JP5275110B2 - 多結晶シリコンインゴットの製造方法 - Google Patents
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SiCl4 + 2Zn = Si + 2ZnCl2 (1)
により示すものである。
該溶融シリコンを、下から上に順に冷却して結晶化させ、多結晶シリコンインゴットを得る冷却工程と、
を有することを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法を提供するものである。
該溶融シリコンを、下から上に順に冷却して結晶化させ、多結晶シリコンインゴットを得る冷却工程と、
を有する多結晶シリコンインゴットの製造方法である。
亜鉛還元法により製造された樹枝状結晶の多結晶シリコン30Kgを、縦300mm×横300mm×高さ250mmの坩堝に充填した。次いで、表1又は表2に示す体積比で混合された水蒸気を含有するアルゴンガスを、2リットル/分で供給しながら、雰囲気のガスを真空ポンプで吸引して、表1又は表2に示す圧力下及び溶融温度で、該多結晶シリコンを溶融した。溶融後、真空ポンプによる吸引及び該水蒸気を含有するアルゴンガスの供給を止め、アルゴンガス雰囲気下、表1又は表2に示す条件で冷却し、次いで、得られた結晶物の上部1.5%を切断して、多結晶シリコンインゴットを得た。得られた多結晶シリコンインゴットの純度を表1又は表2に示す。
2 電気ヒーター
3 保持容器
4 ガス供給ノズル
5 ガス排出ノズル
6 水蒸気を含有するアルゴンガス
10 多結晶シリコンインゴットの製造装置
11 溶融シリコン
Claims (3)
- 水蒸気に対するアルゴンガスの体積比(アルゴンガス:水蒸気)が99:1〜90:10である水蒸気を含有するアルゴンガスを雰囲気に供給しながら、10−1Pa以下の圧力下、1410〜1600℃で、亜鉛還元法により製造された多結晶シリコンを溶融させ、溶融シリコンを得る溶融工程と、
該溶融シリコンを、下から上に順に冷却して結晶化させ、多結晶シリコンインゴットを得る冷却工程と、
を有することを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 前記亜鉛還元法により製造された多結晶シリコン中の亜鉛の含有量が、0.1〜100質量ppmであることを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコンインゴットの製造方法。
- 前記冷却工程において、凝固界面の移動速度が0.1〜2.0mm/分であることを特徴とする請求項1又は2いずれか1項記載の多結晶シリコンインゴットの製造方法。
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