KR100273505B1 - 제조라인 해석방법 및 제조라인 해석장치 - Google Patents

Abstract

규격외품의 원인에 대한 신속한 대처가 가능한 제조라인 해석방법 및 제조라인 해석장치를 얻는다.

장치A1∼A8에서 얻을 수 있는 측정 결과의 데이터를 각각 데이터 베이스 C1∼C8에 수납한다. 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 데이터 베이스 C1∼C8에 새로운 데이터가 수납될때마다, 데이터 베이스 C1∼C8에 수납되어 있는 데이터중 관련된 데이터를 검색하여 불량 해석 데이터 베이스 D3에 격납한다. 데이터 해석장치D0는 불량해석 데이터 베이스 D3에 수납되어 있는 데이터를 표시하여 오퍼레이터에 알린다. 이에 따라, 오퍼레이터는 제품 웨이퍼가 제조라인중에 있어도, 규격외품 제품이 생기고 있는 것 및 그 원인을 판단할 수 있고, 규격외품의 원인에 대한 대처를 신속히 행할 수 있다.

Description

제조라인 해석방법 및 제조라인 해석장치

본 발명은 반도체 장치의 제조라인을 해석하기 위한 제조라인 해석방법 및 제조라인 해석장치에 관한 것이다.

도 18은 종래의 제조라인 해석장치를 나타내는 블록도이다. 데이터 해석장치 D90 및 데이터 관리장치 C91∼C98은 제조라인 해석장치를 구성한다. 반도체 장치의 제조공정은 주로, 웨이퍼 프로세스와 그 제조된 물건을 검사하는 검사 공정이 있다. 제조장치A1∼A4에 의한 처리는 웨이퍼 프로세스이다. 전기적 특성 측정장치A5 및 제품 측정장치A6∼A8 에 의한 처리는 검사 공정이다. 장치A1∼A8는 반도체 장치의 제조라인10에 포함된다. 또 제조공정에는 이들 외에 조립공정등도 있지만, 동 도면에서 생략하고 있다.

검사장치B1∼B4에는 각각 이물질 검사장치 및 결함 검사장치(도시하지 않음)가 포함된다. 데이터 관리장치C91∼C94에는 각각 이물질 검사 데이터 베이스 및 결함검사 데이터 베이스(도시하지 않음)가 포함된다.

제품용의 웨이퍼(제품웨이퍼)는 장치A1∼A8에서 차례로 처리된다. 제조장치A1∼A4는 제품 웨이퍼를 처리하기 전에, 정기적으로 자신을 검사한다. 그 검사에 관해서, 우선, 제조장치A1은 모니터 웨이퍼(베어 웨이퍼)를 처리한다. 다음에, 검사장치B1 에 포함되는 이물질 검사장치는 처리된 모니터 웨이퍼상의 이물질을 검사하여, 검사한 결과를 데이터로서 데이터 관리장치C91에 포함되는 이물질 검사 데이터 베이스에 수납한다. 마찬가지로, 검사장치B2∼B4 각각 포함되는 이물질 검사장치는 제조장치 A2∼A4에 관해서 검사한 결과를 데이터 관리장치C92∼C94 각각 포함되는 이물질 검사 데이터 베이스에 수납한다.

검사장치B1∼B4 각각 포함되는 결함 검사장치는 제조장치A1∼A4 각각에서 처리된 제품 웨이퍼상의 결함을 검사하여 검사한 결과를 데이터로서 데이터 관리장치C91∼C94 각각 포함되는 결함 검사 데이터 베이스에 수납한다.

전기적 특성 측정장치A5와 제품 측정장치A6과의 사이에 조립공정이 개재 되여, 제품 웨이퍼는 조립공정을 지나서 제품이 된다.

전기적 특성 측정장치A5는 제품 웨이퍼를 제품 측정장치A6∼A8 각각은 제품을 측정하여, 측정 결과를 데이터로서 데이터 관리장치C95∼C98 각각 포함되는 데이터 베이스(도시하지 않음)에 수납한다.

데이터 베이스 D93은 데이터 관리장치C91∼C98에 수납되어 있는 데이터를 그대로 수납한다. 출력부D92는 데이터 베이스 D90의 내용을 표시한다.

배선공정이 웨이퍼 프로세스의 최종으로 행해진다는 것도 있고, 웨이퍼 프로세스 중에 제품 웨이퍼의 상세한 평가를 하는 것은 어렵기 때문에, 제품 웨이퍼의 상세한 평가는, 제품 웨이퍼가 웨이퍼 프로세스를 거친 뒤에 행하여진다.

도 19, 종래의 제품 웨이퍼의 상세한 평가의 순서를 나타내는 플로우 차트이다. 우선, 제조장치A1∼A4는 제품 웨이퍼를 처리한다(스텝901). 다음에, 전기적 특성 측정장치A5는 전기적 특성의 측정을 하고(스텝902), 오퍼레이터는 출력부D92가 출력하는 측정결과의 내용으로부터 제품 웨이퍼의 이상(異常)(규격외품등)을 판단하여(스텝903),이상이 없으면, 제품 웨이퍼는 조립하여 공정을 거쳐서 제품이 된다. 그리고, 제품 측정장치A6∼A8는 복수 종류의 제품의 측정을 한다(스텝904, 906, 908). 그리고, 오퍼레이터는 출력부D92가 출력하는 측정 결과의 내용으로부터 제품의 이상을 판단하여(스텝905, 907, 909),이상이 없으면 종료하고, 이상이 있으면 오퍼레이터는 이상의 원인을 분석하는(스텝910). 그리고 오퍼레이터는, 이상이 있는 제품의 전기적 측정을 하여(스텝911),또 원인을 분석하여(스텝912),장치, 제품, 제품 웨이퍼의 개선을 한다(스텝913). 또, 스텝903에서, 이상이 있으면, 스텝912, 913으로 진행한다. 이와 같이, 제품 웨이퍼가 웨이퍼 프로세스를 거친후에 제품 웨이퍼의 상세한 평가을 하기 위해서, 규격외품등의 원인을 검출할때까지는 시간이 걸려, 신속한 대처가 곤란하다라는 문제점이 있다.

또, 상술한 웨이퍼 프로세스중의 이물질과 결함의 검사에 규격외품의 것이 생길 경우도, 그 원인을 검출하는 데 시간이 걸려, 신속한 대처가 곤란 하다라는 문제점이 있다.

본 발명은 이들의 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 규격외품등이 생겨도 신속하게 대처할 수 있는 제조라인 해석방법 및 제조라인 해석장치를 얻는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 청구항1에 관한 과제 해결 수단은 제조라인에 포함되는 처리장치에 의해 처리 대상물의 처리가 행하여질 때에 그 처리의 결과의 데이터와 그 처리의 조건의 데이터를 포함하는 조건 결과 데이터를 데이터 베이스에 받아들이는 제 1의 스텝과, 상기 제 1의 스텝이 반복 행해지는 것으로 상기 데이터 베이스에 상기 조건 결과 데이터가 축적되어 상기 제조라인에 포함되는 처리장치에 의해 처리 대상물의 처리가 행하여질 때에, 그 처리와 같은 조건을 가지는 조건 결과 데이터를 상기 데이터 베이스에 수납되어 있는 조건 결과 데이터로부터 검색하는 제 2의 스텝과, 상기 제 2의 스텝으로 검색된 조건 결과 데이터에 따라서 상기 제조라인에 포함되는 처리장치 또는 처리 대상물을 해석하는 제 3의 스텝을 구비한다.

본 발명의 청구항2에 관한 과제 해결수단은 제조라인에 포함되는 처리장치에 의해 처리 대상물의 처리가 행하여질 때에 그 처리의 결과의 데이터와 그 처리의 조건의 데이터를 포함하는 조건 결과 데이터를 수납하기 위한 데이터 베이스와, 상기 제조라인에 포함되는 처리장치에 의해 처리 대상물의 처리가 행하여질 때에, 그 처리와 같은 조건을 가지는 조건 결과 데이터를 상기 데이터 베이스에 수납되어 있는 조건결과 데이터로부터 검색하는 검색 부와 상기 검색 수단에 의해 검색된 조건 결과 데이터에 따라서 상기 제조라인에 포함되는 처리장치 또는 처리 대상물을 해석하는 해석부를 구비한다.

도 1은 본 발명의 일실시의 형태에서의 제조라인 해석장치의 일례를 나타내는 블록도.

도 2는 도 1에 나타내는 제조장치A3에 접속되어 있는 검사장치B3 및 데이터 베이스 C3의 내부를 나타내는 블록도.

도 3은 도 1에 나타내는 반도체 장치의 제조라인10의 주된 처리를 나타내는 플로우 차트.

도 4는 도 3에 나타내는 스텝100의 처리를 상세히 설명하는 플로우 차트.

도 5는 도 3에 나타내는 스텝200의 처리를 상세히 설명하는 플로우 차트.

도 6은 도 3에 나타내는 스텝300의 처리를 상세히 설명하는 플로우 차트.

도 7은 도 3에 나타내는 스텝400의 처리를 상세히 설명하는 플로우 차트.

도 8은 이물질 검사 데이터 베이스의 예를 표시하는 데이터 구조도.

도 9는 결함 검사 데이터 베이스의 예를 표시하는 데이터 구조도.

도 10은 치수 오차 데이터 베이스의 예를 표시하는 데이터 구조도.

도 11은 화상 데이터 베이스의 예를 게시하는 데이터 구조도.

도 12는 전기적 특성 데이터 베이스의 예를 표시하는 데이터 구조도.

도 13은 제품 특성 데이터 베이스의 예를 표시하는 데이터구조도.

도 14는 불량 해석 데이터 베이스가 예를 표시하는 데이터 구조도.

도 15는 웨이퍼상에 할당된 에어리어 A∼D를 도시한 도면.

도 16은 이물질또는 결함과 그들의 개수의 관계를 나타내는 막대 그래프를 도시한 도면.

도 17은 분석 결과의 일례를 나타내는 그래프.

도 18은 종래의 제조라인 해석장치를 나타내는 블록도.

도 19는 공정이 개선되기 까지의 종래의 순서를 나타내는 플로우 차트.

도 20은 본 발명의 일 실시의 형태에서의 제조라인 해석장치의 다른 예를 표시하는 블록도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

10 : 제조라인E1 : 데이터 베이스 감시 컴퓨터

D0 : 데이터 해석장치D3 : 불량 해석 데이터 베이스

＜발명의실시의형태＞

도 1은 본 발명의 일 실시의 형태에서의 제조라인 해석장치의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 1에서 A1∼A4는 제조장치, A5는 전기적 특성 측정장치, A6∼A8은 제품 측정장치, B1∼B4는 검사장치, E1은 데이터 베이스 감시 컴퓨터(검색부), D0은 데이터 해석장치(해석부), G1은 원격지에 있는 공장이다. 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1에서, F1은 단말(송신부)이다. 데이터 해석장치D0에서, D1은 불량 해석 데이터 베이스 D3의 데이터를 편집하는 데이터 해석부, D2는 분석 결과를 표시하는 데이터 출력부이다. 데이터 해석장치D0 및 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 제조라인 해석장치를 구성한다. 장치A1∼A8는 각각 처리대상물을 처리하는 처리장치이다. 장치A1∼A8는 반도체 장치의 제조라인10에 포함된다. 제조장치A1∼A4는 예를 들면, CVD장치, 이온 주입 장치, 에칭 장치, 세정 장치등이다. 전기적 특성 측정장치A5는, 프로버이다. 제품 측정장치A6∼A8은 테스터이다.

도 2는 제조장치A3에 접속되어 있는 검사장치B3 및 데이터 베이스 C3의 내부를 나타내는 블록도이다. 검사장치B3에는 이물질 검사장치B31, 결함 검사장치B32, 치수 검사장치B33, 화상 제조장치B34 등이 포함된다. 데이터 베이스 C3에는 장치B31∼B34 등이 각각 검출한 데이터를 수납하기 위한 이물질검사데이터베이스 C31, 결함 검사 데이터 베이스 C32, 치수 오차 데이터 베이스 C33, 화상 데이터 베이스 C34 등이 포함된다. 제조장치A1, A2, A4 및 데이터 베이스 C1, C2, C4 에 관해서도 마찬가지이다.

도 3은 도 1에 나타내는 반도체 장치의 제조라인10의 주 된 처리를 나타내는 플로우 차트이다. 우선, 제조장치A1은 제품 웨이퍼가 처리되기 전에, 자신을 검사한다(스텝100). 다음에, 제조장치A1은 제품 웨이퍼를 처리한다. 그리고, 제조장치A1에 의해서 처리된 제품 웨이퍼가 검사된다(스텝200).

이 후, 스텝100 및 200의 처리가, 제조장치의 수만, 반복된다. 또, 스텝100은 정기적으로 행하여져도 된다. 다음에, 제조장치A1∼A4에 의해서 처리된 제품 웨이퍼는 전기적 특성 등이 측정되어서 검사된다(스텝300). 다음에, 제품 웨이퍼는 조립공정을 거쳐서 제품이 된다. 그리고, 제품은 전기적 특성 등이 측정되어 검사된다(스텝400). 또, 제품 웨이퍼, 제품 및 모니터 웨이퍼와같이 제조라인10에 의해서 처리되는 것을 처리 대상물이라 칭한다. 이 후, 제품 측정장치A7 및 A8도 마찬가지로 스텝400의 처리를 행한다. 이하, 스텝100,200,300,400에 관해서 상세히 설명한다.

도 4는 도 3에 나타내는 스텝100의 처리를 상세히 설명하는 플로우 차트이다. 이하에 설명하는 스텝100의 처리는 제조장치A1∼A4 각각에 대하여 적합하다. 우선, 제조장치는 모니터 웨이퍼를 처리한다(스텝101). 다음에, 이물질 검사장치가 이 처리된 모니터 웨이퍼상에 부착하고 있는 이물질의 분포의 상황을 데이터로서 검출한다(스텝102). 이물질의 분포의 상황을 데이터로서 검출한다는 것은, 도 15에 도시한 바와 같이 웨이퍼10a를 에어리어 A∼D로 분할하여 각 에어리어내에서의 이물질의 개수를 검출한다. 상세하게는 도 16의 막대 그래프(histogram)로 도시한 바와 같이, 어떤 범위 내의 크기 마다의 이물질의 개수가 검출된다. 다음에, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 검출된 데이터를 이물질 검사 데이터 베이스에 수납된다. 또 동 컴퓨터 E1은 후술하는바와같이 불량 해석 데이터 베이스 D3에 데이터를 격납한다(스텝103). 다음에, 데이터 해석부D1은 불량 해석 데이터 베이스 D3와 스텝102에서 검출된 데이터를 대조한다(스텝104). 그리고, 출력부D2는 대조한 결과를 표시한다(스텝105). 데이터 해석부D1은 스텝102에서 검출된 데이터가 규격외품 인가 아닌가를 판단 한다(스텝106). 오퍼레이터는 데이터가 규격외품 이면, 장치를 점검하여 개선하고(스텝107),그렇지 않으면, 스텝200으로 옮긴다.

도 5는 도 3에 나타내는 스텝200의 처리를 상세히 설명하는 플로우 차트이다. 이하에 설명하는 스텝200의 처리는 제조장치A1∼A4 각각에 대하여 적합하다. 우선, 제조장치는 제품 웨이퍼를 처리한다(스텝201). 다음에, 결함 검사장치가 이 처리된 제품 웨이퍼상의 결함의 분포의 상황을 데이터로서 검출한다(스텝202). 결함의 분포의 상황을 데이터로서 검출 한다는 것은, 스텝102와 마찬가지로, 웨이퍼를 에어리어 A∼D로 분할하여 도 16과 같이 각 에어리어 내에서 결함의 크기에 대한 결함의 개수를 검출한다. 다음에, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 검출된 데이터를 결함 검사 데이터 베이스에 수납된다. 또, 동 컴퓨터 E1은 후술하는바와 같이 불량 해석 데이터 베이스 D3에 데이터를 수납한다(스텝203). 다음에, 데이터 해석부D1은 불량 해석 데이터 베이스 D3와 스텝202에서 검출된 데이터를 대조한다(스텝204). 그리고, 출력부D2는 대조한 결과를 표시하는(스텝205). 데이터 해석부D1은 스텝202에서 검출된 데이터가 규격외품 인가 아닌가를 판단한다(스텝206). 오퍼레이터는 데이터가 규격외품 이면, 장치 또는 제품 웨이퍼 또는 쌍방을 점검하여 개선한다(스텝207). 또, 스텝207에서 개선한 내용을 결함 검사 데이터 베이스의 후술하는 "이벤트"의 항목에 수납한다. 스텝206에서, 규격외품이 아니면, 제조장치에 의한 스텝100의 처리로 옮긴다.

또, 스텝202와 함께, 치수 검사장치가 제품 웨이퍼상의 패턴의 치수의 오차, 패턴의 막 두께의 오차, 마스크의 중첩의 오차 등을 검출하여, 그 검출된 데이터가 치수 오차 데이터 베이스에 수납된다. 동시에, 화상 검출장치가 제품 웨이퍼의 화상의 데이터를 검출하여 그 검출된 데이터가 화상 데이터 베이스에 수납된다. 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 화상의 데이터를 편집하는 기능, 예를 들면 필터 기능(노광, 포커스등),트리밍 기능(임의의 화상내의 에어리어의 오려냄), 합성 기능(트리밍 기능으로 처리한 화상의 합성이나 배치)등을 가진다. 이들의 기능을 사용하여 화상을 편집하느냐 아니냐는 오퍼레이터가 행한다.

도 6은 도 3에 나타내는 스텝300의 처리를 상세히 설명하는 플로우 차트이다. 우선, 전기적 특성 측정장치A5는 제품 웨이퍼의 전기적 특성을 측정한다(스텝301). 다음에, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 측정된 전기적 측정의 데이터를 전기적 특성 데이터 베이스 C5에 수납한다. 또 동 컴퓨터 E1은 후술하는바와 같이 불량 해석 데이터 베이스 D3에 데이터를 수납한다(스텝302). 다음에, 데이터 해석부D1은 불량 해석 데이터 베이스 D3와 스텝301에서 측정된 전기적 특성의 데이터를 대조한다(스텝303). 그리고, 출력부D2는 대조한 결과를 표시한다(스텝304). 데이터 해석부D1은 스텝301에서 측정된 데이터가 규격외품 인가 아닌가를 판단한다(스텝305). 오퍼레이터는 데이터가 규격외품이면, 장치 또는 제품 웨이퍼 또는 쌍방을 점검하고 개선하고(스텝306), 그렇지 않으면, 제품 측정장치A6에 의한 스텝400의 처리로 옮긴다.

도 7은 도 3에 나타내는 스텝400의 처리를 상세히 설명하는 플로우 차트이다. 이하에 설명하는 스텝400의 처리는 제품 측정장치A6∼A8 각각에 대하여 적합하다. 우선, 제품 측정장치는 제품이 출력하는 데이터를 측정한다(스텝401). 다음에, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 측정된 데이터를 전기적 특성 데이터 베이스에 수납한다. 또, 동 컴퓨터 E1은 후술하는 바와 같이 불량 해석 데이터 베이스 D3에 데이터를 수납한다(스텝402). 다음에, 데이터 해석부D1은 불량 해석 데이터 베이스 D3와 스텝401에서 측정된 데이터를 대조한다(스텝403). 그리고, 출력부D2는 대조한 결과를 표시한다(스텝404). 데이터 해석부D1은 스텝401에서 측정된 데이터가 규격외품 인가 아닌가를 판단한다(스텝405). 오퍼레이터는 데이터가 규격외품이면, 장치 또는 제품 웨이퍼또는 쌍방을 점검하고 개선하며(스텝406), 그렇지 않으면, 다음 제품 측정장치에 의한 스텝400의 처리로 옮긴다.

도 8은 데이터 베이스 C1∼C4 각각에 포함되는 이 물질 검사 데이터 베이스가 예를 표시하는 데이터 구조 도면이다. 이물질 검사 데이터 베이스에는 동 도면에 나타내는 항목이 있다. "처리 일시"의 항목에는 제품 웨이퍼가 처리된 연월일 및 시간이 들어 간다. "장치번호"의 항목에는 장치에 첨부된 고유의 기호가 들어 간다. "레서피(recipe)번호"의 항목에는 장치의 특징과 설정되는 파라메타등을 나타내는 기호가 들어가, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1 내의 기억장치(도시하지않음)에는 레서피 번호에 대응하는 장치의 특징등이 기억되어 있다. "로트(lot)번호"의 항목에는 인곳(ingot)의 로트가 들어가, 로트번호로 부터 제품 웨이퍼가 어느 인곳으로 부터 생성된 것 인가를일 판단할 수 있다. "웨이퍼 번호"의 항목에는 제품 웨이퍼에 첨부된 고유의 기호가 들어간다. "처리 결과 번호"의 항목에는 정상으로 장치가 동작했는 가를 나타내는 기호가 들어가, 예를 들면 "처리 결과 번호"의 항목이 "1"이면 장치가 정상으로 동작한 것을 표시하며, "2"이면 장치가 오동작한 것을 나타낸다. "판정"의 항목에는 이물질의 개수가 규격외품 인가 아닌가를 나타내는 기호가 들어가, 예를 들면 "판정"의 항목이 "불"이면 규격외품를 표시하며, "양"이면 규격내임을 나타낸다. "분포 데이터 번호"의 항목에는 이물질의 분포의 상황 데이터를 나타내는 기호가 들어가, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 El 내의 기억장치에는 분포 데이터 번호에 대응하는 데이터가 기억되어 있다. 또, 도시하는 데이터구조의 세로의 일렬로 이루어지는 데이터를 조건 결과 데이터라 칭한다.

도 9는 데이터 베이스 C1∼C4 각각에 포함되는 결함 검사 데이터 베이스가 예를 표시하는 데이터 구조 도면이다. 결함 검사 데이터 베이스에는 동 도면에 나타내는 항목이 있다. "판정"의 항목에는 결함의 개수가 규격외품 인가 아닌가를 나타내는 기호가 들어가, 예를 들면 "판정"의 항목이 "불"이면 규격외품를 표시하며, "양"이면 규격내를 나타낸다. "공정 번호"의 항목에는 예를 들면 알루미늄의 배선을 하는 공정 이든가 불순물을 도핑 하는 공정이든가의 공정의 내용을 나타내는 기호가 들어간다. "분포 데이터 번호"의 항목에는 이물질의 경우와 같이, 결함의 분포의 상황의 데이터를 나타내는 기호가 들어가, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1 내의 기억장치에는 분포 데이터 번호에 대응하는 데이터가 기억되어 있다. 기타의 항목은 도 8에 나타내는 항목과 마찬가지이다.

도 10은 데이터 베이스 C1∼C4 각각에 포함되는 치수 오차 데이터 베이스의 예를 표시하는 데이터 구조 도면이다. 치수 오차 데이터 베이스에는 동 도면에 나타내는 항목이 있다. "판정"의 항목에는 오차가 규격외품 인가 아닌가를 나타내는 기호가 들어가, 예를 들면 "판정"의 항목이 "불" 이면 규격외품를 표시하며, "양"이면 규격내를 나타낸다. 그 밖의 항목은 도 9에 나타내는 항목과 마찬가지이다.

도 11은 데이터 베이스 C1∼C4 각각에 포함되는 화상 데이터 베이스의 예를 표시하는 데이터 구조도면이다. 화상 데이터 기초에는 동 도면에 나타내는 항목이 있다. "판정"의 항목에는 예를 들면 화상 내에 규격외품의 것이 찍혀 있느냐 아니냐를 나타내는 기호가 들어가, 예를 들면 "판정"의 항목이 "불"이면 규격외품의 것이 있고, "양"이면 규격내의 것이 있는 것을 나타낸다. "화상 파일명"의 항목에는 화상 검출장치가 검출한 제품 웨이퍼의 화상의 데이터의 파일명이 들어가고, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1 내의 기억장치에는 그 파일이 기억되어 있다. 또, 파일명에는 디렉토리(directory)도 포함한다. 그 밖의 항목은 도 9에 나타내는 항목과 마찬가지이다. 또, 하나의 제품 웨이퍼로부터 검출한 파일이 복수 있는 경우는, 각각 에 대응하는 조건 결과 데이터가 설치된다.

도 12는 전기적 특성 데이터 베이스 C5의 예를 표시하는 데이터 구조 도면이다. 전기적 특성 데이터 베이스에는 동 도면에 나타내는 항목이 있다. "판정"의 항목에는 전기적 특성 측정장치A5가 측정한 전기적 특성이 규격외품 인가 아닌가를 나타내는 기호가 들어가, 예를 들면 "판정"의 항목이 "불"이면 규격외품를 표시하며, "양"이면 규격내를 나타낸다. "측정결과"의 항목에는 전기적 특성의 데이터를 나타내는 기호가 들어가, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1 내의 기억장치에는 그 기호에 대응하는 데이터가 기억되어 있다. 그 밖의 항목은 도 9에 나타내는 항목과 마찬가지이다. 또, 하나의 제품 웨이퍼로부터 측정한 전기적 특성의 데이터의 종류(서머리)가 복수 있는 경우는 각각에 대응하는 조건 결과 데이터가 설치된다. 또, 그 항목에는 조건 결과 데이터의 "서머리"의 항목, 데이터의 "카테고리"의 항목, 1개의 전기적 특성이 복수의 데이터로 이루어지는 경우는 그 "평균값"의 항목, "분산치"의 항목, "최대치"의 항목, "최소치"의 항목, "유효 데이터수"의 항목을 부가한다.

도 13은 제품 특성 데이터 베이스 C6∼C8의 예를 표시하는 데이터 구조 도면이다. 제품 특성 데이터 베이스에는 동 도면에 나타내는 항목이 있다. "판정"의 항목에는 제품 특성 측정장치가 측정한 특성이 규격외품 인가 아닌가를 나타내는 기호가 들어가, 예를 들면 "판정"의 항목이 "불"이면 규격외품를 표시하며, "양"이면 규격내를 나타낸다. "측정 결과"의 항목에는 특성의 데이터를 나타내는 기호가 들어가, 데이터 베이스 감시 컴퓨터E1 내의 기억장치에는 그 기호에 대응하는 데이터가 기억되어 있다. 그 밖의 항목은 도 9에 나타내는 항목과 마찬가지이다. 또, 특성의 데이터의 종류(서머리)가 복수 있는 경우는 각각에 대응하는 조건 결과 데이터가 설정된다. 특성의 종류에는 트랜지스터의 한계치, 내압, 배선 저항, 콘택 저항, 리이크 전류 등이 있다. 또, 그 항목에는 조건 결과 데이터의 "서머리"의 항목, 데이터의 "카테고리"의 항목, 특성이 비트의 값인 경우, 그 비트의 값의 "소계"의 항목을 부가한다. 또, 제조라인 l0으로부터 제품이 나오기 직전에 한개의 제품 웨이퍼로부터 취한 양품(정상으로 동작하는 제품)의 "수율"의 항목을 제품 특성 데이터 베이스에 설치한다.

이상과 같이, 각 데이터베이스 C1∼C8에 수납되어 있는 조건 결과 데이터는 공통의 항목을 가진다. 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 데이터 베이스 C1∼C8 중에서 소정의 항목의 내용이 동일한 조건 결과 데이터를 검색하여, 검색한 조건 결과 데이터의 항목의 내용을 분석 결과로서 관련을 짓게 한다. 그리고, 동 컴퓨터 E1은 상술한 검색에 사용한 내용이 동일한 항목과 "분석 결과"의 항목을 가지는 조건 결과 데이터를 불량 해석 데이터 베이스 D3에 수납한다. 도 14는 불량 해석 데이터 베이스 D3이 예를 표시하는 데이터 구조 도면이다. 동 도면에는 상술한 검색에 사용한 내용이 동일한 항목과 분석결과의 항목이 기록되어 있다. "분석 항목"의 항목에는 분석 결과를 나타내는 기호가 들어가, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1 내의 기억장치에 그 기호에 대응하는 분석 결과가 기억되어 있다. 또, 도시하는 항목 이외에, 분석 결과의 종류(서머리)를 나타내는 "서머리"의 항목, 분석결과의 "카테고리"의 항목을 부가 해도 된다.

또, 단말F1과 공장G1과는 LAN을 통해 접속되어 있고, 불량 해석 데이터 베이스 D3의 내용을 제품 웨이퍼의 제조 공장G1에 송신한다. 예를 들면, 규격외품의 원인이 제품 웨이퍼에 있는 경우, 제조 공장G1에 불량 해석 데이터 베이스 D3의 내용을 송신하여, 제품 웨이퍼를 개선 시킬 수 있기도 하고, 제조 공장G1에 규격외품의 원인의 교육을 겸하여, 규격외품의 원인을 인식시킨다. 또, 이 송신은 예를 들면 스텝104,204,303,403에서 행한다. LAN은 예를 들면 인터넷, 인트라 네트이고, 상술한 불량 해석 데이터 베이스 D3의 내용(예를 들면, 로트 번호, 공정번호, 레서피(recipe)번호에 포함되는 파라메타 등)을 오퍼레이터가 작성하는 프로그램(예를 들면htm1)에 따라서, 브라우저상으로 발신한다(멀티플랫폼을 이용한다). 이에 따라, 종래 많은 시간을 소비하고 있는 발신을 위한 작업이 거의 없어진다. 또, LAN이 설치되어 있으면, 거의 타임 러그 없이 데이터를 발신할 수 있다.

분석 결과의 구체 예를 설명한다. 도 5에 나타내는 스텝207은 상술한바와 같이, 규격외품이 생길 경우, 장치 또는 제품 웨이퍼 또는 쌍방을 점검하여 개선하지만, 장치 또는 제품 웨이퍼의 어느 쪽에 규격외품의 원인이 있는 것 인가 판단할 필요가 있다. 그래서, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1은 결함 검사 데이터 베이스에 수납되어 있는 조건 결과 데이터 중 "장치번호"의 항목의 내용이 동일한 조건 결과 데이터를 검색하여, 검색한 조건 결과 데이터의 "처리 일시"의 항목의 내용과 "분포 데이터 번호"의 항목의 내용(여기서는 도 15의 에어리어 A∼D의 결함의 총수)과를 관련시킨 추세를 분석 결과로 한다. 도 17은 처리 일시와 결함의 총수와의 추세 그래프이다. 현재 일시가 t7이고, 규격외품이 생기고 있는 것으로 한다. 규격외품의 원인은 이 그래프에서 장치에 있다고 판단할 수 있다 라고 하는 것은 일시t6∼t7의추세가 일시 t0∼t1과 일시t2∼t3의 추세와 닮는 것 및 일시 t1, t3에서 결함 검사 데이터 베이스의 "이벤트"의 항목에는 장치를 클리닝한 취지가 기록되어 있기 때문이다. 또, 일시 t5의 규격외품의 원인은 제품 웨이퍼이다 라고 하는 것은, 일시 t5의, "이벤트"의 항목에는 제품 웨이퍼를 교환한 취지가 기록되어 있기 때문이다. 금후, 일시 t4∼t5와같이 일시 t0∼t1과 다른 추세가 생기는 경우는 규격외품의 원인이 제품 웨이퍼인 것을 예측할 수 있다.

또, 결함의 발생은 이물질 검사와 밀접한 관계가 있기 때문에, 데이터 해석장치D0는 오퍼레이터가 요구하면, 대응하는 이물질의 분포의 상황을 출력부D2에 표시한다. 즉, 이물질 검사 데이터 베이스에 수납되어 있는 조건 결과 데이터중 일시t7에서의 처리에서의 "장치번호"와 "웨이퍼번호"가 동일한 조건 결과 데이터의 "분포 데이터 번호"의 항목의 내용(도 16)을 표시한다.

스텝 107,306,406도, 스텝 207과같이 데이터 베이스 C1∼C8 중, 같은 조건을 가지는 과거의 조건 결과 데이터를 검색하여 검색된 조건 결과 데이터로부터 규격외품의 원인이 어디 인가를 판단할 수 있다.

이와 같이, 각 데이터 베이스 C1∼C8에 수납되어 있는 조건 결과 데이터는 공통의 항목을 가지기 때문에, 현재의 조건과 같은 조건을 가지는 과거의 조건 결과 데이터를 검색할 수 있고, 검색된 조건 결과 데이터로부터 제조라인10 내의 장치, 제품 웨이퍼, 제품의 이상을 판단할 수 있다.

또, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1이 데이터 베이스 C1∼C8 각각 새로운 데이터가 추가 되자 마자 분석결과를 생성함으로써 다음과 같은 이점이 있다. 즉, 분석 결과를 불량 해석 데이터 베이스 D3에 수납함으로서, 그 새로운 데이터를 고려하여, 규격외품이 발생한 원인을 판단할 수 있고, 규격외품이 발생 하면, 즉시에, 규격외품이 발생한 원인을 판단할 수 있다.

또, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1이, 규격내외를 막론하고, 데이터 베이스 C1∼C8 각각에 새로운 데이터가 추가 되자 마자, 새로운 데이터에 대응하는 제품 웨이퍼와 같은 로트 번호의 과거의 제품 웨이퍼의 조건 결과 데이터를 검색하여, 과거의 제품 웨이퍼로부터 얻을수 있는 결과(전기적 특성, 수율등)을 오퍼레이터나 제조 공장G1에 알린다.

또, 오퍼레이터가 요구하면, 치수 오차 데이터 베이스와 화상 데이터 베이스로 수납되는 조건 결과 데이터중 일시t7에서의 처리에서의 "장치번호"와 "웨이퍼 번호"가 동일한 조건 결과 데이터를 검색하고 표시하여, 이 표시를 결함에 관해서의 규격외품의 원인의 판단에 사용할 수있다. 이와 같이 관련한 조건 결과 데이터를 검색 함으로서, 자세하게 원인을 해석할 수 있다.

또, 현재 처리하고 있는 제품 웨이퍼가 최종적으로 어느 정도의 수율이 되는 가를 예측할 수도 있다. 즉, 현재 처리하고 있는 제품 웨이퍼의 조건(예를 들면 "로트 번호"와 처리된 "장치번호"등의 조건)과 동일한 조건 결과 데이터를 검색하여, 현재 처리하고 있는 제품 웨이퍼와 같은 조건으로 처리된 과거의 제품 웨이퍼의 수율을 검출함으로서, 현재의 처리하고 있는 제품 웨이퍼가 최종적인 효율을 예측할 수 있다. 높은 수율을 바랄 수 없는 경우는 로트가 다른 제품 웨이퍼로 전환, "이벤트"의 항목에 이 취지를 기록한다. 또, 예측하는 것은 수율외에 카테고리, 전기적 특성, 비트 단위의 불량등도 마찬가지로 예측할 수 있다.

또, 스텝 102에서의 이물질의 분포의 상황을 데이터에서, 이 데이터에 유사한 과거의 조건 결과 데이터를 검색하므로, 제품 웨이퍼의 처리을 할것 인가 아니할것 인가의 판단을 할 수 있기도 하고, 제품 웨이퍼상의 이물질과 결함이 규격 내에도 관계 없이 동작 마진이 작은 칩이 나오느냐 아니야의 예측을 할 수 있기도 하고, 미연에 낮은 수율이 생기는 것을 막을 수 도 있다.

(변형예)

도 15에 도시한 바와 같이 직선으로 웨이퍼10a를 에어리어 A∼D의 4개에 분할한 예를 표시하였지만, 4개 이외로 분할 해도 좋고, 동심원으로 분할하거나, 직선 및 동심원을 조합하여 분할 해도 된다. G1은 제품 웨이퍼의 제조 공장 외에, 연구소와 그 밖의 제조라인10에 관계가 있는 것이면 된다. 이물질 검사장치와 결함 검사장치는 같은 하드 웨어라도 된다. 도 1에는 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1이 데이터 베이스 C1∼C8 및 D3을 포함하는 경우를 표시했지만, 데이터 베이스 C1∼C8를 각각 포함하는 데이터 관리장치와 불량 해석 데이터 베이스 D3를 포함하는 데이터 관리장치와의 사이에서 데이터의 송수신이 할 수 있는 구성만이라도 좋다. 또, 도 1에는 제조장치B1∼B4가 생성한 데이터를 각각 데이터 베이스 C1∼C4에 수납하는 경우를 나타내었지만, 제조장치A1∼A4가 생성하는 데이터를 각각 데이터 베이스 C1∼C4에 받아들여도 된다. 또, 데이터 베이스의 데이터의 최소 단위는 로트, 웨이퍼, 칩, 비트의 어떤 단위라도 된다. 바람직 하게는 데이터 베이스 C1∼C8 및 D3 중에서 최소의 단위의 데이터에 맞게 한다.

또, 도 20은 본 발명의 실시의 형태에서의 제조라인 해석장치의 다른 예를 표시하는 블록도이다. 도 20중의 부호는 도 1중 및 도 2의 부호에 대응하고 있다. 도 1의 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1에는 이물질 검사 데이터 베이스, 결함 검사 데이터 베이스, 치수 오차 데이터 베이스, 화상 데이터 베이스를 각각 4개 포함한다. 한편, 도 20에 도시한 바와 같이, 데이터 베이스 감시 컴퓨터 E1에는 이물질 검사 데이터베이스 C31, 결함 검사 데이터 베이스 C32, 치수 오차 데이터 베이스 C33, 화상 데이터 베이스 C34를 각각 한 개씩 포함하고, 검사장치A1∼A4에 각각 포함되는 이물질 검사장치, 결함 검사장치, 화상 검출장치가 검출한 데이터가 각각 데이터 베이스 C31∼C34에 수납되는 구성만으로도 된다.

본 발명 청구항1에 의하면 데이터 베이스에 수납되어 있는 조건 결과 데이터중, 웨이퍼의 처리와 같은 조건을 가지는 조건 결과 데이터를 검색함으로서, 제조라인에 포함되는 장치또는 처리 대상물을 해석하는 것이 용이하게 되어, 신속히 장치와 처리 대상물을 개선할 수 있다.

본 발명 청구항2에 의하면, 데이터 베이스에 수납되어 있는 조건 결과 데이터중, 웨이퍼의 처리와 같은 조건을 가지는 조건 결과 데이터를 검색부가 검색함으로서, 제조라인에 포함되는 장치또는 처리대상물을 해석하는 것이 용이하게 되어, 신속히 장치와 처리 대상물을 개선할 수 있다.

Claims (2)

1. 제조라인에 포함되는 처리장치에 의해 처리 대상물의 처리가 행하여질 때에 그 처리 결과의 데이터와 그 처리의 조건의 데이터를 포함하는 조건 결과 데이터를 데이터 베이스에 수납하는 제 1의 스텝과,

   상기 제 1의 스텝이 반복해서 행하여지므로 상기 데이터 베이스에 상기 조건 결과 데이터가 축적 되여, 상기 제조라인에 포함되는 처리장치에 의해 처리 대상물의 처리가 행하여질 때에, 그 처리와 같은 조건을 가지는 조건 결과 데이터를 상기 데이터 베이스에 수납되어 있는 조건 결과 데이터로부터 검색하는 제 2의 스텝과,

   상기 제 2의 스텝으로 검색된 조건 결과 데이터에 따라서 상기 제조라인에 포함되는 처리장치 또는 처리 대상물을 해석하는 제 3의 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 제조라인 해석방법.
2. 제조라인에 포함되는 처리장치에 의해 처리 대상물의 처리가 행하여질 때에 그 처리의 결과 데이터와 그 처리의 조건의 데이터를 포함하는 조건 결과 데이터를 수납하기 위한 데이터 베이스와,

   상기 제조라인에 포함되는 처리장치에 의해 처리 대상물의 처리가 행하여질 때에, 그 처리와 같은 조건을 가지는 조건 결과 데이터를 상기 데이터 베이스에 수납되어 있는 조건 결과 데이터로부터 검색하는 검색부와,

   상기 검색 수단에 의해 검색된 조건 결과 데이터에 따라서 상기 제조라인에 포함되는 처리장치 또는 처리 대상물을 해석하는 해석부를 구비한 것을 특징으로 하는 제조라인 해석장치.

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