JP5061719B2 - 基板検査装置及び方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板面上に発生した欠陥を特定する基板検査装置及び方法に関し、特に、表面に複数の半導体チップが形成される半導体基板の製造工程に適用して好適である。

従来より、半導体基板（半導体ウェーハ）に複数の半導体チップを形成するに際して、インラインにおいて各製造工程のうちの所定工程後に、半導体ウェーハ表面の各種欠陥検査（異物検査、電気的検査、合せ検査、膜厚検査等）が行われている。検出された各欠陥の情報は、半導体ウェーハ表面の位置データとして処理され、半導体ウェーハの製造不良管理に供される。

特開平１１−４５９１９号公報

半導体装置の各製造工程、例えば半導体ウェーハ上にトランジスタ等の素子構造（配線等も含む）を形成するための、いわゆる半導体ウェーハ処理工程を構成する各製造工程は、成膜工程、酸化・窒化工程、リソグラフィー工程、エッチング工程、ドーピング工程等の多数の工程からなるものである。当該各製造工程を実行するには、各種の処理装置、例えば成膜装置、酸化・窒化装置、露光装置、エッチング装置、ドーピング装置等の多数の処理装置を用い、製造工程毎に適用するための各種条件でこれらの処理装置を稼動することを要する。

上記の各製造工程の全てに対して半導体ウェーハ表面の欠陥検査を行うことは事実上困難である。従って通常では、例えば２００余の製造工程のうち、いくつかを選択して、当該欠陥検査が行われている。そのため、半導体ウェーハに生じる欠陥の認識精度は低く、素子構造が完成する間近の製造工程時において、当該半導体ウェーハに無視できない欠陥が生じた旨が判明することも少なくない。これにより、製造時間及び製造コストの著しい増加を招き、信頼性の高い半導体装置の実現が困難となるという問題がある。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、各製造工程に用いる各種の処理装置等に発生した固有の欠陥等に起因して、製品基板に生じる欠陥を製造時間及び製造コストを最小限に抑えて容易且つ確実に認識し、上記の固有の欠陥等の工程異常を正確に特定することを可能とし、製品基板に形成する素子構造に対する信頼性の大幅な向上を実現することができる基板検査装置及び方法を提供することを目的とする。

本発明の基板検査装置は、複数の処理装置を用いた複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、前記基板面上に発生した欠陥の原因となる前記各処理装置の工程異常を特定する基板検査装置であって、前記製品基板の基板面上に発生した欠陥及び検査用基板の基板面上に発生した欠陥を検査する欠陥検査装置と、前記各処理装置で処理された前記検査用基板のそれぞれについて、前記欠陥検査装置により行われた欠陥検査の結果から、前記処理装置毎に製品検査を要するか否かを判断する欠陥装置特定機構と、前記欠陥装置特定機構により前記製品検査を要すると判断された前記処理装置を用いる前記製造工程について、当該製品検査を行う製品検査機構とを含む。

本発明の基板検査方法は、複数の処理装置を用いた複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、前記基板面上に発生した欠陥の原因となる前記各処理装置の工程異常を特定する基板検査方法であって、前記各処理装置で処理された検査用基板のそれぞれについて、基板面上の欠陥を検査した結果に基づいて、製品検査を要する前記処理装置を特定する第１のステップと、前記第１のステップにより前記製品検査を要すると判断された前記処理装置を用いる前記製造工程について、当該製品検査を行う第２のステップとを含む。

本発明によれば、複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、各製造工程に用いる各種の処理装置等に発生した固有の欠陥等に起因して、製品基板に生じる欠陥を製造時間及び製造コストを最小限に抑えて容易且つ確実に認識し、上記の固有の欠陥等の工程異常を正確に特定することを可能とし、製品基板に形成する素子構造に対する信頼性の大幅な向上を実現することができる。

−本発明の基本骨子−
本発明では、基板処理プロセスを構成する各製造工程を各種条件で実行するために用いる各種の処理装置、例えば成膜装置、酸化・窒化装置、露光装置、エッチング装置、ドーピング装置、洗浄装置等の多数の処理装置について、当該各処理装置のうち、製品検査を要する処理装置を特定し、製品検査を要すると判断された処理装置を用いる製造工程について当該製品検査を行う。即ち本発明は、先ず製品検査を要する処理装置を特定する第１の欠陥検査と、続いて特定された当該処理装置を使用する製造工程について行う仔細な第２の欠陥検査とからなる、言わば２段階の欠陥検査を実行する構成を採る。

このように、先ず第１の欠陥検査を行うことにより、多数存する製造工程のうち、製品基板に欠陥が発生する蓋然性の高い処理装置を使用する製造工程を特定し、特定された当該製造工程に言わば的を絞って仔細な第２の欠陥検査を行う。この構成を採ることにより、製品基板に生じる欠陥を製造時間及び製造コストを最小限に抑えながらも容易且つ確実に認識し、上記の固有の欠陥等の工程異常を正確に特定することが可能となる。

第１の欠陥検査の具体例として、検査用基板に発生した欠陥数が予め定められた規格管理値を越えた場合に、当該検査用基板を処理した処理装置について製品検査を要する旨を判断する。
更に、多数の処理装置のうち、基板に欠陥が発生する蓋然性の高い処理装置を可及的に確実に特定すべく、以下のように２種類の欠陥発生状態を想定することが好適である。
即ちこの場合、検査用基板に発生した前記欠陥数が予め定められた第１の規格管理値を越えるか否かの第１の判定と、検査用基板に発生した欠陥の位置データを取得し、検査用基板の基板面を複数に分割してなる各領域のうち、欠陥数が予め定められた第２の規格管理値を越えた領域が存在するか否かの第２の判定とを併用し、第１及び第２の規格管理値の少なくとも一方を越えると判定された場合に、当該検査用基板を処理した処理装置について製品検査を要する旨を判断する。

また、第２の欠陥検査において、製造工程に使用される処理装置に固有の欠陥等に起因して、ロット等を構成する少なくとも一部の基板に共通して発生する欠陥（以下、共通欠陥と称する）を容易且つ確実に認識すべく、各基板における欠陥の位置データを重ね合わせる。共通欠陥が存在する場合には、この位置データの重畳により当該共通欠陥が顕在化されて共通欠陥分布を示すため、これを認知することができる。重畳された位置データから共通欠陥の有無を判定する具体的手法としては、各種の共通欠陥分布を示す複数のテンプレートを用意しておき、重畳された位置データと各テンプレートとを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該テンプレートに対応した共通欠陥分布の有無を判定すれば良い。

そして、第２の欠陥検査では、各共通欠陥にそれぞれ識別番号を付与しておき、各基板毎に識別番号に対応する共通欠陥の有無を判定する。その結果、当該共通欠陥が存在すると判定された基板のみに、当該共通欠陥に対応する識別番号が付与された状態となる。このように、本発明では、特に枚葉式の処理装置等による基板処理において、例えばロットを構成する各基板のそれぞれについて共通欠陥の有無を正確に把握して、デバイス等の素子構造の製造管理に供することができる。

この点、特許文献１には、半導体ウェーハ毎に測定された位置データを重畳し、ロット単位で欠陥分布を顕在化させて、当該欠陥分布の特徴量を抽出する技術が開示されている。しかしながらこの場合、位置データを複数の半導体ウェーハからなるロット単位で取得するため、半導体プロセスの処理装置に多い枚葉仕様のものに対応することができない。例えば、処理装置が２つ一組のチャンバーを有し、各チャンバーにより半導体ウェーハを交互に処理する形態を採る場合、一方のチャンバーに不具合があれば半導体ウェーハの共通欠陥は交互に現れることになる。このような場合、特許文献１の技術では、当該共通欠陥を検知し特定することはできない。半導体デバイスの処理装置は複数チャンバー仕様が多いため、特許文献１の技術では適切な対応を採ることが極めて困難である。

更に、第２の欠陥検査では、識別番号に対応する共通欠陥分布から、当該共通欠陥の発生原因を特定する。この特定のための具体的手法としては、識別番号に対応する共通欠陥の発生原因を示す各種の発生原因データを用意しておき、各基板の識別番号の付与された共通欠陥分布と発生原因データとを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該共通欠陥の発生原因を特定すれば良い。このように、本発明では、上記の共通欠陥等の工程異常を正確に特定することを可能とし、この工程異常の情報が当該共通欠陥の発生した製造工程にフィードバックされ、この工程異常の原因となる処理装置等の修理改善に供されることになる。この構成により、基板に形成する素子構造の信頼性の大幅な向上を実現することが可能となる。

−本発明を適用した具体的な実施形態−
以下、本発明を半導体ウェーハの検査装置に適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。

（基板検査装置の概略構成）
図１は、本実施形態による基板検査装置の概略構成を示す模式図である。
本実施形態の基板検査装置は、複数の製造工程を経て、複数の半導体ウェーハの基板面上にそれぞれ各種のトランジスタやキャパシタ等の素子構造を形成する際に、各半導体ウェーハに発生した欠陥を特定して評価するものである。ここで、製造工程としては、例えば酸化・窒化工程、各種の薄膜形成工程（スパッタ法やＣＶＤ法等）、露光工程を含むリソグラフィー工程、エッチング工程、イオン注入工程等を含むドーピング工程、基板洗浄工程等の基板処理プロセスを主な対象とする。

この基板検査装置において、１は、各半導体ウェーハの基板面上の各種欠陥を検査する欠陥検査装置である。２は、上記した各種の製造方法を行うための各処理装置のうち、製品検査を要する処理装置を特定する欠陥装置特定機構である。３は、欠陥装置特定機構２により製品検査を要すると判断された処理装置を用いる製造工程について、当該製品検査を行う製品検査機構である。

欠陥検査装置１は、各種検査を自動的に実行する検査部１１と、操作者が視認により半導体ウェーハの基板面上の欠陥を判断するための外観検査部１２と、各半導体ウェーハ毎に、欠陥検査装置１により特定された欠陥の当該基板面における位置データを取得する欠陥データ取得部１３とを備えて構成されている。本実施形態では、後述するように、検査対象となる半導体ウェーハとして、処理装置毎に行う事前欠陥検査に用いる検査用基板と、実製品として素子構造が形成される製品基板との２種類のものを想定している。

検査部１１は、半導体ウェーハの基板面上における異物の存否を検査する異物検査部１０１と、半導体ウェーハの基板面上における各半導体チップの端子等の電気的検査を行う電気的検査部１０２と、リソグラフィー工程において使用される露光装置における位置合せ誤差を所期のテストパターニング等を用いて検査する合ね検査部１０３と、成膜装置により形成される各種薄膜の膜厚が規定通りか否かを検査する膜厚検査部１０４とを備えて構成されている。以下、本実施形態では、検査部１１のうち異物検査部１０１を用いる場合を例示して説明する。

外観検査部１２は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や光学顕微鏡等を備えており、上記の各検査部における検査で欠陥と認められた部分について、操作者の視認等により確認するためのものである。

欠陥データ取得部１３は、検査部１１（例えば異物検査部１０１）の検査に基づいて、当該半導体ウェーハにおいて欠陥と認識した数（欠陥数）をカウントする第１の機能と、欠陥と認められた部分における欠陥数をカウントし、各欠陥の位置座標を当該欠陥の位置データとして取得する第２の機能とを備えている。第２の機能としては、具体的には、図示は省略するが、例えば半導体ウェーハの基板面を複数の領域に細分割し、各領域にそれぞれ位置座標を付与する。そして、領域毎の欠陥数をカウントし、当該欠陥を含む所定の領域の位置座標を、当該欠陥の位置データとして処理する。

ここで、例えば欠陥検査装置１がレーザ式検査装置の場合について、異物検査部１０１及び欠陥データ取得部１３の機能について説明する。
異物検査部１０１は、例えば半導体ウェーハの基板面の上側左端から検査を開始し、基板面の全面を螺旋状に走査（レーザ光照射）してゆく。

欠陥データ取得部１３は、当該走査による信号強度を取得し、予め設定されている閾値と比較して、当該信号強度が当該閾値を超過しているか否かを判定する。閾値を超過した場合、欠陥（ここでは異物等）が存在すると判断する。そして、第１の機能として、当該欠陥数をカウントする。第２の機能として、基板面を細分化した領域毎の欠陥数をカウントするとともに、当該欠陥の基板面内における位置座標及びサイズを計算し、当該欠陥の付随情報として取得して記録する。
異物検査部１０１は、レーザ光による半導体ウェーハの基板面全体の走査を完了した段階、例えばレーザ光が下側右端に達した段階で当該検査を終了する。

欠陥装置特定機構２は、検査用基板を用いて欠陥検査装置１により行われた欠陥検査（事前欠陥検査）の結果から、各製造工程で用いる処理装置毎に、製品検査を要するか否かを判断するものである。例えば、一連の製造工程を行う前（例えば１日の処理装置稼動の初期稼動）に、各製造工程で用いる処理装置毎に、検査用基板、例えば基板面に何も形成されていないベア状態の半導体ウェーハを用いて事前欠陥検査を行う。

欠陥装置特定機構２において、２１は、検査用基板に発生した欠陥数が予め定められた第１の規格管理値を越えるか否かを判定する第１の欠陥数判定部である。２２は、検査用基板に発生した欠陥の位置データを取得し、検査用基板の基板面を複数に分割してなる各領域のうち、欠陥数が予め定められた第２の規格管理値を越えた前記領域が存在するか否かを判定する第２の欠陥数判定部である。２３は、当該検査用基板を処理した処理装置について製品検査を要するか否かを判断する製品検査判断部である。

第１の欠陥数判定部２１は、欠陥データ取得部１３の第１の機能によりカウントされた検査用基板の欠陥数について、当該欠陥数が第１の規格管理値を越えるか否かを判定する。ここで、第１の規格管理値としては、例えば１枚の検査用基板毎に判定する場合には所定数として規定される。一方、対応する処理装置が事前欠陥検査に複数枚の検査用基板を要するものである場合であれば、複数枚の検査用基板における各欠陥数の分布から（例えば３σを基準として）第１の規格管理値を規定しても良い。但し、対応する処理装置が例えば後述する処理炉（複数枚の半導体ウェーハからなるロットを単位として、例えば複数ロットが収容される）等である場合、特定のロットのみに欠陥が発生することが考えられることから、ロット毎に１枚の検査用基板を割当てて事前欠陥検査を行い、１枚の検査用基板毎に所定数を第１の規格管理値として判定することが好適である。

第２の欠陥数判定部２２は、欠陥データ取得部１３の第２の機能により、検査用基板の基板面を細分化した各領域における欠陥数について、当該各欠陥数がそれぞれ第２の規格管理値を越えるか否かを判定する。第２の規格管理値は所定数として規定される。ここで、所定の処理装置に対応して、検査用基板の基板面の各領域に一律の第２の規格管理値を規定する場合や、領域毎にそれぞれ第２の規格管理値を規定する場合等が考えられる。

製品検査判断部２３は、検査用基板に発生した欠陥数が第１及び第２の規格管理値の少なくとも一方を越えると判定された場合に、当該検査用基板を処理した処理装置について製品検査を要する旨を判断する。
なお、欠陥装置特定機構２は、構成の簡略化及び処理の迅速化を考慮して、第１の欠陥数判定のみを行う構成、即ち、検査用基板に発生した欠陥数が予め定められた第１の規格管理値を越えた場合に、当該検査用基板を処理した処理装置について製品検査を要する旨を判断するように構成しても良い。

製品検査機構３において、３１は、複数の製品基板、ここでは１ロットを構成する製品基板（例えば４枚）について、当該各製品基板の位置データを重畳する欠陥データ重畳部である。３２は、重畳された位置データにおける所期の共通欠陥分布の有無を判定する欠陥分布判定部である。３３は、欠陥分布判定部４により認められた共通欠陥分布に識別番号を付与する識別番号付与部である。３４は、１ロットを構成する半導体ウェーハ毎に、識別番号に対応する共通欠陥の有無を判定する欠陥判定部である。３５は、識別番号に対応する共通欠陥分布から、当該共通欠陥の発生原因を特定する欠陥原因特定部である。３６は、欠陥原因特定部３５により特定された発生原因に基づいて、当該製造工程の稼動を停止させるか否かを判定する装置稼動判定部である。

欠陥データ重畳部３１は、欠陥データ取得部１３の第２の機能により製品基板毎に取得された位置データについて、１ロットを構成する各製品基板の位置データを重畳させる。この重畳処理により、例えば複数の製品基板に共通の欠陥、即ち同一の領域或いは近接（隣接）する領域に属する欠陥の位置データが存在すれば、重ね合わされた分だけ当該欠陥が顕在化して際立つことになる。

欠陥分布判定部３２は、各種の共通欠陥分布を示す複数のテンプレートを記憶するデータベース１０５を有している。これらのテンプレートは、製造工程に使用される処理装置等に固有の緒欠陥に対応した、典型的な位置・形状、例えば図示のような線痕状、中央部分の小円状、周縁部分の帯状の欠陥とするデータを有するテンプレート１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ等としてそれぞれデータベース１０５に記憶されている。欠陥分布判定部３２は、欠陥データ重畳部３１により重畳された位置データを各テンプレートと比較し、両者が一致するか否かを判断する。そして、所定のテンプレートと一致すると判断された場合には、重畳された位置データのうちに当該テンプレートに対応する共通欠陥が存すると判定されることになる。

ここで、欠陥分布判定部３２は、上記のようなテンプレートを有する代わりに、隣接する共通欠陥間の距離を示す複数の基準情報を有し、重畳された位置データと基準情報とを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該基準情報に対応した共通欠陥分布の有無を判定する構成としても良い。この場合、共通欠陥分布がロット内の例えば奇数番号の製品基板に発生しているような場合に、当該共通欠陥分布の情報とその発生過程により、欠陥原因を絞り込むことができる。

識別番号付与部３３は、欠陥分布判定部３２により共通欠陥であると認められた、当該テンプレートに対応する位置データ（群）毎に、それぞれ識別番号を付与する。

欠陥判定部３４は、識別番号付与部３３より共通欠陥分布に識別番号が付与された後に、重畳された位置データを製品基板毎に再分解する。このとき、当該ロットを構成する各製品基板において、共通欠陥分布に対応する欠陥が認められる製品基板については当該識別番号を付与しておき、共通欠陥分布に対応する欠陥が認められない製品基板については当該識別番号を付与しない。

欠陥原因特定部３５は、識別番号に対応する共通欠陥の発生原因を示す各種の発生原因データを記憶するデータベース１０６を有している。これらの発生原因データは、各製造工程に使用される各処理装置の処理履歴、当該処理装置の構成部材の位置・形状・機能特性等の各種情報、当該処理装置のチャンバー情報、欠陥の異常分布ギャラリー、イメージ画像、例えば特異な位置・大きさ・形状等で発生した欠陥の写真等である。

各種の処理装置では、例えばその機能・形状・使用形態等に起因して、各製品基板の基板面で局在化した欠陥が発生したり、或いは複数の製品基板のうち、所定の製品基板のみに欠陥が発生する場合がある。

例えば図２に示すように、製品基板に例えばトランジスタのゲート電極を形成する際に用いる処理装置である縦型処理炉４１では、複数の製品基板４３からなるロット４２が複数縦列して収容される。ここで、例えば縦型処理炉４１内における供給ガスの流れ、供給状態や排気状態等に起因して、所定のロット４２（図示の例では最上部のロット４２）の各製品基板４３の基板面のみに欠陥が発生する場合がある。このような縦型処理炉の欠陥発生に関する情報も装置情報の１種として、データベース１０６に記憶されている。

欠陥原因特定部３５は、各製品基板の識別番号及び当該識別番号の付与状態（例えば当該ロットを構成する各製品基板のうち、どの製品基板に識別番号が付与されているか等）を、これらの各発生原因データと比較し、両者が一致するか否かを判断する。そして、所定の発生原因データと一致すると判断された場合には、当該ロットを構成する製品基板は、当該発生原因データに対応する発生原因により、当該共通欠陥が生じたと判断されることになる。

装置稼動判定部３６は、例えば共通欠陥の数、共通欠陥による発生原因のプロセスに及ぼすダメージの度合い等の判断基準が予め規定されており、当該各基準に基づいて、当該製造工程の稼動を停止させるか否かを判定する。稼動を停止させると判定された場合には、当該判断に基づいて処理装置等の稼動が一次停止され、処理装置等の該当部分の調査・修理等が施された後、処理装置等が再稼動される。このように、本実施形態の基板検査装置では、共通欠陥の発生原因の情報が当該共通欠陥の発生した製造工程にフィードバックされ、工程異常の原因となる処理装置等の修理改善に供されることになる。この構成により、各製品基板に形成する半導体チップの信頼性の大幅な向上を実現することが可能となる。

（基板検査方法）
以下、上記のように構成された基板検査装置を用いた基板検査方法について説明する。
図３は、本実施形態による基板検査方法のうち、処理装置毎に欠陥検査を行う第１のステップを工程順に示すフローチャートである。図４は、本実施形態による基板検査方法のうち、第２のステップの一例を工程順に示すフローチャートであり、図５は第２のステップによる製品基板の処理状態等の一例を示す模式図である。

−第１のステップ−
本実施形態では先ず、図３に示すように、基板処理プロセスで使用する複数の処理装置のうち、欠陥発生を引き起こす蓋然性の高い処理装置を特定する、第１のステップを実行する。

初めに、例えば酸化・窒化工程、各種の薄膜形成工程（スパッタ法やＣＶＤ法等）、露光工程をリソグラフィー工程、エッチング工程、イオン注入工程等を含むドーピング工程、基板洗浄工程等の製造工程を実行する基板処理プロセスにおける、各製造工程に使用する処理装置（酸化・窒化装置、各種の薄膜形成装置（スパッタ装置やＣＶＤ装置等）、露光装置を含むリソグラフィー装置、エッチング装置、イオン注入装置等を含むドーピング装置、基板洗浄装置等）の各々について、基板面に何も形成されていないベア状態の半導体ウェーハを検査用基板として用いて当該処理装置を稼動させ、事前欠陥検査を行う。

先ず、検査部１１、ここでは例えば異物検査部１０１は、処理装置毎に順次、検査用基板について異物検査を実行する（ステップＳ１１）。

ここで、異物検査を実行した後、外観検査部１２により、ＳＥＭや光学顕微鏡等を用いて、上記の各検査部における検査で欠陥と認められた部分について、操作者の視認により確認するようにしても良い。この作業を行うことにより、異物検査では欠陥と判定されたもののうち、実際に外観検査部１２を用いた視認検査では欠陥ではないと判定された擬似欠陥について、欠陥の位置データから除去することができる。

続いて、欠陥データ取得部１３は、第１の機能により、異物検査部１０１の検査に基づいて、当該半導体ウェーハにおいて欠陥と認識した数（欠陥数）をカウントするとともに、第２の機能により、検査用基板の基板面を複数の領域に細分割し、領域毎の欠陥数をカウントする（ステップＳ１２）。

続いて、検査用基板を用いて欠陥検査装置１により行われた事前欠陥検査の結果から、各製造工程で用いる処理装置毎に、製品検査を要するか否かを判断する。
即ち先ず、処理装置毎に順次、第１の欠陥数判定部２１は、欠陥データ取得部１３でカウントされた欠陥数が予め定められた第１の規格管理値を越えるか否かを判定する（ステップＳ１３）

次に、第２の欠陥数判定部２２は、欠陥データ取得部１３で第２の機能により欠陥数がカウントされた各領域のうち、予め定められた第２の規格管理値を越えた領域が存在するか否かを判定する（ステップＳ１４）。

そして、製品検査判断部２３は、当該検査用基板を処理した処理装置について製品検査を要するか否かを判断する（ステップＳ１５）。
即ち、検査用基板に発生した欠陥数が第１及び第２の規格管理値の少なくとも一方を越えると判定された場合に、当該検査用基板を処理した処理装置について製品検査を要する旨を判断する。

上記のように、ステップＳ１１〜Ｓ１５からなる第１のステップを実行することにより、製品基板に欠陥を及ぼす蓋然性の高い処理装置が特定される。これにより、多数存する製造工程のうち、特定された当該処理装置を用いる製造工程が、製品基板に欠陥が発生する蓋然性の高い製造工程であると見なすことができる。
この結果に基づいて、以下で説明するように、製品基板に欠陥が発生する蓋然性の高い製造工程に対して、より仔細な第２のステップを製品基板を用いて実行する。

−第２のステップ−
ここでは、上記した第１のステップにより欠陥発生の蓋然性が高いと判断された処理装置が例えばドライエッチング装置であり、当該ドライエッチング装置を使用する製造工程として、半導体ウェーハにいわゆるダマシン法により配線を形成する製造プロセスにおいて、層間絶縁膜にビア孔及び配線溝を形成する場合について例示する。

先ず、ダマシン法を実行するに際して、先ず製品基板２０１上（ＭＯＳトランジスタ等の各種の半導体素子を含む素子構造が形成されているものを想定している。）に層間絶縁膜１０２を形成する。この工程を成膜工程ａとする。

続いて、層間絶縁膜２０２をリソグラフィー及びドライエッチングによりパターニングして、ビア孔２０３を形成する。この工程をエッチング工程ｂとする。このときの様子を図５（ａ）に概略的に示す。

続いて、ビア孔２０３と一体となる配線溝２０４を、層間絶縁膜２０２をリソグラフィー及びドライエッチングによりパターニングして形成する。この工程をエッチング工程ｃとする。このときの様子を図５（ｂ）に概略的に示す。

そして、図４に示すように、第２のステップを実行する。
即ち、図４及び図５（ｃ）に示すように、図５（ｂ）の状態において、第２のステップを構成するステップＳ２１〜Ｓ２７を実行する。

先ず、検査部１１、ここでは例えば異物検査部１０１は、１ロットを構成する各製品基板（図示の例ではＷＦ１〜ＷＦ４の４枚）について異物検査を実行する（ステップＳ２１）。

ここで、異物検査を実行した後、外観検査部１２により、ＳＥＭや光学顕微鏡等を用いて、上記の各検査部における検査で欠陥と認められた部分について、操作者の視認により確認するようにしても良い。この作業を行うことにより、異物検査では欠陥と判定されたもののうち、実際に外観検査部１２を用いた視認検査では欠陥ではないと判定された擬似欠陥について、欠陥の位置データから除去することができる。

続いて、欠陥データ取得部１３は、異物検査部１０１の検査により欠陥と認められた部分の位置座標を当該欠陥の位置データとして取得する（ステップＳ２２）。
ここで例えば、図５（ｃ）に示すように、ＷＦ３，ＷＦ４については、両者に共通する欠陥分布が基板中央部分に確認できるが、ＷＦ１，ＷＦ２については確認できない。

続いて、欠陥データ重畳部３１は、欠陥データ取得部１３により製品基板毎に取得された位置データについて、１ロットを構成する各製品基板の位置データを重畳させる（ステップＳ２３）。

続いて、欠陥分布判定部３２は、欠陥データ重畳部３１により重畳された位置データを、データベース１０５の各テンプレートと比較し、両者が一致するか否かを判断する（ステップＳ２４）。
ここで、欠陥分布判定部３２により共通欠陥分布があると判定された場合にはステップＳ２５へ進み、共通欠陥分布がないと判定された場合にはこの基板検査工程を終了する。図５（ｃ）には、例えば中央部分に小円状の欠陥を示すデータを有するテンプレート１０５ｂに対応する共通欠陥分布が存する場合を例示する。

ステップＳ２５では、識別番号付与部３３は、欠陥分布判定部３２により共通欠陥であると認められた、当該テンプレートに対応する位置データ（群）毎に、それぞれ識別番号を付与する。図５（ｃ）には、テンプレート１０５ａに対応した製品基板の中央部分における共通欠陥分布に対して、識別番号Ａを付与する場合を例示する。

続いて、欠陥判定部３４は、識別番号付与部３３より共通欠陥分布に識別番号が付与された後に、重畳された位置データを各製品基板毎に再分解する（ステップＳ２６）。
このとき、当該ロットを構成する各製品基板において、共通欠陥分布に対応する欠陥が認められる製品基板については当該識別番号を付与しておき、共通欠陥分布に対応する欠陥が認められない製品基板については当該識別番号を付与しない。図５（ｃ）には、当該ロットを構成する全ての製品基板ＷＦ１〜ＷＦ４に共通して識別番号が付与された場合を例示する。

ここで、当該ロットを構成する各製品基板において、共通欠陥分布に対応する欠陥が認められないものがある場合として、例えば各製品基板に交互に共通欠陥分布が発生する場合が挙げられる。図５（ｃ）に対応させて説明すれば、例えばＷＦ１，ＷＦ３には共通欠陥分布に対応する欠陥が認められるが、ＷＦ２，ＷＦ４には共通欠陥分布に対応する欠陥が認められない状況等である。

続いて、欠陥原因特定部３６は、各製品基板の識別番号及び当該識別番号の付与状態（例えば当該ロットを構成する各製品基板のうち、どの製品基板に識別番号が付与されているか等）を、データベース１４の各発生原因データと比較し、両者が一致するか否かを判断する（ステップＳ２７）。
そして、所定の発生原因データと一致すると判断された場合には、当該ロットを構成する製品基板は、当該発生原因データに対応する発生原因により、当該共通欠陥が生じたと判断されることになる。

図５（ｃ）のように、ドライエッチング装置が１つのチャンバーを有し、全ての製品基板を同一のチャンバーで処理する形態を採る場合には、全ての製品基板ＷＦ１〜ＷＦ４に同一の共通欠陥分布が認められる場合がある。これに対して、ドライエッチング装置が例えば２つ一組のチャンバーを有し、各製品基板を交互に処理する形態を採る場合には、上記のようにＷＦ１，ＷＦ３には共通欠陥分布に対応する欠陥が認められるが、ＷＦ２，ＷＦ４には共通欠陥分布に対応する欠陥が認められない状況等が現出することがある。

そして、図示は省略するが、装置稼動判定部３６は、欠陥原因特定部３５により特定された発生原因に基づいて、当該製造工程の稼動を停止させるか否かを判定する。稼動を停止させると判定された場合には、層間絶縁膜にビア孔及び配線溝を形成するドライエッチング装置を一次停止させ、ドライエッチング装置等の該当部分の調査・修理等を施した後、エッチング装置を再稼動に供する状態として、当該基板検査工程を終了する。一方、当該製造工程の稼動を停止させないと判定された場合には、当該基板検査工程を終了する。

続いて、ビア孔２０３及び配線溝２０４を埋め込むように、例えばメッキ法により配線材料２０５、ここではＣｕ又はＣｕ合金を堆積する。この工程をＣｕメッキ工程ｄとする。このときの様子を図５（ｄ）に概略的に示す。

しかる後、層間絶縁膜２０２を研磨ストッパーとして、配線材料２０５の表層を研磨、ここでは化学機械研磨（ＣＭＰ）して平坦化する。この工程をＣＭＰ工程ｅとする。このＣＭＰにより、ビア孔２０３及び配線溝２０４を配線材料２０５で充填してなる配線構造２０６が完成する。このときの様子を図５（ｅ）に概略的に示す。

なお、本実施形態では、半導体ウェーハの欠陥検査として異物検査を行う場合について例示したが、他の欠陥検査、即ち電気的検査部１０２による電気的検査、合ね検査部１０３による合ね検査、膜厚検査部１０４による膜厚検査等についても、上記と同様にステップＳ２１〜Ｓ２７が実行される。

また、本実施形態では、層間絶縁膜に配線溝及びビア孔を形成したときの半導体ウェーハの状態、上記の例では図５（ｂ）の状態で基板検査を実行する場合を例示したが、第１のステップにより、例えば処理装置としてドラエッチング装置ではなくＣＭＰの研磨装置が欠陥発生の蓋然性の高いものであると判断された場合には当該基板検査に代わって、或いはドラエッチング装置に加えて処理装置としてドラエッチング装置ではなくＣＭＰの研磨装置が欠陥発生の蓋然性の高いものであると判断された場合には当該基板検査に加えて、図５（ｅ）の状態で各半導体ウェーハの基板面を検査するようにしても良い。

また、第１のステップにより、処理装置として、例えば図２で示したような縦型処理炉が欠陥発生の蓋然性の高いものであると判断された場合には、当該ロットを構成する各製品基板の欠陥の発生状況は例えば以下のようになる。
各ロットが例えば２５枚の製品基板からなり、縦型処理炉に例えば５ロットが収容される場合について例示する。ここで、例えば５ロットのうち最上位のロットのみに欠陥が発生した場合、第２のステップにより、最上位のロットを構成する各製品基板に欠陥発生が確認され、他のロットを構成する各製品基板には欠陥は確認されない。このような欠陥発生態様であれば、データベース１０６の装置情報との照合により、縦型処理炉の使用によって実際に最上位のロットのみに欠陥が発生することを確実に認識できる。

以上説明したように、本実施形態によれば、複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、各製造工程に用いる各種の処理装置等に発生した固有の欠陥等に起因して、製品基板に生じる欠陥を製造時間及び製造コストを最小限に抑えて容易且つ確実に認識し、上記の固有の欠陥等の工程異常を正確に特定することを可能とし、製品基板に形成する素子構造に対する信頼性の大幅な向上を実現することができる。

（本発明を適用した他の実施形態）
上述した本実施形態による基板検査装置を構成する各構成要素（検査部１１、外観検査部１２、及びデータベース１０５，１０６を除く）等の機能は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭなどに記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。同様に、基板検査方法の各ステップ（図３のステップＳ１１〜Ｓ１６、図４のステップＳ２１〜Ｓ２７等）は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭなどに記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明に含まれる。

具体的に、前記プログラムは、例えばＣＤ−ＲＯＭのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、前記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワークシステムにおける通信媒体を用いることができる。ここで、コンピュータネットワークとは、ＬＡＮ、インターネットの等のＷＡＮ、無線通信ネットワーク等であり、通信媒体とは、光ファイバ等の有線回線や無線回線等である。

また、本発明に含まれるプログラムとしては、供給されたプログラムをコンピュータが実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるようなもののみではない。例えば、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）或いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。

例えば、図６は、パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。この図６において、１２００はＣＰＵ１２０１を備えたパーソナルコンピュータ（ＰＣ）である。ＰＣ１２００は、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶された、又はフレキシブルディスクドライブ（ＦＤ）１２１２より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行する。このＰＣ１２００は、システムバス１２０４に接続される各デバイスを総括的に制御する。

ＰＣ１２００のＣＰＵ１２０１、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶されたプログラムにより、本実施形態の図２におけるステップＳ１１〜Ｓ１７の手順等が実現される。

１２０３はＲＡＭであり、ＣＰＵ１２０１の主メモリ、ワークエリア等として機能する。１２０５はキーボードコントローラ（ＫＢＣ）であり、キーボード（ＫＢ）１２０９や不図示のデバイス等からの指示入力を制御する。

１２０６はＣＲＴコントローラ（ＣＲＴＣ）であり、ＣＲＴディスプレイ（ＣＲＴ）１２１０の表示を制御する。１２０７はディスクコントローラ（ＤＫＣ）である。ＤＫＣ１２０７は、ブートプログラム、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶するハードディスク（ＨＤ）１２１１、及びフレキシブルディスク（ＦＤ）１２１２とのアクセスを制御する。ここで、ブートプログラムとは、起動プログラム：パソコンのハードやソフトの実行（動作）を開始するプログラムである。

１２０８はネットワーク・インターフェースカード（ＮＩＣ）で、ＬＡＮ１２２０を介して、ネットワークプリンタ、他のネットワーク機器、あるいは他のＰＣと双方向のデータのやり取りを行う。

以下、本発明の諸態様について、付記としてまとめて記載する。

（付記１）複数の処理装置を用いた複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、前記基板面上に発生した欠陥を特定する基板検査装置であって、
前記欠陥を検査する欠陥検査装置と、
前記各処理装置について、前記欠陥検査装置により行われた欠陥検査の結果から、前記処理装置毎に製品検査を要するか否かを判断する欠陥装置特定機構と、
前記陥装置特定機構により前記製品検査を要すると判断された前記処理装置を用いる前記製造工程について、当該製品検査を行う製品検査機構と
を含むことを特徴とする基板検査装置。

（付記２）欠陥装置特定機構は、検査用基板に発生した前記欠陥数が予め定められた規格管理値を越えた場合に、当該検査用基板を処理した前記処理装置について前記製品検査を要する旨を判断することを特徴とする付記１に記載の基板検査装置。

（付記３）欠陥装置特定機構は、
検査用基板に発生した前記欠陥数が予め定められた第１の規格管理値を越えるか否かを判定する第１の欠陥数判定部と、
前記検査用基板に発生した前記欠陥の位置データを取得し、前記検査用基板の基板面を複数に分割してなる各領域のうち、前記欠陥数が予め定められた第２の規格管理値を越えた前記領域が存在するか否かを判定する第２の欠陥数判定部と、
第１及び第２の規格管理値の少なくとも一方を越えると判定された場合に、当該検査用基板を処理した前記処理装置について前記製品検査を要する旨を判断する製品検査判断部と
を含むことを特徴とする付記１に記載の基板検査装置。

（付記４）前記製品検査機構は、
複数の前記製品基板のうち所期枚数の前記製品基板について、当該各製品基板の基板面における前記欠陥の位置データを重畳する欠陥データ重畳部と、
重畳された前記位置データにおける所期の欠陥分布の有無を判定する欠陥分布判定部と、
前記欠陥分布判定部により認められた前記欠陥分布に識別番号を付与する欠陥分布判定部と、
前記所期枚数の前記製品基板毎に、前記識別番号に対応する前記欠陥の有無を判定する欠陥判定部と
を含むことを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の基板検査装置。

（付記５）前記欠陥分布判定部は、各種の前記欠陥分布を示す複数のテンプレートを有しており、重畳された前記位置データと前記テンプレートとを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該テンプレートに対応した前記欠陥分布の有無を判定することを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の基板検査装置。

（付記６）前記欠陥分布判定部は、隣接する前記欠陥間の距離を示す複数の基準情報を有しており、重畳された前記位置データと前記基準情報とを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該基準情報に対応した前記欠陥分布の有無を判定することを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の基板検査装置。

（付記７）前記識別番号に対応する前記欠陥分布から、前記欠陥の発生原因を特定する欠陥原因特定部を更に含むことを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の基板検査装置。

（付記８）前記欠陥原因特定部は、前記識別番号に対応する前記欠陥の発生原因を示す各種の発生原因データを有しており、前記各製品基板の識別番号の付与された前記欠陥分布と前記発生原因データとを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該欠陥の発生原因を特定することを特徴とする付記７に記載の基板検査装置。

（付記９）前記製品検査機構は、前記欠陥原因特定部により特定された前記発生原因に基づいて、当該製造工程の稼動を停止させるか否かを判定する装置稼動判定部を更に含むことを特徴とする付記１〜８のいずれか１項に記載の基板検査装置。

（付記１０）複数の処理装置を用いた複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、前記基板面上に発生した欠陥を特定する基板検査方法であって、
前記各処理装置のうち、製品検査を要する前記処理装置を特定する第１のステップと、
前記第１のステップにより前記製品検査を要すると判断された前記処理装置を用いる前記製造工程について、当該製品検査を行う第２のステップと
を含むことを特徴とする基板検査方法。

（付記１１）前記第１のステップは、
前記処理装置毎に検査用基板を用い、前記各検査用基板の基板面上の前記欠陥を検査するステップと、
前記各欠陥検査の結果に基づいて、前記処理装置毎に前記製品検査を要するか否かを判断するステップと
を含むことを特徴とする付記１０に記載の基板検査方法。

（付記１２）前記製品検査を要するか否かを判断するステップは、前記検査用基板に発生した前記欠陥数が予め定められた規格管理値を越えた場合に、当該検査用基板を処理した前記処理装置について前記製品検査を要する旨を判断することを特徴とする付記１１に記載の基板検査方法。

（付記１３）前記製品検査を要するか否かを判断するステップは、
前記検査用基板に発生した前記欠陥数が予め定められた第１の規格管理値を越えるか否かを判定するステップと、
前記検査用基板に発生した前記欠陥の位置データを取得し、前記検査用基板の基板面を複数に分割してなる各領域のうち、前記欠陥数が予め定められた第２の規格管理値を越えた前記領域が存在するか否かを判定するステップと、
第１及び第２の規格管理値の少なくとも一方を越えると判定された場合に、当該検査用基板を処理した前記処理装置について前記製品検査を要する旨を判断するステップと
を含むことを特徴とする付記１１に記載の基板検査方法。

（付記１４）前記第２のステップは、
前記各製品基板の基板面上の前記欠陥を検査するステップと、
前記製品基板毎に、前記欠陥検査により特定された前記欠陥の当該基板面における位置データを取得するステップと、
複数の前記製品基板のうち所期枚数の前記製品基板について、当該各製品基板の前記位置データを重畳するステップと、
重畳された前記位置データにおける所期の欠陥分布の有無を判定するステップと、
認められた前記欠陥分布に識別番号を付与するステップと、
前記所期枚数の前記製品基板毎に、前記識別番号に対応する前記欠陥の有無を判定するステップと
を含むことを特徴とする付記１０〜１３のいずれか１項に記載の基板検査方法。

（付記１５）前記第２のステップの前記欠陥分布を判定するステップにおいて、各種の前記欠陥分布を示す複数のテンプレートを用い、重畳された前記位置データと前記テンプレートとを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該テンプレートに対応した前記欠陥分布の有無を判定することを特徴とする付記１４に記載の基板検査方法。

（付記１６）前記第２のステップの前記欠陥分布を判定するステップにおいて、隣接する前記欠陥間の距離を示す複数の基準情報を有しており、重畳された前記位置データと前記基準情報とを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該基準情報に対応した前記欠陥分布の有無を判定することを特徴とする付記１４に記載の基板検査方法。

（付記１７）前記第２のステップは、前記位置データを取得するステップの後、前記位置データを重畳するステップの前に、前記製品基板の前記位置データのうち、擬似データに相当するものを除去するステップを更に含むことを特徴とする付記１４〜１６のいずれか１項に記載の基板検査方法。

（付記１８）前記第２のステップは、前記識別番号に対応する前記欠陥分布から、前記欠陥の発生原因を特定するステップを更に含むことを特徴とする付記１４〜１７のいずれか１項に記載の基板検査方法。

（付記１９）前記第２のステップの前記欠陥の発生原因を特定するステップにおいて、前記識別番号に対応する前記欠陥の発生原因を示す各種の発生原因データを有しており、前記各製品基板の識別番号の付与された前記欠陥分布と前記発生原因データとを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該欠陥の発生原因を特定することを特徴とする付記１８に記載の基板検査方法。

（付記２０）複数の処理装置を用いた複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、前記基板面上に発生した欠陥を特定するに際して、
前記各処理装置のうち、製品検査を要する前記処理装置を特定する第１のステップと、
前記第１のステップにより前記製品検査を要すると判断された前記処理装置を用いる前記製造工程について、当該製品検査を行う第２のステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。

本実施形態による基板検査装置の概略構成を示す模式図である。 処理装置の１つである縦型処理炉の概略構成を示す模式図である。 本実施形態による基板検査方法のうち、処理装置毎に欠陥検査を行う第１のステップを工程順に示すフローチャートである。 本実施形態による基板検査方法のうち、第２のステップの一例を工程順に示すフローチャートである。 本実施形態による基板検査方法のうち、第２のステップによる製品基板の処理状態等の一例を示す模式図である。 パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。

符号の説明

１ 欠陥検査装置
２ 欠陥装置特定機構
３ 製品検査機構
１１ 検査部
１２ 外観検査部
１３ 欠陥データ取得部
２１ 第１の欠陥数判定部
２２ 第２の欠陥数判定部
２３ 製品検査判断部
３１ 欠陥データ重畳部
３２ 欠陥分布判定部
３３ 識別番号付与部
３４ 欠陥判定部
３５ 欠陥原因特定部
３６ 装置稼動判定部
１０５，１０６ データベース
１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ テンプレート
１０１ 異物検査部
１０２ 電気的検査部
１０３ 合せ検査部
１０４ 膜厚検査部

Claims (6)

1. 複数の処理装置を用いた複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、前記基板面上に発生した欠陥の原因となる前記各処理装置の工程異常を特定する基板検査装置であって、
   前記製品基板の基板面上に発生した欠陥及び検査用基板の基板面上に発生した欠陥を検査する欠陥検査装置と、
   前記各処理装置で処理された前記検査用基板のそれぞれについて、前記欠陥検査装置により行われた欠陥検査の結果から、前記処理装置毎に製品検査を要するか否かを判断する欠陥装置特定機構と、
   前記欠陥装置特定機構により前記製品検査を要すると判断された前記処理装置を用いる前記製造工程について、当該製品検査を行う製品検査機構と
   を含むことを特徴とする基板検査装置。
2. 前記欠陥装置特定機構は、
   検査用基板に発生した前記欠陥の数が予め定められた第１の規格管理値を越えるか否かを判定する第１の欠陥数判定部と、
   前記検査用基板に発生した前記欠陥の位置データを取得し、前記検査用基板の基板面を複数に分割してなる各領域のうち、前記欠陥の数が予め定められた第２の規格管理値を越えた前記領域が存在するか否かを判定する第２の欠陥数判定部と、
   第１及び第２の規格管理値の少なくとも一方を越えると判定された場合に、当該検査用基板を処理した前記処理装置について前記製品検査を要する旨を判断する製品検査判断部と
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
3. 前記製品検査機構は、
   複数の前記製品基板のうち所期枚数の前記製品基板について、当該各製品基板の基板面における前記欠陥の位置データを重畳する欠陥データ重畳部と、
   重畳された前記位置データにおける所期の欠陥分布の有無を判定する欠陥分布判定部と、
   前記欠陥分布判定部により認められた前記欠陥分布に識別番号を付与する識別番号付与部と、
   前記所期枚数の前記製品基板毎に、前記識別番号に対応する前記欠陥の有無を判定する欠陥判定部と
   を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板検査装置。
4. 前記欠陥分布判定部は、各種の前記欠陥分布を示す複数のテンプレートを有しており、重畳された前記位置データと前記テンプレートとを照合させて、両者が一致するか否かを判断することにより、当該テンプレートに対応した前記欠陥分布の有無を判定することを特徴とする請求項３に記載の基板検査装置。
5. 複数の処理装置を用いた複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、前記基板面上に発生した欠陥の原因となる前記各処理装置の工程異常を特定する基板検査方法であって、
   前記各処理装置で処理された検査用基板のそれぞれについて、基板面上の欠陥を検査した結果に基づいて、製品検査を要する前記処理装置を特定する第１のステップと、
   前記第１のステップにより前記製品検査を要すると判断された前記処理装置を用いる前記製造工程について、当該製品検査を行う第２のステップと
   を含むことを特徴とする基板検査方法。
6. 複数の処理装置を用いた複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、前記基板面上に発生した欠陥の原因となる前記各処理装置の工程異常を特定するに際して、
   前記各処理装置で処理された検査用基板のそれぞれについて、基板面上の欠陥を検査した結果に基づいて、製品検査を要する前記処理装置を特定する第１のステップと、
   前記第１のステップにより前記製品検査を要すると判断された前記処理装置を用いる前記製造工程について、当該製品検査を行う第２のステップと
   をコンピュータに実行させるためのプログラム。

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