JP5285312B2 - Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5285312B2 JP5285312B2 JP2008075573A JP2008075573A JP5285312B2 JP 5285312 B2 JP5285312 B2 JP 5285312B2 JP 2008075573 A JP2008075573 A JP 2008075573A JP 2008075573 A JP2008075573 A JP 2008075573A JP 5285312 B2 JP5285312 B2 JP 5285312B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- semiconductor
- bonding
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 329
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 256
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 98
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 66
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 53
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 37
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 33
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 360
- 239000010408 film Substances 0.000 description 104
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 74
- 239000002585 base Substances 0.000 description 67
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 44
- 241000894007 species Species 0.000 description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 31
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 25
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 18
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- SYHGEUNFJIGTRX-UHFFFAOYSA-N methylenedioxypyrovalerone Chemical compound C=1C=C2OCOC2=CC=1C(=O)C(CCC)N1CCCC1 SYHGEUNFJIGTRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZKKRCSOSQAJDE-UHFFFAOYSA-N Schradan Chemical group CN(C)P(=O)(N(C)C)OP(=O)(N(C)C)N(C)C SZKKRCSOSQAJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N [Si].[P].[B] Chemical compound [Si].[P].[B] MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N cyclotetrasiloxane Chemical compound O1[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]1 DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
このイオン注入工程は、加速されたイオン種でなるイオン流125を半導体基板101に照射することで、イオン種を構成する元素を半導体基板101に添加する工程である。よって、イオン注入層103は、イオン種を構成する元素が添加されている領域である。また、イオン注入層103は、加速されたイオン種の衝撃で結晶構造が失われ、脆くなっている層(脆化層)でもある。
イオン注入層103を浅い領域に形成するためには、イオンの加速電圧を低くする必要があるが、水素ガスを励起することで生成されたプラズマ中のH3 +イオンの割合を高くすることで、原子状水素(H)を効率よく、半導体基板101に添加することができる。それは、H3 +イオンはH+イオンの3倍の質量を持つことから、同じ深さに水素原子を1つ添加する場合、H3 +イオンの加速電圧は、H+イオンの加速電圧の3倍にすることが可能であるからである。イオンの加速電圧を高くすることができれば、イオンの照射工程のタクトタイムを短縮することが可能となり、生産性やスループットの向上を図ることができる。
レーザ光126の照射により、半導体層110が完全溶融すると、液相となった半導体の表面張力により平坦化が進行し、表面が平坦化された半導体層102が形成される。また、完全溶融された領域は、凝固する過程で、溶融された領域と隣接している固相の状態の半導体から結晶成長し、横成長が起こる。半導体基板101が単結晶半導体基板であれば、溶融されていない部分は単結晶半導体であり、結晶方位が揃っているため、結晶粒界が形成されず、レーザ照射処理後の半導体層102は、結晶粒界の無い単結晶半導体層となる。
また、レーザ光126の照射により、半導体層110が部分溶融すると、液相となった半導体の表面張力により平坦化が進行する。同時に、熱の拡散により液相部分の冷却が進み、半導体層110には深さ方向に温度勾配が生じ、ベース基板100側から、半導体層110表面へと固液界面が移動して、再結晶化する。つまり、部分溶融により、半導体層110には下層の溶融しない領域を種として再結晶化が進行して、縦成長が起こる。
主表面の面方位が(100)の単結晶シリコンウエハを半導体基板101に用いた場合、レーザ光照射前の半導体層110は主表面の面方位が(100)の単結晶シリコン層である。また、レーザ照射処理によって完全溶融また部分溶融することで再結晶化された半導体層102は、主表面の面方位が(100)の単結晶シリコン層である。つまり、単結晶半導体基板が用いられる場合、レーザ照射工程は、平坦化工程であり、かつ再単結晶化工程である。
・AFM:セイコーインスツルメンツ(株)製走査型プローブ顕微鏡(モデル:SPI3800N/SPA500)
・測定モード:ダイナミックフォースモード(DFMモード)
・カンチレバー:SI−DF40(シリコン製、バネ定数42N/m、共振周波数250〜390kHz、探針の先端の曲率R≦10nm)
・測定面積:90μm×90μm
・測定点数:256点×256点
上記のような水素プラズマ中には、H+、H2 +、H3 +といった水素イオン種が存在する。ここで、各水素イオン種の反応過程(生成過程、消滅過程)について、以下に反応式を列挙する。
e+H→e+H++e ・・・・・(1)
e+H2→e+H2 ++e ・・・・・(2)
e+H2→e+(H2)*→e+H+H ・・・・・(3)
e+H2 +→e+(H2 +)*→e+H++H ・・・・・(4)
H2 ++H2→H3 ++H ・・・・・(5)
H2 ++H2→H++H+H2 ・・・・・(6)
e+H3 +→e+H++H+H ・・・・・(7)
e+H3 +→H2+H ・・・・・(8)
e+H3 +→H+H+H ・・・・・(9)
上記のように、H3 +は、主として反応式(5)により表される反応過程により生成される。一方で、反応式(5)と競合する反応として、反応式(6)により表される反応過程が存在する。H3 +が増加するためには、少なくとも、反応式(5)の反応が、反応式(6)の反応より多く起こる必要がある(なお、H3 +が減少する反応としては他にも(7)、(8)、(9)が存在するため、(5)の反応が(6)の反応より多いからといって、必ずしもH3 +が増加するとは限らない。)。反対に、反応式(5)の反応が、反応式(6)の反応より少ない場合には、プラズマ中におけるH3 +の割合は減少する。
ここで、イオン種の割合(特にH3 +の割合)が異なる例を示す。図17は、100%水素ガス(イオン源の圧力:4.7×10−2Pa)から生成されるイオンの質量分析結果を示すグラフである。横軸はイオンの質量である。スペクトル中、質量1、2、3のピークは、それぞれ、H+、H2 +、H3 +に対応する。縦軸は、スペクトルの強度であり、イオンの数に対応する。図17では、質量が異なるイオンの数量を、質量3のイオンを100とした場合の相対比で表している。図17から、上記イオン源により生成されるイオンの割合は、H+:H2 +:H3 +=1:1:8程度となることが分かる。なお、このような割合のイオンは、プラズマを生成するプラズマソース部(イオン源)と、当該プラズマからイオンビームを引き出すための引出電極などから構成されるイオンドーピング装置によっても得ることが出来る。
図17のような複数のイオン種を含むプラズマを生成し、生成されたイオン種を質量分離しないで半導体基板に照射する場合、半導体基板の表面には、H+、H2 +、H3 +の各イオンが照射される。イオンの照射からイオン注入層の形成までのメカニズムを再現するために、次の5種類のモデル(モデル1乃至5)を考える。
1.照射されるイオン種がH+で、照射後もH+(H)である場合
2.照射されるイオン種がH2 +で、照射後もH2 +(H2)のままである場合
3.照射されるイオン種がH2 +で、照射後に2個のH(H+)に分裂する場合
4.照射されるイオン種がH3 +で、照射後もH3 +(H3)のままである場合
5.照射されるイオン種がH3 +で、照射後に3個のH(H+)に分裂する場合。
上記のモデル1乃至5を基にして、水素イオン種をSi基板に照射するシミュレーションを行った。シミュレーション用のソフトウェアとして、SRIM(the Stopping and Range of Ions in Matter)を用いた。SRIMは、モンテカルロ法によるイオン導入過程のシミュレーションソフトウェアであり、TRIM(the Transport of Ions in Matter)の改良版である。なお、SRIMは非晶質構造を対象とするソフトウェアではあるが、高エネルギー、高ドーズの条件で水素イオン種を照射する場合には、SRIMを適用することが可能である。それは、水素イオン種とSi原子の衝突により、Si基板の結晶構造が非単結晶構造に変化するためである。
[フィッティング関数]
=X/V×[モデル1のデータ]+Y/V×[モデル5のデータ]・・・(b1)
・モデル3に示される照射過程により導入される水素は、モデル5の照射過程と比較して僅かであるため、除外しても大きな影響はない(SIMSデータにモデル3に対応するピークが現れていない。図19参照。)。
・モデル3によるSi基板中の水素元素の深さ方向プロファイルは、モデル5の深さ方向プロファイルとピーク位置が近いため(図19参照。)、モデル3の寄与は、モデル5の照射過程において生じるチャネリング(結晶の格子構造に起因する元素の移動)により隠れてしまう可能性が高い。すなわち、モデル3のフィッティングパラメータを見積もるのは困難である。これは、本シミュレーションが非晶質Siを前提としており、結晶性に起因する影響を考慮していないことによるものである。
図17に示すようなH3 +の割合を高めた水素イオン種を基板に照射することで、H3 +に起因する複数のメリットを享受することができる。例えば、H3 +はH+やHなどに分離して基板内に導入されるため、主にH+やH2 +を照射する場合と比較して、イオンの導入効率を向上させることができる。これにより、SOI基板の生産性向上を図ることができる。また、同様に、H3 +が分離した後のH+やHの運動エネルギーは小さくなる傾向にあるから、薄い半導体層の作製に向いている。
101 半導体基板
102 半導体層
103 イオン注入層
104 第1接合層
105 絶縁層
106 第2接合層
110 半導体層
120 絶縁層
125 イオン流
126 レーザ光
155 窒化シリコン層
156 酸化シリコン層
157 窒化シリコン層
158 素子分離絶縁層
159 ゲート絶縁層
160 ゲート電極
161 サイドウオール絶縁層
162 第1不純物領域
163 第2不純物領域
164 絶縁層
165 チャネル形成領域
166 層間絶縁層
167 コンタクトホール
169 コンタクトプラグ
170 絶縁層
171 絶縁層
200 マイクロプロセッサ
201 演算回路
202 演算回路制御部
203 命令解析部
204 割り込み制御部
205 タイミング制御部
206 レジスタ
207 レジスタ制御部
208 バスインターフェース
209 読み出し専用メモリ
210 メモリインターフェース
211 RFCPU
212 アナログ回路部
213 デジタル回路部
214 共振回路
215 整流回路
216 定電圧回路
217 リセット回路
218 発振回路
219 復調回路
220 変調回路
221 RFインターフェース
222 制御レジスタ
223 クロックコントローラ
224 インターフェース
225 中央処理ユニット
226 ランダムアクセスメモリ
227 読み出し専用メモリ
228 アンテナ
229 容量部
230 電源管理回路
500 ガラス基板
501 単結晶シリコンウエハ
502 酸化窒化シリコン膜
503 窒化酸化シリコン膜
504 イオン注入層
505 酸化シリコン膜
506 単結晶シリコン層
507 単結晶シリコンウエハ
508 単結晶シリコン層
511 SOI基板
512 SOI基板
521 水素イオン
522 レーザ光
523 矢印
Claims (5)
- 上面に第1接合層が形成され、かつ前記上面から所定の深さの領域にイオン注入層が形成された半導体基板を用意し、
前記イオン注入層の形成は、ソースガスとして水素ガスを用い、前記水素ガスを励起して、H + 、H 2 + 、H 3 + を含むイオン流を半導体基板に注入することで行われ、
前記イオン流において、H + 、H 2 + 、H 3 + の総量に対してH 3 + の割合は70%以上であり、
第2接合層が上面に形成されたベース基板を用意し、
前記第1接合層と前記第2接合層を接合して、前記半導体基板を前記ベース基板に固定し、
前記半導体基板を加熱して、前記イオン注入層で前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板に半導体層を形成し、
前記半導体層にレーザ光を照射し、前記半導体層を少なくとも部分的に溶融させることを特徴とするSOI基板の作製方法。 - 上面に第1接合層が形成され、かつ前記上面から所定の深さの領域にイオン注入層が形成された半導体基板を用意し、
前記イオン注入層の形成は、ソースガスとして水素ガスを用い、前記水素ガスを励起して、H + 、H 2 + 、H 3 + を含むイオン流を半導体基板に注入することで行われ、
前記イオン流において、H + 、H 2 + 、H 3 + の総量に対してH 3 + の割合が70%以上であり、
ベース基板を用意し、
絶縁層を前記ベース基板上に形成し、
第2接合層を前記絶縁層上に形成し、
前記第1接合層と第2接合層を接合して、前記半導体基板を前記ベース基板に固定し、
前記半導体基板を加熱して、前記イオン注入層で前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板に半導体層を形成し、
前記半導体層にレーザ光を照射し、前記半導体層を少なくとも部分的に溶融させることを特徴とするSOI基板の作製方法。 - 上面に接合層が形成され、かつ前記上面から所定の深さの領域にイオン注入層が形成された半導体基板を用意し、
ベース基板を用意し、
前記イオン注入層の形成は、ソースガスとして水素ガスを用い、前記水素ガスを励起して、H + 、H 2 + 、H 3 + を含むイオン流を半導体基板に注入することで行われ、
前記イオン流において、H + 、H 2 + 、H 3 + の総量に対してH 3 + の割合が70%以上であり、
前記接合層と前記ベース基板を接合して、前記半導体基板を前記ベース基板に固定し、
前記半導体基板を加熱して、前記イオン注入層で前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板に半導体層を形成し、
前記半導体層にレーザ光を照射し、前記半導体層を少なくとも部分的に溶融させることを特徴とするSOI基板の作製方法。 - 上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、かつ前記上面から所定の深さの領域にイオン注入層が形成された半導体基板を用意し、
ベース基板を用意し、
前記イオン注入層の形成は、ソースガスとして水素ガスを用い、前記水素ガスを励起して、H + 、H 2 + 、H 3 + を含むイオン流を前記絶縁層が形成された半導体基板に注入することで行われ、
前記イオン流において、H + 、H 2 + 、H 3 + の総量に対してH 3 + の割合が70%以上であり、
前記接合層と前記ベース基板を接合して、前記半導体基板を前記ベース基板に固定し、
前記半導体基板を加熱して、前記イオン注入層で前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板に半導体層を形成し、
前記半導体層にレーザ光を照射し、前記半導体層を少なくとも部分的に溶融させることを特徴とするSOI基板の作製方法。 - 請求項1又は2に記載のSOI基板の作製方法を用いて作製された前記半導体層上に第1窒化シリコン層を形成し、
前記第1窒化シリコン層上に酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層をマスクとして前記半導体層及び前記第1接合層をエッチングし、
前記エッチングにより露出した前記半導体層及び前記第1接合層の端面に対しプラズマ処理を行い第2窒化シリコン層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075573A JP5285312B2 (ja) | 2007-04-20 | 2008-03-24 | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007112140 | 2007-04-20 | ||
JP2007112140 | 2007-04-20 | ||
JP2008075573A JP5285312B2 (ja) | 2007-04-20 | 2008-03-24 | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008288563A JP2008288563A (ja) | 2008-11-27 |
JP2008288563A5 JP2008288563A5 (ja) | 2011-04-07 |
JP5285312B2 true JP5285312B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=39681816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008075573A Expired - Fee Related JP5285312B2 (ja) | 2007-04-20 | 2008-03-24 | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7897476B2 (ja) |
EP (1) | EP1983566A2 (ja) |
JP (1) | JP5285312B2 (ja) |
KR (1) | KR101440930B1 (ja) |
CN (2) | CN102543833B (ja) |
TW (1) | TWI476870B (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008132904A1 (en) * | 2007-04-13 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photovoltaic device and method for manufacturing the same |
JP5289805B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2013-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置製造用基板の作製方法 |
EP1993127B1 (en) * | 2007-05-18 | 2013-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
KR101484296B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기판의 제작방법 |
US8314009B2 (en) * | 2007-09-14 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and method for manufacturing semiconductor device |
US8236668B2 (en) * | 2007-10-10 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
JP5527956B2 (ja) | 2007-10-10 | 2014-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の製造方法 |
JP2009135430A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
CN101842910B (zh) * | 2007-11-01 | 2013-03-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于制造光电转换器件的方法 |
JP5404064B2 (ja) | 2008-01-16 | 2014-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法 |
JP5654206B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2015-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Soi基板の作製方法及び該soi基板を用いた半導体装置 |
EP2105957A3 (en) * | 2008-03-26 | 2011-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate and method for manufacturing semiconductor device |
JP2009260315A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
JP2009260313A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
US8815657B2 (en) * | 2008-09-05 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US8741740B2 (en) * | 2008-10-02 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
SG182208A1 (en) * | 2008-12-15 | 2012-07-30 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of soi substrate and manufacturing method of semiconductor device |
EP2202795A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-30 | S.O.I. TEC Silicon | Method for fabricating a semiconductor substrate and semiconductor substrate |
JP2010161259A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | プロセスシミュレーションプログラム、プロセスシミュレーション方法、プロセスシミュレータ |
WO2011024629A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8324084B2 (en) * | 2010-03-31 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device |
WO2011145484A1 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8642380B2 (en) * | 2010-07-02 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI500118B (zh) | 2010-11-12 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體基底之製造方法 |
JP2014507794A (ja) * | 2010-12-30 | 2014-03-27 | ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US8735263B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
CN102222637A (zh) * | 2011-06-23 | 2011-10-19 | 北京大学 | 一种绝缘体上锗衬底的制备方法 |
JP5766530B2 (ja) * | 2011-07-13 | 2015-08-19 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP5689832B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2015-03-25 | 日本電信電話株式会社 | シリコン発光素子の製造方法 |
US8877603B2 (en) * | 2012-03-30 | 2014-11-04 | International Business Machines Corporation | Semiconductor-on-oxide structure and method of forming |
JP6032963B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-11-30 | キヤノン株式会社 | Soi基板、soi基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2015108735A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
JP6107709B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2017-04-05 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
JP6036732B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2016-11-30 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
US9890033B2 (en) * | 2015-04-06 | 2018-02-13 | Honeywell International Inc. | Silicon-on-sapphire device with minimal thermal strain preload and enhanced stability at high temperature |
CN105789110B (zh) * | 2016-04-25 | 2019-07-12 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | Mems开关用高升压倍数电荷泵电路及其制造方法 |
TWI622169B (zh) * | 2017-02-17 | 2018-04-21 | Powerchip Technology Corporation | 半導體元件的製造方法 |
CN110892514B (zh) * | 2017-07-19 | 2023-07-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
CN107326435A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-11-07 | 西安交通大学 | 一种生长GaN的SiC衬底的剥离方法 |
US11908723B2 (en) * | 2021-12-03 | 2024-02-20 | International Business Machines Corporation | Silicon handler with laser-release layers |
CN117438293B (zh) * | 2023-12-20 | 2024-03-12 | 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 | 一种注入剥离方法以及其中氢离子注入的方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
TW232751B (en) * | 1992-10-09 | 1994-10-21 | Semiconductor Energy Res Co Ltd | Semiconductor device and method for forming the same |
JPH08255762A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Nec Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
DE19780446T1 (de) * | 1996-04-26 | 1998-10-01 | Sumitomo Sitix Corp | Bindungsverfahren für eine Silizium-Halbleiterplatte |
JP4103968B2 (ja) | 1996-09-18 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
JPH10284431A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Sharp Corp | Soi基板の製造方法 |
US6191007B1 (en) * | 1997-04-28 | 2001-02-20 | Denso Corporation | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
US6150239A (en) * | 1997-05-31 | 2000-11-21 | Max Planck Society | Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate |
CN1260907A (zh) * | 1997-06-19 | 2000-07-19 | 旭化成工业株式会社 | Soi衬底及其制造方法和半导体器件及其制造方法 |
US6534380B1 (en) * | 1997-07-18 | 2003-03-18 | Denso Corporation | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
JPH1197379A (ja) | 1997-07-25 | 1999-04-09 | Denso Corp | 半導体基板及び半導体基板の製造方法 |
US6388652B1 (en) | 1997-08-20 | 2002-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device |
US6686623B2 (en) | 1997-11-18 | 2004-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile memory and electronic apparatus |
JPH11163363A (ja) | 1997-11-22 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2000012864A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US6271101B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device |
JP2000077287A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-14 | Nissin Electric Co Ltd | 結晶薄膜基板の製造方法 |
JP4476390B2 (ja) | 1998-09-04 | 2010-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
FR2797347B1 (fr) * | 1999-08-04 | 2001-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation |
US20010053559A1 (en) | 2000-01-25 | 2001-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating display device |
FR2894990B1 (fr) * | 2005-12-21 | 2008-02-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede |
JP4507395B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用素子基板の製造方法 |
JP4653374B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
US7119365B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate |
JP4772258B2 (ja) | 2002-08-23 | 2011-09-14 | シャープ株式会社 | Soi基板の製造方法 |
JP4289837B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2009-07-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 |
JP4328067B2 (ja) | 2002-07-31 | 2009-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法、並びにイオン注入装置 |
JP3751972B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2006-03-08 | 有限会社ボンドテック | 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置 |
JP4759919B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2011-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP5110772B2 (ja) | 2004-02-03 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 |
US7410882B2 (en) | 2004-09-28 | 2008-08-12 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of manufacturing and structure of polycrystalline semiconductor thin-film heterostructures on dissimilar substrates |
US7148124B1 (en) | 2004-11-18 | 2006-12-12 | Alexander Yuri Usenko | Method for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate preferably for making silicon-on-insulator wafers |
FR2888663B1 (fr) * | 2005-07-13 | 2008-04-18 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant |
JP2007281316A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Sumco Corp | Simoxウェーハの製造方法 |
US7579654B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-08-25 | Corning Incorporated | Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing |
US20070281440A1 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Jeffrey Scott Cites | Producing SOI structure using ion shower |
JP4214534B2 (ja) | 2006-12-13 | 2009-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 記録用シートの製造方法及び装置 |
EP1993127B1 (en) | 2007-05-18 | 2013-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
-
2008
- 2008-03-21 KR KR1020080026455A patent/KR101440930B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-24 JP JP2008075573A patent/JP5285312B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-27 EP EP08005878A patent/EP1983566A2/en not_active Withdrawn
- 2008-03-28 TW TW097111444A patent/TWI476870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-03-28 CN CN201210025514.3A patent/CN102543833B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 CN CN2008100883358A patent/CN101290876B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-31 US US12/078,411 patent/US7897476B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-02 US US13/019,626 patent/US8193068B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7897476B2 (en) | 2011-03-01 |
KR101440930B1 (ko) | 2014-09-15 |
CN101290876B (zh) | 2012-03-28 |
JP2008288563A (ja) | 2008-11-27 |
US8193068B2 (en) | 2012-06-05 |
CN102543833A (zh) | 2012-07-04 |
CN101290876A (zh) | 2008-10-22 |
US20110136320A1 (en) | 2011-06-09 |
TW200849495A (en) | 2008-12-16 |
EP1983566A2 (en) | 2008-10-22 |
TWI476870B (zh) | 2015-03-11 |
KR20080094558A (ko) | 2008-10-23 |
CN102543833B (zh) | 2014-11-26 |
US20080261376A1 (en) | 2008-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5285312B2 (ja) | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 | |
US9536774B2 (en) | SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device | |
JP5289805B2 (ja) | 半導体装置製造用基板の作製方法 | |
KR101499175B1 (ko) | 반도체 기판의 제조방법 | |
CN101308782B (zh) | Soi衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 | |
JP5688203B2 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
JP5305712B2 (ja) | 半導体基板の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110218 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5285312 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |