TWI440985B - 浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法 - Google Patents

浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI440985B
TWI440985B TW097109085A TW97109085A TWI440985B TW I440985 B TWI440985 B TW I440985B TW 097109085 A TW097109085 A TW 097109085A TW 97109085 A TW97109085 A TW 97109085A TW I440985 B TWI440985 B TW I440985B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
immersion liquid
wafer
optical
optical component
Prior art date
Application number
TW097109085A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200907586A (en
Inventor
潘家田
許偉峰
蓋斯瓦尼 高瑞夫
庫恩 戴瑞克
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW200907586A publication Critical patent/TW200907586A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI440985B publication Critical patent/TWI440985B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法
本發明乃關於浸沒式微影系統，尤其關於浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法。
微影系統常在半導體處理期間用來將影像從一光罩(reticle)轉印至一半導體晶圓。一典型的微影系統包含：一光學組件；一光罩平台，用以固持一用於定義一圖案的光罩；一晶圓平台組件，其會定位一半導體晶圓；以及一測量系統，其會精確地監視該光罩與該晶圓的位置。於操作期間，由該光罩所定義的一影像會藉由該光學組件投影在該晶圓上。該投影的影像通常會具有該晶圓上一或多個晶粒的尺寸。在曝光之後，該晶圓平台組件便會移動該晶圓並且接著進行另一次曝光。此過程會反覆進行，直到該晶圓上的所有晶粒均曝光為止。接著，便會移開該晶圓並且在其位置處交換一新的晶圓。
浸沒式微影系統會運用一層浸沒流體，其會在該晶圓的曝光期間完全填充該光學組件與該晶圓之間的空間。該浸沒流體連同該光學組件的光學特性允許投影小於使用標準光學微影術之目前可能做到的特徵尺寸。舉例來說，浸沒式微影術目前被視為係下一代的半導體技術，其包含45奈米以下的技術。所以，浸沒式微影術代表一種重大的技 術性突破，其會使得光學微影術得以繼續使用。
在一晶圓曝光之後，其便會移開並且與一新的晶圓進行交換。如同特定浸沒式系統中的設計，該浸沒流體會從該空間處移除，並且會在交換該晶圓之後接著重新補充。更明確地說，當一晶圓要交換時，便會關閉流體對該空間的供應，該流體會從該空間處移除(也就是，藉由真空來進行)，舊晶圓會移開，一新晶圓會對齊且放置在該光學組件下方，並且接著會利用新的浸沒流體重新填充該空間。一旦完成所有上面步驟之後，便可以開始對該新晶圓進行曝光。於一串聯平台(或雙平台)浸沒式微影系統中，會提供一對晶圓平台，該等晶圓平台會交替地定位在該光學組件下方，而晶圓交換及/或對齊則係在未設置在該光學組件下方的晶圓平台上來實施。當該光學組件下方的晶圓曝光完成之後，該等兩個晶圓平台便會互換並且反覆進行該過程。此曝光裝置的範例揭示在美國專利第6,341,007號以及美國專利第6,262,796號之中，本文以引用的方式將它們的揭示內容完整併入。
基於數項理由，上面所述之浸沒式微影術的晶圓交換仍然會有間題。反覆的填充與排出該空間可能會導致在該浸沒流體內形成氣泡。氣泡可能會干擾該光罩上的影像投影至該晶圓上，從而會降低良率。整個過程還牽涉到許多步驟並且非常耗時，其會降低該機器的總處理量。
對會降低該機器之總處理量的系統的範例來說，請參見US 2006/0023186 A1以及US 2005/0036121 A1，本文以 引用的方式將它們的揭示內容完整併入。
所以，希望有一種在該晶圓平台及/或該晶圓工作台移動遠離該投影光學系統時(舉例來說，在進行晶圓交換期間及/或在長程快速移動期間)用以維持該空間中的浸沒流體相鄰於該投影光學系統的裝置和方法。再者，還希望有一種在移動該晶圓平台及/或該晶圓工作台遠離該投影光學.系統時用以維持介於該投影光學系統與一或多個物體之間的一空間中的浸沒流體的裝置和方法，其中，該等一或多個物體係定位在該投影光學系統的反向處。因此，可以提高機器處理量。
根據本發明一項觀點，該裝置包含：一光學組件，其會將一影像投影在一基板上；以及一平台組件，其包含一基板工作台，其會支撐相鄰於該光學組件的該基板。本發明提供一環境系統，用以供應一浸沒流體至介於該光學組件及該平台組件上的該基板之間的空間，並且從該空間處移除該浸沒流體。本發明提供一可移動的插入部件(其可以可移除的方式插入介於該光學組件及該基板、該基板工作台、或是兩者之間的空間之中)用以將該浸沒流體分成一第一部分以及一第二部分。該第一部分係設置在該光學組件及該插入部件之間，該第二部分係設置在該插入部件及該基板、該基板工作台、或是兩者之間。該插入部件會在移動該基板及/或該基板工作台遠離而不設置在相鄰於該光學 組件的位置處時，維持該光學組件接觸該浸沒流體的該第一部分。一交換系統會從該基板工作台處移開該基板，並且以一第二基板來置換該基板。因為該插入部件的關係，當該第二基板定位相鄰於該光學組件時，並不需要利用浸沒流體來完全再填充該空間。
圖1所示的係一微影機10的概略示意圖。該微影機10包含：一框架12、一照射系統14(輻射裝置)、一光學組件16、一光罩平台組件18、一基板平台組件20、一測量系統22、一控制系統24、以及一流體環境系統26。微影機10的該等元件的設計可加以改變，以適應於該微影機10的設計需求。
於一實施例中，微影機10係用來將一積體電路的圖案(圖中並未顯示)從光罩28轉印至一半導體晶圓30(圖中以虛線顯示)上。該微影機10係安置在一安置基座32(舉例來說，地面、底座、地板、或是一些其它支撐結構)之上。
於各種實施例中，該微影機10可能係作為一掃描類型光微影系統，其會利用該光罩28與該晶圓30的同步移動來將該圖案從該光罩28曝光在該晶圓30上。於一掃描類型微影機之中，該光罩28會藉由該光罩平台組件18而垂直於該光學組件16的一光軸來移動，該晶圓30則會藉由該晶圓平台組件20而垂直於該光學組件16的該光軸來移動。曝光則係發生在該光罩28與該晶圓30正在同步移動 時。
或者，該微影機10亦可能係一步進反覆類型的光微影系統，其係在該光罩28與該晶圓30為靜止時來實施曝光。在步進反覆過程中，該晶圓30在一個別場域的曝光期間係處於相對於該光罩28與該光學組件16的一恆定位置處。接著，在接續的曝光步驟期間，該晶圓30會利用藉由該晶圓平台組件20而垂直於該光學組件16的該光軸來接續地移動，而使得該晶圓30的下一個場域會帶到相對於該光學組件16與該光罩 8的位置中用以進行曝光。在此過程之後，該光罩28上的影像便會依序曝光在該晶圓30的該等場域上。
不過，本文所提供之微影機10的用途並不僅限於用在半導體製造的光微影術。舉例來說，該微影機10亦可作為一LCD光微影系統，其會將一液晶顯示器基板圖案曝光在一矩形玻璃板之上；或是作為一用於製造一薄膜磁頭的光微影系統。據此，本文中所使用的「基板」一詞的上位概念所指的便係可以利用微影術來圖案化的任何元件，例如但並不受限於晶圓或LCD基板。
裝置框架12會支撐該微影機10的該等元件。圖1中所示的裝置框架12會在安置基座32上方支撐光罩平台組件18、晶圓平台組件20、光學組件16、以及照射系統14。
照射系統14包含一照射源34以及一照射光學組件36。該照射源34會發出一光能量射束(輻射)。該照射光學組件36會將該光能量射束從該照射源34引導至該光學組 件16。該射束會選擇性地照射該光罩28的不同部分並且會曝光該晶圓30。在圖1中所示的照射源34係支撐在該光罩平台組件18的上方。不過，一般來說，該照射源34係固定在該裝置框架12的其中一側，而來自該照射源34的能量射束則會利用該照射光學組件36導向該光罩平台組件18的上方。
舉例來說，該照射源34可能係一g線光源(436nm)、一i線光源(365nm)、一KrF準分子雷射(248nm)、一ArF準分子雷射(193nm)、或是一F2 雷射(157nm)。或者，該照射源34亦可能會產生一x射線。
該光學組件16會將通過該光罩28的光投影及/或聚焦至該晶圓30。端視該微影機10的設計而定，該光學組件16可能會放大或縮小照射在該光罩28上的影像。該光學組件16並不必受限於一縮小系統，其亦可能係一1x或更大倍數的放大系統。
另外，藉由一運用波長為200nm甚至更小的真空紫外光(VUV)輻射的曝光基板，便可以考慮使用折反射(catadioptric)類型的光學系統。折反射類型的光學系統的範例揭示在美國專利第5,668,672號以及美國專利第5,835,275號之中。於該些情況中，該反射光學系統可能係一折反射光學系統，其併入一分光器以及一凹面鏡。美國專利第5,689,377號以及歐洲專利公開案第816892 A2號同樣使用一併入一凹面鏡…等但卻不含一分光器的反射－折射類型的光學系統，並且同樣可運用於本實施例中。本文 以引用的方式將上面所提及的美國專利以及歐洲專利公開案的揭示內容完整併入。
光罩平台組件18會固持該光罩28，並且以該光學組件16與該晶圓30為基準來定位該光罩28。於其中一實施例中，光罩平台組件18包含：一光罩平台組件38，其會維持該光罩28；以及一光罩平台移動器組件40，其會移動與定位該光罩平台38及光罩28。
每一個平台移動器組件40、44(44係用於基板)能夠利用三個自由度、三個以下的自由度、或是三個以上的自由度來移動該等個別平台38、42。舉例來說，於替代的實施例中，每一個平台移動器組件40、44能夠利用一個、兩個、三個、四個、五個、或是六個自由度來移動該等個別平台38、42。光罩平台移動器組件40以及基板平台移動器組件44每一個可包含一或多個移動器，例如旋轉馬達、音圈馬達、運用一羅倫茲作用力來產生驅動作用力的線性馬達、電磁式移動器、平面馬達、或是其它的作用力移動器。
於光微影系統中，當在晶圓平台組件或是光罩平台組件中使用線性馬達時(參見美國專利第5,623,853號或是第5,528,118號，本文以引用的方式將它們完整併入)，該等線性馬達可能係運用空氣軸承的空氣懸浮類型或是使用羅倫茲作用力或電抗作用力的磁性懸浮類型。除此之外，該平台亦可能會沿著一導軌來移動，或者其可能係一不使用任何導軌的無導軌類型平台。
或者，可以利用一平面馬達來驅動該等平台中其中一者，該平面馬達會藉由一具有二維排列磁鐵的磁鐵單元以及一具有二維排列在對面位置處之線圈的電樞線圈單元所產生的電磁作用力來驅動該平台。利用此類型的驅動系統，該磁鐵單元或是該電樞線圈單元中其中一者會連接至該平台基座，而另一單元則會安置在該平台的移動平面側上。
如上面所述般地移動該等平台會產生可能會影響該光微影系統之效能的反作用力。由該晶圓(基板)平台運動所產生的反作用力可以藉由使用一框架部件而以機械方式傳輸至地板(地面)，如美國專利第5,528,100號中所述。除此之外，由該光罩(遮罩)平台運動所產生的反作用力可以藉由使用一框架部件而以機械方式傳輸至地板(地面)，如美國專利第5,874,820號中所述。本文以引用的方式將美國專利第5,528,100號以及美國專利第5,874,820號的揭示內容完整併入。
測量系統22會監視光罩28與晶圓30相對於該光學組件16或其它基準的移動。利用此資訊，該控制系統24便可以控制該光罩平台組件18，用以精確地定位該光罩28；以及控制該基板平台組件20，用以精確地定位該晶圓30。測量系統22的設計可以改變。舉例來說，該測量系統22可能會運用多個雷射干涉儀、編碼器、反射鏡、及/或其它測量裝置。
控制系統24會接收來自該測量系統22的資訊並且會 控制該等平台組件18、20，用以精確地定位該光罩28以及該晶圓30。除此之外，控制系統24可控制該環境系統26的元件操作。控制系統24可包含一或多個處理器以及電路。
環境系統26會控制介於該光學組件16及該晶圓30之間的空間(圖中並未顯示)之中的環境。該空間包含一成像場域。該成像場域包含相鄰於該晶圓30中要曝光之區域的地區以及光能量射束會在該光學組件16與該晶圓30之間前進的地區。利用此種設計，環境系統26便可以控制該成像場域之中的環境。在該空間中由該環境系統26所創造及/或控制的所希環境可隨著該晶圓30以及該微影機10之其餘元件(包含該照射系統14)的設計而改變。舉例來說，該所希的受控環境可能係一液體(例如水)。或者，該所希的受控環境可能係另一種類型的流體，例如氣體。於各種實施例中，該空間介於該晶圓30之頂表面及該光學組件16之最後光學元件之間的高度的範圍可從0.1mm至10mm。
於其中一實施例中，該環境系統26會利用一浸沒流體來填充該成像場域以及該空間的其餘部分。環境系統26以及該環境系統26之元件的設計可以改變。於不同的實施例中，該環境系統26會使用噴嘴、電動海綿(electro－kinetic sponge)、多孔材料...等將浸沒流體傳送及/或注入該空間之中，並且會使用真空唧筒、海綿、以及類似的裝置從該空間中移除該流體。該環境系統26會將該浸沒流 體侷限在該光學組件16下方的空間之中。該環境系統26會構成該光學組件16以及一或多個物體(舉例來說，晶圓30、晶圓平台組件20、或是兩者)之間的空間的邊界的一部分。受到該環境系統26侷限的浸沒流體會覆蓋晶圓30、晶圓平台組件20、或是兩者的表面上的一局部區域。該環境系統26的設計可以改變。舉例來說，其可能會將該浸沒流體注入該空間處的一或多個位置處或是該空間附近的一或多個位置處。進一步言之，該浸沒流體系統能夠幫助移除及/或清除該晶圓30、該空間及/或該光學組件16之邊緣處的一或多個位置處或是其附近的浸沒流體。舉例來說，各種環境系統的額外細節請參見U.S.2007/0046910 A1、U.S.2006/0152697 A1、U.S.2006/0023182 A1、以及U.S.2006/0023184 A1，本文以引用的方式將它們的揭示內容完整併入。
現在請參考圖2A與2B，圖中所示的係一實施例的浸沒式微影機的剖面圖與平面圖(俯視圖)。該微影機200包含一光學組件16以及一平台組件202，該平台組件包含一晶圓工作台204以及一晶圓平台206。該晶圓工作台204會配置成用以將一晶圓208(或是任何其它類型的基板)支撐在該光學組件16的下方。一包圍該光學組件16的環境系統26係用來供應浸沒流體212至介於該晶圓208與該光學組件16之最下方光學元件之間的空間以及用來從該空間處移除浸沒流體212。一基板交換系統216(其包含一晶圓裝載器218(舉例來說，一機器人)以及一對齊工具 220(舉例來說，一顯微鏡以及CCD相機))會配置成用以移除該晶圓工作台204上的晶圓208並且以一第二晶圓來置換它。這通常係使用該晶圓裝載器218從該晶圓工作台204處移除該晶圓208來達成。接著，該第二晶圓(圖中並未顯示)便會放置在該晶圓裝載器218之上，利用該對齊工具220來對齊，並且接著會定位在該晶圓工作台204上該光學組件16的下方。如圖2B中的最佳圖示，一組馬達222係在操作期間用來在高達六個自由度(X、Y、Z、θx 、θy 、θz )中移動該晶圓組件202(其包含一晶圓工作台204以及一晶圓平台206)。如上面所述，該等馬達222可能係任何類型的馬達，例如線性馬達、旋轉馬達、音圈馬達...等。
該浸沒式微影機200還包含一插入部件定位系統224，其會配置成用以當該晶圓工作台204遠離該光學組件16下方時(舉例來說，在進行晶圓交換、對齊、以及該基板長程快速移動遠離該光學系統期間)將部分浸沒流體212維持在該光學組件16下方的空間中。該插入部件定位系統224包含一可移動的插入部件226、一馬達228、以及一控制系統230。該可移動的插入部件226可移動至該晶圓208、該晶圓工作台204、或兩者與該光學組件16之最下方光學元件之間的空間之中，俾使定位成相鄰於且介於該光學組件16及該晶圓工作台204上的一晶圓208之間。明確地說，該可移動的插入部件226可移動至該晶圓208、該晶圓工作台204、或兩者與該環境系統26的下端部分之間的空間之中，俾維持該浸沒流體212在該可移動的插入部件 226與該光學組件16之間的空間。如下面的討論，於此位置中，該可移動的插入部件226會導致該浸沒液體212的一部分陷落在該光學組件16與該插入部件226之間。該可移動的插入部件226還可自該晶圓208與該光學組件16之最下方光學元件之間的空間處移除(也就是，移離該處)。因此，於圖2A與2B的實施例中，在該可移動的插入部件226插入該晶圓208與該光學組件16之最下方光學元件之間的空間之中以後，該可移動的插入部件226便不會被該控制系統230從該馬達228處釋放。也就是，該可移動的插入部件226會在相鄰於以及介於該光學組件16及該晶圓工作台204上的一晶圓208之間的位置處保持附接至該馬達228(也就是，由該控制系統230來固持)。在該可移動的插入部件226移動至該投影系統16與該基板晶圓208之間的空間之中以後，該可移動的插入部件226會固持相鄰於該投影系統16而不會接觸該投影系統16。該可移動的插入部件226可使用一或多個馬達228在高達六個自由度的方向中移動，該等馬達228係受控於該控制系統230。該馬達228可能係任何類型的馬達。在該晶圓工作台204(該晶圓平台206)及該已固持晶圓移動遠離該光學組件16的下方之前，該可移動的插入部件226會定位在該光學組件16的下方(相鄰於該光學組件16)。
圖3A至3D所示的係該可移動的插入部件226如何維持該光學組件16接觸該浸沒液體212的至少一部分的範例。如圖3A中所示，浸沒液體212會持續地供應至位於 該光學組件16之最後光學元件附近的該環境系統26的浸沒流體元件(液體侷限部件)310，並且會經由該環境系統26的回收元件320(其可能係一多孔媒體、真空...等)持續地回收。該回收元件320(多孔媒體)係設置在該浸沒流體元件310的下表面處。在圖3A中，該晶圓208係與該光學組件16及該浸沒流體元件310(以及該回收元件320)相對。此外，晶圓工作台204或晶圓208與晶圓工作台204兩者可以定位在光學組件16及浸沒流體元件3l0(以及回收元件320)下方。此時，該可移動的插入部件226會設置在該光學組件16與該晶圓208之間的空間外面。在進行晶圓交換之前(該晶圓工作台204會在該期間移動遠離該光學組件16)，應該先從該晶圓平台206處移除該浸沒液體212。據此，該控制系統230會指示該馬達228將該可移動的插入部件226移至該晶圓208與該光學組件16的最下方光學元件之間的空間之中。明確地說，該可移動的插入部件226會移動至該晶圓208與該浸沒流體元件310的下端之間的空間之中。如圖3B中所示，該可移動的插入部件226會將該空間中的浸沒液體212分成一介於該光學組件16與該插入部件226之間的第一部分以及一介於該插入部件226與該晶圓208之間的第二部分。因此，當該晶圓208移動遠離而不設置在相鄰於該光學組件16的位置處時(透過該晶圓平台206的移動來達成)，該可移動的插入部件226會維持該光學組件16接觸該浸沒液體212的第一部分。在圖3B中，該第一部分包含該晶圓208與該浸沒流體元件310 之間的空間。藉由移動該晶圓208，如圖3C中所示，位於該可移動的插入部件226下方的浸沒液體212可經由該浸沒流體元件310的多孔媒體320而移除。當移動該晶圓208時，液體212可從設置在該晶圓工作台204上的一回收出口(圖中並未顯示)及/或設置在該可移動的插入部件226的背表面及/或側表面上的一回收出口(圖中並未顯示)處移除。在從該晶圓208處回收所有浸沒液體212之後，如圖3D中所示，該晶圓平台206便可以最大速度來移動長程距離，而不會有液體從該浸沒流體元件310處漏出。此外，因為沒有任何液體遺留在該晶圓208或晶圓平台206上，所以，不會有任何液體因該晶圓平台206移動的關係被散濺。此時便可以實施晶圓對齊以及晶圓208卸載/交換之類的處理。在使用一或多個對齊工具220對齊該新的晶圓之後，該晶圓工作台204便會重新定位在該光學組件16的下方。較佳的係，該晶圓工作台204係定位在可移動的插入部件226的下方。接著，該控制系統230便會指示該馬達228從該空間處縮回該可移動的插入部件226，用以防止該浸沒液體212從相鄰於該光學組件16的位置處漏出，並且用以將該可移動的插入部件226移動至該空間外面的位置，如圖3A中所示。因此，介於該新晶圓與該光學組件16之間的空間便會被該浸沒液體212填充。接著便會實施曝光。依此方式，該插入部件定位系統224會在進行晶圓交換期間以及在該基板進行長程快速移動遠離該光學組件期間維持該浸沒液體212相鄰於該光學組件16的最 下方光學元件。
於各實施例中，該控制系統230可能係一分離的控制系統，或者其可能會整合至用於控制該曝光裝置的控制系統之中。必要時，可以在該晶圓工作台204移離該光學組件16下方之前、期間、或是之後，調整該晶圓工作台204與該可移動的插入部件226中至少其中一者的垂直位置及/或傾斜。在該晶圓工作台204遠離該光學組件16時所實施的作業並不僅限於晶圓交換作業。舉例來說，當將該浸沒液體212保持在該可移動的插入部件226與該光學組件16之間的空間中時，可以執行對齊作業、測量作業、或是其它包含該基板或該晶圓工作台的長程快速移動的作業。
圖4A與4B所示的係根據其它實施例的兩種不同的雙晶圓平台浸沒式微影系統的平面圖。針對該雙晶圓平台微影系統的基礎結構與操作，請參見美國專利第6,262,796號以及美國專利第6,341,007號。本文以引用的方式將美國專利第6,262,796號以及美國專利第6,341,007號的揭示內容完整併入。於兩個實施例中均顯示出一對晶圓平台WS1與WS2。馬達502係用來在(圖面的)水平方向中移動或定位該等兩個平台WS1與WS2，而馬達504係用來在(圖面的)垂直方向中移動或定位該等兩個平台WS1與WS2。該等馬達502與504係用來交替地將其中一平台定位在該光學組件16下方，同時在另一平台上實施晶圓交換與對齊。當完成該光學組件16下方之晶圓的曝光之後，該等 兩個平台接著便會互換並且反覆進行上面過程。利用任一種配置，上面針對圖2A至3D所說明與圖解之用於將浸沒液體保持在該光學組件16下方之空間中的各實施例便可配合任一種雙平台排列來使用。舉例來說，針對圖2A與2B的實施例，可相鄰於該光學組件16使用單一可移動的插入部件226、馬達228、以及控制系統230。該可移動的插入部件226可分別從該等平台WS1與WS2處移動。當要互換平台WS1與WS2時，該可移動的插入部件226便會移動至該光學組件16與該晶圓208之間的空間中，用以將該浸沒液體212保持在該光學組件16的下方。於從第一狀態(其中，該等平台WS1與WS2中其中一者會定位在該光學組件16的下方)轉換成第二狀態(其中，該等平台WS1與WS2中另一者會定位在該光學組件16的下方)期間，該可移動的插入部件226會定位在該光學組件16的下方，且該浸沒液體212會填充該光學組件16與該可移動的插入部件226之間的空間。
於上面所述的各實施例中，該可移動的插入部件可由數個不同材料所製成，例如陶瓷、金屬、以及塑膠。因為該可移動的插入部件比較薄且不應該在負載下或是在操作期間變形，所以，較佳的係，該等材料要具有高剛性，足以抗拒變形。該可移動的插入部件的厚度可能為50微米至5mm。較佳的係，該厚度的範圍係從50微米至200微米。根據其它實施例，該些材料還可能會塗佈著鐵氟龍(Teflon)。該可移動的插入部件的尺寸還應該足以覆蓋該浸 沒液體佔據的區域。於上面所述的各實施例中，該光學組件16的最後光學元件的表面會一直位在浸沒流體環境下，從而防止行程一流體印記(fluid mark)(也就是，水痕(water mark))。此外，舉例來說，該插入部件係藉由一機器人手臂或是其它的致動器來移動。
於特定的實施例中，該可移動的插入部件226的頂表面(面向該光學組件16)以及底表面(面向該晶圓208)既不會拒斥也不會吸引液體。於其它實施例中，該可移動的插入部件226的頂表面會吸引液體(親水性)，而該可移動的插入部件226的底表面則會拒斥液體(厭水性)。於圖5A與5B中所示的進一步實施例中，該可移動的插入部件226的底表面為厭水性，並且會在該可移動的插入部件226的頂表面的周圍附近提供一厭水小珠(hydrophobic bead)501(圖中並未依比例繪出)。在該厭水小珠501內的該可移動的插入部件226的頂表面則為親水性。
藉由圖6A中大體上顯示的過程便可以使用上面所述的系統來製造半導體晶圓。在步驟601中會設計該基板的功能與效能特徵。接著，在步驟602中，會根據前面的設計步驟來設計一具有一圖案的光罩(遮罩)，並且會在平行步驟603中利用一矽材料來製造一晶圓。在步驟604中，會藉由本文上面所述的光微影系統將在步驟602中所設計的光罩圖案曝光至步驟603所製成的晶圓上。在步驟605中會組裝該半導體基板(其包含切割製程、黏結製程、以及封裝製程)。最後，會在步驟606中檢查該基板。
圖6B所示的係於製作半導體基板的情況中，上面所述之步驟604的詳細流程圖範例。於圖6B中，在步驟611中(氧化步驟)，該晶圓表面會被氧化。在步驟612中(CVD步驟)，會在該晶圓表面上形成一絕緣膜。在步驟613中(電極形成步驟)，會藉由氣相沉積在該晶圓上形成電極。在步驟614中(離子植入步驟)，離子會植入該晶圓之中。上面所述的步驟611至614會構成晶圓處理期間的晶圓前置處理步驟，並且會在每一道步驟處根據處理需求來作選擇。
在每一晶圓處理階段，當已經完成上面所述的前置處理步驟之後，便會施行下面的後置處理步驟。於後置處理期間，首先，在步驟615中(光阻形成步驟)，光阻會塗敷至一晶圓。接著，在步驟616中(曝光步驟)，會使用上面所述的曝光基板來將一光罩(遮罩)的電路圖案轉印至一晶圓。接著，在步驟617中(顯影步驟)，會顯影已曝光的晶圓，且在步驟618中(蝕刻步驟)，會藉由蝕刻移除殘留光阻(已曝光的材料表面)以外的部分。在步驟619中(光阻移除步驟)，會移除蝕刻之後所留下的不必要光阻。
藉由反覆進行該些前置處理步驟以及後置處理步驟便會形成多個電路圖案。
雖然本文所顯示及說明的特殊微影機完全能夠達成本文前面所述的目的並且提供本文前面所述的優點；不過，應該瞭解的係，它們僅係本發明的解釋性實施例，且本發明並不受限於該些實施例。
10‧‧‧微影機
12‧‧‧框架
14‧‧‧照射系統
16‧‧‧光學組件
18‧‧‧光罩平台組件
20‧‧‧基板平台組件
22‧‧‧測量系統
24‧‧‧控制系統
26‧‧‧流體環境系統
28‧‧‧光罩
30‧‧‧半導體晶圓
32‧‧‧安置基座
34‧‧‧照射源
36‧‧‧照射光學組件
38‧‧‧光罩平台組件
40‧‧‧光罩平台移動器組件
42‧‧‧基板平台組件
44‧‧‧基板平台移動器組件
200‧‧‧浸沒式微影機
202‧‧‧平台組件
204‧‧‧晶圓工作台
206‧‧‧晶圓平台
208‧‧‧晶圓
212‧‧‧浸沒流體
216‧‧‧基板交換系統
218‧‧‧晶圓裝載器
220‧‧‧對齊工具
222‧‧‧馬達
224‧‧‧插入部件定位系統
226‧‧‧可移動的插入部件
228‧‧‧馬達
230‧‧‧控制系統
310‧‧‧浸沒流體元件
320‧‧‧回收元件
501‧‧‧厭水小珠
502‧‧‧馬達
504‧‧‧馬達
WS1‧‧‧晶圓平台1
WS2‧‧‧晶圓平台2
圖1所示的係一浸沒式微影機的示意圖；圖2A與2B所示的係根據一實施例的浸沒式微影機的剖面圖與平面圖；圖3A至3D所示的係根據圖2A與2B之實施例的浸沒式微影機的可移動插入部件的進一步細節；圖4A與4B所示的係根據其它實施例的兩種不同的雙晶圓平台的平面圖；圖5A與5B所示的係可移動插入部件的另一實施例；圖6A所示的係用於製造一基板的流程圖；以及圖6B所示的係基板處理的更詳細流程圖。
16‧‧‧光學組件
200‧‧‧浸沒式微影機
202‧‧‧平台組件
204‧‧‧晶圓工作台
206‧‧‧晶圓平台
208‧‧‧晶圓
212‧‧‧浸沒流體
216‧‧‧基板交換系統
218‧‧‧晶圓裝載器
220‧‧‧對齊工具
224‧‧‧插入部件定位系統
226‧‧‧可移動的插入部件
228‧‧‧馬達

Claims (24)

  1. 一種微影投影裝置，其包括：一光學組件；一浸沒部件，其將浸沒液體供應於該光學組件與相對於該光學組件移動之物體之間的空間；以及一插入部件，其具備能與該光學組件相對向之第一面及能與該物體相對向之第二面，且以使供應至該光學組件與該物體之間之該浸沒液體被分割成該第一面側之第1部分與該第二面側之第2部分之方式被插入；被插入該浸沒液體中之該插入部件，係在該光學組件與該第一面之間維持浸沒液體。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其具備一控制系統，其會將該插入部件插入該光學組件與該物體之間的該空間、或將該插入部件從該空間往外移動；該控制系統，當該浸沒液體被維持於該光學組件與該物體之間時，使該插入部件退避至與該物體及該光學組件分離之位置。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該物體，包含基板、載置該基板之基板工作台、或該基板及該基板工作台兩者；當該基板或該基板工作台從該光學組件下之位置離開之際，將該插入部件插入該基板或該基板工作台與該光學組件之間，以在該第一面與該光學組件之間維持該浸沒液體。
  4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，在該插入部件之中與該光學組件相對向之面，實施對該浸沒液體之親水處理或厭水處理。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，在該插入部件之中與該物體相對向之面，實施對該浸沒液體之厭水處理。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，被該浸沒部件維持之該浸沒液體，係在該基板的曝光期間覆蓋該基板表面的局部區域。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，當該基板從該光學組件離開移動時，將存在於該插入部件與該物體之間的浸沒液體移除。
  8. 如申請專利範圍第3項之裝置，其進一步包括：一第一平台組件，其包含該基板工作台；一第二平台組件，其包含一用以支撐與該基板不同之一第二基板的第二基板工作台；以及一控制系統，其會控制該第一平台組件與該第二平台組件的移動，俾使該第一平台組件與該第二平台組件交替定位在該光學組件下的位置處。
  9. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，於從被該第一平台組件與該第二平台組件其中之一支撐之該基板工作台位在該光學組件的下方之第一狀態，轉換成被該第一平台組件與該第二平台組件其中之另一者支撐之該基板工作台位在該光學組件的下方之第二狀態期間，使用該插入部件，將該浸沒液體維持在該光學組件的下方。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之裝置，其中，從形成於該浸沒部件之回收口移除存在於該物體與該插入部件之間的浸沒液體。
  11. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之裝置，其中，從形成於該基板工作台之回收口移除存在於該物體與該插入部件之間的浸沒液體。
  12. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之裝置，其中，從形成於該插入部件之回收口移除存在於該物體與該插入部件之間的浸沒液體。
  13. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之裝置，其中，在該物體從該光學組件下離開之前，移除存在於該物體與該插入部件之間的浸沒液體。
  14. 一種製造元件之方法，其包括：供應一浸沒液體至光學組件與對向於該光學組件之物體之間的空間；將具備能與該光學組件相對向之第一面及能與該物體相對向之第二面之挿入部件，以使該浸沒液體被分割成該第一面側之第1部分與該第二面側之第2部分之方式插入該光學組件與該物體之間的空間內，將浸沒液體維持於該光學組件與該挿入部件之該第一面之間；以及藉由該光學組件及該浸沒液體將基板曝光。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其進一步包括：移除存在於該物體與該插入部件之間的浸沒液體。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，從形成於供 應該浸沒液體之浸沒部件之回收口移除存在於該物體與該插入部件之間的浸沒液體。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，從形成於該基板工作台之回收口移除存在於該物體與該插入部件之間的浸沒液體。
  18. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，從形成於該插入部件之回收口移除存在於該物體與該插入部件之間的浸沒液體。
  19. 如申請專利範圍第14至18項中任一項之方法，其包括：在移除存在於該物體與該插入部件之間的該浸沒液體之後，以一新的第二基板來置換該基板。
  20. 如申請專利範圍第14至18項中任一項之方法，其中，該物體，包含該基板、載置該基板之基板工作台。
  21. 如申請專利範圍第14至18項中任一項之方法，其中，在該插入部件之中與該光學組件相對向之面，實施對該浸沒液體之親水處理或厭水處理。
  22. 如申請專利範圍第14至18項中任一項之方法，其中，在該插入部件之中與該物體相對向之面，實施對該浸沒液體之厭水處理。
  23. 如申請專利範圍第14至18項中任一項之方法，其中，當該浸沒液體被維持於該光學組件與該物體之間時，使該插入部件退避至與該物體及該光學組件分離之位置。
  24. 如申請專利範圍第14至18項中任一項之方法，其 中，當該基板或該基板工作台從該光學組件下之位置離開之際，將該插入部件插入該基板或該基板工作台與該光學組件之間，以在該第一面與該光學組件之間維持該浸沒液體。
TW097109085A 2007-03-15 2008-03-14 浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法 TWI440985B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US91805707P 2007-03-15 2007-03-15
US11/976,898 US8237911B2 (en) 2007-03-15 2007-10-29 Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200907586A TW200907586A (en) 2009-02-16
TWI440985B true TWI440985B (zh) 2014-06-11

Family

ID=39762312

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097109085A TWI440985B (zh) 2007-03-15 2008-03-14 浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法
TW103117596A TWI545407B (zh) 2007-03-15 2008-03-14 浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103117596A TWI545407B (zh) 2007-03-15 2008-03-14 浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法

Country Status (5)

Country Link
US (4) US8237911B2 (zh)
JP (4) JP5282255B2 (zh)
KR (4) KR101580467B1 (zh)
TW (2) TWI440985B (zh)
WO (1) WO2008115372A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
JP2009076520A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Canon Inc 露光装置
US8451425B2 (en) * 2007-12-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method
US8610873B2 (en) * 2008-03-17 2013-12-17 Nikon Corporation Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate
US8289497B2 (en) 2008-03-18 2012-10-16 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
EP2523210A1 (en) 2010-01-08 2012-11-14 Nikon Corporation Liquid-immersion member, exposing device, exposing method, and device manufacturing method
US9323160B2 (en) 2012-04-10 2016-04-26 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium
US9268231B2 (en) 2012-04-10 2016-02-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9823580B2 (en) 2012-07-20 2017-11-21 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9568828B2 (en) 2012-10-12 2017-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9494870B2 (en) 2012-10-12 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9720331B2 (en) 2012-12-27 2017-08-01 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
JP6369472B2 (ja) * 2013-10-08 2018-08-08 株式会社ニコン 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN104570613B (zh) * 2013-10-25 2018-01-19 上海微电子装备（集团）股份有限公司 浸没头、浸没流场初始化和维持方法及光刻设备
TWI606529B (zh) * 2016-11-02 2017-11-21 Lens housing assembly for wafer inspection equipment
JP6610726B2 (ja) * 2018-07-11 2019-11-27 株式会社ニコン 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS62121417A (ja) * 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
US5469963A (en) * 1992-04-08 1995-11-28 Asyst Technologies, Inc. Sealable transportable container having improved liner
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3747958B2 (ja) * 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3212199B2 (ja) * 1993-10-04 2001-09-25 旭硝子株式会社 平板型陰極線管
US5874820A (en) * 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) * 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5623853A (en) * 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08171054A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH1020195A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
CN1144263C (zh) * 1996-11-28 2004-03-31 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
USRE40043E1 (en) * 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
WO2000055891A1 (fr) * 1999-03-12 2000-09-21 Nikon Corporation Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif
JP4365934B2 (ja) * 1999-05-10 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
CN1650401B (zh) * 2002-04-09 2010-04-21 株式会社尼康 曝光方法与曝光装置、以及器件的制造方法
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2495613B1 (en) * 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG121818A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4232449B2 (ja) * 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
DE60307322T2 (de) 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
KR100971440B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101177331B1 (ko) * 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP4315198B2 (ja) * 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
KR101146962B1 (ko) * 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101748923B1 (ko) 2003-09-03 2017-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP4524601B2 (ja) * 2003-10-09 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175176A (ja) * 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
US8279524B2 (en) 2004-01-16 2012-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
EP1706793B1 (en) 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007522508A (ja) 2004-02-13 2007-08-09 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) * 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP5130609B2 (ja) * 2004-06-10 2013-01-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1821337B1 (en) * 2004-12-06 2016-05-11 Nikon Corporation Maintenance method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006237291A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Canon Inc 露光装置
US7751026B2 (en) * 2005-08-25 2010-07-06 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography
JP4567651B2 (ja) * 2005-11-16 2010-10-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 露光装置及びデバイス製造方法
US7804577B2 (en) * 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7760324B2 (en) * 2006-03-20 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8237911B2 (en) * 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8134685B2 (en) * 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US8068209B2 (en) 2007-03-23 2011-11-29 Nikon Corporation Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool
US8451425B2 (en) * 2007-12-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method
US8610873B2 (en) * 2008-03-17 2013-12-17 Nikon Corporation Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140124867A (ko) 2014-10-27
WO2008115372A8 (en) 2010-05-06
TW200907586A (en) 2009-02-16
US20080225246A1 (en) 2008-09-18
KR20180031083A (ko) 2018-03-27
KR20160003326A (ko) 2016-01-08
JP5510600B2 (ja) 2014-06-04
KR101515649B1 (ko) 2015-04-27
US20120262687A1 (en) 2012-10-18
TW201437769A (zh) 2014-10-01
US20140232999A1 (en) 2014-08-21
JP5327768B2 (ja) 2013-10-30
KR20100015585A (ko) 2010-02-12
WO2008115372A1 (en) 2008-09-25
US9217933B2 (en) 2015-12-22
JP2010521814A (ja) 2010-06-24
JP2014168068A (ja) 2014-09-11
US20130141702A1 (en) 2013-06-06
US8743343B2 (en) 2014-06-03
TWI545407B (zh) 2016-08-11
US8237911B2 (en) 2012-08-07
JP2013123079A (ja) 2013-06-20
JP5725227B2 (ja) 2015-05-27
KR101580467B1 (ko) 2015-12-28
JP5282255B2 (ja) 2013-09-04
US8400610B2 (en) 2013-03-19
JP2013225693A (ja) 2013-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI440985B (zh) 浸沒式微影機之晶圓交換期間維持浸沒流體相鄰於光學組件的裝置和方法
JP6090486B2 (ja) 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees