JP5362740B2 - 黒化伝導性パターンの製造方法 - Google Patents
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Description
11、21、31、41、61:レジスト層
12、22、32、42、62:微細パターン溝
14、24:黒化伝導性インク
34、44、64:伝導性インク
36、46、66:黒化溶液
37、49、69:上部黒化層
47、67:下部黒化層
15、25、38、50、70:残留レジスト層
アクリル樹脂(E 2823, Elvacite社製造)3gをトルエン1g、ブチルアセテート0.2gに溶かしてスクリーンプリンティング用レジスト層インクを製造した後、ガラス基板上に前記インクをスクリーンプリンティングして10ミクロン厚さのレジスト層パターンを形成した。次に、前記のレジスト層パターンをUVレーザー(商品名:Xpress-DP、UPI tech社製造)で20ミクロンビーム直径を用いて黒化伝導性パターンが形成される区域を形成し、この際の微細パターン線幅はレーザービーム直径と類似した20ミクロン程度であった。次に製造例3から製造した伝導性インク組成物と製造例4から製造した黒化溶液組成物を重量比8:2の割合で混合してスクリーンプリンティングを用いて微細パターンに充填した後、150℃で2分間乾燥させた。この際の黒化伝導性パターンの厚さは5ミクロンであった。その後、600℃で焼成して残っているレジスト層物質を除去して黒化処理された導電性微細パターンを得ることができた。
実施例1においてUVレーザービームでレジスト層を気化させてパターン形成時にレジスト層のみならずガラス基板まで2ミクロンの深さで溝を形成させることを除いては同一な方法で黒化処理された導電性微細パターンを得た。
アクリル樹脂(E 2823, Elvacite社製造)3gをトルエン1g、ブチルアセテート0.5gに溶かしてスピンコーティング用レジスト層コーティング液を製造した後、ガラス基板上に前記コーティング液を500RPMで10秒間スピンコーティングして10ミクロン厚さのレジスト層を形成した。次に、前記のレジスト層パターンをUVレーザー(商品名:Xpress-DP、UPI tech社製造)で20ミクロンビーム直径を用いて黒化伝導性パターンが形成される区域を形成し、この際の微細パターン線幅はビーム直径と類似した20ミクロンであった。次に製造例3から製造した伝導性インク組成物をスクリーンプリンティングを用いて微細パターンに充填した後、150℃で2分間乾燥させた。この際の伝導性パターンの厚さは5ミクロンであった。その後、電導性パターンの上に製造例4から製造した黒化溶液組成物をスクリーンプリンティングを用いて充填し、1ミクロン厚さの上部黒化層を形成した後、600℃で焼成した。この際にレジスト層で残っている物質は600℃焼成で気化してトルエン洗滌のみで黒化処理された導電性微細パターンを得ることができた。
アクリル樹脂(E 2823, Elvacite社製造)3gをトルエン1g、ブチルアセテート0.2gに溶かしてスクリーンプリンティング用レジスト層コーティング液を製造した後、ガラス基板上に前記コーティング液をスクリーンプリンティングして10ミクロン厚さのレジスト層パターンを形成した。次に、前記のレジスト層パターンをUVレーザー(商品名:Xpress-DP、UPI tech社製造)で20ミクロンビーム直径を用いて黒化伝導性パターンが形成される区域を形成し、この際の微細パターン線幅はビーム直径と類似した20ミクロン程度であった。次に製造例4から製造した黒化溶液組成物をスクリーンプリンティングで微細パターンに充填した後、200℃で乾燥させて1ミクロン厚さの下部黒化層を形成した。次に、製造例3から製造した伝導性インク組成物をスクリーンプリンティングを用いて下部黒化層が形成された微細パターンに充填した後、150℃で2分間乾燥させた。この際に伝導性パターンの厚さは5ミクロン出会った。その後再び製造例4から製造した黒化溶液組成物をスクリーンプリンティングを用いて充填し、1ミクロンの厚さの上部黒化層を形成した後、600℃で焼成した。この際にレジスト層で残っている物質は600℃の焼成で気化してトルエンの洗滌のみで黒化処理された導電性微細パターンを得ることができた。
アクリル樹脂(E 2823, Elvacite社製造)3gをトルエン1g、ブチルアセテート0.2gに溶かしてスクリーンプリンティング用レジスト層コーティング液を製造した後、ガラス基板上に前記コーティング液をスクリーンプリンティングして10ミクロン厚さのレジスト層パターンを形成した。次に、前記のレジスト層パターンをUVレーザー(商品名:Xpress-DP、UPI tech社製造)で20ミクロンビーム直径を用いて黒化伝導性パターンが形成される区域を形成し、この際の微細パターン線幅はビーム直径と類似した20ミクロン程度であった。次に製造例4から製造した黒化溶液組成物を2500RPMで20秒間スピンコーティングして充填した後、200℃で乾燥させて1ミクロン厚さの下部黒化層を形成した。次に、製造例3から製造した電導性インク組成物を2500RPMで20秒間スピンコーティングして微細パターンに充填した後、150℃で2分間乾燥させた。この際の伝導性パターン厚さは5ミクロンであった。その後に形成された微細パターンを濃い塩酸(35%)に1分間浸漬させた後、銅鍍金液<硫酸銅水化物(180g)、硫酸(27g)及びイオン水交換水を混合して1Lで製造した溶液>に浸漬させた。この銅鍍金液に電解銅電極を浸漬させ、3V電圧を3分間印加して黒色の銅鍍金処理を行った。黒色の銅鍍金層(上部黒化層)の厚さは1ミクロンであった。その後、600℃で焼成して残っているレジスト層物質を除去して黒化処理された導電性微細パターンを得ることができた。
アクリル樹脂(E 2823, Elvacite社製造)3gをトルエン1g、ブチルアセテート0.2gに溶かしてスクリーンプリンティング用レジスト層コーティング液を製造した後、ガラス基板上に前記コーティング液をスクリーンプリンティングして10ミクロン厚さのレジスト層パターンを形成した。次に、前記のレジスト層パターンをUVレーザー(商品名:Xpress-DP、UPI tech社製造)で20ミクロンビーム直径を用いて黒化伝導性パターンが形成される区域を形成し、この際の微細パターン線幅はビーム直径と類似した20ミクロン程度であった。次に製造例4から製造した黒化溶液組成物をバーコーターコーティング機で充填した後、200℃で乾燥させて1ミクロン厚さの下部黒化層を形成した。次に、製造例3から製造した電導性インク組成物をバーコーターコーティング機を用いて微細パターンに充填した後、150℃で2分間乾燥させた。この際の伝導性パターン厚さは5ミクロンであった。その後に形成された微細パターンを濃い塩酸(35%)に1分間浸漬させた後、銅鍍金液<硫酸銅水化物(180g)、硫酸(27g)及びイオン水交換水を混合して1Lで製造した溶液>に浸漬させた。この銅鍍金液に電解銅電極を浸漬させ、3V電圧を3分間印加して銅鍍金処理を行った。銅層の厚さは1ミクロンであった。その後、ニッケル鍍金液<硫酸ニッケル水化物(75g)、硫酸ニッケルアンモニウム(44g)、硫酸亜鉛(30g)、チオシアン酸ナトリウム(20g)及びイオン水交換水を混合して1Lで製造した溶液>に浸漬させた。前記ニッケル鍍金液に電解ニッケル電極を浸漬させ、3V電圧を1分間印加して黒色ニッケル鍍金処理を行い、銅層の上に黒色のニッケル層を1ミクロンの厚さで形成した。その後、600℃で焼成して残っているレジスト層物質を除去して黒化処理された導電性微細パターンを得ることができた。
アクリル樹脂(E 2823, Elvacite社製造)3gをトルエン1g、ブチルアセテート0.2gに溶かしてスクリーンプリンティング用レジスト層コーティング液を製造した後、ガラス基板上に前記コーティング液をスクリーンプリンティングして10ミクロン厚さのレジスト層パターンを形成した。次に、前記のレジスト層パターンをUVレーザー(商品名:Xpress-DP、UPI tech社製造)で20ミクロンビーム直径を用いて黒化伝導性パターンが形成される区域を形成し、この際の微細パターン線幅はビーム直径と類似した20ミクロン程度であった。次に製造例4から製造した黒化溶液組成物を2500RPMで20秒間スピンコーティングして充填した後、200℃で乾燥させて1ミクロン厚さの黒化層を形成した。次に、製造例3から製造した電導性インク組成物を2500RPMで20秒間スピンコーティングして微細パターンに充填した後、150℃で2分間乾燥させた。この際の伝導性パターン厚さは5ミクロンであった。その後に形成された微細パターンを6.3g/L硫酸銅、2.9g/Lホルムアルデヒド、15.8g/Lエチレンジアミン四アセテート(EDTA)、27g/L水酸化カリウム及び添加剤として0.1g/L2,2′−ジピリジル(2,2’-dipyridyl)が含まれた銅無電解鍍金溶液で黒色の銅鍍金処理を行った。銅層の厚さは1ミクロンであった。その後、600℃で焼成して残っているレジスト層物質を除去して黒化処理された導電性微細パターンを得ることができた。
アクリル樹脂(E 2823, Elvacite社製造)3gをトルエン1g、ブチルアセテート0.2gに溶かしてスクリーンプリンティング用レジスト層コーティング液を製造した後、ガラス基板上に前記コーティング液をスクリーンプリンティングして10ミクロン厚さのレジスト層パターンを形成した。次に、前記のレジスト層パターンをUVレーザー(商品名:Xpress-DP、UPI tech社製造)で20ミクロンビーム直径を用いて黒化伝導性パターンが形成される区域を形成し、この際の微細パターン線幅はビーム直径と類似した20ミクロン程度であった。次に製造例4から製造した黒化溶液組成物を2500RPMで20秒間スピンコーティングして充填した後、200℃で乾燥させて1ミクロン厚さの黒化層を形成した。次に、製造例3から製造した電導性インク組成物を2500RPMで20秒間スピンコーティングして微細パターンに充填した後、150℃で2分間乾燥させた。この際の伝導性パターン厚さは5ミクロンであった。その後に形成された微細パターンを50wt%アンモニウムスルフィド水溶液に浸漬させて表面を黒化処理した後、600℃で焼成した。この際にレジスト層で残っている物質は600℃の焼成において気化してトルエンの洗滌のみで黒化処理された導電性微細パターンを得ることができた。
Claims (10)
- (i)非伝導性基材上にレジスト層を形成する段階;
(ii)レーザービームを用いて前記レジスト層に微細パターン溝を形成する段階;
(iii)前記微細パターン溝に伝導性物質及び黒化物質を含有する混合層を形成する段階;及び
(iv)前記非伝導性基材上に残留するレジスト層を除去する段階;
とを含み、
前記(ii)段階においてレジスト層及び前記基材の一部を除去して微細パターン溝を形成し、
前記(iii)段階において、前記混合層は、前記微細パターン溝に黒化物質を含有する黒化溶液を充填し乾燥させて下部黒化層を形成する段階と、前記下部黒化層が形成された微細パターン溝に伝導性物質を含有する伝導性インクを充填し乾燥させて伝導性層を形成する段階と、前記伝導性層の上に上部黒化層を形成する段階とから形成され、
前記混合層は、前記下部黒化層と前記上部黒化層によって伝導性層を囲む構造を有していることを特徴とする黒化伝導性パターンの製造方法。 - 前記上部黒化層は、前記伝導性層が形成された微細パターン溝に黒化物質を含有する黒化溶液を充填し乾燥させる方法で形成されることを特徴とする請求項1に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
- 前記上部黒化層は、前記伝導性層の上に黒化物質を電気鍍金又は無電解鍍金する方法で形成されることを特徴とする請求項1に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
- 前記上部黒化層は微細パターン溝に形成された伝導性層を黒化物質を含有する黒化溶液に浸漬させて表面を黒化処理する方法で形成されることを特徴とする請求項1に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
- 前記(ii)段階において除去される基材の深さと前記(iii)段階において形成される伝導性物質及び黒化物質を含有する混合層の高さが一致するように形成することを特徴とする請求項1に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
- 前記レジスト層は有機高分子物質からなることを特徴とする請求項1に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
- 前記有機高分子物質は、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、セルロースアセテート、ポリビニルクロライド、ポリウレタン、ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、フェノール変性アルキド樹脂、エポキシ変性アルキド樹脂、ビニル変性アルキド樹脂、シリコーン変性アルキド樹脂、アクリルメラミン樹脂、ポリイソシアネート樹脂、又はエポキシエステル樹脂とから選ばれることを特徴とする請求項6に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
- 前記黒化物質は、Cu、Zn、Ni、Co、Ti、Mn、Fe、Cr、Nb、Ru、Cd、Ge及びSnからなる群より選ばれる1種又は2種以上の金属を含む金属酸化物、金属硫化物、又は有機金属化合物とから選ばれることを特徴とする請求項1に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
- 前記伝導性物質は、銀、金、白金、パラジウム、銅、ニッケル、亜鉛、鉄、アルミニウム、又はこれらの混合物から選ばれることを特徴とする請求項1に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
- 前記伝導性物質は、下記の製造方法で製造された銀粒子を含むことを特徴とする請求項9に記載の黒化伝導性パターンの製造方法。
a)下記化学式1で示される銀化合物と、化学式2乃至化学式4で示されるアンモニウムカルバメート系化合物、アンモニウムカーボネート系化合物、又はアンモニウムビカーボネート系化合物から選ばれる1種又は2種以上の混合物を反応させて銀錯体化合物を製造する段階;
b)前記a)段階の銀錯体化合物に還元剤を反応させる又は熱を加えて還元又は熱分解させて銀ナノ粒子を製造する段階。
<化学式1>
<化学式2>
<化学式3>
<化学式4>
前記式中、Xは酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、硝酸塩、亜硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、チオシアネート、塩素酸塩、過塩素酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、アセチルアセトネート、カルボン酸塩、及びこれらの誘導体から選ばれる置換基であり、nは1乃至4の整数であり、R1乃至R6は互いに独立に水素、ヒドロキシ基、C1-C30のアルコキシ基、C3-C20のアリールオキシ基、C1-C30の脂肪族、若しくはC3-C20の脂環族アルキル基、若しくはC3-C20のアリール、若しくはこれらの混合であるC4-C30のアラルキル(aralkyl)基、官能基が置換されたC1-C30のアルキル基、官能基が置換されたC3-C20のアリール基、官能基が置換されたC4-C30のアラルキル(aralkyl)基、N、S、Oから選ばれるヘテロ元素を含むC3-C20のヘテロ環化合物、高分子化合物又はその誘導体から選ばれ、R1乃至R6が官能基が置換若しくは無置換のアルキル基又はアラルキル基である場合、炭素鎖内にN、S、Oから選ばれるヘテロ元素を含ませてもよく、不飽和結合を含ませてもよく、R1とR2又はR4とR5は互いに独立にヘテロ原子が含み若しくは含まないアルキレンで連結されて環を形成してもよい。
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