JP5239859B2 - 無アルカリガラス基板の製造方法 - Google Patents
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Description
このフロート法は、一般的に、溶融ガラスを溶融スズ浴中の溶融スズ上でガラス基板に成形する成形工程と、成形工程により成形されたガラス基板を徐冷する徐冷工程とを具備するものである。
しかしながら、この成形工程により成形されたガラス基板は、溶融スズ浴を出た後にローラーにより搬送されるため、搬送中にガラス基板の裏面(ローラーに当たる面)に傷が付いてしまい、ガラス基板の品質を低下させてしまうという問題があった。
また、これらの塩は、研磨により除去することは可能であるものの、平滑性の高いガラス基板を得るには、かなりの厚さを研磨しなければならず、製造時間、製造コストが増大する問題があった。
更に、無アルカリガラスはフラットパネルディスプレイ等の高品質な表面が要求され、ガラス基板上に傷が存在すると断線不良などの不具合を引き起こすため、窓ガラスや自動車ガラスの用途以上により小さい傷も問題となる。
(1)フロート法により無アルカリガラス基板を製造する無アルカリガラス基板の製造方法であって、
溶融ガラスを溶融スズ上でガラス基板に成形する成形工程と、上記成形工程により成形された上記ガラス基板を徐冷する徐冷工程とを具備し、
上記ガラス基板の上記溶融スズに接触する側の表面にアルカリ金属を含有する無機物質を吹き付ける第1供給工程と、上記第1供給工程の後に、上記ガラス基板の上記溶融スズに接触する側の表面にSO2ガスを吹き付けて該表面に保護被膜を形成する第2供給工程とを具備する、無アルカリガラス基板の製造方法。
(3)上記第1供給工程が、上記ガラス基板のガラス転移点±100℃の範囲の温度で施される上記(1)に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
(4)上記第1供給工程が、600〜800℃で施される上記(1)に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
(5)上記第2供給工程が、上記成形工程と上記徐冷工程との間に施される上記(1)〜(4)のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
(6)上記第2供給工程が、上記ガラス基板のガラス転移点±100℃の範囲の温度で施される上記(1)〜(4)のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
(7)上記第2供給工程が、600〜800℃で施される上記(1)〜(4)のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
溶融ガラスを溶融スズ上でガラス基板に成形する成形工程を具備し、
600〜800℃で上記ガラス基板の上記溶融スズに接触する側の表面にアルカリ金属を含有する無機物質を吹き付ける第1供給工程と、上記第1供給工程の後に、600〜800℃で上記ガラス基板の上記溶融スズに接触する側の表面にSO2ガスを吹き付けて該表面に保護被膜を形成する第2供給工程とを具備する、無アルカリガラス基板の製造方法。
(10)上記アルカリ金属を含有する無機物質が、ナトリウムおよびホウ素を含有する上記(1)〜(9)のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
(11)上記アルカリ金属を含有する無機物質が、四ホウ酸ナトリウムである上記(10)に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
上記ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示で、
SiO2:30〜85%、
Al2O3:0〜35%、
B2O3:0〜35%、
MgO:0〜35%、
CaO:0〜35%、
SrO:0〜35%、
BaO:0〜35%、
アルカリ金属成分:0.5%以下
を含有し、
X線光電子分光法により測定される、上記ガラス基板の上記溶融スズに接触していた側の表面の平均ホウ素濃度が4〜10原子%であり、2次イオン質量分析法により測定される、上記ガラス基板の内部へのホウ素の拡散深さが5nm以上である無アルカリガラス基板。
2 溶融スズ浴
3 溶融窯
4 溶融ガラス
5 引出しロール
6 徐冷炉
11 大型管状炉
12 石英チューブ
13 無アルカリガラス基板
14 アルミナボート
15 試薬
16、17 矢印
18 試験体
19 摩耗部
20 測定部
本発明の第1の態様に係る無アルカリガラス基板の製造方法(以下、「本発明の製造方法」ともいう。)は、フロート法により無アルカリガラス基板を製造する無アルカリガラス基板の製造方法であって、
溶融ガラスを溶融スズ上でガラス基板に成形する成形工程と、上記成形工程により成形された上記ガラス基板を徐冷する徐冷工程とを具備し、
上記ガラス基板の上記溶融スズに接触する側の表面(以下、「ボトム面」ともいう。)にアルカリ金属を含有する無機物質(以下、「アルカリ金属含有無機物質」ともいう。)を吹き付ける第1供給工程と、上記第1供給工程の後に、上記ガラス基板の上記溶融スズに接触する側の表面、即ち、上記無機物質が吹き付けられたボトム面にSO2ガスを吹き付ける第2供給工程とを具備する、無アルカリガラス基板の製造方法である。
また、本発明の製造方法は、更に上記保護膜を除去する洗浄工程を具備するのが好ましい。
次に、本発明の製造方法における成形工程、徐冷工程、第1供給工程および第2供給工程ならびに所望により具備する洗浄工程について詳述する。
上記成形工程は、溶融ガラスを溶融スズ浴中の溶融スズ上でガラス基板に成形する工程であり、一般的なフロート法における従来公知の工程である。
図1に示すように、フロート法においては、まず、溶融スズ1を満たした溶融スズ浴2の浴面上に、溶融窯3から溶融ガラス4が連続的に流入され、ガラスリボンが形成される。次に、このガラスリボンを溶融スズ浴2の浴面に沿って浮かしながら前進させることで、温度低下とともにガラスリボンが板状に成形される。その後、製板されたガラス基板が引出しロール5によって引き出され、長手方向に連続した状態で徐冷炉6に運ばれる。
本発明においては、一般的なフロート法と同様、溶融スズ浴2としては、金属のケースの内側を特殊耐火物で内張りしたスズ浴炉および天井から構成され、スズの酸化を防止するため密閉構造のものを用いる。溶融スズ浴内の雰囲気ガスとしては、水素と窒素とからなる混合ガス(水素の含有量が2〜10体積%)を用いることができる。
また、上記成形工程の溶融スズ浴における温度条件は、一般的なフロート法と同様、600〜1050℃、即ち、溶融スズ浴内に流入する溶融ガラスの温度が上流側で900〜1050℃であり、下流側で600〜800℃とすることができる。なお、この温度は、通常は溶融ガラスの熱量によって維持されるが、温度調節のためにヒーターやクーラーを使用してもよい。
ここで、無アリカリガラスとは、上述したようにアルカリ金属を実質的に含有しないガラスである。具体的には、無アルカリガラスは、本発明において、酸化物基準の質量百分率表示で、
SiO2:30〜85%、
Al2O3:0〜35%、
B2O3:0〜35%、
MgO:0〜35%、
CaO:0〜35%、
SrO:0〜35%、
BaO:0〜35%、
アルカリ金属成分:0.5%以下
を含有する。なお、「アルカリ金属成分」とは、後述する第1供給工程によらず不可避的に含有するアルカリ金属成分のことをいう。
上記徐冷工程は、上記成形工程により成形された上記ガラス基板を徐冷する工程である。
本発明においては、徐冷炉としては、一般的なフロート法で用いられるものと同様のものを用いることができ、温度コントロールのためヒーター等を設けてもよい。
また、上記徐冷工程の徐冷炉における徐冷条件は、一般的なフロート法と同様、徐冷炉の入口で550〜750℃、出口で200〜300℃までの温度とすることが可能であり、温度の降下のスピードは90℃±10℃/mとすることができる。
上記第1供給工程は、上記ガラス基板のボトム面にアルカリ金属含有無機物質を吹き付けて該ボトム面にアルカリ金属を供給する工程である。
ここで、アルカリ金属含有無機物質とは、上述したように、アルカリ金属を含有する無機物質をいい、例えば、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、セシウム(Cs)等を含有する無機物質が該当する。
このようなアルカリ金属含有無機物質を用いて上記ガラス基板のボトム面にアルカリ金属を供給し、その後にSO2ガスを吹き付けることにより、硫酸アルカリの塩からなる保護被膜を効率良く生成できる。また、この保護被膜は洗浄工程で容易に除去することが可能である。更に、SO2ガスの量を少なくしても同様の保護効果が得られるため、亜硫酸ガスの使用量の低減を図りつつガラス基板の裏面の傷の発生を抑制することができる。
これは、後述する第2供給工程により吹き付けられるSO2ガスが、ボトム面に供給されたアルカリ金属と優先的に反応し、無アルカリガラスにおいても存する難水溶性のアルカリ土類金属(Ca、Sr等)との反応が抑制されるためと考えられる。また、アルカリ金属含有無機物質というアルカリ金属源を外から吹き付けることで、SO2ガスとアルカリ土類金属との反応性生物(硫酸カルシウム、硫酸ストロンチウム等)を保護被膜として得るために使用していたSO2ガス量よりも、少ないSO2ガス量で同等の保護効果を得ることができるのである。
Naおよびホウ素を含有する無機物質の吹き付けにより、Naのみならずホウ素も供給された結果、ホウ素がボトム面から上記ガラス基板の内部に拡散し、上記ガラス基板自体の強度が向上する。
そのため、無アルカリガラス基板以外にも、例えば、DNAチップ用ガラス基板、マイクロチップ・バイオチップ用ガラス基板等に対し、このホウ素の拡散を利用することにより、高いレベルの耐擦傷性を満足させることができる。
ここで、「成形工程と同時」とは、上記成形工程でガラス基板を形成した直後であって上記成形工程に含まれる段階、例えば、形成炉に、溶融スズ浴(フロートバス)と炉全体の出口部分(シールドレア)とが設けられているような場合においては、シールドレアにおいて吹き付けてもよいことを意味するものである。また、「徐冷工程と同時」とは、徐冷炉の入口付近または徐冷炉上流側において吹き付けてもよいことを意味するものである。更に、「上記成形工程と上記徐冷工程との間」とは、形成炉と徐冷炉との間をガラス基板を搬送する間に吹き付けてもよいことを意味するものである。
また、気化物質の吹き付けは、ガラス基板のガラス転移点±100℃の範囲の温度で施されるのが好ましい。特に、ガラス基板のガラス転移点−30℃〜ガラス転移点+100℃の範囲であるのが好ましい。吹き付けがこの温度範囲で施されると、ガラス転移点でガラスが柔らかくなるため、その領域で膜を形成することで、傷付きがより効果的に防止できるからである。
具体的には、600〜800℃で施されるのが、気化物質が効率良く気化し、かつガラス基板表面に吹き付けた際に基板温度が急激に低下することがない点で好ましい。
更に、気化物質の吹き付け量は、0.2〜10L/m2であるのが好ましく、0.2〜3L/m2であるのがより好ましく、0.2〜1L/m2であるのが特に好ましい。吹き付け量がこの範囲であると、SO2ガスの吹き付け量を抑えつつ、上記ガラス基板のボトム面に供給されるアルカリ金属の供給量が十分となり、後述する第2供給工程において吹き付けられるSO2ガスと反応して形成される保護被膜の生成効率がより向上する。
上記第2供給工程は、上記第1供給工程の後に、上記アルカリ金属が供給された上記ガラス基板のボトム面にSO2ガスを吹き付けて該ボトム面に保護被膜を形成する工程である。
この第2供給工程は、上記アルカリ金属が供給された上記ガラス基板のボトム面に保護被膜を形成する点において、一般的なフロート法における従来公知の工程と異なるものである。
即ち、上記第2供給工程は、上記第1供給工程によりアルカリ金属が供給された上記ガラス基板のボトム面にSO2ガスを吹き付けることにより、アルカリ金属とSO2ガスとを反応させ、上記ガラス基板のボトム面に硫酸アルカリ塩(例えば、硫酸ナトリウム等)からなる保護被膜を形成する工程である。
しかしながら、本発明においては、無アルカリガラス基板の保護被膜としてアルカリ土類金属由来の硫酸塩(例えば、硫酸カルシウム等)を利用する従来例と比べ、同等の保護効果を確保しつつ、SO2ガスの吹き付け量を減らすことができる。これは、上述したように、第2供給工程により吹き付けられるSO2ガスが、ボトム面に供給されたアルカリ金属と優先的に反応し、無アルカリガラスにおいても存する反応性に低いアルカリ土類金属(Ca、Sr等)との反応が抑制されるためと考えられる。具体的には、本発明においては、SO2ガスの吹き付け量は、0.05〜2.5L/m2、特に0.05〜0.3L/m2と少なくすることができる。
また、SO2ガスの吹き付けは、ガラス基板のガラス転移点±100℃の範囲の温度で施されるのが好ましい。ガラス転移点でガラスが柔らかくなるため、その領域で保護被膜を形成することで、傷付きがより効果的に防止できるからである。具体的には、SO2ガスの吹き付けは、600〜800℃で施されるのがより好ましい。吹き付けがこの温度で施されると、洗浄工程で容易に除去することが可能な硫酸塩からなる保護被膜をより効率良く生成し、ガラス基板の裏面の傷の発生をより抑制することができるからである。
所望により施す上記洗浄工程は、上記第2供給工程により形成された保護被膜を洗浄し、除去する工程であり、一般的なフロート法における従来公知の工程である。
この研磨工程は、一般的なフロート法における従来公知の工程であり、その研磨方法としては、具体的には、酸化セリウム系の研磨剤を用いて発泡ウレタン上に置かれたガラス基板を磨く方法が挙げられる。
溶融ガラスを溶融スズ上でガラス基板に成形する成形工程を具備し、
600〜800℃で上記ガラス基板の上記溶融スズに接触する側の表面にアルカリ金属を含有する無機物質を吹き付ける第1供給工程と、上記第1供給工程の後に、600〜800℃で上記ガラス基板の上記溶融スズに接触する側の表面にSO2ガスを吹き付ける第2供給工程とを具備する、無アルカリガラス基板の製造方法である。
具体的には、Naおよびホウ素を含有する無機物質を上記第1供給工程においてガラス基板のボトム面に吹き付け、その後に必要に応じて上記洗浄工程を施すことで、無アルカリガラス基板を提供することができる。
即ち、本発明の無アルカリガラス基板は、上記ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示で、
SiO2:30〜85%、
Al2O3:0〜35%、
B2O3:0〜35%、
MgO:0〜35%、
CaO:0〜35%、
SrO:0〜35%、
BaO:0〜35%、
アルカリ金属成分:0.5%以下
を含有するものであって、かつ、
上記ガラス基板の上記ボトム面の平均ホウ素濃度が4〜10原子%であり、上記ガラス基板の内部へのホウ素の拡散深さが5nm以上となるものである。
また、Al2O3の含有率(酸化物基準の質量百分率表示)は、0〜30%であるのが好ましく、3〜22%であるのがより好ましく、3〜20%であるのが更に好ましく、15〜20%であるのが特に好ましく、15〜19%であるのが最も好ましい。
また、B2O3の含有率(酸化物基準の質量百分率表示)は、0〜30%であるのが好ましく、0〜15%であるのがより好ましく、5〜12%であるのが更に好ましい。
また、MgOの含有率(酸化物基準の質量百分率表示)は、0〜20%であるのが好ましく、0〜8%であるのがより好ましく、0〜6%であるのが更に好ましい。
また、CaOの含有率(酸化物基準の質量百分率表示)は、0〜20%であるのが好ましく、0〜9%であるのがより好ましく、0〜8%であるのが更に好ましい。
また、SrOの含有率(酸化物基準の質量百分率表示)は、0〜20%であるのが好ましく、0〜12.5%であるのがより好ましく、3〜12.5%であるのが更に好ましい。
また、BaOの含有率(酸化物基準の質量百分率表示)は、0〜20%であるのが好ましく、0%以上2%未満であるのがより好ましい。
また、アルカリ金属成分の含有率(酸化物基準の質量百分率表示)は、0.5%以下であるのが好ましく、0.2%以下であるのがより好ましく、0.1%以下であるのが更に好ましい。
具体的には、2次イオン質量分析装置(ADEPT1010、アルバック・ファイ社製)によりガラス基板上の5点において拡散深さを各々5点測定し、その平均値を求めた。
ここで、スバッタ時間のスバッタ深さへの換算は、SiO2換算(4nm=1min)にて行った。なお、一次イオンは酸素イオンビーム、加速電圧は5keV、ビーム電流は400nA、一次イオンの入射角度は試料面の法線に対して45度、ビーム走査範囲400×400μm2の条件下で測定した。
なお、本発明の無アルカリガラス基板おいてホウ素がガラス基板の表層に残存するのは、上記第1供給工程によれば、ホウ素がガラス基板の内部に入り込みやすく、かつ、ガラス基板の表層に残存しやすいという理由からと推測している。
SiO2:30〜85%、
Al2O3:0〜35%、
B2O3:0〜35%、
MgO:0〜35%、
CaO:0〜35%、
SrO:0〜35%、
BaO:0〜35%、
アルカリ金属成分:0.5%以下
を含有し、
少なくともいずれか一方の表面の平均ホウ素濃度が4〜10原子%であり、該表面から内部へのホウ素の拡散深さが5nm以上である無アルカリガラス基板も提供することができる。
図2に示す実験装置を用いた。図2は、実施例で用いた大型管状炉の断面図である。
具体的には、温度を調節できる大型管状炉11の中に石英チューブ12を設置し、石英チューブ12中に厚み0.7mmの無アルカリガラス基板13(10cm角)を置き、大型管状炉11を700℃に加熱した。ここで、「無アルカリガラス基板」には、酸化物基準の質量百分率表示で、68%≦SiO2≦80%、0%≦Al2O3<12%、0%<B2O3<7%、0%≦MgO≦12%、0%≦CaO≦15%、0%≦SrO≦4%、0%≦BaO≦1%、アルカリ成分の含有率が0.05質量%以下となる組成の無アルカリガラスを用いた。なお、上記ガラスのガラス転移点は700℃であった。
次に、アルミナボート14に入れた四ホウ酸ナトリウム10水和物の試薬15を局所的に約850℃に加熱して気化させ、その気化物質を石英チューブの端から矢印16の示す方向に吹きつけることにより、アルカリ金属であるナトリウムを無アルカリガラス基板13の表面に供給した。このときの四ホウ酸ナトリウム10水和物の吹き付け量は0.4L/m2とであり、無アルカリガラス基板13の温度は700℃であった。
次に、無アルカリガラス基板13の表面に対する吹き付け量が、0.1L/m2となるように、矢印17の示す方向からSO2ガスを吹き付け、保護被膜を形成させ、保護被膜付無アルカリガラス基板を製造した。このときの無アルカリガラス基板13の温度は700℃であった。
なお、本実施例は、上記成形工程と上記徐冷工程との間にアルカリ金属含有無機物質を吹き付け、直後にSO2ガスを吹き付けたのと同様の条件となる。
SO2ガスの吹き付け量を0.4L/m2とした以外は、実施例1と同様の方法で保護被膜付無アルカリガラス基板を製造した。
SO2ガスの吹き付け量を1.0L/m2とした以外は、実施例1と同様の方法で保護被膜付無アルカリガラス基板を製造した。
四ホウ酸ナトリウムを用いず、SO2ガスのみを吹き付けた以外は、実施例1と同様の方法で保護被膜付無アルカリガラス基板を製造した。
四ホウ酸ナトリウムを用いず、SO2ガスのみを吹き付けた以外は、実施例2と同様の方法で保護被膜付無アルカリガラス基板を製造した。
四ホウ酸ナトリウムを用いず、SO2ガスのみを吹き付けた以外は、実施例3と同様の方法で保護被膜付無アルカリガラス基板を製造した。
四ホウ酸ナトリウムを用いず、SO2ガスも吹き付けず、単に700℃で15分間加熱した以外は、実施例1と同様の方法で無アルカリガラス基板を製造した。
四ホウ酸ナトリウムを用いず、SO2ガスも吹き付けなかった以外は、実施例1と同様の方法で無アルカリガラス基板を製造した。
なお、比較例4および5で得られた各フラットパネルガラス用ガラス基板については、SO2ガスを吹き付けず、保護被膜を形成させていないため、耐摩耗性のみを以下に示す方法により測定した。その結果を下記表1に示す。
得られた各保護被膜付無アルカリガラス基板の保護被膜を純水に溶かし、ICP発光分析法を用いて硫黄を定量し、原子吸光法を用いてナトリウムを定量した。
これらの定量値から、付着していた硫酸ナトリウム量を保護被膜の付着量として算出した。なお、この付着量は、得られた無アルカリガラス基板の10枚から算出した平均値として求めた。
耐傷付き性の評価は、JIS R3221(1990年)に準じたテーバー試験により行った。なお、テーバー試験は、テーバー試験機(Tdedyne Taber Model503)を用い、摩耗輪はCS−10Fに固定し、荷重は250g、摩耗回数は3回に固定して実施した。
その後、試験体として用いた各保護被膜付無アルカリガラス基板の保護被膜を除去するため、20℃の純水の流水下(3リットル/分)で30秒間シャワーで基板を水洗した。
保護被膜を除去して得られたガラス基板の表面を顕微鏡で観察し、1cm×1cm角内に存在する長軸方向の長さが0.2mm以上の傷の数(傷発生個数)を測定した。測定部は、テーバー試験に供した部位の中央部とした(図3参照)。図3において、試験体(無アルカリガラス基板)18に摩耗輪による摩耗部19が形成されるが、測定部20は摩耗部19の中央部となる。
なお、傷発生個数の測定は、各ガラス基板1枚につき任意の10点について実施し、その平均値を求めた。更に、傷発生個数は、得られたガラス基板の10枚から算出した平均値として求めた。
(1)得られた各保護被膜付無アルカリガラス基板を、20℃の純水(流速:3リットル/分)が流れ落ちる場所で水洗し、保護膜を除去した。その後、洗浄後のガラス基板の表面の平均ホウ素濃度をX線光電子分光法にて5点測定した際の平均値として求めた。なお、X線光電子分光法においては、XPS分光装置(5500型、PHI社製)を用い、モノクロメータで単色化したX線AlKα線をX線源とした。また、X線光電子の検出角は75°であり、帯電補正のため電子シャワーを照射して測定を実施した。
具体的には、2次イオン質量分析装置(ADEPT1010、アルバック・ファイ社製)により洗浄後のガラス基板上の5点において拡散深さを各々5点測定し、その平均値を求めた。ここで、スバッタ時間のスバッタ深さへの換算は、SiO2換算(4nm=1min)にて行った。
なお、一次イオンは酸素イオンビーム、加速電圧は5keV、ビーム電流は400nA、一次イオンの入射角度は試料面の法線に対して45度、ビーム走査範囲400×400μm2の条件下で測定した。
下記表1中、比較例1〜3の拡散深さの欄が「−」となっているが、これは、拡散が確認できなかったことを示す。
耐摩耗性は、テーバー試験前後のヘイズ率の変化率(ヘイズ変化率)を調べることにより行った。
まず、得られた各無アルカリガラス基板のヘイズ率をヘイズメーターで測定した。
次いで、得られた各無アルカリガラス基板について、JIS R3221(1990年)に準じたテーバー試験を行った。なお、テーバー試験は、テーバー試験機(Tdedyne Taber Model503)を用い、摩耗輪はCS−10Fに固定し、荷重は500gに固定して行った。
次いで、1000回テーバー摩耗後のヘイズ率をヘイズメーターにて測定し、テーバー試験前のヘイズ率からその変化率を求めた。
ここで、ヘイズ値は、散乱光(Td)および透過光(Tt)により下記式のように定義される。
ヘイズ率=(Td/Tt)×100%
また、ヘイズ率(H)の変化率(ΔH)は、下記式で表される。
ΔH=摩耗回数1000回後のヘイズ率H−テーバー試験前のヘイズ率H
なお、比較例1〜3において、硫酸ナトリウムの量が同量であるにもかかわらず、SO2ガス吹き付け量の増大とともに傷カウントが減少している理由は、アルカリ土類金属由来の硫酸塩(硫酸カルシウム、硫酸ストロンチウム等)が生成し、それらが保護被膜として機能しているためである。
また、実施例1〜3の無アルカリガラス基板は、通常の水洗の後、ガラス基板の表面に形成された保護被膜が除去され、清浄な表面が現れたことを確認した。これに対し、比較例1〜3の無アルカリガラス基板では、通常の水洗を行ってもガラス基板の表面に形成された保護被膜が除去できず、残存していた。また、残存していた膜の成分を測定すると、硫酸カルシウムや硫酸ストロンチウムであった。
更に、実施例1〜3の無アルカリガラス基板は、ホウ素が拡散することにより、比較例1〜5の無アルカリガラス基板に比べてヘイズ変化率が低減し、耐摩耗性も向上していることが分かった。
本出願は、2006年7月7日出願の日本特許出願(特願2006−187727)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
Claims (12)
- フロート法により無アルカリガラス基板を製造する無アルカリガラス基板の製造方法であって、
溶融ガラスを溶融スズ上でガラス基板に成形する成形工程と、前記成形工程により成形された前記ガラス基板を徐冷する徐冷工程とを具備し、
前記ガラス基板の前記溶融スズに接触する側の表面にアルカリ金属を含有する無機物質を吹き付ける第1供給工程と、前記第1供給工程の後に、前記ガラス基板の前記溶融スズに接触する側の表面にSO2ガスを吹き付けて該表面に保護被膜を形成する第2供給工程とを具備する、無アルカリガラス基板の製造方法。 - 前記第1供給工程が、前記成形工程と前記徐冷工程との間に施される請求項1に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 前記第1供給工程が、前記ガラス基板のガラス転移点±100℃の範囲の温度で施される請求項1に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 前記第1供給工程が、600〜800℃で施される請求項1に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 前記第2供給工程が、前記成形工程と前記徐冷工程との間に施される請求項1〜4のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 前記第2供給工程が、前記ガラス基板のガラス転移点±100℃の範囲の温度で施される請求項1〜4のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 前記第2供給工程が、600〜800℃で施される請求項1〜4のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- フロート法により無アルカリガラス基板を製造する無アルカリガラス基板の製造方法であって、
溶融ガラスを溶融スズ上でガラス基板に成形する成形工程を具備し、
600〜800℃で前記ガラス基板の前記溶融スズに接触する側の表面にアルカリ金属を含有する無機物質を吹き付ける第1供給工程と、前記第1供給工程の後に、600〜800℃で前記ガラス基板の前記溶融スズに接触する側の表面にSO2ガスを吹き付けて該表面に保護被膜を形成する第2供給工程とを具備する、無アルカリガラス基板の製造方法。 - 更に、前記保護被膜を除去する洗浄工程を具備する、請求項1〜8のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 前記アルカリ金属を含有する無機物質が、ナトリウムおよびホウ素を含有する請求項1〜9のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 前記アルカリ金属を含有する無機物質が、四ホウ酸ナトリウムである請求項10に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 請求項10または11に記載の製造方法により製造される無アルカリガラス基板であって、
前記ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示で、
SiO2:30〜85%、
Al2O3:0〜35%、
B2O3:0〜35%、
MgO:0〜35%、
CaO:0〜35%、
SrO:0〜35%、
BaO:0〜35%、
アルカリ金属成分:0.5%以下
を含有し、
X線光電子分光法により測定される、前記ガラス基板の前記溶融スズに接触していた側の表面の平均ホウ素濃度が4〜10原子%であり、2次イオン質量分析法により測定される、前記ガラス基板の内部へのホウ素の拡散深さが5nm以上である無アルカリガラス基板。
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