JP5283247B2 - ガラス基板用研磨液組成物 - Google Patents
ガラス基板用研磨液組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5283247B2 JP5283247B2 JP2006335791A JP2006335791A JP5283247B2 JP 5283247 B2 JP5283247 B2 JP 5283247B2 JP 2006335791 A JP2006335791 A JP 2006335791A JP 2006335791 A JP2006335791 A JP 2006335791A JP 5283247 B2 JP5283247 B2 JP 5283247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- glass substrate
- silica
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 264
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 180
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 48
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 117
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 30
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 24
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 15
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 54
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 15
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 5
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- -1 isoamylene sulfonic acid Chemical compound 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 3
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 3
- QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N (2-aminoethyl)phosphonic acid Chemical compound [NH3+]CCP(O)([O-])=O QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 2
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)C(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYSDHEOQHCDA-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound CC(=C)CS(O)(=O)=O XEEYSDHEOQHCDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CC(C)CS(O)(=O)=O AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Chemical group 0.000 description 1
- 238000009563 continuous hemofiltration Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000002897 diene group Chemical group 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- DKPHLYCEFBDQKM-UHFFFAOYSA-H hexapotassium;1-phosphonato-n,n-bis(phosphonatomethyl)methanamine Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)CN(CP([O-])([O-])=O)CP([O-])([O-])=O DKPHLYCEFBDQKM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000008363 phosphate buffer Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N prop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC=C UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
本発明は、このような課題に着目してなされたものであり、高い研磨速度で優れた表面品質の基板を製造することができるガラス基板用研磨液組成物及びガラス基板の製造方法を提供することを課題とする。
[1] 一次粒子の平均粒径が5〜50nmであるシリカと重量平均分子量が1,000〜5,000であるアクリル酸/スルホン酸共重合体とを含有してなる、pHが0.5〜5であるガラス基板用研磨液組成物、及び
[2] 前記[1]記載の研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板の間に存在させ、3〜12kPaの研磨荷重で該基板を研磨する工程を有するガラス基板の製造方法に関する。
本発明のガラス基板用研磨液組成物(以下、単に「本発明の研磨液組成物」ともいう)は、一次粒子の平均粒径が5〜50nmであるシリカと重量平均分子量が1,000〜5,000であるアクリル酸/スルホン酸共重合体とを含有してなり、pHが0.5〜5であることを1つの特徴とする。かかる特徴を有することにより、本発明の研磨液組成物は、ガラス基板の研磨工程で用いられた際に、経済的な研磨速度を実現し、且つ研磨後の基板に優れた表面平滑性を付与することができる。表面平滑性は、特に、ハードディスク基板において、高密度化に重要となる物性であり、また、フォトマスク基板において、露光精度(パターン転写精度)向上に重要となる物性である。さらに、合成石英ウエハ基板において、高集積化に重要となる物性である。表面平滑性は、代表的には、例えば、原子間力顕微鏡(AFM)における波長10μm以下の短い波長で測定可能な表面粗さとして評価され、中心線平均粗さRa(AFM−Ra)として表すことができる。
本発明の研磨液組成物は、一次粒子の平均粒径が5〜50nmであるシリカを含有する。本発明に用いられるシリカとしては、例えば、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等が挙げられる。また、官能基でシリカを表面修飾あるいは表面改質したもの、界面活性剤や他の粒子で複合粒子化したもの等もシリカとして用いることができる。中でも、基板表面の表面粗さ及びスクラッチを低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。これらのシリカは単独で又は2種以上を混合して用いてもよい。
本発明の研磨液組成物は、重量平均分子量が1,000〜5,000であるアクリル酸/スルホン酸共重合体を含有する。本発明におけるアクリル酸/スルホン酸共重合体とは、スルホン酸基を有する単量体(以下、「スルホン酸基含有単量体」ともいう)と(メタ)アクリル酸単量体とを単量体成分として含む共重合体である。スルホン酸基含有単量体としては、例えば、イソプレンスルホン酸、(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸等が挙げられる。好ましくは、イソプレンスルホン酸、(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸である。これらのスルホン酸基含有単量体は、1種単独で使用しても、あるいは2種以上を混合して用いてもよい。
カラム :G4000PWXL+G2500PWXL
溶離液 :0.2Mリン酸バッファー/アセトニトリル=9/1
流速 :1.0mL/min
温度 :40℃
サンプル:濃度5mg/mL、注入量100μL
本発明に用いられる水としては、イオン交換水、蒸留水、超純水等が好適に用いられる。研磨液組成物中における水の含有量としては、研磨液組成物の流動性を保ち、且つ研磨速度を向上させる観点から、40〜99重量%が好ましく、50〜98重量%がより好ましく、50〜97重量%がさらに好ましく、50〜95重量%がさらにより好ましい。
本発明の研磨液組成物のpHは、研磨速度向上の観点から、0.5〜5であり、0.5〜4がより好ましく、0.5〜3がさらに好ましい。pHは、酸の含有量によって調整される。かかる酸としては無機酸や有機酸が挙げられる。無機酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、アミド硫酸等が挙げられる。また、有機酸としては、カルボン酸、有機リン酸、アミノ酸等が挙げられ、例えば、カルボン酸は、酢酸、グリコール酸、アスコルビン酸等の一価カルボン酸、蓚酸、酒石酸等の二価カルボン酸、クエン酸等の三価カルボン酸が挙げられ、有機リン酸としては、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)等が挙げられる。また、アミノ酸としては、グリシン、アラニン等が挙げられる。これらの中でも、スクラッチ低減の観点から、無機酸、カルボン酸及び有機リン酸が好ましく、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、グリコール酸、蓚酸、クエン酸、HEDP、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)が適している。これらpHを調整するための酸は、1種単独で使用しても、あるいは2種以上を混合して用いてもよい。
本発明の研磨液組成物には、研磨速度向上の観点から、任意成分として、前記の酸の塩を含有することができる。塩の対イオン(陽イオン)としては、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン等が挙げられ、中でも、アルカリ金属イオンが好ましい。また、他の任意成分としては、増粘剤、分散剤、塩基性物質、界面活性剤、キレート剤、消泡剤、抗菌剤、防錆剤等が挙げられる。
研磨液組成物中におけるこれらの任意成分の含有量としては、研磨速度向上の観点から、5重量%以下が好ましく、4重量%以下がより好ましく、3重量%以下がさらに好ましい。
本発明の研磨液組成物は、前記の各成分を公知の方法で混合することにより、調製することができる。なお、前記の各成分の濃度は、製造時の濃度、及び使用時の濃度のいずれであってもよい。研磨液組成物は経済性の観点から、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。
本発明の研磨液組成物が研磨の対象としているガラス基板の材質としては、例えば、石英ガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラス、ガラス状カーボン等が挙げられる。これらの中でも、強化ガラス基板用のアルミノシリケートガラスや、ガラスセラミック基板(結晶化ガラス基板)、合成石英ガラス基板の研磨に適している。アルミノシリケートガラスは、化学的耐久性が良好であり、研磨後の基板上に残存するパーティクル除去を目的に行われるアルカリ洗浄でのダメージ(凹部欠陥)発生を低減でき、より高い表面品質が得られる点で好ましい。また、合成石英ガラスは透過率等の光学特性に優れる点で好ましい。
本発明のガラス基板の製造方法は、前記研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板の間に存在させ、3〜12kPaの研磨荷重で研磨する工程(以下、「研磨工程A」ともいう)を有することを一つの特徴とする。かかる特徴を有する本発明のガラス基板の製造方法を使用することにより、経済的な研磨速度で、優れた表面平滑性を有するガラス基板を得ることができる。表面平滑性は、特に、ハードディスク基板において、高密度化に重要となる物性であり、また、フォトマスク基板において、露光精度(パターン転写精度)向上に重要となる物性である。さらに、合成石英ウエハ基板において、高集積化に重要となる物性である。従って、本発明のガラス基板の製造方法は、ガラスハードディスク基板の製造、フォトマスク基板の製造及び合成石英ウエハ基板の製造に好適に使用される。
研磨工程Aにおける研磨する方法としては、研磨装置を用いる研磨方法が挙げられる。具体的には、被研磨基板をキャリアで保持し、研磨パッドを貼り付けた研磨定盤で挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板との間に供給し、所定の圧力の下で研磨定盤及び/又は被研磨基板を動かすことにより、本発明の研磨液組成物を被研磨基板に接触させながら研磨する研磨方法が挙げられる。
研磨工程Aにおける研磨荷重は、研磨速度を向上し経済的に研磨を行う観点から、3kPa以上であり、4kPa以上が好ましく、5kPa以上がより好ましく、5.5kPa以上がさらに好ましい。また、表面品質を向上させ、且つ基板表面の残留応力を緩和する観点から、12kPa以下であり、11kPa以下が好ましく、10kPa以下がより好ましく、9kPa以下がさらに好ましい。従って、研磨速度及び表面品質向上の観点から、3〜12kPaであり、好ましくは4〜11kPa、より好ましくは5〜10kPa、さらに好ましくは5.5〜9kPaである。
研磨工程Aにおける研磨液組成物の好ましい供給速度は、被研磨基板と接触する研磨パッドの面積と投入した基板の総面積によって、更に研磨液組成物の種類によって異なるため、一概には決められないが、研磨速度を向上し、且つ経済的に研磨を行う観点から、被研磨基板の単位被研磨面積(1cm2)当り、0.06〜5mL/minが好ましく、0.08〜4mL/minがより好ましく、0.1〜3mL/minがさらに好ましい。
被研磨基板としては、前記の本発明の研磨液組成物が研磨の対象としているガラス基板と同様のものが挙げられる。研磨工程Aに供する前の基板の表面性状は特に限定されないが、例えば、AFM−Raが1nm以下の表面性状を有する基板が適する。
基板の製造は、例えば、被研磨基板が、ガラスハードディスク基板である場合は、溶融ガラスの型枠プレス又はシートガラスから切り出す方法によって得られたガラス基板を、一般には粗研削工程、形状加工工程、端面鏡面加工工程、精研削工程、研磨工程、洗浄工程、及び磁気ディスク製造工程を経て行われる。
くとも一つの最後の研磨工程を指す。
基板の製造は、例えば、被研磨基板がフォトマスク基板である場合は、円柱状の合成石英インゴットを高温で加熱溶融して四角いブロック状に熱間成型し、歪除去のためのアニール処理後、スライスして薄い四角形の合成石英基板を得、一般には、研削工程、端面加工工程、研磨工程、洗浄工程、及びフォトマスク製造工程を経て行われる。
また、研削工程は例えば1段あるいは2段の研削工程(1次ラッピング、2次ラッピング)からなり、ある程度基板表面を平滑化する。研削工程では、炭化ケイ素やアルミナ等の硬質な研磨剤が広く用いられている。この後、複数枚の基板を重ねた状態でその側面を研磨して各基板の端面に鏡面加工を施す。
研磨工程は、一般に、第一研磨工程と第二研磨工程に分かれるが、表面品質の向上を目的として更に最終(仕上げ)研磨工程を行う場合が多い。第一研磨工程では酸化セリウム、最終(仕上げ)研磨工程ではシリカが好適に用いられる。従って、本発明の研磨液組成物は、基板の製造工程において、第二研磨工程以降に用いられることが好ましく、表面粗さを顕著に低減し、優れた表面平滑性を得る観点から、仕上げ研磨工程に用いられることがより好ましい。また、研磨工程Aは、第二研磨工程又は最終(仕上げ)研磨工程として行われることが好ましい。なお、仕上げ研磨工程とは、複数の研磨工程がある場合、少なくとも一つの最後の研磨工程を指す。
研磨工程後は、合成石英基板表面に残留したシリカ砥粒や研磨屑を除去するために、例えば中性洗剤により洗浄され、さらに合成石英ガラスに対して溶解力をもつ薬液(強アルカリ溶液、HF溶液等)に基板を浸漬し、基板の研磨面の最表層をエッチングして不純物を除去する。次いで純水、イソプロパノール等での浸漬洗浄、及びイソプロパノール等での蒸気乾燥が行われる。
その後、蒸着やスパッタにてクロム等の金属薄膜をつけてマスクブランクス基板とし、これにレジスト等を塗布した後に露光し、エッチングして表面にパターンを形成してフォトマスク基板となる。
フォトマスク基板には、微細化されたパターンを精度良く露光できる平滑性が要求される。即ち、基板表面の平坦性(粗さ、うねり等)や欠陥(砥粒等の凸部、スクラッチやピット等の凹部)に優れることが求められ、基板の製造工程の中で研磨工程がその役割を担い、第二研磨工程、又は最終(仕上げ)研磨工程が特に重要である。
基板の製造は、例えば、被研磨基板が合成石英ウエハ基板である場合は、円柱状の合成石英インゴットをスライスしてディスク状の合成石英基板を得、一般には、研削工程、端面加工工程、研磨工程、洗浄工程、及びシリコン層の形成工程を経て行われる。
また、研削工程は例えば1段あるいは2段の研削工程(1次ラッピング、2次ラッピング)からなり、ある程度基板表面を平滑化する。研削工程では、炭化ケイ素やアルミナ等の硬質な研磨剤が広く用いられている。この後、複数枚の基板を重ねた状態でその側面を研磨して各基板の端面に鏡面加工を施す。
研磨工程は、一般に、第一研磨工程と第二研磨工程に分かれるが、表面品質の向上を目的として更に最終(仕上げ)研磨工程を行う場合が多い。第一研磨工程では酸化セリウム、最終(仕上げ)研磨工程ではシリカが好適に用いられる。従って、本発明の研磨液組成物は、基板の製造工程において、第二研磨工程以降に用いられることが好ましく、表面粗さを顕著に低減し、優れた表面平滑性を得る観点から、仕上げ研磨工程に用いられることがより好ましい。また、研磨工程Aは、第二研磨工程又は最終(仕上げ)研磨工程として行われることが好ましい。なお、仕上げ研磨工程とは、複数の研磨工程がある場合、少なくとも一つの最後の研磨工程を指す。
研磨工程後は、合成石英基板表面に残留したシリカ砥粒や研磨屑を除去するために、例えば中性洗剤により洗浄され、さらに合成石英ガラスに対して溶解力をもつ薬液(強アルカリ溶液、HF溶液等)に基板を浸漬し、基板の研磨面の最表層をエッチングして不純物を除去する。次いで純水、イソプロパノール等での浸漬洗浄、及びイソプロパノール等での蒸気乾燥が行われる。
さらにその後、用途に応じて、CVD(Chemical Vapor Deposition)等により多結晶シリコン薄膜の形成により表示デバイスや貼り合わせ法(応用物理,No.11,1192(1997)参照)等によりSOI (Silicon On Insulator)ウエハを得ることができる。
合成石英ウエハ基板には、微細化されたパターンを精度良く形成できる平滑性が要求される。即ち、基板表面の平坦性(粗さ、うねり等)や欠陥(砥粒等の凸部、スクラッチやピット等の凹部)に優れることが求められ、基板の製造工程の中で研磨工程がその役割を担い、第二研磨工程、又は最終(仕上げ)研磨工程が特に重要である。
研磨パッドとしては、有機高分子系の発泡体、無発泡体、不織布状の研磨パッドを用いることができ、例えば、第一研磨工程ではスウェード調のウレタン製硬質パッド、第二研磨工程及び最終研磨工程ではスウェード調のウレタン製軟質パッドが好適に用いられる。
効果的に表面粗さを低減するためには、本発明の研磨液組成物を用いて、あるいは本発明の研磨液組成物の組成となるように各成分を混合して研磨液組成物を調製し、被研磨基板を研磨する。これにより、被研磨基板の表面粗さを顕著に低減でき、且つ研磨速度が高いために、表面品質に優れた基板を経済的に製造することができる。従って、本発明は、前記研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板の間に存在させ、3〜12kPaの研磨荷重で該基板研磨する工程を有する、ガラス基板の表面粗さ低減方法にも関する。
《被研磨基板》
セリアを研磨材として含有する研磨液組成物で予め第一及び第二研磨工程を行い、AFM−Raを0.3nmとした、厚さ0.635mmの外径65mmφで内径20mmφのハードディスク用アルミノシリケート製ガラス基板を、被研磨基板として用いた。
研磨材として、コロイダルシリカスラリー(デュポン社製、一次粒子の平均粒径20nm、シリカ粒子濃度40重量%、残部は水)をシリカ粒子換算で5.0重量%、アクリル酸/アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体(スルホン酸基を有する単量体含有率11モル%、重量平均分子量2000、固形分濃度40重量%、ナトリウム中和品)を有効分換算で0.10重量%、酸としてHEDP(ソルーシアジャパン社製、固形分濃度60重量%)を有効分換算で0.13重量%、硫酸(和光純薬工業社製、濃硫酸、試薬特級)を有効分換算で0.40重量%、残部としてイオン交換水からなる研磨液組成物を調製した。各成分を混合する順番は、イオン交換水で5倍に希釈した上記共重合体水溶液の所定量をHEDP及び硫酸の水溶液の撹拌下に加えて混合し、コロイダルシリカスラリーを最後に加えて混合、調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.8であった。
HEDP及び硫酸の有効分濃度を実施例1の半分とした以外は実施例1と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、3.0であった。
研磨材として、コロイダルシリカスラリー(デュポン社製、一次粒子の平均粒径30nm、シリカ粒子濃度40重量%、残部は水)を用いた以外は実施例1と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.7であった。
共重合体の有効分濃度を0.05重量%とした以外は実施例3と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.8であった。
共重合体をアクリル酸/アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体(スルホン酸基を有する単量体含有率4モル%、重量平均分子量4000、固形分濃度36重量%、ナトリウム中和品)とした以外は実施例1と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.8であった。
研磨材として、実施例3のコロイダルシリカスラリーを用いた以外は実施例5と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.7であった。
共重合体をアクリル酸/アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体(スルホン酸基を有する単量体含有率25モル%、重量平均分子量4000、固形分濃度40重量%、ナトリウム中和品)とした以外は実施例1と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.8であった。
研磨材として、コロイダルシリカスラリー(デュポン社製、一次粒子の平均粒径20nm、シリカ粒子濃度40重量%、残部は水)をシリカ粒子換算で10.0重量%、残部としてイオン交換水からなる研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のpHは、9.5であった。
共重合体を用いない以外は実施例1と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.8であった。
研磨材として、コロイダルシリカスラリー(デュポン社製、一次粒子の平均粒径20nm、シリカ粒子濃度40重量%、残部は水)をシリカ粒子換算で10.0重量%、実施例1の共重合体を0.10重量%、残部としてイオン交換水からなる研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のpHは、9.5であった。
研磨材として、コロイダルシリカスラリー(触媒化成社製、一次粒子の平均粒径80nm、シリカ粒子濃度40重量%、残部は水)をシリカ粒子換算で5.0重量%、酸としてHEDP(ソルーシアジャパン社製、固形分濃度60重量%)を有効分換算で0.13重量%、硫酸(和光純薬工業社製、濃硫酸、試薬特級)を有効分換算で0.40重量%、残部としてイオン交換水からなる研磨液組成物を調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.7であった。
研磨材として、コロイダルシリカスラリー(触媒化成社製、一次粒子の平均粒径80nm、シリカ粒子濃度40重量%、残部は水)を用いた以外は実施例1と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.8であった。
共重合体をアクリル酸/アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体(スルホン酸基を有する単量体含有率12モル%、重量平均分子量10000、固形分濃度40重量%、ナトリウム中和品)とした以外は実施例1と同様に調製した。得られた研磨液組成物のpHは、1.8であった。
研磨試験機:ムサシノ電子社製、MA−300片面研磨機、定盤直径300mm
研磨パッド:ウレタン製仕上げ研磨用パッド
定盤回転数:90r/min
キャリア回転数:90r/min、強制駆動式
研磨液組成物供給速度:50g/min(約2.5mL/min/cm2)
研磨時間:15min
研磨荷重:5.9kPa(錘による一定荷重)
リンス条件:荷重=3.9kPa、時間=5min、イオン交換水供給量=約1L/min
ドレス条件:1回研磨毎にイオン交換水を供給しながらブラシドレスを0.5min行った。
洗浄方法:研磨及びリンス終了後の被研磨基板を取り出し、イオン交換水で流水洗浄し、次に該基板をイオン交換水中に浸漬した状態で超音波洗浄(100kHz、3min)を行い、更にイオン交換水で流水洗浄し、乾燥はスピンドライ法により行った。
評価方法:表面粗さは、原子間力顕微鏡(AFM)を用いてAFM−Raを求めた。結果を表1に示す。
測定機器:Veeco社製、TM−M5E
Mode:non−contact
Scanrate:1.0Hz
Scanarea:10×10μm
評価方法:表面粗さは、任意の基板中心線上の、内周と外周の中間付近を2点測定(二次元補正)し、その値の平均値を求め、AFM−Raとした。
研磨前後の基板の重量差(g)を該基板の密度(2.46g/cm3)、基板の表面積(30.04cm2)、及び研磨時間(min)で除して単位時間当たりの研磨量を計算し、研磨速度(μm/min)を算出した。結果を表1に示す。
《被研磨基板》
セリアを研磨材として含有する研磨液組成物で予め第一研磨工程を行い、AFM−Raを0.3nmとした、直径50mmφで厚さ0.9mmのオプトスター製合成石英基板を、被研磨基板として用いた。
実施例1と同様に研磨液組成物を調製した。
実施例2と同様に研磨液組成物を調製した。
比較例1と同様に研磨液組成物を調製した。
比較例3と同様に研磨液組成物を調製した。
研磨荷重を13.5kPa(錘による一定荷重)とした以外は、前記1.ガラスハードディスク基板と同様に研磨した。
洗浄方法、評価方法、及びAFM測定方法は、前記1.ガラスハードディスク基板と同様に行なった。結果を表2に示す。
研磨前後の基板の重量差(g)を該基板の密度(2.20g/cm3)、基板の表面積(19.63cm2)、及び研磨時間(min)で除して単位時間当たりの研磨量を計算し、研磨速度(μm/min)を算出した。結果を表2に示す。
Claims (7)
- 一次粒子の平均粒径が5〜50nmであるシリカと重量平均分子量が1,000〜4,000であるアクリル酸/スルホン酸共重合体とを含有してなる、pHが0.5〜5であるガラス基板用研磨液組成物であって、アクリル酸/スルホン酸共重合体を構成する全単量体中におけるスルホン酸基含有単量体の含有率が3〜50モル%である、ガラス基板用研磨液組成物。
- 研磨液組成物中におけるシリカと前記共重合体との濃度比[シリカの濃度(重量%)/共重合体の濃度(重量%)]が、10〜5000である請求項1記載のガラス基板用研磨液組成物。
- シリカがコロイダルシリカである請求項1又は2記載のガラス基板用研磨液組成物。
- 請求項1〜3いずれか記載の研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板の間に存在させ、3〜12kPaの研磨荷重で該基板を研磨する工程を有するガラス基板の製造方法。
- ガラス基板がガラスハードディスク基板である請求項4記載のガラス基板の製造方法。
- ガラス基板がフォトマスク基板である請求項4記載のガラス基板の製造方法。
- ガラス基板が合成石英ウエハ基板である請求項4記載のガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006335791A JP5283247B2 (ja) | 2005-12-22 | 2006-12-13 | ガラス基板用研磨液組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005370536 | 2005-12-22 | ||
JP2005370536 | 2005-12-22 | ||
JP2006335791A JP5283247B2 (ja) | 2005-12-22 | 2006-12-13 | ガラス基板用研磨液組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007191696A JP2007191696A (ja) | 2007-08-02 |
JP5283247B2 true JP5283247B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=38447643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006335791A Active JP5283247B2 (ja) | 2005-12-22 | 2006-12-13 | ガラス基板用研磨液組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5283247B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009050920A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP5289877B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2013-09-11 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP5407555B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2014-02-05 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
JP5371667B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-12-18 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
WO2010038706A1 (ja) | 2008-10-01 | 2010-04-08 | 旭硝子株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
WO2011121903A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | コニカミノルタオプト株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
WO2011132665A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | 花王株式会社 | ハードディスク用アルミノシリケートガラス基板の製造方法 |
JP5975654B2 (ja) | 2011-01-27 | 2016-08-23 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
JP5704755B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-04-22 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
JP2013080530A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
JP6156207B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2017-07-05 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP6582567B2 (ja) * | 2015-06-03 | 2019-10-02 | 日立化成株式会社 | スラリー及びその製造方法、並びに、研磨方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10102042A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-21 | Kao Corp | 加工用助剤組成物、研磨材組成物及び表面加工方法 |
JP3992312B2 (ja) * | 1996-09-27 | 2007-10-17 | 花王株式会社 | 研磨又は研削加工用助剤組成物、研磨材組成物及び表面加工方法 |
JP4372237B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2009-11-25 | 花王株式会社 | 磁気記録媒体用基板の研磨方法 |
JP4092011B2 (ja) * | 1998-04-10 | 2008-05-28 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP4278773B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2009-06-17 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP4171858B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2008-10-29 | Jsr株式会社 | 研磨用組成物および研磨方法 |
JP4667848B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2011-04-13 | 花王株式会社 | ガラス基板用研磨液組成物 |
JP2006179678A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体絶縁膜用cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2006193695A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
-
2006
- 2006-12-13 JP JP2006335791A patent/JP5283247B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007191696A (ja) | 2007-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5283247B2 (ja) | ガラス基板用研磨液組成物 | |
JP5008350B2 (ja) | ガラス基板用の研磨液組成物 | |
US20070145014A1 (en) | Polishing composition for glass substrate | |
JP4231632B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4667848B2 (ja) | ガラス基板用研磨液組成物 | |
US20050208883A1 (en) | Polishing composition | |
JP4451347B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
US8585463B2 (en) | Process for producing glass substrate for information recording medium | |
US9053736B2 (en) | Method for manufacturing an aluminosilicate glass substrate for hard disks | |
JP2009172709A (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP6730859B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
JP2005138197A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
JP4115722B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
JP5013986B2 (ja) | ガラス基板の製造方法 | |
JP4414292B2 (ja) | 研磨速度向上方法 | |
JP2004263074A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6513454B2 (ja) | 研磨物の製造方法 | |
JP4286168B2 (ja) | ナノスクラッチを低減する方法 | |
JP4104335B2 (ja) | 微小突起の低減方法 | |
JP2007301721A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2006130638A (ja) | 容器入り研磨材粒子分散液 | |
JP4267546B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
TW202116965A (zh) | 研磨用組成物 | |
JP4640981B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
JP2014116046A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130527 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5283247 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |