JPH10173021A - 製造ライン解析方法及び製造ライン解析装置 - Google Patents

製造ライン解析方法及び製造ライン解析装置

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JPH10173021A
JPH10173021A JP8332063A JP33206396A JPH10173021A JP H10173021 A JPH10173021 A JP H10173021A JP 8332063 A JP8332063 A JP 8332063A JP 33206396 A JP33206396 A JP 33206396A JP H10173021 A JPH10173021 A JP H10173021A
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JP8332063A
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Koji Ozaki
浩司 小崎
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0259Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the response to fault detection
    • G05B23/0264Control of logging system, e.g. decision on which data to store; time-stamping measurements

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 規格外の原因に対する迅速な対処が可能な製
造ライン解析方法及び製造ライン解析装置を得る。 【解決手段】 装置A1〜A8から得られる測定結果の
データをそれぞれデータベースC1〜C8に格納する。
データベース監視コンピュータE1は、データベースC
1〜C8に新しいデータが格納される度に、データベー
スC1〜C8に格納されているデータのうち、関連した
データを検索して不良解析データベースD3に格納す
る。データ解析装置D0は不良解析データベースD3に
格納されているデータを表示してオペレータに知らせ
る。これにより、オペレータは、製品ウエハが製造ライ
ン中を流れていても、規格外が生じていること及びその
原因を判断でき、規格外の原因に対する対処を迅速に行
うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
ラインを解析するための製造ライン解析方法及び製造ラ
イン解析装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図18は従来の製造ライン解析装置を示
すブロック図である。データ解析装置D90及びデータ
管理装置C91〜C98は製造ライン解析装置を構成す
る。半導体装置の製造工程は、主に、ウエハプロセスと
その製造された物を検査する検査工程とがある。製造装
置A1〜A4による処理はウエハプロセスである。電気
的特性測定装置A5及び製品測定装置A6〜A8による
処理は検査工程である。装置A1〜A8は半導体装置の
製造ライン10に含まれる。なお、製造工程には、これ
らの他に組み立て工程等もあるが、同図において省略し
ている。
【0003】検査装置B1〜B4にはそれぞれ異物検査
装置及び欠陥検査装置(図示せず)が含まれる。データ
管理装置C91〜C94にはそれぞれ異物検査データベ
ース及び欠陥検査データベース(図示せず)が含まれ
る。
【0004】製品用のウエハ(製品ウエハ)は装置A1
〜A8において順に処理される。製造装置A1〜A4
は、製品ウエハを処理する前に、定期的に自身を検査さ
れる。その検査について、まず、製造装置A1はモニタ
ウエハ(ベアウエハ)を処理する。次に、検査装置B1
に含まれる異物検査装置は処理されたモニタウエハ上の
異物を検査し、検査した結果をデータとしてデータ管理
装置C91に含まれる異物検査データベースに格納す
る。同様にして、検査装置B2〜B4それぞれに含まれ
る異物検査装置は製造装置A2〜A4について検査した
結果をデータ管理装置C92〜C94それぞれに含まれ
る異物検査データベースに格納する。
【0005】検査装置B1〜B4それぞれに含まれる欠
陥検査装置は、製造装置A1〜A4それぞれで処理され
た製品ウエハ上の欠陥を検査し、検査した結果をデータ
としてデータ管理装置C91〜C94それぞれに含まれ
る欠陥検査データベースに格納する。
【0006】電気的特性測定装置A5と製品測定装置A
6との間に組み立て工程が介在し、製品ウエハは組み立
て工程を経て製品となる。
【0007】電気的特性測定装置A5は製品ウエハを、
製品測定装置A6〜A8それぞれは製品を測定し、測定
結果をデータとしてデータ管理装置C95〜C98それ
ぞれに含まれるデータベース(図示せず)に格納する。
【0008】データベースD93はデータ管理装置C9
1〜C98に格納されているデータをそのまま格納す
る。出力部D92はデータベースD90の内容を表示す
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】配線工程がウエハプロ
セスの最終で行われるということもあり、ウエハプロセ
ス中に製品ウエハの詳細な評価を行うことは難しいた
め、製品ウエハの詳細な評価は、製品ウエハがウエハプ
ロセスを通った後に行われる。
【0010】図19は、従来の製品ウエハの詳細な評価
の手順を示すフローチャートである。まず、製造装置A
1〜A4は製品ウエハを処理する(ステップ901)。
次に、電気的特性測定装置A5は電気的特性の測定を行
い(ステップ902)、オペレータは出力部D92が出
力する測定結果の内容から製品ウエハの異常(規格外
等)を判断し(ステップ903)、異常がなければ、製
品ウエハは組み立て工程を経て製品となる。そして、製
品測定装置A6〜A8は複数種類の製品の測定を行う
(ステップ904,906,908)。そして、オペレ
ータは出力部D92が出力する測定結果の内容から製品
の異常を判断し(ステップ905,907,909)、
異常がなければ終了し、異常があればオペレータは異常
の原因を分析する(ステップ910)。そしてオペレー
タは、異常のある製品の電気的測定を行い(ステップ9
11)、さらに原因を分析して(ステップ912)、装
置,製品,製品ウエハの改善を行う(ステップ91
3)。また、ステップ903において、異常があれば、
ステップ912,913へと進む。
【0011】このように、製品ウエハがウエハプロセス
を通った後に製品ウエハの詳細な評価を行うため、規格
外等の原因を検出するまでに時間がかかり、迅速な対処
が困難であるという問題点がある。
【0012】また、上述のウエハプロセス中の異物や欠
陥の検査に規格外が生じた場合も、その原因を検出する
のに時間がかかり、迅速な対処が困難であるという問題
点がある。
【0013】本発明は、これらの問題点を解決するため
になされたものであり、規格外等が生じても迅速に対処
できる製造ライン解析方法及び製造ライン解析装置を得
ることを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
課題解決手段は、製造ラインに含まれる処理装置により
処理対象物の処理が行われた際にその処理の結果のデー
タとその処理の条件のデータとを含む条件結果データを
データベースに格納する第1のステップと、前記第1の
ステップが繰り返し行われることにより前記データベー
スに前記条件結果データが蓄積され、前記製造ラインに
含まれる処理装置により処理対象物の処理が行われた際
に、その処理と同じ条件を有する条件結果データを前記
データベースに格納されている条件結果データから検索
する第2のステップと、前記第2のステップで検索され
た条件結果データに基づいて前記製造ラインに含まれる
処理装置又は処理対象物を解析する第3のステップとを
備える。
【0015】本発明の請求項2に係る課題解決手段にお
いて、前記第1のステップにおける処理の結果のデータ
には、ウエハプロセスにおける処理対象物上に存在する
異物あるいは欠陥の分布を数値化したデータが含まれ
る。
【0016】本発明の請求項3に係る課題解決手段にお
いて、前記第3のステップは、前記第2のステップにお
ける前記処理装置の処理の結果が前記欠陥が規格外であ
ることを示す場合において、前記第3のステップで検索
された条件結果データから、処理日時に対する欠陥の個
数の傾向により、規格外の原因を解析するステップを含
む。
【0017】本発明の請求項4に係る課題解決手段は、
前記製造ラインに含まれる処理装置により処理対象物の
処理が行われた際に、前記処理対象物の画像のデータと
その処理の条件のデータとを含む条件結果データをデー
タベースに格納するステップをさらに備える。
【0018】本発明の請求項5に係る課題解決手段は、
前記第2のステップにおいて検索した条件結果データを
LANを介して送信するステップをさらに備える。
【0019】本発明の請求項6に係る課題解決手段は、
製造ラインに含まれる処理装置により処理対象物の処理
が行われた際にその処理の結果のデータとその処理の条
件のデータとを含む条件結果データを格納するためのデ
ータベースと、前記製造ラインに含まれる処理装置によ
り処理対象物の処理が行われた際に、その処理と同じ条
件を有する条件結果データを前記データベースに格納さ
れている条件結果データから検索する検索部と、前記検
索手段により検索された条件結果データに基づいて前記
製造ラインに含まれる処理装置又は処理対象物を解析す
る解析部とを備える。
【0020】本発明の請求項7に係る課題解決手段にお
いて、前記処理の結果のデータには、ウエハプロセスに
おける処理対象物上に存在する異物あるいは欠陥の分布
を数値化したデータが含まれる。
【0021】本発明の請求項8に係る課題解決手段にお
いて、前記解析部は、前記処理装置の処理の結果が前記
欠陥が規格外であることを示す場合において、前記検索
部で検索された条件結果データから、処理日時に対する
欠陥の個数の傾向により、規格外の原因を解析する。
【0022】本発明の請求項9に係る課題解決手段は、
前記検索部が検索した条件結果データをLANを介して
送信するための送信部をさらに備える。
【0023】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施の形態にお
ける製造ライン解析装置の一例を示すブロック図であ
る。図1において、A1〜A4は製造装置、A5は電気
的特性測定装置、A6〜A8は製品測定装置、B1〜B
4は検査装置、E1はデータベース監視コンピュータ
(検索部)、D0はデータ解析装置(解析部)、G1は
遠隔地にある工場である。データベース監視コンピュー
タE1において、F1は端末(送信部)である。データ
解析装置D0において、D1は不良解析データベースD
3のデータを編集するデータ解析部、D2は分析結果を
表示するデータ出力部である。データ解析装置D0及び
データベース監視コンピュータE1は製造ライン解析装
置を構成する。装置A1〜A8はそれぞれ処理対象物を
処理する処理装置である。
【0024】装置A1〜A8は半導体装置の製造ライン
10に含まれる。製造装置A1〜A4は、例えば、CV
D装置,イオン注入装置、エッチング装置、洗浄装置等
である。電気的特性測定装置A5は、プローバである。
製品測定装置A6〜A8は、テスターである。
【0025】図2は製造装置A3に接続されている検査
装置B3及びデータベースC3の内部を示すブロック図
である。検査装置B3には異物検査装置B31,欠陥検
査装置B32,寸法検査装置B33,画像製造装置B3
4等が含まれる。データベースC3には装置B31〜B
34等がそれぞれ検出したデータを格納するための異物
検査データベースC31,欠陥検査データベースC3
2,寸法誤差データベースC33、画像データベースC
34等が含まれる。製造装置A1,A2,A4及びデー
タベースC1,C2,C4についても同様である。
【0026】図3は図1に示す半導体装置の製造ライン
10の主な処理を示すフローチャートである。まず、製
造装置A1は、製品ウエハが処理される前に、自身を検
査される(ステップ100)。次に、製造装置A1は製
品ウエハを処理する。そして、製造装置A1によって処
理された製品ウエハが検査される(ステップ200)。
【0027】この後、ステップ100及び200の処理
が、製造装置の数だけ、繰り返される。なお、ステップ
100は定期的に行ってもよい。次に、製造装置A1〜
A4によって処理された製品ウエハは電気的特性を測定
されて検査される(ステップ300)。次に、製品ウエ
ハは組み立て工程を経て製品となる。そして、製品は電
気的特性等を測定されて検査される(ステップ40
0)。なお、製品ウエハ、製品およびモニタウエハのよ
うに製造ライン10によって処理されるものを処理対象
物と称す。この後、製品測定装置A7及びA8も同様に
ステップ400の処理を行う。以下、ステップ100,
200,300,400について詳細に説明する。
【0028】図4は図3に示すステップ100の処理を
詳細に説明するフローチャートである。以下に説明する
ステップ100の処理は、製造装置A1〜A4それぞれ
に対して当てはまる。まず、製造装置はモニタウエハを
処理する(ステップ101)。次に、異物検査装置がこ
の処理されたモニタウエハ上に付着している異物の分布
の状況をデータとして検出する(ステップ102)。異
物の分布の状況をデータとして検出するとは、図15に
示すようにウエハ10aをエリアA〜Dに分割し各エリ
ア内における異物の個数を検出する。詳細には、図16
のヒストグラムに示すように、ある範囲内の大きさ毎の
異物の個数が検出される。次に、データベース監視コン
ピュータE1は検出されたデータを異物検査データベー
スに格納する。さらに同コンピュータE1は後述するよ
うに不良解析データベースD3にデータを格納する(ス
テップ103)。次に、データ解析部D1は不良解析デ
ータベースD3とステップ102において検出されたデ
ータとを照合する(ステップ104)。そして、出力部
D2は照合した結果を表示する(ステップ105)。デ
ータ解析部D1はステップ102において検出されたデ
ータが規格外であるか否かを判断する(ステップ10
6)。オペレータは、データが規格外であれば、装置を
点検して改善し(ステップ107)、そうでなければ、
ステップ200へ移る。
【0029】図5は図3に示すステップ200の処理を
詳細に説明するフローチャートである。以下に説明する
ステップ200の処理は、製造装置A1〜A4それぞれ
に対して当てはまる。まず、製造装置は製品ウエハを処
理する(ステップ201)。次に、欠陥検査装置がこの
処理された製品ウエハ上の欠陥の分布の状況をデータと
して検出する(ステップ202)。欠陥の分布の状況を
データとして検出するとは、ステップ102と同様に、
ウエハをエリアA〜Dに分割し図16のように各エリア
内において欠陥の大きさに対する欠陥の個数を検出す
る。次に、データベース監視コンピュータE1は検出さ
れたデータを欠陥検査データベースに格納する。さらに
同コンピュータE1は後述するように不良解析データベ
ースD3にデータを格納する(ステップ203)。次
に、データ解析部D1は不良解析データベースD3とス
テップ202において検出されたデータとを照合する
(ステップ204)。そして、出力部D2は照合した結
果を表示する(ステップ205)。データ解析部D1は
ステップ202において検出されたデータが規格外であ
るか否かを判断する(ステップ206)。オペレータ
は、データが規格外であれば、装置若しくは製品ウエハ
又は双方を点検して改善する(ステップ207)。ま
た、ステップ207において改善した内容を欠陥検査デ
ータベースの後述する”イベント”の項目に格納する。
ステップ206において、規格外でなければ、製造装置
によるステップ100の処理に移る。
【0030】また、ステップ202と同時に、寸法検査
装置が製品ウエハ上のパターンの寸法の誤差、パターン
の膜厚の誤差、マスクの重ね合わせの誤差等を検出し、
その検出されたデータが寸法誤差データベースに格納さ
れる。同時に、画像検出装置が製品ウエハの画像のデー
タを検出して、その検出されたデータが画像データベー
スに格納される。データベース監視コンピュータE1は
画像のデータを編集する機能、例えばフィルタ機能(露
光、フォーカス等)、トリミング機能(任意の画像内の
エリアの切り取り)、合成機能(トリミング機能で処理
した画像の合成や配置)等を有する。これらの機能を用
いて画像を編集するか否かはオペレータが行う。
【0031】図6は図3に示すステップ300の処理を
詳細に説明するフローチャートである。まず、電気的特
性測定装置A5は製品ウエハの電気的特性を測定する
(ステップ301)。次に、データベース監視コンピュ
ータE1は測定された電気的測定のデータを電気的特性
データベースC5に格納する。さらに同コンピュータE
1は後述するように不良解析データベースD3にデータ
を格納する(ステップ302)。次に、データ解析部D
1は不良解析データベースD3とステップ301におい
て測定された電気的特性のデータとを照合する(ステッ
プ303)。そして、出力部D2は照合した結果を表示
する(ステップ304)。データ解析部D1はステップ
301において測定されたデータが規格外であるか否か
を判断する(ステップ305)。オペレータは、データ
が規格外であれば、装置若しくは製品ウエハ又は双方を
点検して改善し(ステップ306)、そうでなければ、
製品測定装置A6によるステップ400の処理へ移る。
【0032】図7は図3に示すステップ400の処理を
詳細に説明するフローチャートである。以下に説明する
ステップ400の処理は、製品測定装置A6〜A8それ
ぞれに対して当てはまる。まず、製品測定装置は製品が
出力するデータを測定する(ステップ401)。次に、
データベース監視コンピュータE1は測定されたデータ
を電気的特性データベースに格納する。さらに同コンピ
ュータE1は後述するように不良解析データベースD3
にデータを格納する(ステップ402)。次に、データ
解析部D1は不良解析データベースD3とステップ40
1において測定されたデータとを照合する(ステップ4
03)。そして、出力部D2は照合した結果を表示する
(ステップ404)。データ解析部D1はステップ40
1において測定されたデータが規格外であるか否かを判
断する(ステップ405)。オペレータは、データが規
格外であれば、装置若しくは製品ウエハ又は双方を点検
して改善し(ステップ406)、そうでなければ、次の
製品測定装置によるステップ400の処理へ移る。
【0033】図8はデータベースC1〜C4それぞれに
含まれる異物検査データベースの例を示すデータ構造図
である。異物検査データベースには同図に示す項目があ
る。”処理日時”の項目には製品ウエハが処理された年
月日及び時刻が入る。”装置番号”の項目には装置に付
された固有の記号が入る。”レシピ番号”の項目には装
置の特徴や設定されるパラメータ等を示す記号が入り、
データベース監視コンピュータE1内の記憶装置(図示
しない)にはレシピ番号に対応する装置の特徴等が記憶
されている。”ロット番号”の項目にはインゴットのロ
ットが入り、ロット番号から製品ウエハがどのインゴッ
トから生成されたものであるかが判断できる。”ウエハ
番号”の項目には製品ウエハに付された固有の記号が入
る。”処理結果番号”の項目には正常に装置が動作した
かを示す記号が入り、例えば”処理結果番号”の項目
が”1”であれば装置が正常に動作したことを示し、”
2”であれば装置が誤動作したことを示す。”判定”の
項目には異物の個数が規格外であるか否かを示す記号が
入り、例えば”判定”の項目が”不”であれば規格外を
示し、”良”であれば規格内を示す。”分布データ番
号”の項目には異物の分布の状況のデータを示す記号が
入り、データベース監視コンピュータE1内の記憶装置
には分布データ番号に対応するデータが記憶されてい
る。また、図示するデータ構造の縦の一列からなるデー
タを条件結果データと称す。
【0034】図9はデータベースC1〜C4それぞれに
含まれる欠陥検査データベースの例を示すデータ構造図
である。欠陥検査データベースには同図に示す項目があ
る。”判定”の項目には欠陥の個数が規格外であるか否
かを示す記号が入り、例えば”判定”の項目が”不”で
あれば規格外を示し、”良”であれば規格内を示す。”
工程番号”の項目には、例えばアルミの配線を行う工程
であるとか不純物をドーピングする工程であるとかの工
程の内容を示す記号が入る。”分布データ番号”の項目
には、異物の場合と同じように、欠陥の分布の状況のデ
ータを示す記号が入り、データベース監視コンピュータ
E1内の記憶装置には分布データ番号に対応するデータ
が記憶されている。その他の項目は図8に示す項目と同
様である。
【0035】図10はデータベースC1〜C4それぞれ
に含まれる寸法誤差データベースの例を示すデータ構造
図である。寸法誤差データベースには同図に示す項目が
ある。”判定”の項目には誤差が規格外であるか否かを
示す記号が入り、例えば”判定”の項目が”不”であれ
ば規格外を示し、”良”であれば規格内を示す。その他
の項目は図9に示す項目と同様である。
【0036】図11はデータベースC1〜C4それぞれ
に含まれる画像データベースの例を示すデータ構造図で
ある。画像データベースには同図に示す項目がある。”
判定”の項目には例えば画像内に規格外のものが写って
いるか否かを示す記号が入り、例えば”判定”の項目
が”不”であれば規格外のものがあり、”良”であれば
規格内のものがあることを示す。”画像ファイル名”の
項目には画像検出装置が検出した製品ウエハの画像のデ
ータのファイル名が入り、データベース監視コンピュー
タE1内の記憶装置にはそのファイルが記憶されてい
る。また、ファイル名にはデレクトリも含む。その他の
項目は図9に示す項目と同様である。また、一つの製品
ウエハから検出したファイルが複数ある場合は、それぞ
れに対応する条件結果データが設けられる。
【0037】図12は電気的特性データベースC5の例
を示すデータ構造図である。電気的特性データベースに
は同図に示す項目がある。”判定”の項目には電気的特
性測定装置A5が測定した電気的特性が規格外であるか
否かを示す記号が入り、例えば”判定”の項目が”不”
であれば規格外を示し、”良”であれば規格内を示
す。”測定結果”の項目には電気的特性のデータを示す
記号が入り、データベース監視コンピュータE1内の記
憶装置にはその記号に対応するデータが記憶されてい
る。その他の項目は図9に示す項目と同様である。ま
た、一つの製品ウエハから測定した電気的特性のデータ
の種類(サマリ)が複数ある場合は、それぞれに対応す
る条件結果データが設けられる。さらに、その項目に
は、条件結果データの”サマリ”の項目、データの”カ
テゴリ”の項目、1つの電気的特性が複数のデータから
なる場合はその”平均値”の項目、”分散値”の項
目、”最大値”の項目、”最小値”の項目、”有効デー
タ数”の項目を付加する。
【0038】図13は製品特性データベースC6〜C8
の例を示すデータ構造図である。製品特性データベース
には同図に示す項目がある。”判定”の項目には製品特
性測定装置が測定した特性が規格外であるか否かを示す
記号が入り、例えば”判定”の項目が”不”であれば規
格外を示し、”良”であれば規格内を示す。”測定結
果”の項目には特性のデータを示す記号が入り、データ
ベース監視コンピュータE1内の記憶装置にはその記号
に対応するデータが記憶されている。その他の項目は図
9に示す項目と同様である。また、特性のデータの種類
(サマリ)が複数ある場合は、それぞれに対応する条件
結果データが設けられる。特性の種類には、トランジス
タの閾値、耐圧、配線抵抗、コンタクト抵抗、リーク電
流等がある。さらに、その項目には、条件結果データ
の”サマリ”の項目、データの”カテゴリ”の項目、特
性がビットの値である場合、そのビットの値の”小計”
の項目を付加する。また、製造ライン10から製品が出
る直前に1つの製品ウエハから取れた良品(正常に動作
する製品)の”歩留り”の項目を製品特性データベース
に持たせる。
【0039】以上のように、各データベースC1〜C8
に格納されている条件結果データは共通の項目を持つ。
データベース監視コンピュータE1はデータベースC1
〜C8の中から所定の項目の内容が同一の条件結果デー
タを検索して、検索した条件結果データの項目の内容を
分析結果として関連づける。そして、同コンピュータE
1は上述の検索に使用した内容が同一の項目と”分析結
果”の項目を有する条件結果データを不良解析データベ
ースD3に格納する。図14は不良解析データベースD
3の例を示すデータ構造図である。同図には上述の検索
に使用した内容が同一の項目と分析結果との項目が記さ
れている。”分析項目”の項目には分析結果を示す記号
が入り、データベース監視コンピュータE1内の記憶装
置にその記号に対応する分析結果が記憶されている。ま
た、図示する項目のほかに、分析結果の種類(サマリ)
を示す”サマリ”の項目、分析結果の”カテゴリ”の項
目を付加してもよい。
【0040】また、端末F1と工場G1とはLANを介
して接続されており、不良解析データベースD3の内容
を製品ウエハの製造工場G1に送信する。たとえば、規
格外の原因が製品ウエハにある場合、製造工場G1に不
良解析データベースD3の内容を送信して、製品ウエハ
を改善させることができたり、製造工場G1に、規格外
の原因の教育を兼ねて、規格外の原因の認識させる。ま
た、この送信は、例えばステップ104,204,30
3,403において行う。LANは例えばインターネッ
ト,イントラネットであり、上述の不良解析データベー
スD3の内容(例えば、ロット番号,工程番号,レシピ
番号に含まれるパラメータ等)を、オペレータの作成す
るプログラム(例えばhtml)に従い、ブラウザ上に
発信する(マルチプラットホームを利用する)。これに
より、従来多くの時間を費やしていた発信のための作業
がほとんどなくなる。また、LANが設置されていれ
ば、ほとんどタイムラグ無しにデータを発信することが
できる。
【0041】分析結果の具体例を説明する。図5に示す
ステップ207は、上述したように、規格外が生じた場
合、装置若しくは製品ウエハ又は双方を点検して改善す
るが、装置又は製品ウエハのどちらに規格外の原因があ
るのか判断する必要がある。そこで、データベース監視
コンピュータE1は、欠陥検査データベースに格納され
ている条件結果データのうち”装置番号”の項目の内容
が同一の条件結果データを検索して、検索した条件結果
データの”処理日時”の項目の内容と”分布データ番
号”の項目の内容(ここでは図15のエリアA〜Dの欠
陥の総数)とを関連づけたトレンド(傾向)を分析結果
とする。図17は処理日時と欠陥の総数とのトレンドグ
ラフである。現在日時がt7であり、規格外が生じてい
るとする。規格外の原因はこのグラフから装置にあると
判断できる。というのは、日時t6〜t7のトレンドが
日時t0〜t1や日時t2〜t3のトレンドと似ている
こと、および、日時t1,t3において欠陥検査データ
ベースの”イベント”の項目には装置をクリーニングし
た旨が記録されているためである。また、日時t5の規
格外の原因は製品ウエハである。というのは、日時t5
の”イベント”の項目には製品ウエハを交換した旨が記
録されているためである。今後、日時t4〜t5のよう
に日時t0〜t1と異なるトレンドが生じた場合は、規
格外の原因が製品ウエハであることを予測できる。
【0042】また、欠陥の発生は異物検査と密接な関係
があるため、データ解析装置D0は、オペレータが要求
すれば、対応する異物の分布の状況を出力部D2に表示
する。すなわち、異物検査データベースに格納されてい
る条件結果データのうち日時t7における処理におけ
る”装置番号”と”ウエハ番号”が同一の条件結果デー
タの”分布データ番号”の項目の内容(図16)を表示
する。
【0043】ステップ107,306,406も、ステ
ップ207のように、データベースC1〜C8のうち、
同じ条件を有する過去の条件結果データを検索して、検
索された条件結果データから規格外の原因がどこなのか
を判断できる。
【0044】このように、各データベースC1〜C8に
格納されている条件結果データは共通の項目を持つた
め、現在の条件と同じ条件を有する過去の条件結果デー
タを検索でき、検索された条件結果データから製造ライ
ン10内の装置,製品ウエハ,製品の異常を判断でき
る。
【0045】また、データベース監視コンピュータE1
がデータベースC1〜C8それぞれに新たなデータが追
加されるとすぐに分析結果を生成することで次のような
利点がある。すなわち、分析結果を不良解析データベー
スD3に格納することにより、その新たなデータを考慮
して、規格外が発生した原因を判断でき、規格外が発生
すると、即時に、規格外が発生した原因を判断できる。
【0046】また、データベース監視コンピュータE1
が、規格内外を問わず、データベースC1〜C8それぞ
れに新たなデータが追加されるとすぐに、新たなデータ
に対応する製品ウエハと同じロット番号の過去の製品ウ
エハの条件結果データを検索して、過去の製品ウエハか
ら得られる結果(電気的特性,歩留り等)をオペレータ
や製造工場G1に知らせる。
【0047】また、オペレータが要求すれば、寸法誤差
データベースや画像データベースに格納される条件結果
データのうち日時t7における処理における”装置番
号”と”ウエハ番号”が同一の条件結果データを検索し
て表示し、この表示を欠陥についての規格外の原因の判
断に用いることができる。このように関連する条件結果
データを検索することで、詳しく原因を解析できる。
【0048】また、現在処理している製品ウエハが最終
的にどのくらいの歩留りになるかを予測することもでき
る。すなわち、現在処理している製品ウエハの条件(例
えば”ロット番号”や処理された”装置番号”等の条
件)と同一の条件結果データを検索して、現在処理して
いる製品ウエハと同じ条件で処理された過去の製品ウエ
ハの歩留りを検出することで、現在の処理している製品
ウエハの最終的な歩留りを予測することができる。高い
歩留りが望めない場合は、ロットの異なる製品ウエハに
切り換え、”イベント”の項目にこの旨を記録する。ま
た、予測するのは歩留りの他にカテゴリ、電気的特性、
ビット単位の不良等も同様にして予測できる。
【0049】また、ステップ102における異物の分布
の状況をデータから、このデータに類似する過去の条件
結果データを検索することにより、製品ウエハの処理を
行うか否かの判断ができたり、製品ウエハ上の異物や欠
陥が規格内にも関わらず動作マージンの小さいチップが
出るか否かの予測ができたり、未然に低い歩留りが生じ
ることを防いだりできる。
【0050】変形例.図15に示すように直線でウエハ
10aをエリアA〜Dの4つに分割した例を示したが、
4つ以外に分割してもよいし、同心円で分割したり、直
線及び同心円を組み合わせて分割してもよい。G1は製
品ウエハの製造工場の他に、研究所やその他の製造ライ
ン10に関係のあるものであればよい。異物検査装置と
欠陥検査装置は同じハードウエアでもよい。図1にはデ
ータベース監視コンピュータE1がデータベースC1〜
C8及びD3を含む場合を示したが、データベースC1
〜C8をそれぞれ含むデータ管理装置と不良解析データ
ベースD3を含むデータ管理装置との間でデータの送受
信が行える構成であってもよい。また、図1には、製造
装置B1〜B4が生成したデータをそれぞれデータベー
スC1〜C4に格納する場合を示したが、製造装置A1
〜A4が生成するデータをそれぞれデータベースC1〜
C4に格納してもよい。また、データベースのデータの
最小単位は、ロット,ウエハ,チップ,ビットのどの単
位でもよい。好ましくは、データベースC1〜C8及び
D3の中で最小の単位のデータに合わせ込む。
【0051】また、図20は本発明の実施の形態におけ
る製造ライン解析装置の他の例を示すブロック図であ
る。図20中の符号は図1中及び図2の符号に対応して
いる。図1のデータベース監視コンピュータE1には異
物検査データベース、欠陥検査データベース、寸法誤差
データベース、画像データベースをそれぞれ4つ含む。
一方、図20に示すように、データベース監視コンピュ
ータE1には異物検査データベースC31、欠陥検査デ
ータベースC32、寸法誤差データベースC33、画像
データベースC34をそれぞれ1つずつ含み、検査装置
A1〜A4にそれぞれ含まれる異物検査装置、欠陥検査
装置、画像検出装置が検出したデータがそれぞれデータ
ベースC31〜C34に格納される構成であってもよ
い。
【0052】
【発明の効果】本発明請求項1によると、データベース
に格納されている条件結果データのうち、ウエハの処理
と同じ条件を有する条件結果データを検索することで、
製造ラインに含まれる装置又は処理対象物を解析するこ
とが容易になり、迅速に装置や処理対象物を改善するこ
とができる。
【0053】本発明請求項2によると、ウエハプロセス
においても処理対象物又は装置の解析を行うことができ
るという効果を奏す。
【0054】本発明請求項3によると、規格外の原因が
処理対象物又は装置のどちらにあるかが判断できるとい
う効果を奏す。
【0055】本発明請求項4によると、画像によりさら
に処理対象物又は装置の解析を詳細に解析できるという
効果を奏す。
【0056】本発明請求項5によると、LANを使用し
て検索した条件結果データを送信することにより、迅速
に解析した結果を反映できるという効果を奏す。
【0057】本発明請求項6によると、データベースに
格納されている条件結果データのうち、ウエハの処理と
同じ条件を有する条件結果データを検索部が検索するこ
とで、製造ラインに含まれる装置又は処理対象物を解析
することが容易になり、迅速に装置や処理対象物を改善
することができる。
【0058】本発明請求項7によると、ウエハプロセス
においても処理対象物又は装置の解析を行うことができ
る製造ライン解析装置が得られるという効果を奏す。
【0059】本発明請求項8によると、解析部によって
規格外の原因が処理対象物又は装置のどちらにあるかが
判断できるという効果を奏す。
【0060】本発明請求項9によると、送信部を備える
ことにより、迅速に、解析した結果を反映できるという
効果を奏す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態における製造ライン解
析装置の一例を示すブロック図である。
【図2】 図1に示す製造装置A3に接続されている検
査装置B3及びデータベースC3の内部を示すブロック
図である。
【図3】 図1に示す半導体装置の製造ライン10の主
な処理を示すフローチャートである。
【図4】 図3に示すステップ100の処理を詳細に説
明するフローチャートである。
【図5】 図3に示すステップ200の処理を詳細に説
明するフローチャートである。
【図6】 図3に示すステップ300の処理を詳細に説
明するフローチャートである。
【図7】 図3に示すステップ400の処理を詳細に説
明するフローチャートである。
【図8】 異物検査データベースの例を示すデータ構造
図である。
【図9】 欠陥検査データベースの例を示すデータ構造
図である。
【図10】 寸法誤差データベースの例を示すデータ構
造図である。
【図11】 画像データベースの例を示すデータ構造図
である。
【図12】 電気的特性データベースの例を示すデータ
構造図である。
【図13】 製品特性データベースの例を示すデータ構
造図である。
【図14】 不良解析データベースの例を示すデータ構
造図である。
【図15】 ウエハ上に割り当てられたエリアA〜Dを
示す図である。
【図16】 異物又は欠陥とそれらの個数の関係を示す
ヒストグラムを示す図である。
【図17】 分析結果の一例を示すグラフである。
【図18】 従来の製造ライン解析装置を示すブロック
図である。
【図19】 工程が改善されるまでの従来の手順を示す
フローチャートである。
【図20】 本発明の一実施の形態における製造ライン
解析装置の他の例を示すブロック図である。
【符号の説明】
10 製造ライン、E1 データベース監視コンピュー
タ、D0 データ解析装置、D3 不良解析データベー
ス。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 製造ラインに含まれる処理装置により処
    理対象物の処理が行われた際にその処理の結果のデータ
    とその処理の条件のデータとを含む条件結果データをデ
    ータベースに格納する第1のステップと、 前記第1のステップが繰り返し行われることにより前記
    データベースに前記条件結果データが蓄積され、前記製
    造ラインに含まれる処理装置により処理対象物の処理が
    行われた際に、その処理と同じ条件を有する条件結果デ
    ータを前記データベースに格納されている条件結果デー
    タから検索する第2のステップと、 前記第2のステップで検索された条件結果データに基づ
    いて前記製造ラインに含まれる処理装置又は処理対象物
    を解析する第3のステップと、を備えた製造ライン解析
    方法。
  2. 【請求項2】 前記第1のステップにおける処理の結果
    のデータには、ウエハプロセスにおける処理対象物上に
    存在する異物あるいは欠陥の分布を数値化したデータが
    含まれる請求項1記載の製造ライン解析方法。
  3. 【請求項3】 前記第3のステップは、 前記第2のステップにおける前記処理装置の処理の結果
    が前記欠陥が規格外であることを示す場合において、前
    記第3のステップで検索された条件結果データから、処
    理日時に対する欠陥の個数の傾向により、規格外の原因
    を解析するステップを含む請求項2記載の製造ライン解
    析方法。
  4. 【請求項4】 前記製造ラインに含まれる処理装置によ
    り処理対象物の処理が行われた際に、前記処理対象物の
    画像のデータとその処理の条件のデータとを含む条件結
    果データをデータベースに格納するステップをさらに備
    えた請求項1〜3のいずれかに記載の製造ライン解析方
    法。
  5. 【請求項5】 前記第2のステップにおいて検索した条
    件結果データをLANを介して送信するステップをさら
    に備えた請求項1〜4のいずれかに記載の製造ライン解
    析方法。
  6. 【請求項6】 製造ラインに含まれる処理装置により処
    理対象物の処理が行われた際にその処理の結果のデータ
    とその処理の条件のデータとを含む条件結果データを格
    納するためのデータベースと、 前記製造ラインに含まれる処理装置により処理対象物の
    処理が行われた際に、その処理と同じ条件を有する条件
    結果データを前記データベースに格納されている条件結
    果データから検索する検索部と、 前記検索手段により検索された条件結果データに基づい
    て前記製造ラインに含まれる処理装置又は処理対象物を
    解析する解析部と、を備えた製造ライン解析装置。
  7. 【請求項7】 前記処理の結果のデータには、ウエハプ
    ロセスにおける処理対象物上に存在する異物あるいは欠
    陥の分布を数値化したデータが含まれる請求項6記載の
    製造ライン解析装置。
  8. 【請求項8】 前記解析部は、 前記処理装置の処理の結果が前記欠陥が規格外であるこ
    とを示す場合において、前記検索部で検索された条件結
    果データから、処理日時に対する欠陥の個数の傾向によ
    り、規格外の原因を解析する請求項7記載の製造ライン
    解析装置。
  9. 【請求項9】 前記検索部が検索した条件結果データを
    LANを介して送信するための送信部をさらに備えた請
    求項6〜8のいずれかに記載の製造ライン解析装置。
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