JP5256031B2 - ヒドロキシルアンモニウムの連続生成法 - Google Patents

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Description

発明の詳細な説明
本発明は、触媒の存在下で、硝酸イオンまたは窒素酸化物を水素で還元することによって、ヒドロキシルアンモニウム合成領域においてヒドロキシルアンモニウムを連続生成するための方法に関する。本発明は、さらに、酸緩衝無機処理液が、ヒドロキシルアンモニウム合成領域からシクロヘキサノンオキシム合成領域に、さらに、ヒドロキシルアンモニウム合成領域に戻るまで連続的に循環され、ヒドロキシルアンモニウム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムが、触媒の存在下で、硝酸イオンまたは窒素酸化物を水素で還元することによって形成され、シクロヘキサノンオキシム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムが、シクロヘキサノンと反応されて、シクロヘキサノンオキシムが形成される、シクロヘキサノンオキシムの連続生成法に関する。さらに、本発明は、酸緩衝無機処理液が、ヒドロキシルアンモニウム合成領域からシクロヘキサノンオキシム合成領域に、さらに、ヒドロキシルアンモニウム合成領域に戻るまで連続的に循環され得るように、ヒドロキシルアンモニウム合成領域に接続されたシクロヘキサノンオキシム合成領域においてシクロヘキサノンオキシムを連続生成するための装置に関する。
無機処理液は、例えば、リン酸および/または硫酸水素塩およびこれらの酸から誘導される緩衝塩によって酸緩衝される。ヒドロキシルアンモニウム合成領域において、硝酸イオンまたは窒素酸化物は、水素によってヒドロキシルアミンに転化される。ヒドロキシルアミンは、遊離緩衝酸と反応して対応するヒドロキシルアンモニウムを形成し、次いで単離されるかまたは塩として、例えばシクロヘキサノンオキシム合成領域に搬送される。シクロヘキサノンオキシム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウム塩はケトンと反応して、酸の放出によって、対応するオキシムを形成する。オキシムを無機処理液から分離した後、無機処理液をヒドロキシルアンモニウム合成領域に戻すことができ、それによって新しい硝酸イオンまたは窒素酸化物が無機処理液に供給される。ヒドロキシルアンモニウム合成がリン酸およびニトレートの溶液から出発する場合、プロセス中に生じる正味の化学反応を、以下の式によって表すことができる。
1)ヒドロキシルアンモニウムの製造:
2HPO+NO +3H→NHOH+2HPO +2H
2)オキシムの製造
Figure 0005256031

3)形成されたオキシムを除去した後の硝酸イオン源の消耗を埋め合わせるためのHNOの供給
PO +HNO→HPO+NO
式1にしたがったヒドロキシルアンモニウムの製造は、不均一に触媒される。この製造に用いられる触媒は主に、炭素などの担体物質上の活性成分としての白金族(例えばPdまたはPd+Pt)の金属からなる。炭素上に担持されたPd+Pt触媒では、硝酸イオンまたは窒素酸化物とヒドロキシルアンモニウム塩との反応に関する高活性および適度な選択性が実現されることが知られている。炭素上に担持されたPd触媒によって、ヒドロキシルアンモニウム塩の合成に関するより高い選択性が実現される。しかし、同等の条件下では、この触媒で得られる活性はより低いため、大抵の場合、炭素上に担持されたPd+Pt触媒が好ましい。しかし、使用することによりかかる触媒は失活して選択性を失い、所定の期間使用した後、触媒の追加および/または交換が必要となる。
かかる触媒の耐用寿命を延ばすための方法は、CN−1391981号明細書に開示されている。CN−1391981号明細書の方法では、触媒の総量の選択性および活性の低下が、元の触媒の総量の選択性および活性の低下の1.7〜1.8倍に達したときに、触媒の総量を増加しないように保ちながら、3〜15%の失活した触媒が除去されるとともに3〜15%の活性化された触媒が加えられる。かかる方法は、所定の時期に長期間にわたって許容可能な活性および選択性でプロセスを実施するのに有用であるが、全ての触媒を交換して、その後プロセス全体を中断する必要が依然としてある。プロセス全体を中断することの欠点は、プロセスを中断して再開することによる生成の深刻な減少である。
本発明の目的は、触媒の存在下で、硝酸イオンまたは窒素酸化物を水素で還元することによる、形成されるヒドロキシルアンモニウムの連続生成法における失活した触媒の改良された交換方法を提供することである。
この目的は、ヒドロキシルアンモニウムが、2つ以上の平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニット内のヒドロキシルアンモニウム合成領域で生成される方法を提供することによって達成される。
本発明による方法の利点は、失活した触媒の一部を活性および選択性の高い新しい触媒と交換しながら、ヒドロキシルアンモニウム生成プロセスを継続できることである。平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットのうちの1つ以上でヒドロキシルアンモニウム生成プロセスを継続しながら、平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットのうちの1つでこの交換を行う。かかる方法は、例えばCN−1391981号明細書に開示されているような方法(それによって、触媒の総量の選択性および活性の低下が、元の触媒の総量の選択性および活性の低下の1.7〜1.8倍に達したときに、触媒の総量を増加しないように保ちながら、3〜15%の失活した触媒が除去されるとともに3〜15%の活性化された触媒が加えられる)よりも以下に示すいくつかの理由のため有利である。本発明による方法では同じ使用年数の失活した触媒のみが除去される一方、3〜15%の失活した触媒が除去されるとともに3〜15%の活性化された触媒が加えられる方法では、最初の交換時にのみ同じ使用年数の失活した触媒が除去され、次からの全ての交換の際には異なる使用年数の触媒が除去される。したがって、本発明による方法では、触媒1グラム当たり生成されるヒドロキシルアンモニウムの量は、1つの反応器中で触媒が除去されかつ加えられる方法より少なくとも約10%多い。本発明による方法の別の利点は、ヒドロキシルアンモニウムの生成率が約10%増加することである。触媒の総量の一部を新しい触媒と交換する方法に勝る、本発明による方法のさらに別の利点は、ヒドロキシルアンモニウム生成プロセスの安定性である。本発明による方法では、触媒は一方の生成ユニット中で交換され、それによって、他方の生成ユニット中のヒドロキシルアンモニウム生成プロセスが継続される一方、触媒の総量の一部を新しい触媒と交換する1つの生成ユニットにおける方法では、一旦、プロセスを完全に中断しなければならず、後に安定した生成プロセスを再開するのに一定の時間が必要となる。
さらに、本発明による方法は、ヒドロキシルアンモニウムを連続生成するための自由度の高い方法に好適である。平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットのうちの1つを停止させることを利用して、ヒドロキシルアンモニウム合成領域におけるヒドロキシルアンモニウムの生成を中断せずに、当該ユニットを清掃したりまたは他の必要な操作を行ったりすることもできる。また、原料が不足している場合または後続のプロセスにおけるヒドロキシルアンモニウムの消費が減少した場合に、平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットのうちの1つにおけるヒドロキシルアンモニウムの生成を中断することもできる。生成ユニットを取り除くことによって生産能力を低下させることに加えて、さらなる生成ユニットを追加することによって生産能力を向上させることも簡単であり、これは例えば後続のプロセスのネックを解消するのに好適であり得る。かかる後続のプロセスの一例は、シクロヘキサノンオキシムの生成である。シクロヘキサノンオキシムの連続生成法においては、本発明にしたがってヒドロキシルアンモニウムを連続的に生成する方法には、ヒドロキシルアンモニウム合成領域とシクロヘキサノンオキシム合成領域との間にヒドロキシルアンモニウムのバッファストックを付加する必要性が低減されるかまたはなくなりさえするというさらなる利点があるが、その理由は、ヒドロキシルアンモニウムの連続生成を中断せずに、平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットのうちの1つを中断できるためである。したがって、本発明はまた、シクロヘキサノンオキシムの連続生成法に関し、この方法では、無機処理液が、ヒドロキシルアンモニウム合成領域からシクロヘキサノンオキシム合成領域に、さらにヒドロキシルアンモニウム合成領域に戻るまで連続的に循環され、ヒドロキシルアンモニウム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムが、触媒の存在下で、硝酸イオンまたは窒素酸化物を水素で還元することによって形成され、ヒドロキシルアンモニウム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムがシクロヘキサノンと反応されて、シクロヘキサノンオキシムが形成される。さらに、本発明は、シクロヘキサノンオキシムの連続生成法の生産能力を低下または向上させるための方法に関し、この方法では、無機処理液が、ヒドロキシルアンモニウム合成領域からシクロヘキサノンオキシム合成領域に、さらにヒドロキシルアンモニウム合成領域に戻るまで連続的に循環され、ヒドロキシルアンモニウム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムが、触媒の存在下で、硝酸イオンまたは窒素酸化物を水素で還元することによって形成され、ヒドロキシルアンモニウム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムがシクロヘキサノンと反応されて、シクロヘキサノンオキシムが形成される。
本発明はさらにまた、シクロヘキサノンオキシム合成領域においてシクロヘキサノンオキシムを連続生成するための装置に関し、このシクロヘキサノンオキシム合成領域は、2つ以上の平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットを含むヒドロキシルアンモニウム合成領域につながっており、無機処理液が、ヒドロキシルアンモニウム合成領域からシクロヘキサノンオキシム合成領域に、さらにヒドロキシルアンモニウム合成領域に戻るまで連続的に循環できるようになっている。かかる装置を図1に概略的に示している。図1に示される装置は、3つの平行に配置された生成ユニットを含んでいるが、装置は、2つ、4つ、5つ、6つまたはさらに多くの平行に配置された生成ユニットを含んでいてもよい。
各々の平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットにおいて、ヒドロキシルアンモニウムが、触媒の存在下で、無機処理液中で、硝酸イオンまたは窒素酸化物を水素で還元することによって生成される。好適な方法は、例えば、EP−A−1404613号明細書およびその中に引用される参照文献に開示されている。一般に、平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットにおいて用いられる触媒は、担体上に担持された貴金属、好ましくは担体上に担持された白金、パラジウム、またはパラジウムと白金との組合せを含む。好ましくは、担体は炭素担体またはアルミナ担体を含み、より好ましくは炭素を含む。平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットにおいて用いられる触媒は、担体および触媒の総重量に対して、好ましくは1〜25重量%、より好ましくは5〜15重量%の貴金属を含む。一般に、触媒は活性剤をさらに含む。活性剤は、Cu、Ag、Au、Cd、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb、As、SbおよびBiからなる群から選択されるのが好ましく、最も好ましくはGeである。一般に、活性剤は、触媒1g当たり0.01〜100mg、好ましくは触媒1g当たり0.05〜50mg、より好ましくは触媒1g当たり0.1〜10mg、最も好ましくは触媒1g当たり1〜7mgの量で存在する。
一般に、触媒は、ヒドロキシルアンモニウム生成ユニット内の無機処理液の総重量に対して、0.05〜25重量%の量、好ましくは0.5〜15重量%の量、より好ましくは0.2〜5重量%の量でヒドロキシルアンモニウム生成ユニット内に存在する。一般に、本発明による方法では、触媒の総量をほぼ一定に保ちながら、触媒の一定量を交換する。しかし、本発明による方法は、触媒の総量を増減なく保持することに限定されない。所定量の触媒の除去後に触媒の総量を増加させるように触媒を加えたり、またはより少ない触媒を加えたりすることが十分可能である。触媒の総量を増減させることを利用して、ヒドロキシルアンモニウムの生成率をさらに増減させることができる。
一般に、無機処理液は、水性の反応媒体および気相を含む酸性の緩衝化された無機処理液である。通常、水性の反応媒体は酸性であり、pHは、好ましくは0.5〜6、より好ましくは1〜4である。水性の反応媒体は緩衝化されていることが好ましい。水性の反応媒体は、硫酸またはリン酸を含有するのが好ましく、より好ましくはリン酸を含有する。水性の反応媒体におけるホスフェート濃度は、2.0モル/lより高く8.0モル/l未満である。より好ましくは2.5モル/lより高く5モル/l未満、最も好ましくは3.5モル/lより高く4.5モル/l未満である。
ニトレート(NO )または酸化窒素は、例えば、20〜100℃、好ましくは30〜90℃、より好ましくは40〜65℃の範囲の温度といった任意の好適な温度で還元され得る。形成されるヒドロキシルアンモニウムを含有する水性生成物流は、水性生成物流媒体から回収されるのが好ましく、水性生成物流中のヒドロキシルアンモニウムの濃度は、好ましくは0.15〜3.0モル/l、より好ましくは0.5〜2.5モル/l、最も好ましくは0.8〜2.0モル/lの範囲にある。
ヒドロキシルアンモニウム生成ユニットを出る無機処理液はろ過され、それによって、分離されている触媒がヒドロキシルアンモニウム生成ユニットに戻される。ろ過は、任意の公知のろ過方法によって、例えばEP577213号明細書に記載のようなクロスフローろ過法またはEP1257500号明細書に記載のような脱水ろ過法を用いることによって行うことができる。
通常、気相は一般に水素および非水素化合物を含有し、その組成は、反応混合物へのおよび反応混合物からの水素および非水素化合物の相対流量および還元が行われる速度に応じて決まる。気相の相対体積は広範囲に変化してもよい。気相の体積百分率は、(水性の反応媒体の体積および気相の体積および触媒の体積に対して)15〜50体積%であることが好ましい。ガス混合物中の全気体化合物の総モル量に対するガス混合物中の水素のモル分率(すなわち、ガス混合物中のHのモル量を、ガス混合物中の全気体化合物の合計モル量で割った値)は、特定の値に限定されない。水素のモル分率が、例えば、0.35より高く、好ましくは0.4より高く、より好ましくは0.5より高く、最も好ましくは0.6より高いガス混合物が回収され得る。ガス混合物中の水素のモル分率を上げることには、(一定の全圧に対して)反応混合物における水素の分圧がより高いレベルにされるという利点がある。ガス混合物中の水素のモル分率には特定の上限はない。実用的な理由から、ガス混合物中の水素のモル分率は、通常0.95未満、特に0.9未満である。
一般に、ヒドロキシルアンモニウム合成領域は、大気圧、準大気圧または高圧、好ましくは0.1〜5MPa、より好ましくは0.3〜3MPa、特に0.5〜2MPa(水素分圧)で運転してもよい。反応混合物における水素分圧が高いと、活性および/または選択性が高められるという利点がある。本明細書において用いる際に、反応混合物における水素分圧とは、ガス混合物中の水素のモル分率に、反応混合物の全圧を掛けた値を指す。反応混合物における全圧は、1.5MPaより高いのが好ましく、より好ましくは2.0MPaより高く、最も好ましくは2.5MPaより高い。反応混合物における全圧は、好ましくは4.0MPa未満、より好ましくは3.5MPa未満である。
ヒドロキシルアンモニウム生成ユニットから回収されるガス混合物は、気体状水素(H)および気体状非水素化合物を含む。本明細書において用いる際に、水素とはHを指し、気体状非水素化合物とはH以外の気体化合物を指す。気体状非水素化合物は、例えば、CH、HO、NO、NO、N、および/またはNOを含み得る。気体状非水素化合物は、例えば、還元の副生成物(例えば、HO、NO、NO、N、および/またはNO)および/または気体状水素とともに反応領域に供給され得る化合物(例えば、CH、および/またはN)を含み得る。
ガス混合物中の非水素化合物のモル分率は、広範囲に変化してもよい。ガス混合物中のNのモル分率は、例えば、0.02〜0.65、好ましくは0.05〜0.5であり得る。ガス混合物中にCHが存在する場合、ガス混合物中のCHのモル分率は、例えば、0〜0.65、好ましくは0〜0.5であり得る。ガス混合物中のNOのモル分率は、例えば、0.001〜0.08、好ましくは0.05未満、より好ましくは0.03未満であり得る。モル分率は、ガス混合物中の全気体化合物の合計モル量に対して示される。
生成ユニットは、任意の好適な反応器、例えば、メカニカルスターラーを備えた反応器またはカラム、最も好ましくは気泡塔であってもよい。好適な気泡塔の一例は、NL−A−6908934号明細書に記載されている。
好ましい実施形態においては、ヒドロキシルアンモニウムを含む無機処理液は、シクロヘキサノンオキシム合成領域に供給される。かかるシクロヘキサノンオキシム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムが有機溶媒の存在下でシクロヘキサノンと反応されて、シクロヘキサノンオキシムが形成される。通常、無機処理液およびシクロヘキサノンは、シクロヘキサノンオキシム合成領域に供給され、無機処理液およびシクロヘキサノンオキシムは、シクロヘキサノンオキシム合成領域から回収され、それによって、無機処理液はヒドロキシルアンモニウム合成領域に循環される。
シクロヘキサノンオキシムを連続生成するための好適な方法は、例えば、EP1303480号明細書、米国特許第3997607号明細書またはGB1138750号明細書に記載されている。シクロヘキサノンオキシム合成領域は、40〜150℃の範囲の温度、および大気圧、準大気圧、または高圧、好ましくは0.05〜0.5MPa、より好ましくは0.1〜0.2MPa、最も好ましくは0.1〜0.15MPaで運転されてもよい。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成領域に入る水性の反応媒体は、1〜6、より好ましくは1.5〜4のpHを有する。
シクロヘキサノンオキシム合成領域を出る無機処理液は、有機汚染物質、特にシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノンオキシムの量を低減するために、ヒドロキシルアンモニウム合成領域に再度入る前に1つ以上の分離工程にかけられるのが好ましい。シクロヘキサノンオキシム合成領域を出るかまたは抽出領域を出る無機処理液は、有機汚染物質をさらに低減するためにストリッピングにかけられるが好ましい。米国特許第3940442号明細書に記載されるストリッピング法が、例えば用いられてもよい。ヒドロキシルアンモニウム合成領域に入る無機処理液中のシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノンオキシムの合わせた含量は、(無機処理液の重量に対して)0.02重量%(200ppm)以下、より好ましくは0.005重量%以下、特に0.002重量%以下、より具体的には0.001重量%以下および最も好ましくは0.0002重量%以下であることが好ましい。
[発明を実施するための最良の形態]
図1を参照すると、Aがヒドロキシルアンモニウム合成領域を示し、Bがシクロヘキサノンオキシム合成領域を示している。ヒドロキシルアンモニウム合成領域Aは、3つの平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットA、AおよびAを備えている。領域Aでは、水素が、ライン1、1および1を介してそれぞれ生成ユニットA、AおよびAに供給され、処理されていない水素は、あらゆる他の気体とともに、ライン2、2および2を介して生成ユニットA、AおよびAからそれぞれ放出される。リン酸イオンおよび硝酸イオンまたは窒素酸化物を含む無機処理液は、ライン12、12および12を通って領域A中の生成ユニットA、AおよびAにそれぞれ供給される。領域A中の生成ユニットA、AおよびAでは、ヒドロキシルアンモニウムが無機処理液中で生成される。その後、ヒドロキシルアンモニウムを含む無機処理液は、それぞれライン3、3および3を通って、ライン4内そしてさらに反応領域B内に送られる。反応領域Bでは、シクロヘキサノンオキシムを生成するために、ヒドロキシルアンモニウムがシクロヘキサノンと反応される。シクロヘキサノンは、有機溶媒中でライン5を介して反応領域Bに供給される。生成されて有機溶媒に溶解されるシクロヘキサノンオキシムの大部分は、ライン6を介して系から除去される。シクロヘキサノンオキシムおよび有機溶媒の残りの部分を除去するために、無機処理液はライン7を介して抽出領域Cに送られる。抽出領域C中で精製された無機処理液は、ライン8を介して領域Dに送られる。任意に、無機処理液は、回収塔を介して領域D内に送られる。かかる回収塔は図1に示されていない。領域Dでは、硝酸が生成される。好ましくは、硝酸は領域Dにおいて、またはその後、ライン9を通して送られる空気を、ライン10を通して送られるアンモニア、および水性の無機処理液からの水と反応させることによって生成される。硝酸を生成する代わりに硝酸を水性の無機処理液に直接供給することも可能である。したがって、領域Dにおいて無機媒体中でニトレートのレベルが高められる。次いで、無機処理液は、ライン11を介して(そこでライン12、12および12に分岐して)ヒドロキシルアンモニウム合成領域Aに戻ることによってサイクルを完了させる。
以下の特定の実施例は、本開示の残りの部分の、あくまで例示として解釈されるものであり、限定的に解釈されるものではない。
[実施例]
[比較実験A]
2lのガラス反応器を通して、触媒、すなわち、無機処理液1リットル当たり、72mgの酸化ゲルマニウムによって活性化された12gの10%の炭素上Pd触媒を含む無機処理液を連続的に循環させる。ガラス反応器は、スターラー(1500rpm)、バッフル、水素供給用の気体注入チューブ(150l/h)、液体供給部、凝縮器、ろ過装置を備えた気体排出口および液体排出口を備える。ガラス反応器の温度は40℃である。pH値が1.6の無機処理液は、2.1モル/kg HPO、1.4モル/kg NaNOおよび0.4モル/kg HNOを含む。
ヒドロキシルアンモニウム生成率を、反応器を出る無機処理液中のヒドロキシルアンモニウム濃度を4時間おきに滴定測定することによって測定した。初期のヒドロキシルアンモニウム生成率の40%に低下したときに、反応器の内容物の10重量%から分離された触媒を、新しい触媒、すなわち、7.2mgの酸化ゲルマニウムによって活性化された1.2gの10%の炭素上Pd触媒で交換した。ヒドロキシルアンモニウム生成率が初期レベルの40%まで低下するたびにこの触媒交換を繰り返した。
このようにして、ヒドロキシルアンモニウムの量を、19.8g/hから求めるか、または触媒の量にしたがって(すなわち1gの触媒当たり195gで)再計算した。
[比較実験B]
比較実験Aを繰り返し、それによって、反応器の内容物の10重量%の代わりに、30重量%を、新しい触媒(21.6mgの酸化ゲルマニウムによって活性化された3.6gの10%の炭素上Pd触媒)に交換した。ヒドロキシルアンモニウム生成率が初期レベルの40%まで低下するたびにこの触媒交換を繰り返した。
このようにして、ヒドロキシルアンモニウムの量を20.9g/hから求めるか、触媒の量にしたがって(すなわち触媒1g当たり188gで)再計算した。
[実施例I]
各々が、比較実験Aで循環された無機処理液の量の1/3を含み、したがって24mgの酸化ゲルマニウムによって活性化された4gの10%の炭素上Pd触媒を含む3つの1lのガラス反応器を通して、無機処理液が連続的に循環される。ガラス反応器は、スターラー(1500rpm)、バッフル、水素供給用の気体注入チューブ(150l/h)、液体供給部、凝縮器、ろ過装置を備えた気体排出口および液体排出口を備える。ガラス反応器の温度は40℃である。pH値が1.6の無機処理液は、2.1モル/kg HPO、1.4モル/kg NaNOおよび0.4モル/kg HNOを含む。
ヒドロキシルアンモニウム生成率を、比較実験Aで記載したように測定した。初期ヒドロキシルアンモニウム生成率の40%に低下したときに、1つのガラス反応器内で、触媒を分離しおよび新しい触媒、すなわち4gの10%の炭素上Pd触媒で交換した。初期のヒドロキシルアンモニウム生成率の40%に低下するたびに、および別の反応器でもそのたびに、この触媒交換を繰り返した。
このようにして、ヒドロキシルアンモニウムの量を20.9g/hから求めるか、または触媒の量にしたがって(すなわち、触媒1g当たり209gで)再計算した。比較実験Bと比較して、これは、触媒1g当たり9%多いヒドロキシルアンモニウムが生成されることを意味する。
[実施例II]
3つの1lのガラス反応器の代わりに、2つの1lのガラス反応器を使用したことのみの違いで、実施例Iを繰り返した。ガラス反応器の各々は、比較実験Aで循環された無機処理液の量の1/2を含み、したがって36mgの酸化ゲルマニウムによって活性化された6gの10%の炭素上Pd触媒を含む。
このようにして、ヒドロキシルアンモニウムの量を21.5g/hから求めるか、または触媒の量にしたがって(すなわち、触媒1g当たり197gで)再計算した。比較実験Aと比較して、これは、11%を超える生成率の増加を意味する。
本発明によるシクロヘキサノンオキシムの連続生成法の一実施形態の概略図である。

Claims (9)

  1. 触媒の存在下で、硝酸イオンまたは窒素酸化物を水素で還元することによる、ヒドロキシルアンモニウムの連続生成法であって、
    前記ヒドロキシルアンモニウムが、2つ以上の平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニット内で生成され
    前記ヒドロキシルアンモニウム生成ユニットのうちの、1つ以上の前記ヒドロキシルアンモニウム生成ユニットを停止するステップ1と、
    停止された前記ヒドロキシルアンモニウム生成ユニット内の前記触媒を交換するステップ2と、
    前記触媒が交換された前記ヒドロキシルアンモニウム生成ユニットを再稼働させるステップ3と、を備え、
    停止された前記ヒドロキシルアンモニウム生成ユニットとは別の少なくとも1つの前記ヒドロキシルアンモニウム生成ユニットを用いて、前記ヒドロキシルアンモニウムの生成を、前記ステップ1〜3の実施中に継続する、方法。
  2. ヒドロキシルアンモニウムが、リン酸緩衝無機処理液中で生成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記用いられる触媒が、担体上に担持された、白金、パラジウム、またはパラジウムと白金との組合せであることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記担体が炭素担体またはアルミナ担体であることを特徴とする請求項3に記載の方法。
  5. 前記用いられる触媒が、炭素上に担持されたパラジウムであり、それによって、前記触媒が、担体および触媒の総重量に対して、5〜15重量%のパラジウムおよび0.01〜1重量%のゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
  6. 2つまたは3つのヒドロキシルアンモニウム生成ユニットが平行に配置されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 無機処理液が、ヒドロキシルアンモニウム合成領域からシクロヘキサノンオキシム合成領域に、さらに、前記ヒドロキシルアンモニウム合成領域に戻るまで循環され、該ヒドロキシルアンモニウム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムが、触媒の存在下で、硝酸イオンまたは窒素酸化物を水素で還元することによって形成され、該シクロヘキサノンオキシム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムが、シクロヘキサノンと反応されて、シクロヘキサノンオキシムが形成される、シクロヘキサノンオキシムの生成方法であって、
    前記ヒドロキシルアンモニウム合成領域において、ヒドロキシルアンモニウムが、請求項1〜6のいずれか一項にしたがって生成されることを特徴とする方法。
  8. ヒドロキシルアンモニウム合成領域およびシクロヘキサノンオキシム合成領域を含む、請求項7に記載の方法にしたがってシクロヘキサノンオキシムを生成するための装置であって、
    前記ヒドロキシルアンモニウム合成領域が、2つ以上の平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットを含むことを特徴とする装置。
  9. 前記ヒドロキシルアンモニウム合成領域が、3つまたは4つの平行に配置されたヒドロキシルアンモニウム生成ユニットを含むことを特徴とする請求項8に記載の装置。
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