JP5240707B2 - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Description
110 センシング部
120 センシング保護部
130 単位セル
140 イネーブル部
Claims (9)
- 第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを備え、第1のノード及び第2のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、
第2のクロスカップルされたMOSトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第1の信号及び第2の信号を前記第1のノード及び第2のノードに提供する単位セルと
を備え、
前記第2のクロスカップルされたMOSトランジスタのうちの一つのMOSトランジスタの一側端子と、他のもう一つのMOSトランジスタのゲート端子とは、前記第1のノードおよび前記第2のノードに前記単位セルの動作バイアスレベルを提供するための同一のバイアス電圧を各々受信することを特徴とする半導体メモリ装置。
- 前記第2のクロスカップルされたMOSトランジスタが、前記第1のクロスカップルされたMOSトランジスタよりも高い電圧に耐えられる高電圧専用のトランジスタであり、前記センシング部と前記単位セルとの間に前記センシング部の第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを保護するセンシング保護部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 読み出し信号に応答して、前記単位セルをイネーブルさせるイネーブル部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記センシング部が、
一側が電源電圧に接続され、ゲートが前記第2のノードに接続され、他側が前記第1のノードに接続された第1のMOSトランジスタと、
一側が前記電源電圧に接続され、ゲートが前記第1のノードに接続され、他側が前記第2のノードに接続された第2のMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記単位セルが、
一側が前記第1のノードに接続され、ゲートが前記第2のノードに接続された第3のMOSトランジスタと、
一側が前記第2のノードに接続され、ゲートが前記第1のノードに接続された第4のMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ装置。 - 前記センシング保護部が、
前記第1のノード位置に配置され、読み出し信号に応答して、前記センシング部と前記単位セルとを接続する第1のMOSトランジスタと、
前記第2のノード位置に配置され、前記読み出し信号に応答して、前記センシング部と前記単位セルとを接続する第2のMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記イネーブル部が、
前記第2のクロスカップルされたMOSトランジスタのうちの1つと接地電圧との間に配置された第1のMOSトランジスタと、
前記第2のクロスカップルされたMOSトランジスタのうちの他の1つと前記接地電圧との間に配置された第2のMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを備え、第1のノード及び第2のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、
第2のクロスカップルされたMOSトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第1の信号及び第2の信号を第3のノード及び第4のノードに提供する単位セルと、
第3のノード及び第4のノードに印加された信号を前記第1のノード及び第2のノードにそれぞれ伝達し、前記センシング部の前記第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを保護するために、前記センシング部と前記単位セルとの間に配置されたセンシング保護部と、
読み出し信号に応答して、前記単位セルをイネーブルさせるイネーブル部と、
データ信号を受信して伝達するデータ伝達部と、
該データ伝達部から伝達されたデータ信号に対応する電圧を前記第3のノード及び第4のノードに提供するプログラミング制御部と
を備え、
前記第2のクロスカップルされたMOSトランジスタのうちの一つのMOSトランジスタの一側端子と、他のもう一つのMOSトランジスタのゲート端子とは、前記第1のノードおよび前記第2のノードに前記単位セルの動作バイアスレベルを提供するための同一のバイアス電圧を各々受信することを特徴とする半導体メモリ装置。
- 前記プログラミング制御部が、
基準電圧を有する信号を受信し、前記データ信号に応答して、それに対応する電圧レベルにシフトして前記第3のノードに提供する電圧レベルシフタと、
該電圧レベルシフタの出力信号及び前記データ伝達部から伝達されたデータ信号に応答して、前記第4のノードの電圧レベルを制御するプログラミング電圧提供部と
を備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。
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