JP2005149694A - データ入出力バッファ及びこれを用いた半導体メモリ装置 - Google Patents
データ入出力バッファ及びこれを用いた半導体メモリ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005149694A JP2005149694A JP2004176541A JP2004176541A JP2005149694A JP 2005149694 A JP2005149694 A JP 2005149694A JP 2004176541 A JP2004176541 A JP 2004176541A JP 2004176541 A JP2004176541 A JP 2004176541A JP 2005149694 A JP2005149694 A JP 2005149694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- nmos transistor
- signal
- output
- output buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/106—Data output latches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1069—I/O lines read out arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1087—Data input latches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/0948—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/096—Synchronous circuits, i.e. using clock signals
- H03K19/0963—Synchronous circuits, i.e. using clock signals using transistors of complementary type
Abstract
【解決手段】多数のスイッチング素子と多数の論理素子とを含み、多数のスイッチング素子や多数の論理素子のうち、周辺回路から入力されるデータ信号によって駆動されるスイッチング素子、又はデータ信号が入力される論理素子のNMOSトランジスタが、低電圧動作NMOSトランジスタである。
【選択図】図3
Description
120 ローデコーダ
130 ページバッファ
140 カラムデコーダ
150 カラムマルチプレクサ
160 データ入出力バッファ
161 ラッチ
Claims (10)
- 多数のスイッチング素子と多数の論理素子とを含み、
前記多数のスイッチング素子や前記多数の論理素子のうち、周辺回路からのデータ信号によって駆動されるスイッチング素子、又は前記データ信号が入力される論理素子のNMOSトランジスタが、低電圧動作NMOSトランジスタであることを特徴とするデータ入出力バッファ。 - 周辺回路からのデータ信号によって動作し、PMOSトランジスタ及び低電圧動作NMOSトランジスタを含む第1論理素子と、
前記第1論理素子の出力信号をラッチするための第2論理素子とを含むことを特徴とするデータ入出力バッファ。 - 前記低電圧動作NMOSトランジスタのしきい値電圧が0Vであることを特徴とする請求項1又は2記載のデータ入出力バッファ。
- 前記低電圧動作NMOSトランジスタと接地電源端子との間に、データ出力時にのみ出力イネーブル信号によってターンオンされるスイッチング素子をさらに備えることを特徴とする請求項3記載のデータ入出力バッファ。
- 前記スイッチング素子がNMOSトランジスタであることを特徴とする請求項4記載のデータ入出力バッファ。
- メモリセルアレイと、
ローアドレス信号によって前記メモリセルアレイの特性ページを選択するためのローデコーダと、
前記ローデコーダによって選択されたページに格納されたデータを格納するページバッファと、
カラムアドレス信号によってビットライン選択信号を生成するためのカラムデコーダと、
前記ビットライン選択信号によって前記ページバッファに格納されたデータのうちいずれか一つを選択して出力するカラムマルチプレクサと、
前記カラムマルチプレクサで選択されたデータを格納してデータラインに伝逹し、前記データによって駆動される素子が低電圧動作NMOSトランジスタであるデータ入出力バッファとを含むことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記低電圧動作NMOSトランジスタのしきい値電圧が0Vであることを特徴とする請求項6記載の半導体メモリ装置。
- 前記低電圧動作NMOSトランジスタと接地電源端子との間に、データ出力時にのみターンオンされるスイッチング素子をさらに備えることを特徴とする請求項7記載の半導体メモリ装置。
- 前記データ入出力バッファは、
前記カラムマルチプレクサから出力されるデータ信号によって駆動され、電源電圧端子に連結されるPMOSトランジスタと、
前記カラムマルチプレクサから出力されるデータ信号によって駆動され、前記PMOSトランジスタに接続される低電圧動作NMOSトランジスタと、
前記低電圧動作NMOSトランジスタと接地電圧端子との間に接続され、データ出力区間にのみターンオンされるスイッチング素子と、
前記PMOSトランジスタ又は前記低電圧動作トランジスタを通して伝逹された信号を反転させて格納するためのラッチ部とを含むことを特徴とする請求項6記載の半導体メモリ装置。 - 前記スイッチング素子がNMOSトランジスタであることを特徴とする請求項8又は9記載の半導体メモリ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030081959A KR100560936B1 (ko) | 2003-11-19 | 2003-11-19 | 데이터 입출력 버퍼 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005149694A true JP2005149694A (ja) | 2005-06-09 |
JP4443315B2 JP4443315B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=34567814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004176541A Expired - Fee Related JP4443315B2 (ja) | 2003-11-19 | 2004-06-15 | データ出力バッファ及びこれを用いた半導体メモリ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6998873B2 (ja) |
JP (1) | JP4443315B2 (ja) |
KR (1) | KR100560936B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100933859B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2009-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 그것의 프로그램 방법 |
JP5183336B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置 |
JP2010066331A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 表示装置 |
KR102420014B1 (ko) | 2015-09-18 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 인버터 |
US11393845B2 (en) | 2020-08-28 | 2022-07-19 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3568115B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2004-09-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置内のレシーバ回路 |
JP2003308698A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
US6650168B1 (en) * | 2002-09-30 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High-speed level shifter using zero-threshold MOSFETS |
-
2003
- 2003-11-19 KR KR1020030081959A patent/KR100560936B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-12-23 US US10/743,934 patent/US6998873B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-15 JP JP2004176541A patent/JP4443315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050104625A1 (en) | 2005-05-19 |
JP4443315B2 (ja) | 2010-03-31 |
US6998873B2 (en) | 2006-02-14 |
KR20050048115A (ko) | 2005-05-24 |
KR100560936B1 (ko) | 2006-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4988588B2 (ja) | 静的ランダムアクセスメモリ用のワード線ドライバ回路 | |
US5602796A (en) | Word line driver in a semiconductor memory device | |
JP2006196124A (ja) | メモリセル及び半導体集積回路装置 | |
US20120287712A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2019169846A (ja) | 半導体装置 | |
US8213235B2 (en) | Nonvolatile memory device | |
KR20000020260A (ko) | 외부 클럭 신호를 가지는 동기형 반도체 메모리 장치 | |
JP2008176829A (ja) | メモリマクロ | |
KR20140139265A (ko) | 블록 선택 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 | |
US20230378939A1 (en) | Latch circuit and memory device | |
JP4443315B2 (ja) | データ出力バッファ及びこれを用いた半導体メモリ装置 | |
US6484231B1 (en) | Synchronous SRAM circuit | |
JP2008152845A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100307562B1 (ko) | 반도체 메모리 회로 | |
JP4496069B2 (ja) | Mos型半導体集積回路装置 | |
CN114613401A (zh) | 存储器器件的控制电路 | |
CN109920458B (zh) | 地址解码器及包括其的半导体存储器件 | |
US20160071576A1 (en) | Semiconductor storage device | |
KR101201606B1 (ko) | 반도체 장치의 고전압 스위치 회로 | |
JP2006344303A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7099225B2 (en) | Semiconductor memory device with reduced leak current | |
JP3550168B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100205326B1 (ko) | 입력 버퍼회로 | |
KR20080071815A (ko) | 정적 노이즈 마진을 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치 | |
US6226220B1 (en) | Semiconductor memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |