KR970063478A - 이온주입설비의 제어 장치 및 그 방법 - Google Patents
이온주입설비의 제어 장치 및 그 방법 Download PDFInfo
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Abstract
이온주입될 막의 두께와 이온주입된 결과 계측된 문턱전압값을 비교하여 이온주입공정을 위한 파라미터를 자동으로 제어하는 이온주입설비의 제어 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼의 두께데이터와 문턱전압데이터가 입력되어 상기 데이터간의 상관관계에 따른 이온주입에너지를 계산하는 제어서버가 구성됨으로써, 이온주입될 웨이퍼의 게이트 막 두께데이터와 이온주입된 웨이퍼의 문턱전압데이터를 각 계측기로부터 제어서버로 수집 및 저장하는 단계, 두께데이터와 문턱전압데이터의 상관관계에 따른 이온주입에너지를 계산하는 단계 및 이온주입기에서 이온주입될 웨이퍼 두께데이터에 따라 계산된 이온주입에너지로 이온주입공정이 수행되도록 이온주입기의 파라미터를 가변제어하는 단계가 수행되도록 이루어진다.
따라서, 계측 데이터의 관리와 저장된 데이터의 상관관계의 유도와 이온주입에너지 값의 계산 및 파라미터제어가 자동으로 이루어져서 생산성 및 작업성이 극대화되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 이온주입설비의 제어장치의 실시예를 나타내는 블록도이다.
Claims (6)
- 웨이퍼의 게이트 영역의 막 두께를 두께계측기로 계측한 두께데이터와 이온주입된 웨이퍼의 문턱전압을 문턱전압계측기로 계측한 문턱전압데이터가 수집 및 저장되어 상기 데이터들 간의 상관관계에 의하여 이온주입에너지를 계산하는 제어서버가 구성됨으로써, 상기 계산된 이온주입에너지로 이온 주입기에서 이온주입이 이루어지도록 상기 제어서버로 상기 이온주입기의 파라미터 설정상태를 자동제어하도록 구성됨을 특징으로 하는 이온주입설비의 제어장치.
- 이온주입될 웨이퍼로 계측된 게이트 영역 막의 두께데이터와 이온주입된 웨이퍼로 계측된 상기 문턱전압데이터를 각 계측기로부터 제어서버로 수집 및 저장하는 단계; 상기 제어서버에서 수집 및 저장된 상기 두께데이터와 문턱전압데이터의 상관관계에 따른 이온주입에너지를 계산하는 단계; 및 상기 이온주입기에서 이온주입될 웨이퍼의 두께데이터에 따라 계산된 이온주입에너지로 이온주입공정이 수행되도록 상기 이온주입기의 파라미터를 가변제어하는 단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 이온주입설비의 제어 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제어서버로 수집 및 저장하는 단계는 상기 각 계측기로부터의 수집을 소정간격으로 설정된 시간마다 수행됨을 특징으로 하는 상기 이온 주입설비의 제어 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제어서버로 수집 및 저장하는 단계는 상기 각 계측기의 로트단위 계측완료시점에서 수행됨을 특징으로 하는 상기 이온주입설비의 제어 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 이온주입에너지를 계산하는 단계는 상기 두께데이터와 문턱전압데이터의 상관관계를 이온주입기 조건설정시점에 수행함을 특징으로 하는 상기 이온주입설비의 제어 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 이온주입에너지를 계산하는 단계는 상기 두께데이터와 문턱전압데이터의 상관관계를 일정시간간격으로 수행함을 특징으로 하는 상기 이온주입 설비의 제어 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004821A KR970063478A (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 이온주입설비의 제어 장치 및 그 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019960004821A KR970063478A (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 이온주입설비의 제어 장치 및 그 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063478A true KR970063478A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66222402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960004821A KR970063478A (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 이온주입설비의 제어 장치 및 그 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970063478A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418523B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-02-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링장치및 그 방법 |
| US7537940B2 (en) | 2004-02-06 | 2009-05-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic device capable of controlling threshold voltage and ion implanter controller and system that perform the method |
-
1996
- 1996-02-27 KR KR1019960004821A patent/KR970063478A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418523B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-02-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 이온주입 입력파라미터 모니터링장치및 그 방법 |
| US7537940B2 (en) | 2004-02-06 | 2009-05-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic device capable of controlling threshold voltage and ion implanter controller and system that perform the method |
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