JP2014168068A - 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 - Google Patents
液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014168068A JP2014168068A JP2014065131A JP2014065131A JP2014168068A JP 2014168068 A JP2014168068 A JP 2014168068A JP 2014065131 A JP2014065131 A JP 2014065131A JP 2014065131 A JP2014065131 A JP 2014065131A JP 2014168068 A JP2014168068 A JP 2014168068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical assembly
- insertion member
- immersion liquid
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
Abstract
【解決手段】装置および方法は、光学アセンブリに隣接する空間に液浸液体を保持する。光学アセンブリは、基板テーブルによって光学アセンブリに隣接して支持される基板上に、像を投影する。光学アセンブリと、基板、基板テーブル、またはそれらの両方との間の空間内に挿入可能な挿入部材は、液浸液体を、光学アセンブリと挿入部材の間に配置される第1部分と、挿入部材と、基板、基板テーブル、またはそれらの両方との間に配置される第2部分に分割する。挿入部材は、基板が光学アセンブリに隣接した配置から離れて移動するときに、光学アセンブリの第1部分との接触を保持する。
【選択図】なし
Description
Claims (31)
- リソグラフィック投影装置であって、
基板上に像を投影する光学アセンブリと、
前記基板を前記光学アセンブリに隣接して支持する基板テーブルを含み、前記光学アセンブリと前記基板の間の空間が液浸液体で充填されているステージアセンブリと、
挿入部材であって、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入されて、前記空間内の前記液浸液体を、前記光学アセンブリと前記挿入部材の間に配置される第1部分と、前記挿入部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間に配置される第2部分に分割可能な前記挿入部材とを備え、
前記挿入部材は、前記基板が前記光学アセンブリに隣接した配置から離れて移動するときに、前記光学アセンブリの前記液浸液体の前記第1部分との接触を保持するリソグラフィック投影装置。 - さらに、前記挿入部材を、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の前記空間内に、並びに前記空間から外に移動する制御系を備える請求項1に記載の装置。
- さらに、前記空間の境界の少なくとも一部を形成する環境システムを備える請求項1に記載の装置。
- 前記環境システムは、前記基板が、前記光学アセンブリに隣接している状態から長距離離れて移動するときに、前記液浸液体の前記第2部分を除去する多孔部材を備える請求項3に記載の装置。
- 前記環境システムは、前記空間内に前記液浸液体を閉じ込める閉じ込め部材を含む請求項3に記載の装置。
- 前記閉じ込め部材によって閉じ込められた前記液浸液体は、前記基板の露光中に、前記基板表面の局所的な領域を覆う請求項5に記載の装置。
- 前記挿入部材は、前記閉じ込め部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に、取り出し可能に挿入可能である請求項5に記載の装置。
- さらに、前記基板テーブル上の基板を第2基板と交換する基板交換システムを備える請求項1に記載の装置。
- さらに、第2基板を支持する第2基板テーブルを含む第2ステージアセンブリと、
前記第1ステージアセンブリおよび前記第2ステージアセンブリの移動を制御して、前記2つのステージアセンブリを、交互に、前記光学アセンブリに隣接して位置付けする制御系とを備える請求項1に記載の装置。 - 前記基板テーブルの一方を前記光学アセンブリの下に位置付ける第1状態から、前記基板テーブルの他方を前記光学アセンブリの下に位置付ける第2状態に移行する間、前記挿入部材を用いて、前記液浸液体を前記光学アセンブリの下に維持する請求項9に記載の装置。
- デバイス製造方法であって、
投影系と基板テーブル上に支持された基板との間の空間に、液浸液体を供給することと、
挿入部材を、前記投影系と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に移動して、前記液浸液体を、前記光学系と前記挿入部材の間に配置される第1部分と、前記挿入部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間に配置される第2部分に分割することと、
前記基板を前記光学系に隣接した配置から離れて移動する間に、前記投影系の前記液浸液体の前記第1部分との接触を維持することを含むデバイス製造方法。 - さらに、前記挿入部材と前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間から、前記液浸液体の前記第2部分を除去することを含む請求項11に記載の方法。
- さらに、前記液浸液体の前記第2部分を除去した後に、前記基板を第2基板と交換することを含む請求項12に記載の方法。
- 前記基板が、半導体ウエハおよびガラスパネルの一つである請求項11に記載の方法。
- 前記投影系と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の前記空間に、前記挿入部材を移動した後、前記挿入部材を、前記投影系に接触することなく前記投影系に隣接して保持する請求項11に記載の方法。
- リソグラフィック投影装置であって、
基板上に像を投影する光学アセンブリと、
前記光学アセンブリに隣接して前記基板を支持する基板テーブルを含み、前記基板の露光中に、前記光学アセンブリと前記基板の間の空間に液浸液体が充填されているステージアセンブリと、
挿入部材であって、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入されて、前記空間内の前記液浸液体を前記光学アセンブリと前記挿入部材の間に配置される第1部分と、前記挿入部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間に配置される第2部分に分割し、前記基板が前記光学アセンブリに隣接した配置から離れて移動するときに、前記光学アセンブリの前記液浸液体の前記第1部分との接触を保持する挿入部材と、
前記挿入部材にリリース可能に連結されるデバイスであって、(i)前記挿入部材が、前記液浸液体の前記第1部分と前記光学アセンブリとの接触を維持するように、前記挿入部材を、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間に挿入し、且つ(ii)前記挿入部材を前記空間から外に取り出す前記デバイスとを備えるリソグラフィック投影装置。 - リソグラフィック投影装置であって、
基板上に像を投影する光学アセンブリと、
前記基板を前記光学アセンブリに隣接して支持する基板テーブルを含み、前記光学アセンブリと前記基板の間の空間が液浸液体で充填されているステージアセンブリと、
挿入部材であって、前記光学アセンブリと、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入されて、前記空間内の前記液浸液体を前記光学アセンブリと前記挿入部材の間に配置される第1部分と、前記挿入部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間に配置される第2部分に分割可能な前記挿入部材とを備え、
前記挿入部材は、基板交換の間に、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方が、前記光学アセンブリに隣接した配置から離れて移動するとき、並びに、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方が前記光学アセンブリから離れる間、前記光学アセンブリの前記液浸液体の前記第1部分との接触を保持するリソグラフィック投影装置。 - 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方が前記光学アセンブリから離れる間、並びに基板交換の間に、前記投影系は、前記液浸液体の前記第1部分との接触を維持する請求項11に記載の方法。
- 前記閉じ込め部材は液体回収要素を含み、前記液体回収要素を通じて前記第2部分の前記液浸液体が除去される請求項7に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記第2部分の前記液浸液体を除去する請求項19に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記第2部分の前記液浸液体を除去する請求項7に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記液浸液体の前記第2部分を除去する請求項12に記載の方法。
- さらに、前記液浸液体を前記空間内に閉じ込める閉じ込め部材を備え、前記挿入部材は、前記閉じ込め部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入可能である請求項16に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記液浸液体の前記第2部分を除去する請求項23に記載の装置。
- 前記閉じ込め部材は液体回収要素を含み、前記液体回収要素を通じて前記第2部分の前記液浸液体が除去される請求項24に記載の装置。
- 請求項16に記載の前記リソグラフィック投影装置の前記光学アセンブリを用いて、基板上に像を投影することによって前記基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することを含むデバイス製造方法。 - さらに、前記液浸液体を前記空間内に閉じ込める閉じ込め部材を備え、前記挿入部材は、前記閉じ込め部材と、前記基板、前記基板テーブル、または前記基板および前記基板テーブルの両方との間の空間内に取り出し可能に挿入可能である請求項17に記載の装置。
- 前記基板、前記基板テーブル、または前記基板と前記基板テーブルの両方を移動する間に、前記液浸液体の前記第2部分を除去する請求項27に記載の装置。
- 前記閉じ込め部材は液体回収要素を含み、前記液体回収要素を通じて前記第2部分の前記液浸液体が除去される請求項28に記載の装置。
- 請求項17に記載の前記リソグラフィック投影装置の前記光学アセンブリを用いて、基板上に像を投影することによって前記基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することを含むデバイス製造方法。 - 請求項1に記載の前記リソグラフィック投影装置の前記光学アセンブリを用いて、基板上に像を投影することによって前記基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することを含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US91805707P | 2007-03-15 | 2007-03-15 | |
US60/918,057 | 2007-03-15 | ||
US11/976,898 | 2007-08-29 | ||
US11/976,898 US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2007-10-29 | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013139931A Division JP5510600B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-07-03 | リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014168068A true JP2014168068A (ja) | 2014-09-11 |
JP5725227B2 JP5725227B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=39762312
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009553605A Expired - Fee Related JP5282255B2 (ja) | 2007-03-15 | 2008-03-12 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
JP2013032858A Expired - Fee Related JP5327768B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-02-22 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
JP2013139931A Active JP5510600B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-07-03 | リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法 |
JP2014065131A Active JP5725227B2 (ja) | 2007-03-15 | 2014-03-27 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009553605A Expired - Fee Related JP5282255B2 (ja) | 2007-03-15 | 2008-03-12 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
JP2013032858A Expired - Fee Related JP5327768B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-02-22 | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
JP2013139931A Active JP5510600B2 (ja) | 2007-03-15 | 2013-07-03 | リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8237911B2 (ja) |
JP (4) | JP5282255B2 (ja) |
KR (4) | KR101580467B1 (ja) |
TW (2) | TWI545407B (ja) |
WO (1) | WO2008115372A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
JP2009076520A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Canon Inc | 露光装置 |
US8451425B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method |
US8610873B2 (en) | 2008-03-17 | 2013-12-17 | Nikon Corporation | Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate |
US8289497B2 (en) | 2008-03-18 | 2012-10-16 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
US9223225B2 (en) | 2010-01-08 | 2015-12-29 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US9268231B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-02-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9323160B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-04-26 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium |
US9823580B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9494870B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9651873B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-05-16 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
US9720331B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-08-01 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
JP6369472B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2018-08-08 | 株式会社ニコン | 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
CN104570613B (zh) * | 2013-10-25 | 2018-01-19 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 浸没头、浸没流场初始化和维持方法及光刻设备 |
TWI606529B (zh) * | 2016-11-02 | 2017-11-21 | Lens housing assembly for wafer inspection equipment | |
JP6610726B2 (ja) * | 2018-07-11 | 2019-11-27 | 株式会社ニコン | 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62121417A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JP2004172621A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 |
JP2004193252A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2004289128A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019864A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2005079589A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
WO2006062065A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006237291A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2006523026A (ja) * | 2003-04-09 | 2006-10-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ流体制御システム |
JP2006523377A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-12 | 株式会社ニコン | 液浸流体をリソグラフィック投影レンズ下に維持すること |
JP2007258704A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP5282255B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2013-09-04 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
Family Cites Families (135)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US5469963A (en) | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3212199B2 (ja) | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
CN1244020C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
JP3626504B2 (ja) | 1997-03-10 | 2005-03-09 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
US6842221B1 (en) | 1999-03-12 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
KR101013347B1 (ko) | 2002-04-09 | 2011-02-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법, 노광장치, 및 디바이스 제조방법 |
JP2005536775A (ja) | 2002-08-23 | 2005-12-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法 |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
KR100588124B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
CN101382738B (zh) | 2002-11-12 | 2011-01-12 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420298B1 (en) * | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
SG135052A1 (en) | 2002-11-12 | 2007-09-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
EP1732075A3 (en) | 2002-12-19 | 2007-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
EP1579435B1 (en) | 2002-12-19 | 2007-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
KR20180089562A (ko) | 2003-04-10 | 2018-08-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
KR101323993B1 (ko) | 2003-04-10 | 2013-10-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
ATE449982T1 (de) | 2003-04-11 | 2009-12-15 | Nikon Corp | Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
WO2004095135A2 (en) | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI518742B (zh) | 2003-05-23 | 2016-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
TWI515769B (zh) | 2003-06-19 | 2016-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1639391A4 (en) | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR101238114B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2013-02-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP4524601B2 (ja) * | 2003-10-09 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8854602B2 (en) | 2003-11-24 | 2014-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Holding device for an optical element in an objective |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175176A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005059617A2 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
US7385764B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-06-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
CN102169226B (zh) | 2004-01-14 | 2014-04-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 反射折射投影物镜 |
KR101233879B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-02-15 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
KR101204157B1 (ko) | 2004-01-20 | 2012-11-22 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치 |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
EP1723467A2 (en) | 2004-02-03 | 2006-11-22 | Rochester Institute of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
EP1714192A1 (en) | 2004-02-13 | 2006-10-25 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2007523383A (ja) | 2004-02-18 | 2007-08-16 | コーニング インコーポレイテッド | 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系 |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5130609B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2013-01-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7119876B2 (en) | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7751026B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-07-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography |
US7804577B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP4567651B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2010-10-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8068209B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-11-29 | Nikon Corporation | Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool |
US8134685B2 (en) * | 2007-03-23 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
US8451425B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method |
US8610873B2 (en) * | 2008-03-17 | 2013-12-17 | Nikon Corporation | Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate |
-
2007
- 2007-10-29 US US11/976,898 patent/US8237911B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-12 KR KR1020147027490A patent/KR101580467B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-12 KR KR1020157036015A patent/KR20160003326A/ko active Search and Examination
- 2008-03-12 KR KR1020097021477A patent/KR101515649B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-12 WO PCT/US2008/003224 patent/WO2008115372A1/en active Application Filing
- 2008-03-12 KR KR1020187007817A patent/KR20180031083A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-03-12 JP JP2009553605A patent/JP5282255B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-14 TW TW103117596A patent/TWI545407B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-03-14 TW TW097109085A patent/TWI440985B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-06-25 US US13/532,195 patent/US8400610B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-30 US US13/754,111 patent/US8743343B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-22 JP JP2013032858A patent/JP5327768B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-03 JP JP2013139931A patent/JP5510600B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014065131A patent/JP5725227B2/ja active Active
- 2014-04-25 US US14/262,058 patent/US9217933B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62121417A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JP2004289128A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2004172621A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 |
JP2004193252A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006523026A (ja) * | 2003-04-09 | 2006-10-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ流体制御システム |
JP2006523377A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-12 | 株式会社ニコン | 液浸流体をリソグラフィック投影レンズ下に維持すること |
JP2005019864A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2005079589A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
WO2006062065A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006237291A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007258704A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP5282255B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2013-09-04 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
JP5327768B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 |
JP5510600B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2014-06-04 | 株式会社ニコン | リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5725227B2 (ja) | 2015-05-27 |
JP5282255B2 (ja) | 2013-09-04 |
US20120262687A1 (en) | 2012-10-18 |
JP2010521814A (ja) | 2010-06-24 |
US20130141702A1 (en) | 2013-06-06 |
JP5510600B2 (ja) | 2014-06-04 |
TW200907586A (en) | 2009-02-16 |
KR20180031083A (ko) | 2018-03-27 |
KR20160003326A (ko) | 2016-01-08 |
WO2008115372A8 (en) | 2010-05-06 |
JP2013123079A (ja) | 2013-06-20 |
WO2008115372A1 (en) | 2008-09-25 |
KR20140124867A (ko) | 2014-10-27 |
US8743343B2 (en) | 2014-06-03 |
JP5327768B2 (ja) | 2013-10-30 |
TW201437769A (zh) | 2014-10-01 |
US9217933B2 (en) | 2015-12-22 |
KR101580467B1 (ko) | 2015-12-28 |
KR20100015585A (ko) | 2010-02-12 |
JP2013225693A (ja) | 2013-10-31 |
TWI440985B (zh) | 2014-06-11 |
US20080225246A1 (en) | 2008-09-18 |
US8400610B2 (en) | 2013-03-19 |
KR101515649B1 (ko) | 2015-04-27 |
TWI545407B (zh) | 2016-08-11 |
US20140232999A1 (en) | 2014-08-21 |
US8237911B2 (en) | 2012-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5327768B2 (ja) | 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法 | |
JP6090486B2 (ja) | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150316 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5725227 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |