JP2604358Y2 - 窒素発生装置 - Google Patents
窒素発生装置Info
- Publication number
- JP2604358Y2 JP2604358Y2 JP1993018038U JP1803893U JP2604358Y2 JP 2604358 Y2 JP2604358 Y2 JP 2604358Y2 JP 1993018038 U JP1993018038 U JP 1993018038U JP 1803893 U JP1803893 U JP 1803893U JP 2604358 Y2 JP2604358 Y2 JP 2604358Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tsa
- tower
- nitrogen generator
- adsorption
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
- Drying Of Gases (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体産業及びその他
の産業で利用される、高純度窒素を発生する装置であり
オンサイトとして設置されるものに関する。
の産業で利用される、高純度窒素を発生する装置であり
オンサイトとして設置されるものに関する。
【０００２】
【従来技術及び従来技術の問題点】最近半導体産業の発
達は目覚ましく、導電線の距離がわずか１μという半導
体が製造できるようになった。半導体にゴミが付着する
と短絡を起こし、これが不良半導体の原因となった。
達は目覚ましく、導電線の距離がわずか１μという半導
体が製造できるようになった。半導体にゴミが付着する
と短絡を起こし、これが不良半導体の原因となった。
【０００３】そのような事態を防ぐために半導体の表面
を窒素で洗浄することが行われている。
を窒素で洗浄することが行われている。
【０００４】このような窒素はガス製造会社から半導体
製造メーカーにタンクローリ等で窒素を運搬することも
行なわれているが、これは運搬費が高くつく。
製造メーカーにタンクローリ等で窒素を運搬することも
行なわれているが、これは運搬費が高くつく。
【０００５】この欠点を克服するために半導体製造工場
の附近又は隣接して窒素製造装置を設けることであっ
た。
の附近又は隣接して窒素製造装置を設けることであっ
た。
【０００６】従来の高純度窒素発生装置では、メンテナ
ンスを必要とする機器が多く、広いメンテナンススペー
スを必要とした。その為に、竪型にできず平面上に設置
せざるを得ず広いスペースが必要であった。
ンスを必要とする機器が多く、広いメンテナンススペー
スを必要とした。その為に、竪型にできず平面上に設置
せざるを得ず広いスペースが必要であった。
【０００７】上記のことにより、工場立地面積のせまい
ユーザーへは、高純度窒素発生装置を据付ることができ
なかった。
ユーザーへは、高純度窒素発生装置を据付ることができ
なかった。
【０００８】従来では高温酸化触媒が充填されている一
酸化炭素／水素除去塔で空気中のＣＯがＣＯ2に、そし
てＨ2がＨ2Ｏに転換されていた。従来技術では次いでア
ルミナとモレキュラーシーブが充填されている吸着塔に
おいてその空気中のＣＯ2及び水分が除去された。従来
技術では一酸化炭素／水素除去塔における高温酸化触媒
が装置の運転中に不活性になっていた。それがため従来
の方法では装置を停止して、高温酸化触媒を交換してい
た。その交換のため一酸化炭素／水素除去塔へ作業員が
アクセスする通路が必要となる。さらに従来の小型高純
度窒素発生装置は、二段に構成されていたとしても横並
びであったので相当なスペースを取った。例えば５００
〜６００μｍ3/時の窒素生産量の装置で約５０ｍ２のス
ペースが必要であった。しかし半導体製造工場の近く又
は隣接して５０ｍ2程度の設置スペースが存在しない場
合がある。
酸化炭素／水素除去塔で空気中のＣＯがＣＯ2に、そし
てＨ2がＨ2Ｏに転換されていた。従来技術では次いでア
ルミナとモレキュラーシーブが充填されている吸着塔に
おいてその空気中のＣＯ2及び水分が除去された。従来
技術では一酸化炭素／水素除去塔における高温酸化触媒
が装置の運転中に不活性になっていた。それがため従来
の方法では装置を停止して、高温酸化触媒を交換してい
た。その交換のため一酸化炭素／水素除去塔へ作業員が
アクセスする通路が必要となる。さらに従来の小型高純
度窒素発生装置は、二段に構成されていたとしても横並
びであったので相当なスペースを取った。例えば５００
〜６００μｍ3/時の窒素生産量の装置で約５０ｍ２のス
ペースが必要であった。しかし半導体製造工場の近く又
は隣接して５０ｍ2程度の設置スペースが存在しない場
合がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本考案者は、小型高純度
窒素発生装置の設置スペースを少なくするための鋭意研
究を行なった。その結果ＣＯ及びＨ2酸化用触媒を水分
吸着用のアルミナ及びＣＯ2及びＨ2Ｏ吸着用のモレキュ
ラーシーブの間に設置した。少なくとも２個使用するこ
とによって、そのＣＯ／Ｈ2酸化用触媒が失活せず交換
の必要がなくなった。そのため、作業員が吸着塔にアク
セスするための通路が必要なくなった。さらに本考案者
は、竪型に少なく原料空気圧縮機、少なくとも２個のＴ
ＳＡ吸着塔、ＴＳＡフイルター、再生ガスヒーター及び
コールドボックスを収容した。そのＴＳＡ吸着塔には空
気導入側から水分吸着用のアルミナ層、ＣＯ及びＨ2酸
化用触媒層及びＣＯ2及びＨ2Ｏ吸着用のモレキュラーシ
ーブ層が形成されている。
窒素発生装置の設置スペースを少なくするための鋭意研
究を行なった。その結果ＣＯ及びＨ2酸化用触媒を水分
吸着用のアルミナ及びＣＯ2及びＨ2Ｏ吸着用のモレキュ
ラーシーブの間に設置した。少なくとも２個使用するこ
とによって、そのＣＯ／Ｈ2酸化用触媒が失活せず交換
の必要がなくなった。そのため、作業員が吸着塔にアク
セスするための通路が必要なくなった。さらに本考案者
は、竪型に少なく原料空気圧縮機、少なくとも２個のＴ
ＳＡ吸着塔、ＴＳＡフイルター、再生ガスヒーター及び
コールドボックスを収容した。そのＴＳＡ吸着塔には空
気導入側から水分吸着用のアルミナ層、ＣＯ及びＨ2酸
化用触媒層及びＣＯ2及びＨ2Ｏ吸着用のモレキュラーシ
ーブ層が形成されている。
【００１０】新触媒を採用したＴＳＡ装置により、従来
必要であったＣＯ／Ｈ2 除去装置、予熱器、チラー、回
収熱交換器等がなくなり、又このＴＳＡ装置では、触媒
交換の必要がなく半永久に使用できるために、メンテナ
ンスの必要は機器が原料空気圧縮機、アフタークーラ
ー、ＴＳＡバルブスキッドのみとなった。
必要であったＣＯ／Ｈ2 除去装置、予熱器、チラー、回
収熱交換器等がなくなり、又このＴＳＡ装置では、触媒
交換の必要がなく半永久に使用できるために、メンテナ
ンスの必要は機器が原料空気圧縮機、アフタークーラ
ー、ＴＳＡバルブスキッドのみとなった。
【００１１】メンテナンスの必要な機器を地面近く、ア
クセスできる位置に設置し、その他の機器を積み上げる
ことにより窒素発生装置の設置スペースを最小限とする
ことに成功した。
クセスできる位置に設置し、その他の機器を積み上げる
ことにより窒素発生装置の設置スペースを最小限とする
ことに成功した。
【００１２】本考案ではＴＳＡ吸着塔に入る空気はアル
ミナ層で空気中の水分が除去され、次いで白金触媒のよ
うなＣＯ及びＨ2酸化用触媒層で空気中のＣＯ及びＨ2が
それぞれＣＯ2及びＨ2Ｏに酸化される。ＣＯ2及びＨ2Ｏ
はモレキュラーシーブ層で吸着される。
ミナ層で空気中の水分が除去され、次いで白金触媒のよ
うなＣＯ及びＨ2酸化用触媒層で空気中のＣＯ及びＨ2が
それぞれＣＯ2及びＨ2Ｏに酸化される。ＣＯ2及びＨ2Ｏ
はモレキュラーシーブ層で吸着される。
【００１３】一定時間の運転の後に空気を一つの吸着塔
から再生の終った別の吸着塔に流れを切り替える。一つ
の吸着塔は加熱して再生を行なう。本考案の装置ではＴ
ＳＡ吸着塔でまず水分が除去され、次いでその空気はＣ
Ｏ及びＨ2酸化触媒層に入るので、その触媒は水分のた
め失活することはない。アルミナ層及びモレキュラーシ
ーブ層に吸着されたＨ2Ｏ及びＣＯ2等は脱着され、吸着
塔は完全に再生される。
から再生の終った別の吸着塔に流れを切り替える。一つ
の吸着塔は加熱して再生を行なう。本考案の装置ではＴ
ＳＡ吸着塔でまず水分が除去され、次いでその空気はＣ
Ｏ及びＨ2酸化触媒層に入るので、その触媒は水分のた
め失活することはない。アルミナ層及びモレキュラーシ
ーブ層に吸着されたＨ2Ｏ及びＣＯ2等は脱着され、吸着
塔は完全に再生される。
【００１４】本考案の装置では、バックアップ設備以外
すべて竪型の塔に収容するので設置スペースは約２２ｍ
2（生産量５００〜６００Ｎｍ２／時）である。具体的
にはプラントボックスが４ｍ×３．４ｍであり、高さは
約１８ｍであった。基礎の面積が約２２ｍ２であった。
すべて竪型の塔に収容するので設置スペースは約２２ｍ
2（生産量５００〜６００Ｎｍ２／時）である。具体的
にはプラントボックスが４ｍ×３．４ｍであり、高さは
約１８ｍであった。基礎の面積が約２２ｍ２であった。
【００１５】図１は本考案の好ましい態様の高純度発生
装置の概略図であり、１は竪型の塔であり、２は原料空
気圧圧縮機、３はＴＳＡ吸着塔、４は原料用ＴＳＡフイ
ルター、５は再生ガスヒーター、６はコールドボック
ス、７は膨張タービン、８は起動機、９はミストセパレ
ーター、１０は放風サイレンサーである。
装置の概略図であり、１は竪型の塔であり、２は原料空
気圧圧縮機、３はＴＳＡ吸着塔、４は原料用ＴＳＡフイ
ルター、５は再生ガスヒーター、６はコールドボック
ス、７は膨張タービン、８は起動機、９はミストセパレ
ーター、１０は放風サイレンサーである。
【００１６】一般にもしその装置が作動しなかった時で
も、半導体製造設備が停止しないように液体窒素ボンベ
からなるバックアップ設備（図１においては図１におい
ては図示せず）を設ける。
も、半導体製造設備が停止しないように液体窒素ボンベ
からなるバックアップ設備（図１においては図１におい
ては図示せず）を設ける。
【００１７】又受変電設備は窒素発生装置から５ｍは離
して設置しなければならないので、その竪型塔の中には
設置しない。又得られた高純度窒素の純度をさらに高め
るための最終フイルターユニットを外部に設けても良
い。受変電設備のスペースは例えば３．５ｍｘ２ｍ、最
終フイルターユニットのスペースは例えば２ｍｘ１．５
ｍである。最終フイルターユニットは竪型塔の内部に収
容しても良い。
して設置しなければならないので、その竪型塔の中には
設置しない。又得られた高純度窒素の純度をさらに高め
るための最終フイルターユニットを外部に設けても良
い。受変電設備のスペースは例えば３．５ｍｘ２ｍ、最
終フイルターユニットのスペースは例えば２ｍｘ１．５
ｍである。最終フイルターユニットは竪型塔の内部に収
容しても良い。
【００１８】図２は本考案の好ましい態様の装置の配管
図である。１２はアフタークーラー、１３は吸湿気フイ
ルター、１４は主熱交換器、１５は凝縮器、１６はバッ
クアップ設備、７は膨張タービンである。
図である。１２はアフタークーラー、１３は吸湿気フイ
ルター、１４は主熱交換器、１５は凝縮器、１６はバッ
クアップ設備、７は膨張タービンである。
【００１９】図２においてバックアップ設備以外は竪型
塔に収容される。バックアップ設備も竪型塔に収容して
も良い。図２において受変電設備及び最終フイルターユ
ニットは、図示されていない。
塔に収容される。バックアップ設備も竪型塔に収容して
も良い。図２において受変電設備及び最終フイルターユ
ニットは、図示されていない。
【００２０】図１及び図２に記載された装置の各部分の
作用は従来公知であるので、本明細書において説明は省
略する。
作用は従来公知であるので、本明細書において説明は省
略する。
【００２１】本考案の窒素発生装置は例えば約２２ｍ2
程度しかスペースを取らない。それがため、既存の窒素
発生装置の能力が足らなくなった時、それに隣接して又
はその近くに設置できる。又新規に半導体工場を作る場
合に、その工場に隣接して又その工場の近くに小さいス
ペースに本考案の窒素発生装置を設置できる。
程度しかスペースを取らない。それがため、既存の窒素
発生装置の能力が足らなくなった時、それに隣接して又
はその近くに設置できる。又新規に半導体工場を作る場
合に、その工場に隣接して又その工場の近くに小さいス
ペースに本考案の窒素発生装置を設置できる。
【図１】本考案の好ましい態様の竪型塔の概略図。
【図２】本考案の好ましい態様の配管図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−135111（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−147912（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01B 21/04 B01D 53/04
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも原料空気圧縮機、少なくとも
２個のＴＳＡ吸着塔、ＴＳＡフィルター、再生ガスヒー
ター及びコールドボックスを竪型の塔に収容してなり、
ＴＳＡ吸着塔には空気導入の上流側から少なくともアル
ミナ層、ＣＯ及びＨ2酸化触媒層及びＣＯ2及びＨ2Ｏ吸
着用モレキュラーシーブ層が形成されている高純度窒素
発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993018038U JP2604358Y2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 窒素発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993018038U JP2604358Y2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 窒素発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676340U JPH0676340U (ja) | 1994-10-28 |
| JP2604358Y2 true JP2604358Y2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=11960514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993018038U Expired - Lifetime JP2604358Y2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 窒素発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604358Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101311626B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2013-09-26 | 디에스엠 아이피 어셋츠 비.브이. | 하이드록실 암모늄의 연속 제조 방법 |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP1993018038U patent/JP2604358Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0676340U (ja) | 1994-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3277340B2 (ja) | 半導体製造工場向け各種ガスの製造方法及び装置 | |
| JP4519954B2 (ja) | 高清浄乾燥空気と乾燥空気の製造方法及び装置 | |
| CN102112200A (zh) | 从烟道气中回收二氧化碳 | |
| TW423987B (en) | A manufacture method and device of highly pure dry air | |
| KR19990077911A (ko) | 청정 건조 공기 생성물 스트림 생성 방법, 공기 분리 방법 및 청정 건조 공기 생성물 스트림 생성 장치 | |
| JP2604358Y2 (ja) | 窒素発生装置 | |
| JPH0699034A (ja) | 燃焼排ガスからの二酸化炭素の液化分離回収法 | |
| CN202671205U (zh) | 车用空调psa制氮系统 | |
| JPH04359785A (ja) | 液体二酸化炭素の回収装置 | |
| JPS61228286A (ja) | 空気分離装置 | |
| CN214653658U (zh) | 一种变压吸附制氮机的富氮气回收再利用系统 | |
| JPS61225568A (ja) | 空気分離装置 | |
| JP3532465B2 (ja) | 空気分離装置 | |
| JPH0579754A (ja) | 高純度窒素の製造装置 | |
| JP3544860B2 (ja) | 空気分離装置における前処理装置 | |
| JPH0886564A (ja) | 空気分離装置 | |
| JP5798076B2 (ja) | 空気の低温深冷分離における前処理方法及び前処理装置 | |
| JPS5998715A (ja) | プレツシヤ−スイング吸着法における圧力回収方法 | |
| CN209735192U (zh) | 一种分体式空气分离设备 | |
| JP2645137B2 (ja) | 窒素製造装置用原料空気の精製装置 | |
| JP3305977B2 (ja) | 原料空気多段圧縮機における原料空気の除湿・冷却システム | |
| JP3515901B2 (ja) | 空気分離装置における前処理装置 | |
| JP2786265B2 (ja) | 窒素精製方法及び装置 | |
| CN2204637Y (zh) | 一种冷冻式压缩空气干燥机 | |
| JPH10170145A (ja) | 窒素ガス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |