JP5235232B2 - 試験装置および半導体デバイス - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 325
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 32
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 31
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 30
- 101100004933 Arabidopsis thaliana CYP79F1 gene Proteins 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000010374 somatic cell nuclear transfer Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- SGTNSNPWRIOYBX-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-{[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethyl](methyl)amino}-2-(propan-2-yl)pentanenitrile Chemical compound C1=C(OC)C(OC)=CC=C1CCN(C)CCCC(C#N)(C(C)C)C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 SGTNSNPWRIOYBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001026881 Homo sapiens F-box/LRR-repeat protein 2 Proteins 0.000 description 1
- 101001026868 Homo sapiens F-box/LRR-repeat protein 3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027753 Putative F-box/LRR-repeat protein 21 Human genes 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/31903—Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
- G01R31/31908—Tester set-up, e.g. configuring the tester to the device under test [DUT], down loading test patterns
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3183—Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/48—Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
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Description
この場合、機能ブロックに対して試験装置により生成したテストパターンを供給し、そのテストパターンを処理した結果を取得することができる。
オプション信号を設けることにより、DUT200の設計者は、多ビット伝送が要求されるBIST回路に、オプション信号を割り当てることができる。
この場合、メインバスを介して送受信される信号を利用して内部セルフテスト(BIST)を実行できる。
この場合、制御信号がテストレートと同期してDUTに供給されるため、テストレートをリアルタイムで変化させながら内部セルフテスト(BIST)を同期して実行できる。
この場合、試験装置側で生成したキャリブレーション信号を用いてBIST回路をキャリブレートできる。
これらの制御信号SCNT〜SCNT4(以下、単に制御信号SCNTと総称する)は、後述するBISI同期制御ユニット22によりリタイミングされ、テスト制御バスBUS3を介してBISI制御回路202に出力される。
第1BIST回路BIST1によってメモリ回路FB1のバウンダリスキャン試験を行う場合、はじめにBIST選択信号BIST−SELによって第1BIST回路BIST1のみがアクティブに設定される。つまり、BISIコマンド制御部12は、第1BIST回路BISTのBISTアドレスに1を書き込み、その他のBISTアドレスには0を書き込むようにBIST選択信号BIST−SELを生成する。
第1BIST回路BIST1は、別のモード(第2モード)でも動作可能である。第2モードではDUT200に内蔵されるパターン発生器を使用する代わりに、ATE100に内蔵されるパターン発生器を使用して所定のパターンを生成し、テストデータ入力信号DATA−INとしてATE100に与えてもよい。
第3BIST回路BIST3は、あるモード(第1、第2モード)において、D/A変換器とA/D変換器を直列に接続して試験する。このモードではD/A変換器の入力にデジタル信号D1を与えると、アナログ信号A1に変換され、アナログ信号A1がA/D変換器によってデジタル信号D2に再変換される。
Claims (22)
- 半導体デバイスの試験装置であって、
前記半導体デバイスは、
メインバスを介して信号の入出力を行い、所定の信号処理を実行する複数の機能ブロックと、
前記複数の機能ブロックごとに設けられ、対応する機能ブロックを試験し、試験結果に応じたデジタルの試験結果信号を生成する複数のBIST(Built-In Self Test)回路と、
前記メインバスと異なるテスト制御バスを介して前記試験装置と接続され、前記試験装置から出力される制御信号を受信し、前記制御信号にもとづいて前記複数のBIST回路を制御するとともに、前記制御信号により指定された前記試験結果信号が、前記テスト制御バスを介して前記試験装置によって読み出し可能に構成されるインタフェース回路と、
有するものであり、
前記試験装置は、
前記メインバスを介して前記半導体デバイスと信号の送受信を行い、少なくともひとつの前記機能ブロックに前記所定の信号処理を実行させる試験ユニットと、
前記半導体デバイス内の前記複数のBIST回路を個別に制御するための第1制御信号と、前記BIST回路により生成される前記試験結果信号を前記半導体デバイス内のインタフェース回路から読み出すための第2制御信号と、を生成する制御ユニットと、
前記制御ユニットにより生成される前記第1、第2制御信号を受け、前記試験ユニットのテストレートと同期して、前記テスト制御バスを介して前記半導体デバイスに供給する同期制御ユニットと、
を備え、
前記試験ユニットが前記半導体デバイスと信号の送受信を行い、前記少なくともひとつの機能ブロックが前記所定の信号処理を実行した状態で、前記制御ユニットは、前記少なくともひとつの機能ブロックに対応する前記BIST回路をアクティブとして、前記少なくともひとつの機能ブロックを試験させることを特徴とする試験装置。 - 前記制御ユニットにより生成される前記第1制御信号は、少なくとも、
前記複数のBIST回路のうち、いずれのBIST回路をアクティブとするかを設定する選択信号を含むことを特徴とする請求項1に記載の試験装置。 - 前記複数のBIST回路の少なくともひとつは、複数のモードが切り換え可能に構成され、
前記選択信号は、モードを設定するモードデータを含むことを特徴とする請求項2に記載の試験装置。 - 前記制御ユニットはさらに、各BIST回路に供給すべきテストパターンを含む第3制御信号を生成し、前記テスト制御バスを介して前記半導体デバイスに供給することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の試験装置。
- 前記制御ユニットはさらに、前記BIST回路による試験の開始、停止を指示する第4制御信号を生成し、前記テスト制御バスを介して前記半導体デバイスに供給することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の試験装置。
- 前記制御ユニットは、前記複数のBIST回路のうち、少なくともひとつに固有の制御を行うために利用されるオプション信号を生成し、
前記テスト制御バスは、前記オプション信号を伝送するための、前記第1、第2制御信号とは別の信号線を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の試験装置。 - 前記複数のBIST回路のうち、同一の機能を有するBIST回路は、複数の機能ブロックの間で共有化されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の試験装置。
- 少なくともひとつの前記BIST回路は、キャリブレーション用バスを介してキャリブレーション信号が入力可能となっており、
前記試験装置の前記試験ユニットは、前記キャリブレーション信号を生成可能に構成され、
前記制御ユニットは、前記BIST回路が前記キャリブレーション信号を処理した結果発生する前記試験結果信号を取得し、前記試験結果信号に応じて前記BIST回路をキャリブレーションするための第5制御信号を生成することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の試験装置。 - 半導体デバイスの試験装置であって、
前記半導体デバイスは、
メインバスを介して信号の入出力を行い、所定の信号処理を実行する複数の機能ブロックと、
前記複数の機能ブロックごとに設けられ、対応する機能ブロックを試験し、試験結果に応じたデジタルの試験結果信号を生成する複数のBIST(Built-In Self Test)回路と、
前記メインバスと異なるテスト制御バスを介して前記試験装置と接続され、前記試験装置から出力される制御信号を受信し、前記制御信号にもとづいて前記複数のBIST回路を制御するとともに、前記制御信号により指定された前記試験結果信号が、前記テスト制御バスを介して前記試験装置によって読み出し可能に構成されるインタフェース回路と、
有するものであり、
前記試験装置は、
前記メインバスを介して前記半導体デバイスと信号の送受信を行い、少なくともひとつの前記機能ブロックに前記所定の信号処理を実行させる試験ユニットと、
前記半導体デバイス内の前記複数のBIST回路を個別に制御するための第1制御信号と、前記BIST回路により生成される前記試験結果信号を前記半導体デバイス内のインタフェース回路から読み出すための第2制御信号と、を生成し、前記テスト制御バスを介して前記半導体デバイスに供給する制御ユニットと、
を備え、
少なくともひとつの前記BIST回路は、キャリブレーション用バスを介してキャリブレーション信号が入力可能となっており、
前記試験装置の前記試験ユニットは、前記キャリブレーション信号を生成可能に構成され、
前記制御ユニットは、前記BIST回路が前記キャリブレーション信号を処理した結果発生する前記試験結果信号を取得し、前記試験結果信号に応じて前記BIST回路をキャリブレーションするための第5制御信号を生成することを特徴とする試験装置。 - 前記制御ユニットにより生成される前記第1制御信号は、少なくとも、
前記複数のBIST回路のうち、いずれのBIST回路をアクティブとするかを設定する選択信号を含むことを特徴とする請求項9に記載の試験装置。 - 前記複数のBIST回路の少なくともひとつは、複数のモードが切り換え可能に構成され、
前記選択信号は、モードを設定するモードデータを含むことを特徴とする請求項10に記載の試験装置。 - 前記制御ユニットはさらに、各BIST回路に供給すべきテストパターンを含む第3制御信号を生成し、前記テスト制御バスを介して前記半導体デバイスに供給することを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の試験装置。
- 前記制御ユニットはさらに、前記BIST回路による試験の開始、停止を指示する第4制御信号を生成し、前記テスト制御バスを介して前記半導体デバイスに供給することを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の試験装置。
- 前記制御ユニットは、前記複数のBIST回路のうち、少なくともひとつに固有の制御を行うために利用されるオプション信号を生成し、
前記テスト制御バスは、前記オプション信号を伝送するための、前記第1、第2制御信号とは別の信号線を含むことを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の試験装置。 - 前記試験ユニットが前記半導体デバイスと信号の送受信を行い、前記少なくともひとつの機能ブロックが前記所定の信号処理を実行した状態で、前記制御ユニットは、前記少なくともひとつの機能ブロックに対応する前記BIST回路をアクティブとして、前記少なくともひとつの機能ブロックを試験させることを特徴とする請求項10に記載の試験装置。
- 前記複数のBIST回路のうち、同一の機能を有するBIST回路は、複数の機能ブロックの間で共有化されることを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の試験装置。
- メインバスを介して信号の入出力を行い、所定の信号処理を実行する複数の機能ブロックと、
前記複数の機能ブロックごとに設けられ、対応する機能ブロックを試験し、試験結果に応じたデジタルの試験結果信号を生成する複数のBIST(Built-In Self Test)回路と、
前記メインバスと異なるテスト制御バスを介して、試験装置から出力される制御信号を受信し、前記制御信号にもとづいて前記複数のBIST回路を制御するとともに、前記制御信号により指定された前記試験結果信号が、前記テスト制御バスを介して前記試験装置によって読み出し可能に構成されるインタフェース回路と、
を備え、
少なくともひとつの前記BIST回路は、キャリブレーション用バスを介してキャリブレーション信号が入力可能となっており、当該BIST回路は、前記キャリブレーション信号を処理した結果を前記試験結果信号として出力することを特徴とする半導体デバイス。 - 前記制御信号は、少なくとも、
前記複数のBIST回路のうち、いずれのBIST回路をアクティブとするかを設定する選択信号と、
アクティブに設定された前記BIST回路に供給すべきテストパターンを含むテストデータ入力信号と、
を含み、
前記選択信号によってアクティブに設定された前記BIST回路は、前記テストデータ入力信号を受け、対応する前記機能ブロックを試験することを特徴とする請求項17に記載の半導体デバイス。 - 前記複数のBIST回路の少なくともひとつは、複数のモードが切り換え可能に構成され、前記インタフェース回路は、前記選択信号に含まれるモードデータに応じて、前記BIST回路のモードを設定することを特徴とする請求項18に記載の半導体デバイス。
- 前記選択信号によりアクティブに設定されたBIST回路は、前記制御信号に含まれるスタートストップ信号に応じて、テストを開始し、停止することを特徴とする請求項18に記載の半導体デバイス。
- 少なくともひとつの機能ブロックが前記所定の信号処理を実行した状態で、前記少なくともひとつの機能ブロックに対応する前記BIST回路は、前記少なくともひとつの機能ブロックを試験することを特徴とする請求項17に記載の半導体デバイス。
- 前記複数のBIST回路のうち、同一の機能を有するBIST回路は、複数の機能ブロックの間で共有化されることを特徴とする請求項17に記載の半導体デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/172,159 | 2008-07-11 | ||
US12/172,159 US7679391B2 (en) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | Test equipment and semiconductor device |
PCT/JP2009/003200 WO2010004751A1 (en) | 2008-07-11 | 2009-07-09 | Test equipment and semiconductor device using built-in instruments standard interface |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011527746A JP2011527746A (ja) | 2011-11-04 |
JP5235232B2 true JP5235232B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=41131742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011501033A Active JP5235232B2 (ja) | 2008-07-11 | 2009-07-09 | 試験装置および半導体デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7679391B2 (ja) |
JP (1) | JP5235232B2 (ja) |
KR (1) | KR101181557B1 (ja) |
CN (1) | CN102089669B (ja) |
TW (1) | TWI377355B (ja) |
WO (1) | WO2010004751A1 (ja) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101646954B (zh) * | 2007-03-29 | 2013-07-24 | 爱德万测试株式会社 | 测试装置及电子器件 |
ITMI20080365A1 (it) | 2008-03-05 | 2009-09-06 | St Microelectronics Srl | Collaudo di circuiti integrati mediante poche sonde di collaudo |
US8358147B2 (en) | 2008-03-05 | 2013-01-22 | Stmicroelectronics S.R.L. | Testing integrated circuits |
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JP2010122108A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Oki Semiconductor Co Ltd | プローブカード及びそれを用いたテスト方法半導体試験装置 |
IT1392071B1 (it) * | 2008-11-27 | 2012-02-09 | St Microelectronics Srl | Metodo per eseguire un testing elettrico di dispositivi elettronici |
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-
2008
- 2008-07-11 US US12/172,159 patent/US7679391B2/en active Active
-
2009
- 2009-07-09 JP JP2011501033A patent/JP5235232B2/ja active Active
- 2009-07-09 CN CN2009801271506A patent/CN102089669B/zh active Active
- 2009-07-09 KR KR1020117003204A patent/KR101181557B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-09 WO PCT/JP2009/003200 patent/WO2010004751A1/en active Application Filing
- 2009-07-10 TW TW098123441A patent/TWI377355B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011527746A (ja) | 2011-11-04 |
WO2010004751A1 (en) | 2010-01-14 |
US20100007366A1 (en) | 2010-01-14 |
CN102089669A (zh) | 2011-06-08 |
TWI377355B (en) | 2012-11-21 |
TW201009369A (en) | 2010-03-01 |
KR101181557B1 (ko) | 2012-09-10 |
US7679391B2 (en) | 2010-03-16 |
CN102089669B (zh) | 2013-08-07 |
KR20110039342A (ko) | 2011-04-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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