JP4791558B2 - 多結晶シリコンの溶融方法 - Google Patents
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Description
SiCl4 + 2Zn = Si + 2ZnCl2 (1)
により示すものである。
全シリコンの充填密度(g/cm3)=A/B (2)
(式中、Aは、該溶融容器に充填される該樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコン及び該塊状シリコンの合計質量を表わし、Bは、該溶融容器に充填される該樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコン及び該塊状シリコンの見かけ体積を示す。なお、見かけ体積とは、充填物中の空隙も含めた見かけ上の体積である。)
により算出される値である。
表1に示す量の亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコン及びシリコンインゴットを砕いて得た塊状シリコンを、縦300mm×横300mm×高さ250mmの坩堝に充填した。次いで、減圧下でアルゴンガスを流通させながら、該坩堝の温度を1450℃まで昇温し、1450℃で保持して、シリコンを溶融させた。このとき、シリコンの全てが溶融するまでにかかった時間を、表1に示す。
・樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコン:図2に示す反応装置20により製造された多結晶シリコン、500μmサイズのスクリーンを通過しない樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンの割合は85質量%
・塊状シリコン:個々の質量は50〜300gであった。
2 電気ヒーター
3 保持容器
4 ガス供給ノズル
5 ガス排出ノズル
6 アルゴンガス
7 樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコン
8 塊状シリコン
10 多結晶シリコンの溶融装置
11 幹部
12 枝部
20 反応装置
21 反応炉
22 亜鉛ガス供給管
23 四塩化珪素ガス供給管
24 亜鉛ガス
25 四塩化珪素ガス
26 ガス排出管
27 排出ガス
Claims (3)
- 溶融容器に、亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンと、シリコンインゴットを砕いて得た塊状シリコンと、を充填し、次いで、充填物を1410〜1600℃で加熱して、該充填物を溶融させることを特徴とする多結晶シリコンの溶融方法。
- 前記塊状シリコンの充填割合が、前記溶融容器に充填する全シリコンに対して3〜80質量%であることを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコンの溶融方法。
- 充填後の全シリコンの充填密度が、0.8〜2.0g/cm3であることを特徴とする請求項2記載の多結晶シリコンの溶融方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009081797A JP4791558B2 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 多結晶シリコンの溶融方法 |
US12/749,071 US20100247976A1 (en) | 2009-03-30 | 2010-03-29 | Glass substrate for a magnetic disk and method of manufacturing the same |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010235321A JP2010235321A (ja) | 2010-10-21 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5935021B2 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-06-15 | 蒲池 豊 | シリコン結晶の製造方法 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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