JP5327768B2 - 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 - Google Patents
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Claims (31)
- リソグラフィック投影装置であって、
基板上に像を投影する光学アセンブリと、
前記基板を前記光学アセンブリに隣接して支持する基板テーブルを含み、前記光学アセンブリと前記基板の間の空間が液浸液体で充填されているステージアセンブリと、
挿入部材であって、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入されて、前記空間内の前記液浸液体を、前記光学アセンブリと前記挿入部材の間に配置される第1部分と、前記挿入部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間に配置される第2部分に分割可能な前記挿入部材とを備え、
前記挿入部材は、前記基板が前記光学アセンブリに隣接した配置から離れて移動するときに、前記光学アセンブリの前記液浸液体の前記第1部分との接触を保持するリソグラフィック投影装置。 - さらに、前記挿入部材を、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の前記空間内に、並びに前記空間から外に移動する制御系を備える請求項1に記載の装置。
- さらに、前記空間の境界の少なくとも一部を形成する環境システムを備える請求項1に記載の装置。
- 前記環境システムは、前記基板が、前記光学アセンブリに隣接している状態から長距離離れて移動するときに、前記液浸液体の前記第2部分を除去する多孔部材を備える請求項3に記載の装置。
- 前記環境システムは、前記空間内に前記液浸液体を閉じ込める閉じ込め部材を含む請求項3に記載の装置。
- 前記閉じ込め部材によって閉じ込められた前記液浸液体は、前記基板の露光中に、前記基板表面の局所的な領域を覆う請求項5に記載の装置。
- 前記挿入部材は、前記閉じ込め部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に、取り出し可能に挿入可能である請求項5に記載の装置。
- さらに、前記基板テーブル上の基板を第2基板と交換する基板交換システムを備える請求項1に記載の装置。
- さらに、第2基板を支持する第2基板テーブルを含む第2ステージアセンブリと、
前記第1ステージアセンブリおよび前記第2ステージアセンブリの移動を制御して、前記2つのステージアセンブリを、交互に、前記光学アセンブリに隣接して位置付けする制御系とを備える請求項1に記載の装置。 - 前記基板テーブルの一方を前記光学アセンブリの下に位置付ける第1状態から、前記基板テーブルの他方を前記光学アセンブリの下に位置付ける第2状態に移行する間、前記挿入部材を用いて、前記液浸液体を前記光学アセンブリの下に維持する請求項9に記載の装置。
- デバイス製造方法であって、
投影系と基板テーブル上に支持された基板との間の空間に、液浸液体を供給することと、
挿入部材を、前記投影系と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に移動して、前記液浸液体を、前記光学系と前記挿入部材の間に配置される第1部分と、前記挿入部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間に配置される第2部分に分割することと、
前記基板を前記光学系に隣接した配置から離れて移動する間に、前記投影系の前記液浸液体の前記第1部分との接触を維持することを含むデバイス製造方法。 - さらに、前記挿入部材と前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間から、前記液浸液体の前記第2部分を除去することを含む請求項11に記載の方法。
- さらに、前記液浸液体の前記第2部分を除去した後に、前記基板を第2基板と交換することを含む請求項12に記載の方法。
- 前記基板が、半導体ウエハおよびガラスパネルの一つである請求項11に記載の方法。
- 前記投影系と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の前記空間に、前記挿入部材を移動した後、前記挿入部材を、前記投影系に接触することなく前記投影系に隣接して保持する請求項11に記載の方法。
- リソグラフィック投影装置であって、
基板上に像を投影する光学アセンブリと、
前記光学アセンブリに隣接して前記基板を支持する基板テーブルを含み、前記基板の露光中に、前記光学アセンブリと前記基板の間の空間に液浸液体が充填されているステージアセンブリと、
挿入部材であって、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入されて、前記空間内の前記液浸液体を前記光学アセンブリと前記挿入部材の間に配置される第1部分と、前記挿入部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間に配置される第2部分に分割し、前記基板が前記光学アセンブリに隣接した配置から離れて移動するときに、前記光学アセンブリの前記液浸液体の前記第1部分との接触を保持する挿入部材と、
前記挿入部材にリリース可能に連結されるデバイスであって、(i)前記挿入部材が、前記液浸液体の前記第1部分と前記光学アセンブリとの接触を維持するように、前記挿入部材を、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間に挿入し、且つ(ii)前記挿入部材を前記空間から外に取り出す前記デバイスとを備えるリソグラフィック投影装置。 - リソグラフィック投影装置であって、
基板上に像を投影する光学アセンブリと、
前記基板を前記光学アセンブリに隣接して支持する基板テーブルを含み、前記光学アセンブリと前記基板の間の空間が液浸液体で充填されているステージアセンブリと、
挿入部材であって、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入されて、前記空間内の前記液浸液体を前記光学アセンブリと前記挿入部材の間に配置される第1部分と、前記挿入部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間に配置される第2部分に分割可能な前記挿入部材とを備え、
前記挿入部材は、基板交換の間に、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方が、前記光学アセンブリに隣接した配置から離れて移動するとき、並びに、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方が前記光学アセンブリから離れる間、前記光学アセンブリの前記液浸液体の前記第1部分との接触を保持するリソグラフィック投影装置。 - 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方が前記光学アセンブリから離れる間、並びに基板交換の間に、前記投影系は、前記液浸液体の前記第1部分との接触を維持する請求項11に記載の方法。
- 前記閉じ込め部材は液体回収要素を含み、前記液体回収要素を通じて前記第2部分の前記液浸液体が除去される請求項7に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記第2部分の前記液浸液体を除去する請求項19に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記第2部分の前記液浸液体を除去する請求項7に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記液浸液体の前記第2部分を除去する請求項12に記載の方法。
- さらに、前記液浸液体を前記空間内に閉じ込める閉じ込め部材を備え、前記挿入部材は、前記閉じ込め部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入可能である請求項16に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記液浸液体の前記第2部分を除去する請求項23に記載の装置。
- 前記閉じ込め部材は液体回収要素を含み、前記液体回収要素を通じて前記第2部分の前記液浸液体が除去される請求項24に記載の装置。
- 請求項16に記載の前記リソグラフィック投影装置の前記光学アセンブリを用いて、基板上に像を投影することによって前記基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することを含むデバイス製造方法。 - さらに、前記液浸液体を前記空間内に閉じ込める閉じ込め部材を備え、前記挿入部材は、前記閉じ込め部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入可能である請求項17に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記液浸液体の前記第2部分を除去する請求項27に記載の装置。
- 前記閉じ込め部材は液体回収要素を含み、前記液体回収要素を通じて前記第2部分の前記液浸液体が除去される請求項28に記載の装置。
- 請求項17に記載の前記リソグラフィック投影装置の前記光学アセンブリを用いて、基板上に像を投影することによって前記基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することを含むデバイス製造方法。 - 請求項1に記載の前記リソグラフィック投影装置の前記光学アセンブリを用いて、基板上に像を投影することによって前記基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することを含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US91805707P | 2007-03-15 | 2007-03-15 | |
US60/918,057 | 2007-03-15 | ||
US11/976,898 | 2007-08-29 | ||
US11/976,898 US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2007-10-29 | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009553605A Division JP5282255B2 (ja) | 2007-03-15 | 2008-03-12 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013139931A Division JP5510600B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-07-03 | リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013123079A JP2013123079A (ja) | 2013-06-20 |
JP5327768B2 true JP5327768B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=39762312
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009553605A Expired - Fee Related JP5282255B2 (ja) | 2007-03-15 | 2008-03-12 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
JP2013032858A Expired - Fee Related JP5327768B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-02-22 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
JP2013139931A Active JP5510600B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-07-03 | リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法 |
JP2014065131A Active JP5725227B2 (ja) | 2007-03-15 | 2014-03-27 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009553605A Expired - Fee Related JP5282255B2 (ja) | 2007-03-15 | 2008-03-12 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013139931A Active JP5510600B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-07-03 | リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法 |
JP2014065131A Active JP5725227B2 (ja) | 2007-03-15 | 2014-03-27 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8237911B2 (ja) |
JP (4) | JP5282255B2 (ja) |
KR (4) | KR101580467B1 (ja) |
TW (2) | TWI440985B (ja) |
WO (1) | WO2008115372A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014168068A (ja) * | 2007-03-15 | 2014-09-11 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
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KR20120113238A (ko) | 2010-01-08 | 2012-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 부재, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
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TWI606529B (zh) * | 2016-11-02 | 2017-11-21 | Lens housing assembly for wafer inspection equipment | |
JP6610726B2 (ja) * | 2018-07-11 | 2019-11-27 | 株式会社ニコン | 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
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- 2008-03-12 KR KR1020097021477A patent/KR101515649B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-12 KR KR1020157036015A patent/KR20160003326A/ko active Search and Examination
- 2008-03-12 JP JP2009553605A patent/JP5282255B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-14 TW TW097109085A patent/TWI440985B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-03-14 TW TW103117596A patent/TWI545407B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-06-25 US US13/532,195 patent/US8400610B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-30 US US13/754,111 patent/US8743343B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-22 JP JP2013032858A patent/JP5327768B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-03 JP JP2013139931A patent/JP5510600B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014065131A patent/JP5725227B2/ja active Active
- 2014-04-25 US US14/262,058 patent/US9217933B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014168068A (ja) * | 2007-03-15 | 2014-09-11 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140124867A (ko) | 2014-10-27 |
KR101580467B1 (ko) | 2015-12-28 |
KR20160003326A (ko) | 2016-01-08 |
US20130141702A1 (en) | 2013-06-06 |
JP5510600B2 (ja) | 2014-06-04 |
JP2014168068A (ja) | 2014-09-11 |
JP2013123079A (ja) | 2013-06-20 |
US9217933B2 (en) | 2015-12-22 |
US20080225246A1 (en) | 2008-09-18 |
US8400610B2 (en) | 2013-03-19 |
JP5282255B2 (ja) | 2013-09-04 |
KR20180031083A (ko) | 2018-03-27 |
TWI545407B (zh) | 2016-08-11 |
WO2008115372A1 (en) | 2008-09-25 |
US8237911B2 (en) | 2012-08-07 |
JP5725227B2 (ja) | 2015-05-27 |
TW201437769A (zh) | 2014-10-01 |
JP2010521814A (ja) | 2010-06-24 |
US20140232999A1 (en) | 2014-08-21 |
WO2008115372A8 (en) | 2010-05-06 |
JP2013225693A (ja) | 2013-10-31 |
TWI440985B (zh) | 2014-06-11 |
US8743343B2 (en) | 2014-06-03 |
KR20100015585A (ko) | 2010-02-12 |
KR101515649B1 (ko) | 2015-04-27 |
US20120262687A1 (en) | 2012-10-18 |
TW200907586A (en) | 2009-02-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130618 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130716 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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