JP5266790B2 - 不良解析方法、不良解析プログラム及び不良解析装置 - Google Patents
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<素子分離絶縁膜52>
CA1×a+CA5×b+CA9×c +CA13×d
<ゲート電極55>
CA2×a+CA6×b+CA10×c+CA14×d
<配線61>
CA3×a+CA7×b+CA11×c+CA15×d
<配線63>
CA4×a+CA8×b+CA12×c+CA16×d
<素子分離絶縁膜52>
10×6 +12×2+9×2 +0×0 =102
<ゲート電極55>
40×6 +50×2+0×2 +70×0=340
<配線61>
140×6+40×2+80×2+10×0=1080
<配線63>
0×6 +0×2 +10×2+80×0=20
同一の設計情報に基づいて作製された複数の半導体装置の不良検査を行う工程と、
前記不良検査の結果に基づいて、不良箇所が存在する半導体装置のフェイルビットマップを作成する工程と、
前記フェイルビットマップに基づいて、不良モード毎に当該不良モードに該当する不良箇所を含む半導体装置の数を取得する工程と、
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさと、前記不良モード毎に取得した半導体装置の数との関係に基づいて、前記製造工程のうちで最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する工程と、
を有することを特徴とする不良解析方法。
前記最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する工程は、
前記製造工程毎に、前記不良モード毎のクリティカルエリアの大きさと半導体装置の数との積の総和を前記クリティカルエリアの総和として求める工程を有することを特徴とする付記1に記載の不良解析方法。
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさとして、前記設計情報から求められたものを用いることを特徴とする付記1又は2に記載の不良解析方法。
コンピュータに、
同一の設計情報に基づいて作製された複数の半導体装置の不良検査を行う工程と、
前記不良検査の結果に基づいて、不良箇所が存在する半導体装置のフェイルビットマップを作成する工程と、
前記フェイルビットマップに基づいて、不良モード毎に当該不良モードに該当する不良箇所を含む半導体装置の数を取得する工程と、
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさと、前記不良モード毎に取得した半導体装置の数との関係に基づいて、前記製造工程のうちで最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する工程と、
を実行させることを特徴とする不良解析プログラム。
前記最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する工程は、
前記製造工程毎に、前記不良モード毎のクリティカルエリアの大きさと半導体装置の数との積の総和を前記クリティカルエリアの総和として求める工程を有することを特徴とする付記4に記載の不良解析プログラム。
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさとして、前記設計情報から求められたものを用いることを特徴とする付記4又は5に記載の不良解析プログラム。
同一の設計情報に基づいて作製された複数の半導体装置の不良検査を行う検査手段と、
前記不良検査の結果に基づいて、不良箇所が存在する半導体装置のフェイルビットマップを作成するFBM作成手段と、
前記フェイルビットマップに基づいて、不良モード毎に当該不良モードに該当する不良箇所を含む半導体装置の数を取得する計数工程と、
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさと、前記不良モード毎に取得した半導体装置の数との関係に基づいて、前記製造工程のうちで最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する抽出手段と、
を有することを特徴とする不良解析装置。
前記抽出手段は、
前記製造工程毎に、前記不良モード毎のクリティカルエリアの大きさと半導体装置の数との積の総和を前記クリティカルエリアの総和として求める手段を有することを特徴とする付記7に記載の不良解析装置。
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさとして、前記設計情報から求められたものを用いることを特徴とする付記7又は8に記載の不良解析装置。
2:分析結果
11:シングルビットの不良
12:ワード線不良
13:ツインビット乃不良
14:RAM
Claims (5)
- 同一の設計情報に基づいて作製された複数の半導体装置の不良検査を行う工程と、
前記不良検査の結果に基づいて、不良箇所が存在する半導体装置のフェイルビットマップを作成する工程と、
前記フェイルビットマップに基づいて、不良モード毎に当該不良モードに該当する不良箇所を含む半導体装置の数を取得する工程と、
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさと、前記不良モード毎に取得した半導体装置の数との関係に基づいて、前記製造工程のうちで最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する工程と、
を有することを特徴とする不良解析方法。 - 前記最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する工程は、
前記製造工程毎に、前記不良モード毎のクリティカルエリアの大きさと当該不良モードに該当する不良箇所を含む半導体装置の数との積の総和を前記クリティカルエリアの総和として求める工程を有することを特徴とする請求項1に記載の不良解析方法。 - 前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさとして、前記設計情報から求められたものを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の不良解析方法。
- コンピュータに、
同一の設計情報に基づいて作製された複数の半導体装置の不良検査を行う工程と、
前記不良検査の結果に基づいて、不良箇所が存在する半導体装置のフェイルビットマップを作成する工程と、
前記フェイルビットマップに基づいて、不良モード毎に当該不良モードに該当する不良箇所を含む半導体装置の数を取得する工程と、
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさと、前記不良モード毎に取得した半導体装置の数との関係に基づいて、前記製造工程のうちで最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する工程と、
を実行させることを特徴とする不良解析プログラム。 - 同一の設計情報に基づいて作製された複数の半導体装置の不良検査を行う検査手段と、
前記不良検査の結果に基づいて、不良箇所が存在する半導体装置のフェイルビットマップを作成するFBM作成手段と、
前記フェイルビットマップに基づいて、不良モード毎に当該不良モードに該当する不良箇所を含む半導体装置の数を取得する計数手段と、
前記複数の半導体装置の製造工程毎かつ不良モード毎に予め求めておいたクリティカルエリアの大きさと、前記不良モード毎に取得した半導体装置の数との関係に基づいて、前記製造工程のうちで最もクリティカルエリアの総和が大きいものを抽出する抽出手段と、
を有することを特徴とする不良解析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008044990A JP5266790B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 不良解析方法、不良解析プログラム及び不良解析装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008044990A JP5266790B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 不良解析方法、不良解析プログラム及び不良解析装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2009205717A JP2009205717A (ja) | 2009-09-10 |
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---|---|---|---|
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Country | Link |
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JP (1) | JP5266790B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5342199B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2013-11-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不良率予測方法、不良率予測プログラム、半導体製造装置の管理方法、および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187454A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体検査システムおよび半導体製造方法 |
JP4642385B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2011-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の不良解析システムおよび半導体装置の製造方法 |
JP2007141943A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | クリティカルエリア算出方法及び歩留まり算出方法 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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