JP2008192287A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体メモリ装置は、第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを備え、第1のノード及び第2のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、第2のクロスカップルされたMOSトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第1の信号及び第2の信号を前記第1のノード及び第2のノードに提供する単位セルとを備える。
【選択図】図2
Description
110 センシング部
120 センシング保護部
130 単位セル
140 イネーブル部
Claims (9)
- 第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを備え、第1のノード及び第2のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、
第2のクロスカップルされたMOSトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第1の信号及び第2の信号を前記第1のノード及び第2のノードに提供する単位セルと
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記第2のクロスカップルされたMOSトランジスタが、前記第1のクロスカップルされたMOSトランジスタよりも高い電圧に耐えられる高電圧専用のトランジスタであり、前記センシング部と前記単位セルとの間に前記センシング部の第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを保護するセンシング保護部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 読み出し信号に応答して、前記単位セルをイネーブルさせるイネーブル部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記センシング部が、
一側が電源電圧に接続され、ゲートが前記第2のノードに接続され、他側が前記第1のノードに接続された第1のMOSトランジスタと、
一側が前記電源電圧に接続され、ゲートが前記第1のノードに接続され、他側が前記第2のノードに接続された第2のMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記単位セルが、
一側が前記第1のノードに接続され、ゲートが前記第2のノードに接続された第3のMOSトランジスタと、
一側が前記第2のノードに接続され、ゲートが前記第1のノードに接続された第4のMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ装置。 - 前記センシング保護部が、
前記第1のノード位置に配置され、読み出し信号に応答して、前記センシング部と前記単位セルとを接続する第1のMOSトランジスタと、
前記第2のノード位置に配置され、前記読み出し信号に応答して、前記センシング部と前記単位セルとを接続する第2のMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記イネーブル部が、
前記第2のクロスカップルされたMOSトランジスタのうちの1つと接地電圧との間に配置された第1のMOSトランジスタと、
前記第2のクロスカップルされたMOSトランジスタのうちの他の1つと前記接地電圧との間に配置された第2のMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを備え、第1のノード及び第2のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、
第2のクロスカップルされたMOSトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第1の信号及び第2の信号を第3のノード及び第4のノードに提供する単位セルと、
第3のノード及び第4のノードに印加された信号を前記第1のノード及び第2のノードにそれぞれ伝達し、前記センシング部の前記第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを保護するために、前記センシング部と前記単位セルとの間に配置されたセンシング保護部と、
読み出し信号に応答して、前記単位セルをイネーブルさせるイネーブル部と、
データ信号を受信して伝達するデータ伝達部と、
該データ伝達部から伝達されたデータ信号に対応する電圧を前記第3のノード及び第4のノードに提供するプログラミング制御部と
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記プログラミング制御部が、
基準電圧を有する信号を受信し、前記データ信号に応答して、それに対応する電圧レベルにシフトして前記第3のノードに提供する電圧レベルシフタと、
該電圧レベルシフタの出力信号及び前記データ伝達部から伝達されたデータ信号に応答して、前記第4のノードの電圧レベルを制御するプログラミング電圧提供部と
を備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。
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CN104299646B (zh) * | 2014-10-24 | 2017-12-22 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器 |
CN105632555A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-06-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种闪存式存储器及其读取电路及其读取方法 |
KR101548343B1 (ko) | 2014-11-17 | 2015-09-01 | 연세대학교 산학협력단 | 메모리 장치 |
CN110379446B (zh) * | 2018-04-12 | 2021-05-11 | 华邦电子股份有限公司 | 输出入多工器 |
KR102212751B1 (ko) | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 주식회사 키 파운드리 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
CN111145816B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-03-08 | 北京轩宇空间科技有限公司 | 用于编程的电路结构 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61122999A (ja) * | 1984-09-08 | 1986-06-10 | プレツシ− オ−バ−シ−ズ リミテツド | メモリセル |
JPS61501356A (ja) * | 1984-02-17 | 1986-07-03 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 不揮発性ラッチ |
JPS6233393A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体不揮発性メモリ装置 |
JPH0266798A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH04276392A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH07272490A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性メモリ装置 |
JPH0822699A (ja) * | 1994-01-31 | 1996-01-23 | Sgs Thomson Microelectron Sa | メモリ冗長回路用の、あらかじめ決定された初期状態にある不揮発性でプログラム可能な双安定マルチバイブレータ |
JPH08273377A (ja) * | 1995-03-21 | 1996-10-18 | Texas Instr Inc <Ti> | 改良されたeepromとその動作 |
JP2002237191A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-23 | Seiko Instruments Inc | 相補型不揮発性記憶回路 |
JP2006351176A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Magnachip Semiconductor Ltd | Eepromセル及びeepromブロック |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4748593A (en) | 1986-09-08 | 1988-05-31 | Ncr Corporation | High speed nonvolatile memory cell |
KR960012029B1 (ko) | 1992-08-29 | 1996-09-11 | 호남석유화학 주식회사 | 변성 폴리올레핀 액제를 이용한 피착물 표면의 개질방법 |
US5440508A (en) | 1994-02-09 | 1995-08-08 | Atmel Corporation | Zero power high speed programmable circuit device architecture |
US5523971A (en) | 1995-03-16 | 1996-06-04 | Xilinx, Inc. | Non-volatile memory cell for programmable logic device |
KR19990004899A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 크로스-커플형 감지 증폭기 |
US6157587A (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-05 | Alliance Semiconductor Corporation | Data sense arrangement for random access memory |
US6411545B1 (en) * | 1999-11-19 | 2002-06-25 | John Millard And Pamela Ann Caywood 1989 Revokable Living Trust | Non-volatile latch |
US6963103B2 (en) * | 2001-08-30 | 2005-11-08 | Micron Technology, Inc. | SRAM cells with repressed floating gate memory, low tunnel barrier interpoly insulators |
KR100483028B1 (ko) * | 2003-03-19 | 2005-04-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61501356A (ja) * | 1984-02-17 | 1986-07-03 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 不揮発性ラッチ |
JPS61122999A (ja) * | 1984-09-08 | 1986-06-10 | プレツシ− オ−バ−シ−ズ リミテツド | メモリセル |
JPS6233393A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体不揮発性メモリ装置 |
JPH0266798A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH04276392A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH0822699A (ja) * | 1994-01-31 | 1996-01-23 | Sgs Thomson Microelectron Sa | メモリ冗長回路用の、あらかじめ決定された初期状態にある不揮発性でプログラム可能な双安定マルチバイブレータ |
JPH07272490A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性メモリ装置 |
JPH08273377A (ja) * | 1995-03-21 | 1996-10-18 | Texas Instr Inc <Ti> | 改良されたeepromとその動作 |
JP2002237191A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-23 | Seiko Instruments Inc | 相補型不揮発性記憶回路 |
JP2006351176A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Magnachip Semiconductor Ltd | Eepromセル及びeepromブロック |
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