JP5372498B2 - フル・スイング・メモリ・アレイを読み出すための方法及び装置 - Google Patents
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Description
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1] フル・スイング・メモリ・アレイのグローバルビット線を駆動する方法であって、
複数のトリ−ステイト・デバイスを介して複数のローカルビット線をグローバルビット線に連結することと、
前記複数のトリ−ステイト・デバイスの1つを有効にするべくグローバル選択信号を生成することと、
前記グローバルビット線上で読み出される同じ値を有するビットの連続する読み出しが、グローバルビット線の状態を遷移させることに帰着しない、有効なトリ−ステイト・デバイスの出力を駆動するために対応するローカルビット線を選択することとを備える方法。
[2] 前記グローバルビット線の出力は、キーパー素子につながれる[1]の方法。
[3] 前記生成ステップは、
共通ノードを終端するべく複数のトランジスタを配列することと、
前記複数のトランジスタの1つで読み取り信号を受信することと、
前記読み取り信号を受信することに応じて複数のトリ−ステイト・デバイスのうちの1つを有効にするべく前記共通ノードを遷移することとをさらに備える[1]の方法。
[4] 前記生成ステップは、前記グローバル選択信号を生成するべくエンコードされたメモリアドレスからのビットを利用することをさらに備える[1]の方法。
[5] 選択されたトリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトNANDゲートである[1]の方法。
[6] 選択されたトリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトインバータである[1]の方法。
[7] 前記複数のトリ−ステイト・デバイスは、2つのトランジスタを構成する出力トランジスタスタックを含む[1]の方法。
[8] メモリ内のグローバルビット線上で同じ値を有する連続するビットの読み出し時に読み出し電力を削減する方法であって、
前記グローバルビット線を第1レベルに遷移するためのグローバル選択信号を生成することと、
メモリから値を有する第1ビットを読み出すことと、
メモリから前記第1ビットと同じ値を有する第2ビットを読み出すことと、
第2レベルへ遷移することなしに、第2ビットの読み出し中に前記グローバルビット線を第1レベルに維持することとを備える方法。
[9] 前記生成ステップは、
共通ノードを終端するべく複数のトランジスタを配列することと、
前記複数のトランジスタの1つで読み取り信号を受信することと、
前記グローバル選択信号を動作させるべく前記共通ノードを遷移することとをさらに備える[8]の方法。
[10] 前記グローバル選択線はトリ−ステイト・デバイスを有効にする[8]の方法。
[11] 前記生成ステップは、前記グローバル選択信号を生成するべくエンコードされたメモリアドレスからのビットを利用することを備える[10]の方法。
[12] 選択されたトリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトNANDゲートである[10]の方法。
[13] 選択されたトリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトインバータである[10]の方法。
[14] 前記複数のトリ−ステイトNANDゲートは、2つのトランジスタを構成する出力トランジスタスタックを含む[12]の方法。
[15] フル・スイング・メモリ・アレイシステムの読み取り部分であって、
複数のトリ−ステイト・デバイスと、
前記複数のトリ−ステイト・デバイスを介してグローバルビット線に連結される複数のローカルビット線と、
前記複数のトリ−ステイト・デバイスの1つを有効にするべくグローバル選択信号を生成し、有効なトリ−ステイト・デバイスの出力を駆動するべく該当するローカルビット線を選択する手段とを備えるシステム。
[16] 前記生成手段は、動的なORコンポーネントを備える[15]のシステム。
[17] 前記生成手段は、エンコードされたメモリアドレスからのビットを備える[15]のシステム。
[18] 前記複数のトリ−ステイト・デバイスのうちの1つのトリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトNANDゲートを備える[15]のシステム。
[19] 前記複数のトリ−ステイト・デバイスのうちの1つのトリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトインバータを備える[15]のシステム。
[20] 前記複数のトリ−ステイト・デバイスのうちの1つのトリ−ステイト・デバイスは、2つのトランジスタを構成する出力トランジスタスタックを備える[15]のシステム。
Claims (19)
- フル・スイング・メモリ・アレイのグローバルビット線を駆動する方法であって、
メモリから第1のビットを読み出すことと、
前記メモリから前記第1のビットと同じ値を有する第2のビットを読み出すことと、
複数のローカルビット線が複数のトリ−ステイト・デバイスを介してグローバルビット線に連結されるとき、前記複数のトリ−ステイト・デバイスの1つを有効にするべくグローバル選択信号を生成することと、
有効なトリ−ステイト・デバイスの出力を駆動するために対応するローカルビット線を選択することと、
対応するローカルビット線の前充電期間に入る前に、前記グローバル選択信号を無効化することによりトリ−ステイト・デバイスを無効化し、前記第2のビットが第1の値を有する時、前記ローカルビット線をローレベルに遷移した後で前記グローバル選択信号により前記トリ−ステイト・デバイスを有効化し、前記第2のビットが第2の値を有する時、前記ローカルビット線をハイレベルに維持する間で前記グローバル選択信号により前記トリ−ステイト・デバイスを有効化することにより、前記第1のビット及び前記第2のビットが前記グローバルビット線上で連続して読み出される時のグローバルビット線の状態を遷移することを回避することとを備える方法。 - 前記グローバルビット線の出力は、キーパー素子につながれる請求項1の方法。
- 前記生成ステップは、
複数のトランジスタの出力を終端する共通ノードを終端するべく複数のトランジスタを配列することと、
前記複数のトランジスタの1つで読み取り信号を受信することと、
前記読み取り信号を受信することに応じて複数のトリ−ステイト・デバイスのうちの1つを有効にするべく前記共通ノードを遷移することとをさらに備える請求項1の方法。 - 前記生成ステップは、前記グローバル選択信号を生成するべくエンコードされたメモリアドレスからのビットを利用することをさらに備える請求項1の方法。
- 有効となったトリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトNANDゲートである請求項1の方法。
- 有効となったトリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトインバータである請求項1の方法。
- 前記複数のトリ−ステイト・デバイスは、2つのトランジスタを構成する出力トランジスタスタックを含む請求項1の方法。
- メモリ内のグローバルビット線上で同じ値を有する連続するビットの読み出し時に電力を削減する方法であって、
複数のローカルビット線が複数のトリ−ステイト・デバイスを介してグローバルビット線に連結されるとき、前記グローバルビット線を第1レベルに遷移するためのグローバル選択信号を生成することと、
メモリから第1ビットを読み出すことと、
前記メモリから前記第1ビットと同じ値を有する第2ビットを読み出すことと、
対応するローカルビット線の前充電期間前に、前記グローバル選択信号を無効化することにより前記複数のトリ−ステイト・デバイスのうちの1つのトリ−ステイト・デバイスを無効化し、前記第2のビットが第1の値を有するときに、前記ローカルビット線をローレベルに遷移した後前記グローバル選択信号により前記トリ−ステイト・デバイスを有効化し、前記第2のビットが第2の値を有するときに、前記ローカルビット線をハイレベルに維持する間で前記グローバル選択信号により前記トリ−ステイト・デバイスを有効化することにより、第2レベルへ遷移することなしに、第2ビットの読み出し中に前記グローバルビット線を第1レベルに維持することとを備える方法。 - 前記グローバル選択信号を生成するステップは、
複数のトランジスタの出力を終端する共通ノードに複数のトランジスタを配列することと、
前記複数のトランジスタの1つで読み取り信号を受信することと、
前記グローバル選択信号を動作させるべく前記共通ノードを遷移することとをさらに備える請求項8の方法。 - 前記生成ステップは、前記グローバル選択信号を生成するべくエンコードされたメモリアドレスからのビットを利用することを備える請求項8の方法。
- 前記トリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトNANDゲートである請求項8の方法。
- 前記トリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトインバータである請求項8の方法。
- 前記複数のトリ−ステイトNANDゲートは、2つのトランジスタを構成する出力トランジスタスタックを含む請求項11の方法。
- フル・スイング・メモリ・アレイシステムの読み取り部分であって、
複数のトリ−ステイト・デバイスと、
前記複数のトリ−ステイト・デバイスを介してグローバルビット線に連結される複数のローカルビット線と、
メモリから第1ビットを読み出す手段と、
前記メモリから前記第1のビットと同じ値を有する第2のビットを読み出す手段と、
前記複数のトリ−ステイト・デバイスの1つを有効にするべくグローバル選択信号を生成し、有効なトリ−ステイト・デバイスの出力を駆動するべく該当するローカルビット線を選択する手段と、
前記第1のビット及び前記第2のビットが前記グローバルビット線上で連続して読み出される時のグローバルビット線の状態を遷移することを回避する手段とを備え、
前記回避する手段は、
対応するローカルビット線の前充電期間に入る前に、前記グローバル選択信号を無効化することによりトリ−ステイト・デバイスを無効化する手段と、
前記第2のビットが第1の値を有する時、前記ローカルビット線をローレベルに遷移した後で前記グローバル選択信号により前記トリ−ステイト・デバイスを有効化する手段と、
前記第2のビットが第2の値を有する時、前記ローカルビット線をハイレベルに維持する間で前記グローバル選択信号により前記トリ−ステイト・デバイスを有効化する手段とを備えるシステム。 - 前記生成手段は、動的なORコンポーネントを備える請求項14のシステム。
- 前記第1のビットは、エンコードされたメモリアドレスから読み出される請求項14のシステム。
- 前記トリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトNANDゲートを備える請求項14のシステム。
- 前記トリ−ステイト・デバイスは、トリ−ステイトインバータを備える請求項14のシステム。
- 前記トリ−ステイト・デバイスは、2つのトランジスタを構成する出力トランジスタスタックを備える請求項14のシステム。
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