KR100418523B1

KR100418523B1 - 반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링장치및 그 방법

Info

Publication number: KR100418523B1
Application number: KR10-2001-0038017A
Authority: KR
Inventors: 김종표; 이문희
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2004-02-11
Also published as: US20030001111A1; US7041990B2; KR20030002418A

Abstract

본 발명은 반도체 제조설비의 이온주입 공정 시 입력파라미터를 원격지에서 모니터링할 수 있는 이온주입 입력 파라미터를 모니터링하는 기술이다.

이온주입장치에서 이온주입 공정중에 이온주입을 위한 입력파라미터를 데이터 베이스로 저장하여 작업이력을 관리할 수 있고, 원격지에서도 모니터링할 수 있도록 하며, 이온주입설비에서 이온주입 공정 중에 작업이력 내용을 프린트하지 않아 많은 양의 용지소모를 방지하기 위해, 다수의 이온주입설비로부터 프린트포트를 통해 공정 진행중에 발생하는 로그 데이터를 로컬컴퓨터에서 수집하고, 상기 수집한 로그데이터를 데이터 베이스에 최근 데이터 순위로 리스트를 작성하여 갱신하는 며, 상기 데이터 베이스에 갱신된 데이터를 실시간으로 텍스트 처리 및 그래픽처리하여 저장하는 동시에 모니터에 표시하고, 원격지 컴퓨터로 로그데이터를 전송하여 원격지 컴퓨터에서도 작업결과 및 설비현황을 검색할 수 있도록 한다.

Description

반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링장치 및 그 방법{EQUIPMENT AND METHOD FOR MONITORING IMPLANTER INPUT PARAMETER IN SEMICONDUCTOR PRODUCT DEVICE TREREFOR}

본 발명은 반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링장치 및 그 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 제조설비의 이온주입 공정 시 입력파라미터를 원격지에서 모니터링할 수 있는 이온주입 입력 파라미터 모니터링장치 및 그 방법에 관한 것이다.

일반적으로 이온주입 공정은 순수 실리콘(Si) 웨이퍼에 3개의 가전자를 가지고 있는 P형 불순물(예, 붕소, 알루미늄, 인듐)과 5개의 가전자를 가지고 n형 불순물(예:안티몬, 인, 비소) 등을 플라즈마 이온빔상태로 만든 후 반도체 결정속에 침투시켜 필요한 전도형 및 비저항의 소자를 얻는 공정을 말한다.

이러한 이온주입공정을 수행하기 위한 이온주입장치가 미국특허 5,475,618에 개시되어 있다. 상기 이온주입장치는 반도체소자를 제조할 시 10E14∼10E18 원자/㎤ 범위에서 불순물 농도를 조절할 수 있으며, 이는 확산등 다른 불순물주입기술을 이용한 것 보다 농도조절이 용이하며 이온주입의 깊이를 정확히 할 수 있다는 이점 때문에 반도체소자의 집적도가 커짐에 따라 더욱 널리 사용되고 있다.

이러한 이온주입장치는 작업이력을 관리하여 그 내역을 확인하여야 하는데, 종래에는 이온주입장치에 프린터가 연결되어 그 프린터를 통해 작업이력을 프린트하여 관리한다.

그런데 상기와 같은 종래의 이온주입장치는 이온주입을 위한 입력 파라미터 및 작업이력을 프린트하도록 하고 있어 관리자가 설비유지보수를 하기 위해 자료를 확인하기 위해서는 설비가 설치된 현장으로 이동하여 프린트 내용물을 검색하여야 하였다. 프린터에 의해 프린트된 내역은 설비상태를 감시하기가 불가능하고, 사고 발생 시 데이터 확인자료로만 사용되어 설비 분석 및 검색 시 수작업으로 하여야 하기 때문에 시간이 많이 소요되고, 또한 프린트를 하기 위해서 많은 양의 용지가 소모되는 문제가 있었다.

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 이온주입장치에서 이온주입 공정 중에 이온주입을 위한 입력파라미터를 데이터 베이스로 저장하여 작업이력을 관리할 수 있는 입력파라미터 모니터링장치 및 그 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 다수의 이온주입설비에서 이온주입공정 시 발생하는입력파라미터를 수집하여 데이터 베이스화한 후 원격지에서도 모니터링할 수 있는 입력파라미터 모니터링 및 그 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 이온주입설비에서 이온주입 공정 중에 작업이력 내용을 프린트하지 않아 많은 양의 용지소모를 방지할 수 있는 입력파라미터 모니터링장치 및 그 방법을 제공함에 있다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링 시스템의 구성도

도 2는 본 발명의 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링을 위한 로컬컴퓨터의 처리 흐름도

도 3은 본 발명의 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링을 위한 원격지 컴퓨터의 처리 흐름도

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 베이스의 구조도

도 5는 본 발명의 최근 데이터별 텍스트 처리한 리스트의 예시도

도 6은 본 발명에 따른 이온주입을 위한 입력 파라미터의 그래픽 처리한 그래프 예시도

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 로그 검색화면의 예시도

도 8은 본 발의 실시 예에 따른 ES PRESSURE에 대한 검색결과 그래프 예시도

도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 에러 검색결과에 대한 그래프 예시도

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

101~10n: 다수의 이온주입설비 200: 로컬컴퓨터

201: 멀티카드 202, 501: 랜카드

300, 600: 모니터 400: 랜망

500: 원격지 컴퓨터

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비에서 이온주입공정에서 발생하는 입력파라미터를 모니터링하는 방법에 있어서, 다수의 이온주입설비로부터 프린트포트를 통해 공정진행 중에 발생하는 로그 데이터를 로컬컴퓨터에서 수집하는 과정과, 상기 수집한 로그데이터를 데이터 베이스에 최근 데이터 순위로 리스트를 작성하여 갱신하는 과정과, 상기 데이터 베이스에 갱신된 데이터를 실시간으로 텍스트 처리 및 그래픽 처리하여 저장하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이온주입을 위한 다수의 이온주입설비를 구비하는 반도체 제조설비의 입력파라미터 모니터링 시스템에 있어서. 상기 다수의 이온주입설비의 프린트포트로부터 출력되는 로그데이터를 각 설비별로 각각 수집하여 날짜별로 텍스트 데이터로 변환하여 데이터 베이스에 저장하는 동시에 그래픽 처리하여 데이터 베이스에 저장하고, 그 저장한 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 출력하는 로컬컴퓨터와, 상기 로컬컴퓨터로부터 출력되는 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 표시하기 위한 모니터를 구비함을 특징으로 한다.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링 시스템의 구성도이다.

이온주입을 진행하고, 이온주입 공정 진행 시 입력파라미터를 프린트포트로 출력하는 다수의 이온주입설비(101~10n)와, 상기 다수의 이온주입설비(101~10n)로부터 출력되는 입력파라미터를 설비별로 각각 수집하여 날짜별로 텍스트 데이터로 변환하여 데이터 베이스에 저장하는 동시에 그래픽 처리하여 데이터 베이스에 저장하고, 그 저장한 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 출력하는 로컬컴퓨터(200)와, 상기 로컬컴퓨터(200)로부터 출력되는 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 표시하기 위한 모니터(300)와, 상기 로컬컴퓨터(200)로부터 출력되는 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 랜망(400)을 통해 수집하여 표시할 수 있도록 출력하는 원격지 컴퓨터(500)와, 상기 원격지 컴퓨터(500)로부터 출력되는 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 표시하는 모니터(600)로 구성되어 있다.

상기 로컬컴퓨터(200)는 다수의 이온주입설비(101~10n)로부터 출력되는 입력파라미터 데이터를 수집할 수 있도록 인터페이스하는 멀티카드(201)와, 랜망(400)을 통해 원격지 컴퓨터(500)와 TCP/IP 프로토콜을 이용한 통신할 수 있도록 인터페이스하는 랜카드를 구비하고 있다.

상기 원격지 컴퓨터(500)는 랜망(400)을 통해 로컬 컴퓨터(200)와 TCP/IP 프로토콜을 이용한 통신할 수 있도록 인터페이스하는 랜카드(501)를 구비한다.

도 2는 본 발명의 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링을 위한 로컬컴퓨터의 처리 흐름도이고,

도 3은 본 발명의 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링을 위한 원격지 컴퓨터의 처리 흐름도이며,

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 베이스의 구조도이다.

Bound DB는 각 파라미터의 경계치 설정을 위한 데이터 베이스이고,

Error DB는 로그 발생 시 부가되는 에러들을 위한 데이터 베이스이며,

Range DB는 그래프 범위 설정을 위한 데이터 베이스이고,

Real DB는 실시간 그래프를 위한 데이터 베이스이며,

Total DB는 각 파라미터들을 모두 저장하는 데이터 베이스이다.

상술한 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예의 동작을 상세히 설명한다.

로컬컴퓨터(200)의 전원을 온 시키고 이온주입 로그 시스템 프로그램을 실행시킨 후 201단계에서 환경설정, 옵션, 출력선택 등을 설정하는데, 수집 데이터의 각 항목별 상,하한값과 그래프의 최소값과 최대값을 지정한다. 그런 후 202단계에서 TCP/IP 설정 및 랜포트를 개방하여 원격지 컴퓨터(500)와 통신을 할 수 있는 환경을 만든다.

또한 원격지 컴퓨터(500)의 전원을 온 시키고 이온주입 로그시스템 프로그램을 실행시킨 후 301단계에서 환경설정, 옵션, 출력선택 등을 설정한다. 그런 후 302단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 TCP/IP 프로토콜을 이용하여 랜망(400)을 통해 접속요구신호를 보내 로컬컴퓨터(200)로 접속신청을 한다. 이때 로컬컴퓨터(200)가 데이터를 수신하고 있는 상태이면 대기하라는 확인메세지를 원격지 컴퓨터(500)로 보낸다. 그런 후 303단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 접속이 완료되었는가 검사하여 접속이 완료되었으면 304단계로 진행한다. 상기 304단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 로컬컴퓨터(200)와 시간동기화를 시킨다.

그런 후 다수의 이온주입설비(101~10n)를 구동시켜 이온주입 공정을 수행하게 되면 다수의 이온주입설비(101~10n)는 RS232C통신 포트로 작업결과 및 설비현황인 로그데이터를 출력한다. 그러면 203단계에서 로컬컴퓨터(200)는 멀티카드(201)를 통해 수신되는 로그데이터를 검색하여 로그데이터가 발생되는지 검사한다. 상기 로그데이터가 발생되면 204단계에서 로컬컴퓨터(200)는 수신되는 로그데이터를 임시버퍼에 저장하고 205단계로 진행한다. 상기 205단계에서 로컬컴퓨터(200)는 수신되는 로그데이터를 분석하고 206단계로 진행한다. 상기 206단계에서 로컬컴퓨터(200)는 EOF(END OF FILE)데이터가 일정시간 검출되는지 검사한다. 상기 EOF데이터가 일정시간 검출되지 않으면 207단계로 진행하여 올바른 데이터가 수신되지 않은 것으로 인식하여 에러처리를 하고 208단계로 진행한다. 상기 208단계에서 로컬컴퓨터(20)는 에러메시지를 모니터(300)에 표시하는 동시에 랜망(400)을 통해 원격지 컴퓨터(500)로 전송하고 203단계로 돌아간다.

그러면 305단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 로그메시지가 수신되었는가 검사하여 메시지가 수신되었으면 306단계로 진행한다. 상기 306단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 수신메시지를 분석하고 307단계에서 수신된 메시지가 로그메시지인가 검사하여 로그 메시지가 아니면 308단계로 진행한다. 상기 308단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 에러처리를 하고 상기 305단계로 돌아간다.

또한 206단계에서 EOF데이터가 일정시간내에 검출되면 209단계로 진행하여 올바른 데이터로 인식하여 폴더를 생성하여 수신한 시간을 파일이름으로 사용하여 로그파일을 저장한다. 이때 로그파일은 1달을 기준으로 폴더명을 만들어 저장하며, 각 월의 폴더내에는 일별폴더가 생성되고 각 설비번호 뒤에 "-" 그리고 수신시간(년, 월, 일, 시, 분, 초)으로 파일이름을 정한다. 예를 들어 200012\20001214\1-20001214113645.DAT이며, 이는 2000년 12월 14일 11시 36분 45초에 수신된 #1호기의 데이터임을 표시한다. #1호기는 다수의 이온주입설비(101~10n)중에 하나를 나타내고 있다. 폴더는 예를 들어 3가지인 Deleted Log File, Log, Merge File가 있다. Deleted Log File은 로그삭제시 일시적으로 보관되는 폴더이고, Log는 로그파일을 저장하기 위한 폴더이며, Merge File은 로그 Merge를 위한 폴더가 된다. MERGE기능은 여러 개의 개별 DATA를 원하는 기간을 지정하여 하나의 파일로 병합시키는 기능이다. 그리고 210단계에서 로컬컴퓨터(200)는 상기 저장된 로그 데이터를 읽어 들여 도 4와 같은 토탈 데이터 베이스(Total DB)에 갱신하고 최근 데이터별 리스트로 갱신한다. 그런 후 211단계에서 로컬컴퓨터(200)는 에러처리를 하고 212단계로 진행한다. 상기 212단계에서 로컬컴퓨터(200)는 상기 갱신된 메시지를 원격지 컴퓨터(500)로 전송한다. 그리고 213단계 로컬컴퓨터(200)는 그래픽모드로 선택되어 있는가 검사하여 그래픽모드로 선택되어 있지 않고 텍스트모드로 선택되어 있으면 214단계로 진행한다. 상기 214단계에서 로컬컴퓨터(200)는 최근 데이터별 리스트에 갱신한 데이터를 텍스트 처리하여 도 5와 같이 모니터(300)에 표시한다. 그러나 213단계에서 그래픽 출력모드이면 215단계로 진행하여 로컬컴퓨터(200)는 데이터 베이스로부터 설정된 개수의 파라미터 데이터를 로드하고 216단계로 진행한다. 상기 216단계에서 로컬컴퓨터(200)는 상기 로드한 파라미터 데이터를 실시간 그래픽 처리하여 도 6과 같이 모니터(300)에 표시하고 217단계로 진행한다. 모든 그래프는 실시간 그래픽 처리한다. 이때 그래픽처리 시 레인지 데이터 베이스(RANGE DB)로부터 설정된 범위에 의해 자동 계산된 그래프는 BMP파일로 저장하고,인쇄와 그래프의 확대기능 및 그래프 자체의 스크롤 기능을 통해 설비의 데이터가 그래프를 벗어나는 경우 해당 값을 확인 가능하도록 되어 있다. 그래프는 일련순서 또는 수신시각별 및 설비별로 그래픽 처리되도록 하고 있다. 그래프의 설정은 자동계산과 사용자에 의해 설정할 수 있도록 하고, 자동계산은 조건별로 처음에 수신되는 로그데이터의 값을 지정횟수(변경이 가능함)만큼 계산하여 로그값의 평균(변경 가능함) 예컨데 ±5%로 지정하여 그래프 범위를 산정 하도록 하고 있다. 사용자에 의한 그래프 설정은 최소값과 최대값을 지정 가능하며, 설비별로 지정 및 개별설비에서 전체설비 값을 동일하게 변경 가능하도록 한다. 그리고 트랜드(TREND)를 그래프로 그리는 상태에서는 과거이력을 10회 정도 찾아 과거이력을 함께 표시하도록 한다.

이렇게 설정된 개수의 파라미터에 대하여 그래픽 처리를 한 후 217단계에서 이온주입 공정이 종료되는지 검사하여 계속해서 공정이 진행되면 상기 203단계로 돌아가 상술한 203단계 내지 214단계를 반복 수행하고, 이온주입 공정이 종료되면 프로그램을 종료한다.

한편 305단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 랜망(400)을 통해 메시지가 수신되는가 검사하여 메시지가 수신되면 306단계로 진행한다. 상기 306단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 수신된 메시지를 분석하고 307단계로 진행한다. 상기 307단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 수신된 메시지가 로그메시지인지 검사하여 로그메시지가 아니고 에러메시지이면 308단계로 진행한다. 상기 308단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 에러처리를 하고 에러메시지를 모니터(300)에 표시한다. 그러나 상기 수신된 메시지 로그메시지이면 309단계로 진행하여 원격지 컴퓨터(500)는 그래픽 출력모드인가 검사하여 그래픽 출력모드가 아니면 310단계로 진행한다. 상기 310단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 랜망(400)을 통해 로컬컴퓨터(200)로부터 로그파일을 다운로드 받는다. 그리고 311단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 다운로드 받은 로그메시지를 텍스트 처리하여 도 5와 같이 모니터(300)에 표시한다. 그러나 상기 309단계에서 그래픽 모드로 선택되어 있으면 설정된 개수의 파라미터를 로드하고 313단계로 진행한다. 상기 313단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 랜망(400)을 통해 로컬컴퓨터(200)로부터 최근 데이터 리스트를 다운로드 받고 314단계로 진행한다. 상기 314단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 상기 로드한 파라미터 데이터를 실시간 그래픽 처리하여 도 6과 같이 모니터(300)에 표시하고 315단계로 진행한다. 상기 최근 데이터항목은 BEAM ENERGY, BL PRESSURE, ARC CURRENT, EXT VOLTAGE, ANAL FIELD, SO FIELD, SUPVOLTAGE, SCNA BAL, ES PRESSURE, ARC VOLTAGE, SRC VOLTAGE, CORP FIELD, FIL CURRENT, EXT CURRENT, SCAN AMPL, SO PRESSURE, SUP CURRENT, BEAM CURRENT이 되며, 이 모든 항목에 대하여 그래픽 처리를 하여 저장한다. 상기 215단계에서 원격지 컴퓨터(500)는 이온주입 공정이 종료되는지 검사하여 계속해서 공정이 진행되면 상기 305단계로 돌아가 상술한 동작을 반복 수행하고, 이온주입 공정이 종료되면 프로그램을 종료한다.

이와 같이 각 파라미터에 대한 그래픽 처리나 텍스트 처리를 하여 저장하여 놓은 후 원격지 컴퓨터(500)나 로컬컴퓨터(200)에서 각 파라미터에 대한 설비별, 또는 전체설비, 엔드스테이션(END STATION) 구분 또는 전체, 조회기간 설정, 공정조건(Dopant, Energy, Dose)별로 검색할 수 있다. 공정조건은 미리 정하여진 값을 선택하는 것과 특정값을 입력하여 지정이 가능하다. 검색하는 방법은 도 6과 같은 화면에서 로그 검색창을 선택하면 도 7과 같은 화면이 표시되며, 도 7과 같은 검색조건을 입력시키고 검색아이콘을 선택하게 되면 검색조건에 해당하는 파라미터값에 대한 텍스트나 그래픽화면에 표시된다. 도 8과 도 9에 도시된 그래프는 ES PRESSURE와 에러검색결과에 대한 그래프를 예를 들어 도시하였다.

또한 각 파라미터의 상, 하한값을 지정하여 범위를 벗어난 경우 경보를 발생하거나 로컬컴퓨터(200)에서 멀티카드(201)를 통해 다수의 이온주입설비(101~10n)로 정지신호를 전송하여 설비가동을 중단시키는 것도 구현 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명은 다수의 이온주입설비의 프린트포트에 RS232C 통신케이블을 멀티카드로 연결하여 멀티카드에 연결된 로컬컴퓨터에서 이온주입설비에서 발생되는 작업결과 및 설비현황에 대한 파라미터값을 수집하여 텍스트나 그래픽으로 처리하여 데이터 베이스에 저장하여 기존의 불필요한 프린트 작업으로 인해 용지비용을 절감할 수 있으며, 작업자가 필요시 마다 로컬컴퓨터에서 로그 검색에 의해 원하는 설비별, 기간별, 에러별로 조회가 가능하므로 수작업으로 검색시간을 낭비하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.

또한 로컬컴퓨터에서 이온주입공정에 따른 작업결과 및 설비현황에 대한 파라미터값을 수집하여 랜망을 통해 연결된 원격지 컴퓨터로 전송하여 원격지에서도 현장상황을 온타임으로 확인할 수 있는 효과가 있다.

Claims

(삭제)
(삭제)
(정정) 반도체 제조설비에서 이온주입공정에서 발생하는 입력파라미터를 모니터링하는 방법에 있어서,

다수의 이온주입설비로부터 공정진행 중에 발생하는 로그 데이터를 로컬컴퓨터에서 수집하는 과정과,

상기 수집한 로그데이터를 데이터 베이스에 최근 데이터 순위로 날짜별로 리스트를 작성하여 갱신하는 과정과,

상기 데이터 베이스에 갱신된 데이터를 실시간으로 텍스트 처리 및 그래픽처리하여 저장하는 과정과,

원격지 컴퓨터에서 랜망을 통해 상기 로컬컴퓨터로 접속을 요구하여 망을 접속하는 과정과,

상기 망이 접속되어 있을 시 상기 데이터 베이스에 갱신된 파라미터 데이터를 실시간으로 랜망을 통해 원격지 컴퓨터로 전송하는 과정과,

상기 랜망을 통해 파라미터 데이터를 원격지 컴퓨터에서 실시간으로 수신하여 텍스트 처리 및 그래픽처리하여 저장하는 과정과,

상기 텍스트 처리 또는 그래픽 처리한 데이터를 상기 원격지 컴퓨터의 모니터에 표시하는 과정을 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링방법.
(정정) 제3항에 있어서,

상기 파라미터에 대한 그래픽 처리나 텍스트 처리를 하여 저장하여 놓은 후 로컬컴퓨터에서 각 파라미터에 대한 데이터를 설비별, 또는 전체설비, 조회기간별, 공정조건별로 검색하는 과정을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링방법.
(삭제)
(정정) 이온주입을 위한 다수의 이온주입설비를 구비하는 반도체 제조설비의 입력파라미터 모니터링 시스템에 있어서.

상기 다수의 이온주입설비의 프린트포트로부터 출력되는 로그 데이터를 각 설비별로 각각 수집하여 날짜별로 텍스트 데이터로 변환하여 데이터 베이스에 저장하는 동시에 그래픽처리하여 데이터 베이스에 저장하고, 그 저장한 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 출력하는 로컬컴퓨터와,

상기 로컬컴퓨터로부터 출력되는 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 표시하기 위한 제1 모니터와,

상기 로컬컴퓨터로부터 출력되는 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 랜망을 통해 수집하여 표시할 수 있도록 출력하는 원격지 컴퓨터와,

상기 원격지 컴퓨터로부터 출력되는 그래픽 데이터나 텍스트 데이터를 표시하는 제2 모니터를 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링장치.
제6항에 있어서,

상기 로컬컴퓨터는 다수의 이온주입설비로부터 출력되는 로그데이터를 수집할 수 있도록 인터페이스하는 멀티카드와,

상기 랜망을 통해 원격지 컴퓨터와 TCP/IP 프로토콜을 이용한 통신할 수 있도록 인터페이스하는 랜카드를 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링장치.
제7항에 있어서,

상기 원격지 컴퓨터는 랜망을 통해 로컬 컴퓨터와 TCP/IP 프로토콜을 이용한 통신할 수 있도록 인터페이스하는 랜카드를 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링장치.
(신설) 제3항에 있어서, 상기 로그 데이터 수집과정은,

다수의 이온주입설비로부터 출력되는 작업결과 및 설비현황인 로그데이터를 수신하는 단계와,

상기 수신한 로그데이터를 로그데이터를 분석하는 단계와,

상기 분석결과 EOF 데이터가 일정시간 검출되어 올바른 데이터가 수신되는 검사하는 단계와,

상기 분석결과 EOF 데이터가 일정시간 검출되지 않을 시 올바른 데이터가 수신되지 않은 것으로 인식하여 에러처리를 하는 단계와,

상기 EOF데이터가 일정시간 검출될 시 올바른 데이터로 인식하여 폴더를 생성하여 수신한 시간을 파일이름으로 사용하여 로그파일을 저장하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링장치.
(신설) 제9항에 있어서, 상기 원격지 컴퓨터의 상기 텍스트 처리 및 그래픽 처리 저장과정은,

로그메시지가 수신되었는가 검사하는 단계와,

상기 로그메시지가 수신되지 않을 시 에러처리하는 단계와,

상기 로그메시지가 수신될 시 그래픽 출력모드인가 검사하는 단계와,

상기 로그메시지가 그래픽 출력모드가 아닐 시 원격지 컴퓨터에서 로컬컴퓨터로부터 로그파일을 다운로드 받는 단계와,

상기 다운로드 받은 로그메시지를 텍스트 처리하는 단계와,

상기 로그메시지가 그래픽 출력모드일 시 설정된 개수의 파라미터를 로드하고 상기 로컬컴퓨터로부터 최근 데이터 리스트를 다운로드 받는 단계와,

상기 다운로드 받은 최근 데이터 리스트에 대한 파라미터 데이터를 실시간 그래픽 처리하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 이온주입을 위한 입력파라미터 모니터링장치.