係以其接合部分作為溫度感測器24而與溫度測定用基板22相密接，熱電偶21的另一端係連接於控制裝置15，與溫度測定用基板22的溫度相對應的電壓作為檢測訊號而被輸出至控制裝置15，藉此測定溫度。
在控制裝置15被記憶有：使溫度測定用基板22利用輻射加熱手段14加熱所到達的目標溫度、由開始加熱至到達目標溫度為止的目標時間、及根據後述基礎資料所設定的控制程式，當由溫度檢測裝置20對控制裝置15輸出檢測訊號時，控制程式係由根據檢測訊號與連續輸入的複數檢測訊號所求得的溫度測定用基板22的溫度或升溫速度，溫度測定用基板22以目標時間到達目標溫度之類指示電源裝置25對於輻射加熱手段14的輸出電力的控制訊號朝電源裝置25輸出。
若檢測訊號所示之溫度感測器24的溫度產生變化時，控制訊號所控制的輸出電力亦會產生變化。
電源裝置25係將與所輸入的訊號相對應的電力的電流流入至輻射加熱手段14，輻射加熱手段14係放出與電力相對應之強度的紅外線。所被放出的紅外線係入射至溫度測定用基板22與被加熱對象基板12之兩方，但是溫度測定用基板22係被配置在被加熱對象基板12上不會形成陰影的位置。
在溫度測定用基板22密接形成有循環路23。在加熱室6外部配置有冷卻裝置29，循環路23與冷卻裝置29係藉由往路管27與返路管28一面維持加熱室6內的真空雰圍氣，一面作氣密式連接。
在冷卻裝置29係構成為：被填充有冷媒體，藉由冷卻裝置29予以冷卻的冷媒體若通過往路管27而被供給至循環路23時，即在循環路23內流動而將溫度測定用基板22冷卻，且通過返路管28而返回至冷卻裝置29，藉由冷卻裝置29予以冷卻而被供給至往路管27(第2圖)。
＜本製程＞
第1圖的元件符號1係真空處理裝置之一例，具有搬入室5、加熱室6、及處理室7，各室5～7係藉由開閉自如的閘閥101、102而以該順序相連接。
使關閉閘閥101、102而與加熱室6相連接的真空排氣系13、及分別與搬入室5及處理室7相連接的真空排氣系16、17進行動作，將搬入室5、加熱室6、處理室7作真空排氣而形成為真空雰圍氣。
在搬入室5與處理室7的內部設有未圖示的搬送機構，將20℃以上、30℃以下之溫度的室溫的被加熱對象基板載置於搬入室5內的搬送機構，打開搬入室5與加熱室6之間的閘閥101，使被加熱對象基板載置於在加熱室6內位於閘閥101附近的基板保持裝置11之上。
元件符號12係表示被載置於基板保持裝置11上的被加熱對象基板。
使載置有被加熱對象基板12的基板保持裝置11移動至與被配置在加熱室6內部的輻射加熱手段14相對面的位置且使其靜止。
使控制程式進行動作而由控制裝置15朝向電源裝置25傳送控制訊號，控制輻射加熱手段14的輸出而放出紅外線，以將被加熱對象基板12加熱。此時，溫度測定用基板22亦被加熱。
此時目標溫度係被設定為120℃以上，較佳為140℃以上、160℃以下的溫度，溫度檢測裝置20檢測溫度測定用基板22的溫度而將檢測訊號輸入至控制裝置15，控制裝置15使輻射加熱手段14的電力改變而開始被加熱對象基板12的加熱。
當將被加熱對象基板12加熱時，在循環路23內並未流通冷卻媒體，溫度測定用基板22並未冷卻。
溫度測定用基板22係構成為由與被加熱對象基板12幾乎相同的溫度開始升溫，溫度測定用基板22與被加熱對象基板12係升溫速度差變小。當使溫度測定用基板22由加熱開始在目標時間到達目標溫度時，被加熱對象基板12亦由加熱開始在目標時間到達目標溫度。
在溫度測定用基板22到達目標時間之後，使基板保持裝置11朝加熱室6與處理室7之間的閘閥102附近移動，打開閘閥102，在處理室7內部的搬送機構載置被加熱對象基板12而搬送至處理室7。
另一方面，溫度測定用基板22係在升溫至目標溫度而停止被加熱對象基板12的加熱之後，在循環路23循環冷卻媒體，冷卻至20℃以上、30℃以下的溫度的室溫而停止冷卻媒體的循環。
升溫後的被加熱對象基板12被搬出至加熱室6的外部時，接著被處理的被加熱對象基板即被搬入至加熱室6內。該被加熱對象基板亦形成為20℃以上、30℃以下的溫度的室溫，由被搬入至加熱室6內的室溫基板與溫度測定用基板22為大致相同溫度的狀態，被加熱對象基板被加熱，被加熱對象基板與溫度測定用基板22以相同升溫速度予以升溫。
如上所示溫度測定用基板22與被加熱對象基板12係由相同溫度以相同升溫速度作升溫，因此藉由測定溫度測定用基板22的溫度，可測定出被加熱對象基板12的溫度，而且可在每次新的被加熱對象基板被搬入至加熱室6時即使用相同的控制程式，將被加熱對象基板以相同目標時間升溫至相同目標溫度。
在後述實驗中，雖然在循環路23持續流動冷媒體來進行，但是溫度測定用金屬板的溫度的升溫速度係與在藉由輻射加熱手段14所進行的加熱中不會流通冷媒體的情形為大致相同，因此在本製程中，在加熱中流通或不流通冷媒體均可。
此外，由於加熱室6內的真空度會改變，因此即使在被加熱對象基板12的溫度曲線與溫度測定用基板22的溫度曲線之間的相異變大的情形下，其差並不會變動，因此可由溫度測定用基板22的溫度來求出被加熱對象基板12的溫度，而設定溫度測定用基板22的目標溫度。
＜基礎資料＞
在本製程中，並無法將溫度感測器24直接接觸被加熱對象基板12而進行安裝，因此在本製程之前在被加熱對象基板12安裝溫度感測器24，求出所被設定的被加熱對象基板12的溫度與溫度測定用基板22的溫度的相關關係，而製作出溫度測定用基板22在目標時間內到達目標溫度，以可維持目標溫度為目的的控制程式。
＜實驗＞
以被加熱對象基板12而言，使用縱3m、橫3m的玻璃基板，在被加熱對象基板12之表面的7部位設置熱電偶21，在溫度測定用基板22使用不銹鋼板(SUS304)，藉由輻射加熱手段14將被加熱對象基板與溫度測定用基板加熱，測定出加熱中的溫度測定用基板22的溫度。
在此，被加熱對象基板12與輻射加熱手段14的距離為50mm，輻射加熱手段14與使熱電偶21的熱電動勢發生之作為測溫部的溫度感測器24的距離為25mm。
藉由將溫度測定用基板22的目標溫度設定在140℃的程式，控制輻射加熱手段14所放出的發熱量而將溫度測定用基板22與被加熱對象基板12進行加熱。在被加熱對象基板12上，分別將溫度感測器配置在7部位的不同位置而求出其平均溫度。
第3圖係顯示此時的溫度測定用基板22的溫度L1與被加熱對象基板12的平均溫度L2的經時變化。確認出被加熱對象基板12的平均溫度係虛線A為設定時間，至設定時間為止，屬於玻璃基板的被加熱對象基板12的升溫速度與屬於不銹鋼板的溫度測定基板22的升溫速度係大致相一致，控制程式可將被加熱對象基板12加熱至與目標溫度相同的溫度。
在設定時間後，被加熱對象基板12的溫度與溫度測定基板22的溫度的溫度差亦為一定，被加熱對象基板12的溫度與溫度測定基板22的溫度係大致以一對一相對應，因此即使在溫度測定用基板22的溫度測定值與預測值相偏離的情形下，亦藉由溫度測定用基板22以成為預測值的方式進行控制，可將被處理對象基板12的溫度修正成正確值。
本發明的溫度測定用基板22的材料與被加熱對象基板12的材料並不相同，通常被加熱對象基板12為玻璃基板，相對於此，本發明的溫度測定用基板22並非限定於不銹鋼，若為被熱曝曬而未變色且放射率不會改變的金屬即可，以Cu、或被塗覆Ni的Cu等為宜。
＜比較實驗＞
在比較實驗中，係在溫度測定用基板使用玻璃板，除了溫度測定用基板與控制程式以外，係以與上述實驗相同條件來進行。
將溫度測定用基板與被加熱對象基板作為玻璃基板來進行加熱。此時，溫度測定用基板的溫度係比被加熱對象基板的溫度為更低，為了使被加熱對象基板升溫至加熱溫度(140℃)的溫度，必須將使溫度測定用基板到達的目標溫度比加熱溫度為更低。
第4圖係將上述程式的目標溫度設定為40℃而使被加熱對象基板升溫至加熱溫度(140℃)時由玻璃基板所成的溫度測定用基板的溫度M1、與由玻璃基板所成的被加熱對象基板的複數測定點的平均溫度M2，虛線B為設定時間，被處理用玻璃基板的溫度變化與金屬的溫度相分離。
第5圖係欲將上述程式的目標溫度設定為60℃而使被加熱對象基板升溫至加熱溫度(140℃)時之由玻璃基板所成溫度測定用基板的溫度N1、與由玻璃基板所成被加熱對象基板的平均溫度N2，虛線C為設定時間，被處理用玻璃基板的溫度係由目標溫度過衝(overshoot)。
由第4圖與第5圖可知，若在溫度測定用基板的溫度偏離所控制的溫度曲線時修正溫度測定用基板的溫度，被加熱對象基板的溫度會由溫度測定用基板的溫度分離，因此被處理用玻璃基板的溫度會大幅變化，故較難以控制。
此外，由於玻璃的熱傳導率比金屬低，因此在將升溫後的溫度測定用玻璃板予以水冷時，在降溫時會耗費時間。
藉由比較實驗可知，在溫度測定用基板係以金屬為佳。
＜本發明之第二例的裝置＞
使用第6圖，針對本發明之第二例的裝置加以說明。
將本發明之第二例的加熱裝置2’，對於具有與上述第一例為相同構造、相同功能的零件或裝置，係標註相同的元件符號並省略說明。
該加熱裝置2’係具有加熱室6’，在第1圖中水平配置的輻射加熱手段14在第二例的加熱室6’的內部係豎立設置。
在加熱室6’的內部係在底面配置有細長的軌條裝置44，在軌條裝置44的正上方位置配置有細長的上部支持裝置45。
使被加熱對象基板12保持在載體41，由搬入室搬入至加熱室6’的內部，將載體41的底部配置在軌條裝置44，藉由上部支持裝置45來保持或支持載體41的上部，以使載體41不會傾倒。在此，上部支持裝置45為磁石，將載體41的上端作磁性吸引而以非接觸來保持上部。
被加熱對象基板12的至少單面呈露出，所露出的面係以鉛直或離鉛直45°以內的角度傾斜。
在軌條裝置44設有動力源，載體41及被保持在載體41的被加熱對象基板12係在藉由軌條裝置44與上部支持裝置45予以保持的狀態下在軌條裝置44上移動。
在加熱室6’內，輻射加熱手段14以與載體41的移動路徑相對面的方式作配置，載體41係在載體41所保持的被加熱對象基板12與輻射加熱手段14相對面的位置呈靜止。輻射加熱手段14係一面藉由控制裝置15來控制投入電力，一面由電源裝置25而被通電，進而發熱而以輻射熱使被加熱對象基板12升溫。
溫度測定用基板22係被配置在被加熱對象基板12與輻射加熱手段14相對向的區域的上方，溫度測定用基板22係在開始被加熱對象基板12的加熱時，即藉由冷卻裝置29而被冷卻成20℃以上、30℃以下的溫度，被加熱對象基板12係在20℃以上、30℃以下的溫度下被搬入至加熱室6'。
與上述實施例相同地，輻射加熱手段14係藉由控制裝置15來控制發熱量，藉由測定溫度測定用基板22的溫度，間接測定出被加熱對象基板12的溫度，根據溫度測定用基板22的溫度，使輻射加熱手段14的發熱量受到控制，藉此可正確控制被加熱對象基板12的溫度。
若被加熱對象基板12升溫至預定溫度時，加熱室6’內的被加熱對象基板12係被移動至處理室內，溫度測定用基板22係藉由冷卻裝置29而開始20℃以上、30℃以下的溫度的冷卻。
1‧‧‧真空處理裝置
2‧‧‧加熱裝置
5‧‧‧搬入室
6‧‧‧加熱室
7‧‧‧處理室
101、102‧‧‧閘閥
11‧‧‧基板保持裝置
12‧‧‧被加熱對象基板
13‧‧‧真空排氣系
14‧‧‧輻射加熱手段
15‧‧‧控制裝置
20‧‧‧溫度檢測裝置
21‧‧‧熱電偶
22‧‧‧溫度測定用基板
23‧‧‧循環路
24‧‧‧溫度感測器
25‧‧‧電源裝置
27‧‧‧往路管
28‧‧‧返路管
29‧‧‧冷卻裝置
30‧‧‧紅外線
第1圖係本發明之加熱裝置之剖面圖。
第2圖係本發明之溫度檢測裝置之概略圖。
第3圖係顯示不銹鋼基板的溫度被控制在140℃時之玻璃基板溫度的時間變化圖。
第4圖係顯示測定用玻璃板的溫度被控制在40℃時的玻璃基板溫度的時間變化圖。
第5圖係顯示測定用玻璃板的溫度被控制在60℃時的玻璃基板溫度的時間變化圖。
第6圖係本發明之縱型基板處理裝置之一例。
1‧‧‧真空處理裝置
2‧‧‧加熱裝置
5‧‧‧搬入室
6‧‧‧加熱室
7‧‧‧處理室
101、102‧‧‧閘閥
11‧‧‧基板保持裝置
12‧‧‧被加熱對象基板
13‧‧‧真空排氣系
14‧‧‧輻射加熱手段
15‧‧‧控制裝置
16、17‧‧‧真空排氣系
20‧‧‧溫度檢測裝置
21‧‧‧熱電偶
22‧‧‧溫度測定用基板
25‧‧‧電源裝置
27‧‧‧往路管
28‧‧‧返路管
29‧‧‧冷卻裝置
30‧‧‧紅外線

Claims (6)

  1. 一種溫度檢測裝置，係構成為：在內部進行藉由輻射來加熱被加熱對象基板的真空加熱處理的真空槽中具有：溫度測定用基板；循環路，與前述溫度測定用基板密接配置，以在內部流通冷媒體；及溫度感測器，被設在前述溫度測定用基板，測定前述溫度測定用基板的溫度，當與前述被加熱對象基板相對向配置的輻射加熱手段所放出的紅外線被照射在前述被加熱對象基板時，在前述溫度測定用基板係被照射前述輻射加熱手段所放出的紅外線而溫度上升，檢測前述溫度感測器所輸出的溫度的溫度檢測裝置，其特徵為：前述溫度測定用基板係位於前述被加熱對象基板與前述輻射加熱手段相對向的區域的側方，使得不會遮蔽被照射在前述被加熱對象基板的表面的前述紅外線，前述溫度測定用基板與前述被加熱對象基板由不同材料所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之溫度檢測裝置，其中，前述溫度測定用基板係由金屬所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之溫度檢測裝置，其中，前述溫度感測器係使熱電偶的電動勢發生的測溫部。
  4. 一種加熱裝置，係具有：真空槽，在內部進行藉由輻射來加熱被加熱對象基板 的真空加熱處理；基板保持裝置，在前述真空槽內保持被加熱對象基板；輻射加熱手段，以非接觸前述被加熱對象基板而配置在前述真空槽內，對前述被加熱對象基板照射紅外線；及溫度檢測裝置，前述溫度檢測裝置係設有：溫度測定用基板；循環路，與前述溫度測定用基板密接配置，以在內部流通冷媒體；及溫度感測器，被設在前述溫度測定用基板，測定前述溫度測定用基板的溫度，該加熱裝置的特徵為：前述加熱裝置係構成為：具有：冷卻裝置，對前述循環路供給經冷卻的冷媒體；電源裝置，根據所被輸入的訊號，對前述輻射加熱手段通電；及控制裝置，被輸入有前述溫度檢測裝置的輸出訊號，且將表示對前述輻射加熱手段之投入電力的訊號輸出至前述電源裝置，根據前述輸出訊號所表示的前述溫度測定用基板的溫度，來控制對前述輻射加熱手段的通電量，前述輻射加熱手段係與前述被加熱對象基板相對向配置，構成為：當輻射加熱手段所放出的紅外線被照射在前述被加熱對象基板時，在前述溫度測定用基板係被照射前 述輻射加熱手段所放出的紅外線而溫度上升，檢測前述溫度感測器所輸出的溫度，前述溫度測定用基板係位於前述被加熱對象基板與前述輻射加熱手段相對向的區域的側方，使得不會遮蔽被照射在前述被加熱對象基板的表面的前述紅外線，前述溫度測定用基板與前述被加熱對象基板由不同材料所構成。
  5. 一種基板加熱方法，係將被加熱對象基板搬入至真空槽內，藉由以與前述被加熱對象基板非接觸而配置在前述真空槽內的輻射加熱手段，對前述被加熱對象基板表面照射紅外線而使前述被加熱對象基板升溫的基板加熱方法，其特徵為：將前述被加熱對象基板與前述輻射加熱手段相對向配置，以與前述被加熱對象基板為不同的材料構成溫度檢測裝置的溫度測定用基板，該溫度檢測裝置係具有：前述溫度測定用基板；循環路，與前述溫度測定用基板密接配置，以在內部流通冷媒體；及溫度感測器，被設在前述溫度測定用基板，測定前述溫度測定用基板的溫度，使前述溫度測定用基板位於前述被加熱對象基板與前述輻射加熱手段相對向的區域的側方，使得不會遮蔽被照射在前述被加熱對象基板的表面的前述紅外線，當前述輻射加熱手段所放出的紅外線被照射在前述被 加熱對象基板時，使前述輻射加熱手段所放出的紅外線照射在前述溫度測定用基板而使其溫度上升，根據前述溫度感測器所輸出的溫度，來控制對於前述輻射加熱手段的紅外線放出量。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板加熱方法，其係前述被加熱對象基板以20℃以上、30℃以下的溫度範圍內的溫度被搬入至前述真空槽內的基板加熱方法，前述溫度測定用基板係在前述循環路的內部流通冷媒體，將前述溫度測定用基板形成為20℃以上、30℃以下的溫度範圍內的溫度後，藉由前述輻射加熱手段來開始前述被加熱對象基板與前述溫度測定用基板的加熱。
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